CN116057648A - 滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路 - Google Patents

滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路 Download PDF

Info

Publication number
CN116057648A
CN116057648A CN202180055477.8A CN202180055477A CN116057648A CN 116057648 A CN116057648 A CN 116057648A CN 202180055477 A CN202180055477 A CN 202180055477A CN 116057648 A CN116057648 A CN 116057648A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plate electrode
parallel resonator
conductor
resonator
inductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180055477.8A
Other languages
English (en)
Inventor
野边陵太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN116057648A publication Critical patent/CN116057648A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H01G4/012—Form of non-self-supporting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/30—Stacked capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/0153—Electrical filters; Controlling thereof
    • H03H7/0161—Bandpass filters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1708—Comprising bridging elements, i.e. elements in a series path without own reference to ground and spanning branching nodes of another series path
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/01—Frequency selective two-port networks
    • H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
    • H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
    • H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H01F2017/0026—Multilayer LC-filter
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/228—Terminals
    • H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/40—Structural combinations of fixed capacitors with other electric elements, the structure mainly consisting of a capacitor, e.g. RC combinations
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
    • H03H2001/0021—Constructional details
    • H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Filters And Equalizers (AREA)

Abstract

一种滤波装置(105)，具备：层叠体，层叠多个电介质层(LY1～LY13)而成；接地端子(GND)；以及第一LC并联谐振器(RC1)、第二LC并联谐振器(RC2)和第三LC并联谐振器(RC3)，它们形成于层叠体，相互磁耦合。第一LC并联谐振器(RC1)包含第一导体(P1d)，第二LC并联谐振器(RC2)包含第二导体(P2d)，第三LC并联谐振器(RC3)包含第三导体(P3d)。滤波装置(105)还具备：连接导体(CP)，形成于与第二导体(P2d)不同的层；第一导通孔(V1)，一端与第一导体(P1d)连接，另一端与连接导体(CP)连接；以及第二导通孔(V2)，一端与第三导体(P3d)连接，另一端与连接导体(CP)连接。连接导体(CP)包含在从层叠方向俯视层叠体的情况下与第二导体(P2d)的一部分重叠的第一区域(R1)。

Description

滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路
技术领域
本发明涉及滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路，更确定地涉及用于提高层叠LC滤波器的特性的技术。
背景技术
在国际公开第2016/092903号(专利文献1)中，公开了一种带通滤波器，其特征在于，在具备3个以上的LC并联谐振器排列的结构的滤波装置中，不相邻的两个LC并联谐振器进行磁场耦合。
在专利文献1中，通过使不相邻的两个LC并联谐振器进行磁场耦合，而增大衰减极的衰减量，并且实现改善了通带的两端的插入损失的急剧性的通过特性。
专利文献1：国际公开第2016/092903号
近年来，要求如下的滤波装置，在通信中利用各种频带的信号，在发送接收特定的频带的信号时能够避免与其他的频带的信号的干扰，并且实现所希望的通过特性。
发明内容
本发明是为了解决这样的课题而完成的，其目的在于，在具备3个以上的LC并联谐振器的滤波装置中，扩大多个LC并联谐振器之间的电磁场耦合的调整能力，实现所希望的通过特性。
本发明的一个方式的滤波装置具备：层叠体，层叠多个电介质层而成；接地端子；以及第一LC并联谐振器、第二LC并联谐振器和第三LC并联谐振器，它们形成于层叠体，相互磁耦合。第一LC并联谐振器、第二LC并联谐振器和第三LC并联谐振器各自与接地端子连接，第一LC并联谐振器包含第一导体，第二LC并联谐振器包含第二导体，第三LC并联谐振器包含第三导体。滤波装置还具备：连接导体，形成于与第二导体不同的层；第一导通孔，一端与第一导体连接，另一端与连接导体连接；以及第二导通孔，一端与第三导体连接，另一端与连接导体连接。连接导体包含在从层叠方向俯视层叠体的情况下与第二导体的一部分重叠的第一区域。
本发明的另一方式的滤波装置具备：接地端子；以及多个LC并联谐振器，它们分别与接地端子连接，相互电连接。多个LC并联谐振器包含第一LC并联谐振器、第二LC并联谐振器以及第三LC并联谐振器。多个LC并联谐振器各自包含串联连接的第一电感器和第二电感器以及第一电容器，在第一电感器和第一电容器之间的连接节点处与接地端子连接。滤波装置还具备：第三电感器和第四电感器，它们串联连接在第一LC并联谐振器中的第一电感器和第二电感器之间的连接节点与第三LC并联谐振器中的第一电感器和第二电感器之间的连接节点之间；以及第二电容器，连接在第二LC并联谐振器中的第一电感器和第二电感器之间的连接节点与第三电感器和第四电感器之间的连接节点之间。
在本发明的滤波装置中，具备相互磁耦合的第一LC并联谐振器、第二LC并联谐振器以及第三LC并联谐振器。第一LC并联谐振器与第三LC并联谐振器经由连接导体而磁耦合。第二LC并联谐振器包含第二导体。在从层叠方向俯视层叠体的情况下连接导体与第二导体的一部分重叠，由此连接导体与第二导体电容耦合。
通过采用这样的结构，与不配置连接导体的情况不同，在连接导体与第二导体之间形成电容器，在第一LC并联谐振器与第三LC并联谐振器之间形成电感器。
通过调整该电容器的电容和电感器的电感，能够调整第一LC并联谐振器、第二LC并联谐振器以及第三LC并联谐振器的间的电磁场耦合，该电容器的电容和电感器的电感能够作为电磁场耦合的参数来使用。
因此，能够扩大LC并联谐振器间的电磁场耦合的调整能力，因此能够提高所希望的通过特性的可实现性。
附图说明
图1是具有应用实施方式1的滤波装置的高频前端电路的通信装置的框图。
图2是滤波装置的等效电路图。
图3是表示滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
图4是表示在图2和图3所示的滤波装置中，变更接合部的位置时的从输入端子向输出端子的插入损失的图。
图5是表示在图2和图3所示的滤波装置中，变更连接电极的Y轴方向的宽度时的从输入端子向输出端子的插入损失的图。
图6是图5所示的区域的放大图。
图7是实施方式2的滤波装置的等效电路图。
图8是表示实施方式2的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
图9是表示在图7和图8所示的滤波装置中，变更接合部的位置时的从输入端子向输出端子的插入损失的图。
图10是表示在图7和图8所示的滤波装置中，变更连接电极的Y轴方向的宽度时的从输入端子向输出端子的插入损失的图。
图11是实施方式3的滤波装置的等效电路图。
图12是表示实施方式3的滤波装置的层叠构造的一例的分解立体图。
图13是表示变形例1的分解立体图。
图14是表示变形例2的分解立体图。
图15是变形例2所具备的连接电极的俯视图。
图16是表示变形例3的分解立体图。
图17是表示变形例3的调整例的分解立体图。
具体实施方式
以下，参照附图详细地说明本发明的实施方式。此外，对图中相同或者相当的部分标注相同的符号而不重复其说明。
[实施方式1]
(通信装置的基本结构)
图1是具有应用实施方式1的滤波装置的高频前端电路20的通信装置10的框图。通信装置10例如是移动电话基站。
参照图1，通信装置10具备天线12、高频前端电路20、混频器30、局部振荡器32、D/A转换器(DAC)40、以及RF电路50。另外，高频前端电路20包含带通滤波器22、28、放大器24、以及衰减器26。此外，在图1中，对高频前端电路20包含从天线12发送高频信号的发送电路的情况进行说明，但高频前端电路20也可以包含经由天线12接收高频信号的接收电路。
通信装置10将从RF电路50传递的信号上变频为高频信号并从天线12发射。从RF电路50输出的调制完毕的数字信号通过D/A转换器40而转换为模拟信号。混频器30将由D/A转换器40模拟转换后的信号与来自局部振荡器32的振荡信号混合而上变频为高频信号。带通滤波器28去除通过上变频而产生的无用波，仅提取所希望的频带的信号。衰减器26调整发送信号的强度。放大器24将通过了衰减器26的发送信号电力放大到规定的电平。带通滤波器22去除在放大过程中产生的无用波，并且仅使由通信标准决定的频带的信号成分通过。通过了带通滤波器22的发送信号从天线12发射。
作为上述的通信装置10中的带通滤波器22、28，能够采用与本发明对应的滤波装置。
(滤波装置的结构)
接着使用图2和图3对实施方式1的滤波装置105的详细的结构进行说明。
图2是滤波装置105的等效电路图。参照图2，滤波装置105具备输入端子T1、输出端子T2、以及谐振器RC1～RC5。
谐振器RC1包含串联连接的电感器L1A、L1B、以及与该电感器L1A、L1B并联连接的电容器C1。电感器L1B与电容器C1的连接节点N1A经由电容器C14连接在电感器L4B与电容器C4之间的连接节点N4A。另外，连接节点N1A经由电容器C12连接在电感器L2B与电容器C2之间的连接节点N2A。电感器L1A与电容器C1的连接节点N1B与接地端子GND连接。
谐振器RC2包含串联连接的电感器L2A、L2B、以及与该电感器L2A、L2B并联连接的电容器C2。电感器L2B与电容器C2的连接节点N2A经由电容器C23连接在电感器L3B与电容器C3之间的连接节点N3A。电感器L2A与电容器C2的连接节点N2B与接地端子GND连接。
谐振器RC3包含串联连接的电感器L3A、L3B、以及与该电感器L3A、L3B并联连接的电容器C3。电感器L3B与电容器C3的连接节点N3A经由电容器C35连接在电感器L5B与电容器C5之间的连接节点N5A。电感器L3A与电容器C3的连接节点N3B与接地端子GND连接。
谐振器RC4包含串联连接的电感器L4A、L4B、以及与该电感器L4A、L4B并联连接的电容器C4。电感器L4B与电容器C4的连接节点N4A与输入端子T1连接。电感器L4A与电容器C4的连接节点N4B与接地端子GND连接。
谐振器RC5包含串联连接的电感器L5A、L5B、以及与该电感器L5A、L5B并联连接的电容器C5。电感器L5B与电容器C5的连接节点N5A与输出端子T2连接。电感器L5A与电容器C5的连接节点N5B与接地端子GND连接。
另外，谐振器RC4的连接节点N4A与谐振器RC5的连接节点N5A经由电容器C45连接。谐振器RC1的电感器L1A、谐振器RC2的电感器L2A以及谐振器RC3的电感器L3A各自与电感器L1连接。
谐振器RC1的连接节点N1D与电感器L2连接。谐振器RC3的连接节点N3D与电感器L3连接。电感器L2与电感器L3连接。连接节点N1为电感器L2与电感器L3之间的连接节点。连接节点N1经由电容器Cx连接在电感器L2B与电感器L2A之间的连接节点N2D。
谐振器RC1～RC5各自为将电感器和电容器并联连接的LC并联谐振器。各谐振器彼此通过磁耦合而耦合。这样，滤波装置105具有在输入端子T1与输出端子T2之间配置有相互磁耦合的5段的谐振器的结构。通过调整各谐振器的谐振频率，滤波装置105作为使所希望的频带的信号通过的带通滤波器发挥功能。
图3是表示滤波装置105的层叠构造的一例的分解立体图。
参照图3，滤波装置105具备通过将多个电介质层(第一层LY1～第十三层LY13)在层叠方向上层叠而形成的长方体或者大致长方体的层叠体。层叠体的各电介质层例如由低温同时烧制陶瓷(LTCC：Low Temperature Co-fired Ceramics)等陶瓷或树脂形成。在层叠体的内部，通过形成于各电介质层的多个电极以及形成在电介质层间的多个导通孔，而形成用于构成LC谐振电路的电感器和电容器。此外，在本说明书中“导通孔”表示为了将形成于不同的电介质层的电极连接而形成于电介质层中的导体。导通孔例如通过导电膏、电镀和/或金属销等形成。
此外，在以后的说明中，将层叠体的层叠方向设为“Z轴方向”，将与Z轴方向垂直且沿着层叠体的长边的方向设为“X轴方向”，将沿着层叠体的短边的方向设为“Y轴方向”。另外，以下，有时将各图中的Z轴的正方向称为上侧，将负方向称为下侧。
也可以在层叠体的上表面Sf(第一层LY1)配置有用于确定滤波装置105的方向的方向性标记。在层叠体的下表面Bt(第十三层LY13)配置有用于将该滤波装置105和外部设备连接的外部端子(输入端子T1、输出端子T2以及接地端子GND)。输入端子T1、输出端子T2以及接地端子GND分别是平板状的电极，是规则地配置于层叠体的下表面Bt的LGA(LandGrid Array：焊盘栅格阵列)端子。
像图2中说明的那样，滤波装置105具有5段的LC并联谐振器。更具体而言，包含：包含导通孔V1A、V1B、平板电极P1、平板电极P1d和平板电极P10而形成的谐振器RC1；包含导通孔V2A、V2B、平板电极P2、平板电极P2d和平板电极P11而形成的谐振器RC2；包含导通孔V3A、V3B、平板电极P3、平板电极P3d和平板电极P12而形成的谐振器RC3；包含导通孔V4A、V4B、平板电极P4、平板电极P4d和平板电极P7而形成的谐振器RC4；以及包含导通孔V5A、V5B、平板电极P5、平板电极P5d和平板电极P8而形成的谐振器RC5。
谐振器RC4的平板电极P7形成于第十一层LY11。平板电极P7通过导通孔V10与形成于第十三层LY13的输入端子T1连接。谐振器RC4的平板电极P7通过导通孔V4B与形成于第三层LY3的平板电极P4d和形成于第二层LY2的平板电极P4连接。另外，平板电极P4通过导通孔V4A与形成于第十层LY10的平板电极P9连接。平板电极P9通过导通孔V11与形成于第十二层LY12的平板电极P6连接。另外，平板电极P6通过导通孔V6、V7、V8、V9与形成于第十三层LY13的接地端子GND连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P7的一部分与平板电极P9重叠。通过平板电极P9和平板电极P7形成图2的电容器C4。此外，谐振器RC4中的导通孔V4A和导通孔V4B与图2的电感器L4A和电感器L4B分别对应。
谐振器RC5的平板电极P8形成于第十一层LY11。平板电极P8通过导通孔V12与形成于第十三层LY13的输出端子T2连接。谐振器RC5的平板电极P8通过导通孔V5B与形成于第三层LY3的平板电极P5d和形成于第二层LY2的平板电极P5连接。另外，平板电极P5通过导通孔V5A与平板电极P9连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P8的一部分与平板电极P9重叠。通过平板电极P8和平板电极P9形成图2的电容器C5。此外，谐振器RC5中的导通孔V5A和导通孔V5B与图2的电感器L5A和电感器L5B分别对应。
谐振器RC1的平板电极P10通过导通孔V1B与形成于第三层LY3的平板电极P1d和形成于第二层LY2的平板电极P1连接。另外，平板电极P1通过导通孔V1A与平板电极P9连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P10与平板电极P9的一部分重叠。通过平板电极P10和平板电极P9形成图2的电容器C1。此外，谐振器RC1中的导通孔V1A和导通孔V1B与图2的电感器L1A和电感器L1B分别对应。
谐振器RC2的平板电极P11通过导通孔V2B与形成于第三层LY3的平板电极P2d和形成于第二层LY2的平板电极P2连接。另外，平板电极P2通过导通孔V2A与平板电极P9连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P11与平板电极P9的一部分重叠。通过平板电极P9和平板电极P11形成图2的电容器C2。此外，谐振器RC2中的导通孔V2A和导通孔V2B与图2的电感器L2A和电感器L2B分别对应。
谐振器RC3的平板电极P12通过导通孔V3B与形成于第三层LY3的平板电极P3d和形成于第二层LY2的平板电极P3连接。另外，平板电极P3通过导通孔V3A与平板电极P9连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P12与平板电极P9的一部分重叠。通过平板电极P9和平板电极P12形成图2的电容器C3。此外，谐振器RC3中的导通孔V3A和导通孔V3B与图2的电感器L3A和电感器L3B分别对应。
平板电极P1d～P5d是为了降低平板电极P1～P5的电阻成分而配置的。即，与不具备平板电极P1d～P5d的结构进行比较，在具备平板电极P1d～P5d的结构中，平板电极P1～P5的电阻值变小。谐振器RC2的导通孔V2B也与形成于第八层LY8的平板电极P14连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P14的一部分与形成于第七层LY7的平板电极P16和平板电极P17中的各个平板电极重叠。另外，在从层叠方向俯视的情况下平板电极P16的一部分夹着第八层LY8与谐振器RC1的平板电极P10重叠。通过平板电极P10、平板电极P14和平板电极P16形成图2的电容器C12。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P17的一部分夹着第八层LY8与谐振器RC3的平板电极P12重叠。通过平板电极P12、平板电极P14和平板电极P17形成图2的电容器C23。
在从层叠方向俯视的情况下，经由导通孔V13与谐振器RC4的平板电极P7连接的平板电极P13的一部分与平板电极P16重叠。在从层叠方向俯视的情况下，经由导通孔V14与谐振器RC5的平板电极P8连接的平板电极P15的一部分与平板电极P17重叠。在从层叠方向俯视的情况下，平板电极P16的一部分和平板电极P17的一部分各自与形成于第六层LY6的平板电极P18重叠。通过平板电极P13、平板电极P15、平板电极P16、平板电极P17和平板电极P18形成图2的电容器C45。
谐振器RC4的平板电极P7经由导通孔V13与形成于第七层LY7的平板电极P13连接。在从层叠方向俯视的情况下，平板电极P13的一部分与谐振器RC1的平板电极P10重叠。通过平板电极P10和平板电极P13形成图2的电容器C14。
谐振器RC5的平板电极P8经由导通孔V14与形成于第七层LY7的平板电极P15连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P15的一部分与谐振器RC3的平板电极P12重叠。通过平板电极P12和平板电极P15形成图2的电容器C35。
谐振器RC1的导通孔V1A、谐振器RC2的导通孔V2A和谐振器RC3的导通孔V3A各自与形成于第五层LY5的平板电极P19连接。平板电极P19与图2的电感器L1对应。
谐振器RC1的平板电极P1经由导通孔V1与形成于第四层LY4的连接电极CP连接。另外，谐振器RC3的平板电极P3经由导通孔V2与连接电极CP连接。导通孔V1和导通孔V2与图2的电感器L2和电感器L3分别对应。在从层叠方向俯视的情况下，连接电极CP的一部分与谐振器RC2的平板电极P2d重叠。通过连接电极CP和平板电极P2d形成图2的电容器Cx。
导通孔V1在接合部J1处与平板电极P1连接。在从层叠方向俯视层叠体时，导通孔V1与平板电极P1d的接合部与接合部J1重叠。导通孔V2在接合部J2处与平板电极P3连接。在从层叠方向俯视层叠体时，导通孔V2与平板电极P3d的接合部与接合部J2重叠。
此外，谐振器RC1～RC5与本发明的“第一LC并联谐振器”～“第五LC并联谐振器”分别对应。平板电极P1d～P5d与本发明的“第一导体”～“第五导体”分别对应。导通孔V1、V2与本发明的“第一导通孔”、“第二导通孔”分别对应。连接电极CP与本发明的“连接导体”对应。
在图3中说明的滤波装置105中，通过变更连接电极CP的宽度，能够对在俯视的情况下与平板电极P2d重叠的连接电极CP的面积进行增减，能够调整电容器Cx的电容。连接电极CP的宽度是指第二层LY2的XY平面上的连接电极CP的Y轴方向的宽度。以下，有时简称为连接电极CP的宽度。另外，在滤波装置105中，通过使接合部J1、J2的位置相对于Y轴方向移动，能够变更谐振器RC1与RC3之间的磁耦合的强度，能够调整电感器L2、L3的电感。
这样，在滤波装置105中，通过具备连接电极CP，能够变更连接电极CP的宽度而调整图2的电容器Cx的电容，能够变更连接电极CP的配置而调整图2的电感器L2、L3的电感。即，能够将电容器Cx的电容、电感器L2、L3的电感作为用于调整谐振器间的电磁场耦合的强度的参数来使用。
接下来，使用图4～图6，对通过变更实施方式1的滤波装置105中的接合部J1、J2的位置和连接电极CP的宽度而调整电磁场耦合的例子进行说明。
图4是表示在图2和图3所示的滤波装置105中，变更平板电极P1中的接合部J1的位置、平板电极P3中的接合部J2的位置时的从输入端子T1向输出端子T2的插入损失的图。变更接合部J1、J2的位置是指导通孔V1、连接电极CP、导通孔V2保持图3所示的形状的状态下，沿Y轴方向滑动地变更位置。在图4中，示出表示接合部J1、J2的位置分别不同的滤波装置105的插入损失的实线Ln1～Ln5。
实线Ln3表示接合部J1、J2在平板电极P1、P2的Y轴方向上位于中央附近的情况下的插入损失。实线Ln2表示接合部J1、J2位于比实线Ln3的接合部J1、J2靠Y轴的负方向侧的情况下的插入损失。实线Ln1表示接合部J1、J2位于比实线Ln2的接合部J1、J2更靠Y轴的负方向侧的情况下的插入损失。
实线Ln4表示接合部J1、J2位于比实线Ln3的接合部J1、J2靠Y轴的正方向侧的情况下的插入损失。实线Ln5表示接合部J1、J2位于比实线Ln2的接合部J1、J2更靠Y轴的正方向侧的情况下的插入损失。
参照图4，实线Ln1～Ln5各自具有衰减极D1和衰减极D2。在图2和图3的滤波装置105中，谐振器RC1～RC3之间的磁耦合比谐振器RC1～RC3之间的电容耦合大。因此，衰减极D1、D2形成在通带的高频侧。
接合部J1、J2越是位于Y轴的负方向侧，则接合部J1、J2的位置越接近接地端子GND侧，因此谐振器RC1与谐振器RC3之间的磁耦合变小。因此，衰减极D1的衰减量变大，衰减极D2的频率变低。
接合部J1、J2越是位于Y轴的正方向侧，则接合部J1、J2的位置越接近输入端子T1侧，因此谐振器RC1与谐振器RC3之间的磁耦合变大。因此，衰减极D1的衰减量变小，衰减极D2的频率变高。
通过变更接合部J1、J2的位置，从而电感器L2和电感器L3的电感发生变化，衰减极D2的频率发生变化。通过使衰减极D2的频率发生变化，从而衰减极D1的衰减量发生变化。即，在衰减极D2的频率变低的情况下，衰减极D2的频率接近衰减极D1的频率。衰减极D1与衰减极D2之间的频率差越小，则受到来自衰减极D2的影响越强，衰减极D1的衰减量越大。另一方面，衰减极D1与衰减极D2之间的频率差越大，则来自衰减极D2的影响越小，衰减极D1的衰减量越小。
这样，在实施方式1的滤波装置105中，通过变更平板电极P1和平板电极P2的Y轴方向上的接合部J1、J2的位置，能够使电感器L2和电感器L3的电感发生变化，调整衰减极D1的衰减量和衰减极D2的频带。
图5是表示在图2和图3所示的滤波装置105中，变更连接电极CP的宽度、即电容器Cx的电容时的从输入端子T1向输出端子T2的插入损失的图。图6是图5所示的区域VI的放大图。在图5和图6中，示出表示连接电极CP的Y轴方向的宽度不同的滤波装置105的插入损失的实线Ln6～Ln9。
参照图6，实线Ln6表示图3的滤波装置105的插入损失。实线Ln7表示连接电极CP的宽度比图3的滤波装置105的连接电极CP的宽度宽的情况下的插入损失。实线Ln8表示连接电极CP的宽度比实线Ln7的连接电极CP的宽度更宽的情况下的插入损失。实线Ln9表示连接电极CP的宽度比实线Ln8的连接电极CP的宽度更宽的情况下的插入损失。
实线Ln6～Ln9各自表示的衰减极D1形成在相互不同的位置。连接电极CP的Y轴方向的宽度越宽，则衰减极D1的衰减量越小。另外，连接电极CP的Y轴方向的宽度越窄，则衰减极D1的衰减量越大。
通过图3的连接电极CP和平板电极P2d形成图2的电容器Cx。即，通过变更连接电极CP的Y轴方向的宽度，从而电容器Cx的电容发生变化。由此，衰减极D1的衰减量发生变化。
这样，在实施方式1的滤波装置105中，通过变更连接电极CP的宽度和配置，能够调整衰减极的衰减量和频率。
在本发明的滤波装置105中，能够调整电容器Cx的电容以及电感器L2和电感器L3的电感，而调整衰减极的衰减量和频率中的至少一方。即，在本发明的滤波装置105中，能够将电容器Cx的电容、电感器L2和电感器L3的电感作为谐振器间的电磁场耦合的参数来使用。由此，能够扩大LC并联谐振器间的电磁场耦合的调整能力，能够提高所希望的通过特性的可实现性。
[实施方式2]
在实施方式1中，对包含具备将谐振器RC1和谐振器RC2连接的连接电极CP的5段的LC并联谐振器的滤波装置105进行了说明。在实施方式2中，使用图7和图8，对具备将谐振器RC1和谐振器RC3连接的连接电极CPt的3段的LC并联谐振器进行说明。
图7是实施方式2的滤波装置103的等效电路图。图7的滤波装置103是从图2的滤波装置105中去除了谐振器RC4和谐振器RC5而得的结构。即，滤波装置103具有配置有相互进行磁耦合的3段的谐振器RC1～RC3的结构。另外，图7的滤波装置103是去除了图2的滤波装置105的将连接节点N1C、连接节点N2C和连接节点N3C之间连接的电感器L1而得的结构。电容器C1与电感器L1B之间的连接节点N1A经由电容器C13连接在电容器C3与电感器L3B之间的连接节点N3A。
这样，关于通过变更接合部J1、J2的位置和连接电极CP的宽度而进行的衰减极的衰减量和频率中的至少一方的调整，通过去除了谐振器RC4、谐振器RC5和电感器L1的结构也能够实现。
图8是表示实施方式2的滤波装置103的层叠构造的一例的分解立体图。
参照图8，滤波装置103具备通过将多个电介质层(第一层LY1t～第十层LY10t)沿层叠方向层叠而形成的长方体或者大致长方体的层叠体。
也可以在层叠体的上表面Sft(第一层LY1t)配置有用于确定滤波装置103的方向的方向性标记。在层叠体的下表面Btt(第十层LY10t)配置有用于将该滤波装置103和外部设备连接的外部端子(输入端子T1t、输出端子T2t和接地端子GND1t、GND2t)。
像图7中说明的那样，滤波装置103具备3段的LC并联谐振器。更具体而言，包含：包含导通孔V1At、V1Bt、平板电极P1t和平板电极P4t而形成的谐振器RC1；包含导通孔V2At、V2Bt、平板电极P2t和平板电极P8t而形成的谐振器RC2；以及包含导通孔V3At、V3Bt、平板电极P3t和平板电极P6t而形成的谐振器RC3。
谐振器RC1的平板电极P4t形成于第九层LY9t。平板电极P4t通过导通孔V4t与形成于第十层LY10t的输入端子T1t连接。谐振器RC1的平板电极P4t通过导通孔V1Bt与形成于第二层LY2t的平板电极P1t连接。另外，平板电极P1t通过导通孔V1At与形成于第八层LY8t的平板电极P7t连接。平板电极P7t通过导通孔V8t与形成于第九层LY9t的平板电极P5t连接。另外，平板电极P5t通过导通孔V5t、V6t与形成于第十层LY10t的接地端子GND1t、GND2t分别连接。在从层叠方向俯视的情况下，平板电极P4t的一部分与平板电极P7t重叠。通过平板电极P4t和平板电极P7t形成图7的电容器C1。此外，谐振器RC1中的导通孔V1At和导通孔V1Bt与图7的电感器L1A和电感器L1B分别对应。
谐振器RC2的平板电极P8t通过导通孔V2Bt与形成于第二层LY2t的平板电极P2t连接。另外，平板电极P2t通过导通孔V2At与平板电极P7t连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P7t的一部分与平板电极P8t重叠。通过平板电极P7t和平板电极P8t形成图7的电容器C2。此外，谐振器RC2中的导通孔V2At和导通孔V2Bt与图7的电感器L2A和电感器L2B分别对应。
谐振器RC3的平板电极P6t形成于第九层LY9t。平板电极P6t通过导通孔V7t与形成于第十层LY10t的输出端子T2t连接。平板电极P6t通过导通孔V3Bt与形成于第二层LY2t的平板电极P3t连接。另外，平板电极P3t通过导通孔V3At与平板电极P7t连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P7t的一部分与平板电极P6t重叠。通过平板电极P6t和平板电极P7t形成图7的电容器C3。此外，谐振器RC3中的导通孔V3At和导通孔V3Bt与图7的电感器L3A和电感器L3B分别对应。
在从层叠方向俯视的情况下，谐振器RC2的平板电极P8t的一部分与形成于第六层LY6t的平板电极P9t重叠。平板电极P9t经由导通孔V9t与谐振器RC1的平板电极P4t连接。通过平板电极P8t和平板电极P9t形成图7的电容器C12。在从层叠方向俯视的情况下，谐振器RC2的平板电极P8t的一部分与形成于第六层LY6t的平板电极P10t重叠。平板电极P10t经由导通孔V10t与谐振器RC3的平板电极P6t连接。通过平板电极P8t和平板电极P10t形成图7的电容器C23。在从层叠方向俯视的情况下形成于第五层LY5t的平板电极P11t与平板电极P9t和平板电极P10t中的各个平板电极重叠。通过平板电极P9t、平板电极P10t和平板电极P11t形成图7的电容器C13。
谐振器RC1的平板电极P1t经由导通孔V1t与形成于第三层LY3t的连接电极CPt连接。另外，谐振器RC3的平板电极P3t经由导通孔V2t与连接电极CPt连接。导通孔V1t和导通孔V2t与图7的电感器L2和电感器L3分别对应。在从层叠方向俯视的情况下，连接电极CPt的一部分与谐振器RC2的平板电极P2t重叠。通过连接电极CPt和平板电极P2t形成图7的电容器Cx。导通孔V1t在接合部J1t处与平板电极P1t连接。导通孔V2t在接合部J2t处与平板电极P3t连接。
接下来，使用图9～图11，对通过变更实施方式2的滤波装置103中的、接合部J1t、J2t的位置和连接电极CPt的Y轴方向的宽度中的至少一方而调整谐振器间的电磁场耦合的例子进行说明。
图9是表示在图7和图8所示的滤波装置103中，变更接合部J1t、J2t的位置时的从输入端子T1t向输出端子T2t的插入损失的图。在图9中，示出表示接合部J1t、J2t的位置分别不同的滤波装置103的插入损失的实线Ln10～Ln12。
实线Ln11表示接合部J1t、J2t的位置在平板电极P1t和平板电极P3t的Y轴方向上位于中央附近的情况下的插入损失。实线Ln10表示接合部J1t、J2t在Y轴方向上位于比实线Ln10的接合部J1t、J2t靠负方向侧的位置的情况下的插入损失。实线Ln12表示接合部J1t、J2t在Y轴方向上位于比实线Ln11的接合部J1t、J2t靠正方向侧的位置的情况下的插入损失。
实线Ln10～Ln12各自具有衰减极D3。在图7和图8的滤波装置103中，谐振器RC1～RC3之间的电容耦合比谐振器RC1～RC3之间的磁耦合大。因此，衰减极D3形成在通带的低频侧。
接合部J1t、J2t越是位于Y轴的负方向侧，则衰减极D3的衰减量越大，衰减极D3的频率越高。另外，接合部J1t、J2t越是位于Y轴的正方向侧，则衰减极D3的衰减量越小，衰减极D3的频率越低。
即，通过变更接合部J1t、J2t的位置，从而图7的电感器L2和电感器L3的电感发生变化。由此，衰减极D3的频率发生变化。
这样，在实施方式2的滤波装置103中，通过变更平板电极P1t和平板电极P3t的Y轴方向上的接合部J1t、J2t的位置，从而电感器L2和电感器L3的电感发生变化，能够调整衰减极D3的衰减量和频带。
图10是表示在图7和图8所示的滤波装置103中，变更连接电极CPt的Y轴方向的宽度时的从输入端子T1t向输出端子T2t的插入损失的图。在图10中，示出表示连接电极CPt的Y轴方向的宽度分别不同的滤波装置103的插入损失的实线Ln13～Ln15。
实线Ln13表示图8所示的滤波装置103的插入损失。实线Ln14表示连接电极CPt的宽度比图8所示的滤波装置103的连接电极CPt的宽度宽的情况下的插入损失。实线Ln15表示连接电极CPt的宽度比实线Ln14的连接电极CPt的宽度更宽的情况下的插入损失。
实线Ln10～Ln12各自具有衰减极D3。连接电极CPt的Y轴方向的宽度越宽，则衰减极D3的衰减量越大，衰减极D3的频率越高。另外，连接电极CPt的Y轴方向的宽度越窄，则衰减极D3的衰减量越小，衰减极D3的频率越低。
这样，在实施方式2的滤波装置103中，通过变更接合部J1t、J2t的位置和连接电极CPt的Y轴方向的宽度，能够调整衰减极D3的衰减量和频带。即，在实施方式2的滤波装置103中，能够将电容器Cx的电容和电感器L2和电感器L3的电感作为谐振器间的电磁场耦合的参数来使用。由此，在实施方式2所示的3段的LC并联谐振器间的电磁场耦合中，也能够扩大调整能力，能够提高所希望的通过特性的可实现性。
此外，实施方式2的谐振器RC1～RC3与本发明的“第一LC并联谐振器”～“第三LC并联谐振器”分别对应。平板电极P1t～P3t与本发明的“第一导体”～“第三导体”分别对应。导通孔V1t、V2t与本发明的“第一导通孔”、“第二导通孔”分别对应。连接电极CPt与本发明的“连接导体”对应。
[实施方式3]
在实施方式2中，对包含3段的LC并联谐振器的滤波装置103进行说明。在实施方式3中，使用图11和图12，对包含4段的LC并联谐振器的滤波装置104进行说明。
图11是实施方式3的滤波装置104的等效电路图。图11的滤波装置104具有在图7的滤波装置103中添加谐振器RC4而得的结构。即，滤波装置104具有配置有相互磁耦合的4段的谐振器RC1～RC4的结构。电感器L3B与电容器C3之间的连接节点N3A经由电容器C34连接在电感器L4B与电容器C4之间的连接节点N4A。在实施方式2中，电感器L1A与电容器C1之间的连接节点N1A与连接节点N3A连接，但在实施方式3中，经由电容器C14与连接节点N4A连接。
在具备4段的谐振器RC1～RC4的结构中，也能够实现通过变更图12所示的接合部J1f、J2f的位置和连接电极CPf的Y轴方向的宽度来调整衰减极的衰减量和频率。
图12是表示实施方式3的滤波装置104的层叠构造的一例的分解立体图。图12的滤波装置104具有4段的LC并联谐振器。更具体而言，包含：包含导通孔V1Af、V1Bf、平板电极P1f、平板电极P1df和平板电极P6f而形成的谐振器RC1；包含导通孔V2Af、V2Bf、平板电极P2f、平板电极P2df和平板电极P9f而形成的谐振器RC2；包含导通孔V3Af、V3Bf、平板电极P3f、平板电极P3df和平板电极P10f而形成的谐振器RC3；以及包含导通孔V4Af、V4Bf、平板电极P4f、平板电极P4df和平板电极P7f而形成的谐振器RC4。
谐振器RC1的平板电极P6f形成于第九层LY9f。平板电极P6f通过导通孔V9f与形成于第十一层LY11f的输入端子T1f连接。谐振器RC1的平板电极P6f通过导通孔V1Bf与形成于第三层LY3f的平板电极P1df和形成于第二层LY2f的平板电极P1f连接。另外，平板电极P1f通过导通孔V1Af与形成于第八层LY8f的平板电极P8f连接。平板电极P8f通过导通孔V10f与形成于第十层LY10f的平板电极P5f连接。另外，平板电极P5f通过导通孔V5f、V6f、V7f、V8f与形成于第十一层LY11f的接地端子GNDf连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P6f的一部分与平板电极P8f重叠。通过平板电极P6f和平板电极P8f形成图11的电容器C1。
谐振器RC2的平板电极P9f通过导通孔V2Bf与形成于第三层LY3f的平板电极P2df和形成于第二层LY2f的平板电极P2f连接。另外，平板电极P2f通过导通孔V2Af与形成于第八层LY8f的平板电极P8f连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P8f的一部分与平板电极P9f重叠。通过平板电极P8f和平板电极P9f形成图11的电容器C2。
谐振器RC3的平板电极P10f通过导通孔V3Bf与形成于第三层LY3f的平板电极P3df和形成于第二层LY2f的平板电极P3f连接。另外，平板电极P3f通过导通孔V3Af与形成于第八层LY8f的平板电极P8f连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P8f的一部分与平板电极P10f重叠。通过平板电极P8f和平板电极P10f形成图11的电容器C3。
谐振器RC4的平板电极P7f形成于第九层LY9f。平板电极P7f通过导通孔V11f与形成于第十一层LY11f的输出端子T2f连接。谐振器RC4的平板电极P7f通过导通孔V4Bf与形成于第三层LY3f的平板电极P4df和形成于第二层LY2f的平板电极P4f连接。另外，平板电极P4f通过导通孔V4Af与形成于第八层LY8f的平板电极P8f连接。在从层叠方向俯视的情况下平板电极P8f的一部分与平板电极P7f重叠。通过平板电极P7f和平板电极P8f形成图11的电容器C4。
在从层叠方向俯视的情况下谐振器RC2的平板电极P9f的一部分与形成于第六层LY6f的平板电极P11f重叠。平板电极P11f经由导通孔V12f与谐振器RC1的平板电极P6f连接。通过平板电极P9f和平板电极P11f形成图11的电容器C12。在从层叠方向俯视的情况下谐振器RC3的平板电极P10f的一部分与形成于第六层LY6f的平板电极P12f重叠。平板电极P12f经由导通孔V13f与谐振器RC4的平板电极P7f连接。通过平板电极P10f和平板电极P12f形成图11的电容器C34。另外，通过平板电极P11f、平板电极P12f和形成于第五层LY5f的平板电极P13f形成图11的电容器C14。另外，通过平板电极P9f、平板电极P10f、平板电极P11f、平板电极P12f和平板电极P13f形成图11的电容器C23。
谐振器RC1的平板电极P1df经由导通孔V1f与形成于第四层LY4f的连接电极CPf连接。另外，谐振器RC3的平板电极P3df经由导通孔V2f与连接电极CPf连接。导通孔V1f和导通孔V2f与图11的电感器L2和电感器L3分别对应。在从层叠方向俯视的情况下连接电极CPf的一部分与谐振器RC2的平板电极P2df重叠。通过连接电极CPf和平板电极P2df形成图11的电容器Cx。
导通孔V1f在接合部J1f处与平板电极P1f连接。在从层叠方向俯视层叠体时，导通孔V1f与平板电极P1df的接合部与接合部J1f重叠。导通孔V2f在接合部J2f处与平板电极P3f连接。在从层叠方向俯视层叠体时，导通孔V2f与平板电极P3df的接合部与接合部J2f重叠。
这样，在具备在从层叠方向俯视的情况下与平板电极P2df重叠的连接电极CPf的结构的滤波装置104中，通过变更接合部J1f、J2f的位置和连接电极CPf的宽度，能够调整衰减极的衰减量和频带。即，能够将电容器Cx的电容以及电感器L2和电感器L3的电感作为谐振器间的电磁场耦合的参数来使用。由此，在实施方式3所示的4段的LC并联谐振器间的电磁场耦合中，也能够扩大调整能力，能够提高所希望的通过特性的可实现性。
此外，谐振器RC1～RC4与本发明的“第一LC并联谐振器”～“第四LC并联谐振器”分别对应。平板电极P1df～P3df与本发明的“第一导体”～“第三导体”分别对应。导通孔V1f、V2f与本发明的“第一导通孔”、“第二导通孔”分别对应。连接电极CPf与本发明的“连接导体”对应。
(变形例1)
图13是表示变形例1的分解立体图。在变形例1的滤波装置103A中，与图8所示的滤波装置103进行比较，连接电极CPu配置在比平板电极P2u靠Z轴的正方向侧。即，连接电极CPu形成于第二层LY2u。平板电极P2u形成于第三层LY3u。即，在层叠方向上，平板电极P2u形成在接地端子GND1u、GND2u和连接电极CPu之间。导通孔V1u和导通孔V2u形成在第二层LY2u与第三层LY3u之间。
由此，图13所示的滤波装置103A具备与图8所示的滤波装置103相同的特性，并且导通孔V1u形成在与导通孔V1Au、V1Bu不同的层之间。由此，在滤波装置103A中，能够防止在导通孔V1u与导通孔V1Au、V1Bu之间产生电干扰。同样，在滤波装置103A中，能够防止在导通孔V2u与导通孔V2Au、V2Bu之间产生电干扰。
另外，在滤波装置103A中，由于导通孔V1u与导通孔V1Au、V1Bu形成于不同的层之间，因此不会产生物理性干扰。因此，接合部J1u、J2u在平板电极P1u、P2u中的Y轴方向的位置的可变更区域比图8的滤波装置103宽。即，在滤波装置103A中，导通孔V1u、导通孔V2u的配置的自由度提高。
另外，在变形例1的滤波装置103A中，也采用具备在从层叠方向俯视的情况下与平板电极P2u重叠的连接电极CPu的结构，由此能够调整衰减极的衰减量和频带。即，能够将电容器Cx的电容以及电感器L2和电感器L3的电感作为谐振器间的电磁场耦合的参数来使用。由此，在变形例1所示的3段的LC并联谐振器间的电磁场耦合中，也能够扩大调整能力，能够提高所希望的通过特性的可实现性。
此外，平板电极P1u～P3u与本发明的“第一导体”～“第三导体”分别对应。导通孔V1u、V2u与本发明的“第一导通孔”、“第二导通孔”分别对应。连接电极CPu与本发明的“连接导体”对应。
(变形例2)
图14是表示变形例2的分解立体图。变形例2的滤波装置105A与实施方式1的滤波装置105不同，谐振器RC4配置在谐振器RC2和谐振器RC3之间。即，相对于在实施方式1的滤波装置105中谐振器按照RC4、RC1、RC2、RC3、RC5的顺序排列的情况，在变形例2的滤波装置105A中，谐振器按照RC1、RC2、RC4、RC3、RC5的顺序排列。在滤波装置105A中也是，连接电极CPa经由导通孔V1a、V2将谐振器RC1和谐振器RC3连接。
滤波装置105A包含：包含导通孔V1Aa、V1Ba、平板电极P1a、平板电极P1da和平板电极P7而形成的谐振器RC1；包含导通孔V2Aa、V2Ba、平板电极P2a、平板电极P2da和平板电极P10而形成的谐振器RC2；包含导通孔V4Aa、V4Ba、平板电极P4a、平板电极P4da和平板电极P11而形成的谐振器RC4；包含导通孔V3A、V3B、平板电极P3、平板电极P3d和平板电极P12而形成的谐振器RC3；以及包含导通孔V5A、V5B、平板电极P5、平板电极P5d和平板电极P8而形成的谐振器RC5。
这样，在谐振器RC4配置在谐振器RC2和谐振器RC3之间的滤波装置105A中也是，通过变更接合部J1a、J2的位置和连接电极CPa的Y轴方向的宽度，能够与实施方式1同样调整衰减极的衰减量和频带。由此，在作为变形例2表示的4段的LC并联谐振器间的电磁场耦合中，也能够扩大调整能力，能够提高所希望的通过特性的可实现性。
图15是变形例2所具备的连接电极CPa的俯视图。图3所示的连接电极CP的Y轴方向的宽度为在连接电极CP的全部的区域中均匀的长度。像上述那样，在实施方式1的滤波装置105中通过使与电容器Cx之间的电容发生变化，而调整衰减极的衰减量和频率。在变形例2中，使在从层叠方向俯视层叠体的情况下与平板电极P2da、P4da重叠的连接电极CPa的区域R1、R2的Y轴方向的宽度比区域R1、R2以外的区域的宽度宽。
在图15中，在俯视层叠体时使平板电极P1da、P2da、P4da、P3、P5和连接导体CPa。参照图15，区域R1的Y轴方向上的连接电极CPa的宽度的长度为宽度W2。另外，区域R2的Y轴方向上的连接电极CPa的宽度的长度为宽度W3。在连接电极CPa中，宽度W1和宽度W2以外的区域的宽度的长度为宽度W1。
这样，在变形例2中，通过变更连接电极CPa的宽度的长度，能够调整在连接电极CPa与平板电极P2da和P4da之间形成的电容器的电容，能够进行衰减极的衰减量和频率的调整。另外，通过仅扩大电容的调整所需要的区域的宽度，而削减连接电极CPa的成本。
此外，谐振器RC1～RC5与本发明的“第一LC并联谐振器”～“第五LC并联谐振器”分别对应。平板电极P1da、P2da、P3d、P4da、P5d与本发明的“第一导体”～“第五导体”分别对应。导通孔V1a、V2与本发明的“第一导通孔”、“第二导通孔”分别对应。连接电极CPa与本发明的“连接导体”对应。区域R1与本发明的“第一区域”对应。宽度W2与本发明的“第一宽度”对应。宽度W1与本发明的“第二宽度”对应。
(变形例3)
在实施方式1中，对在连接电极CP连接有导通孔V1、V2这两个导通孔的结构进行了说明。然而，与连接电极CP连接的导通孔的数量不限于2个。以下，对在连接电极CP连接有3个导通孔的结构进行说明。
图16是表示变形例3的分解立体图。在变形例3的滤波装置105B中，在连接电极CPb连接有3个导通孔V1b～V3b。导通孔V1b利用接合部J1b与平板电极P1b连接。导通孔V2b利用接合部J2b与平板电极P3b连接。导通孔V3b利用接合部J3b与平板电极P7连接。变形例3的滤波装置105B是从图3的滤波装置105中去除谐振器RC4、RC5且新添加谐振器RC6、RC7的结构。在平板电极P2db与连接电极CPb之间，形成有图2的电容器Cx。并且，在变形例3中，在平板电极P6d与连接电极CPb之间也形成有未图示的电容器Cy。由此，能够通过变更连接电极CPb的Y轴方向的宽度而变更电容的电容器与实施方式1进行比较，增加一个。即，调整衰减极的衰减量和频率的参数增加一个。
另外，在变形例3中，除了电感器L2和电感器L3之外，还形成有与导通孔V3b对应的未图示的电感器L4。
在变形例3的滤波装置105B中，不仅能够调整电容器Cx的电容还能够调整电容器Cy的电容，并且不仅能够调整电感器L2和电感器L3还能够调整电感器L4，能够更细微地调整衰减极的衰减量和频率。
在图3中，对导通孔V1、连接电极CP、导通孔V2保持图3所示的形状而沿Y轴方向滑动地变更位置的例子进行了说明。然而，也可以仅变更接合部J1、J2中的任意一方的位置，另外，也可以将接合部J1、J2的Y轴方向的位置变更为分别不同。
图17是表示变形例3的调整例的分解立体图。图17的滤波装置105BZ是调整了图16的滤波装置105B的接合部J1b、J3b的一例。图17的接合部J1b、J3b在平板电极P1b、P7中位于比图16的接合部J1b、J3b靠Y轴的正方向侧的位置。与之相伴，导通孔V1b、V2b位于Y轴的正方向侧，连接电极CPb具有V字形的形状。
这样，在本发明的滤波装置105BZ中，通过单独地调整接合部J1b～J3b中的各个接合部而调整电感器、电容器，能够更细微地调整衰减极的衰减量和频率。
此外，平板电极P1db、P2db、P3db与本发明的“第一导体”～“第三导体”分别对应。平板电极P6d，P7d与本发明的“第六导体”、“第七导体”分别对应。导通孔V1b～V3b与本发明的“第一导通孔”～“第三导通孔”分别对应。连接电极CPb与本发明的“连接导体”对应。
应该认为这次公开的实施方式在所有的方面是例示而不是限制。本发明的范围不是由上述的实施方式的说明表示，而是由权利要求表示，包含与权利要求均等的意思和范围内的全部的变更。
附图标记的说明
10…通信装置；12…天线；20…高频前端电路；22、28…带通滤波器；24…放大器；26…衰减器；30…混频器；32…局部振荡器；40…转换器；50…RF电路；103、103A、104、105、105A、105B、105BZ…滤波装置；Bt、Btt…下表面；C1～C5、C12、C13、C14、C23、C34、C35、C45、Cx、Cy…电容器；CP、CPb、CPf、CPt、CPu…连接电极；D1～D3…衰减极；GND…接地端子；J1、J2…接合部；L1～L4、L1A～L5A、L1B～L5B…电感器；LY1…第一层；LY2…第二层；LY3…第三层；LY4…第四层；LY5…第五层；LY6…第六层；LY7…第七层；LY8…第八层；LY9…第九层；LY10…第十层；LY11…第十一层；LY12…第十二层；LY13…第十三层；Ln1～Ln15…实线；N1、N1A～N1D、N2A～N2D、N3A～N3D、N4A、N4B、N5A、N5B…连接节点；P1～P2、P1d～P4d…平板电极；R1、R2、VI…区域；RC1～RC7…谐振器；T1…输入端子；T2…输出端子；V1、V2、V1A、V1B、V2A、V2B、V3A、V3B、V4A、V4B、V5A、V5B…导通孔；W1、W2、W3…宽度。

Claims (10)

1.一种滤波装置，具备：
层叠体，层叠多个电介质层而成；
接地端子；以及
第一LC并联谐振器、第二LC并联谐振器和第三LC并联谐振器，它们形成于所述层叠体，相互磁耦合，
所述第一LC并联谐振器、所述第二LC并联谐振器和所述第三LC并联谐振器各自与所述接地端子连接，
所述第一LC并联谐振器包含第一导体，
所述第二LC并联谐振器包含第二导体，
所述第三LC并联谐振器包含第三导体，
所述滤波装置还具备：
连接导体，形成于与所述第二导体不同的层；
第一导通孔，一端与所述第一导体连接，另一端与所述连接导体连接；以及
第二导通孔，一端与所述第三导体连接，另一端与所述连接导体连接，
所述连接导体包含在从层叠方向俯视所述层叠体的情况下与所述第二导体的一部分重叠的第一区域。
2.根据权利要求1所述的滤波装置，其中，
在层叠方向上，所述第二导体形成在所述接地端子和所述连接导体之间。
3.根据权利要求1或2所述的滤波装置，其中，
所述连接导体还包含在从层叠方向俯视所述层叠体的情况下与所述第二导体不重叠的第二区域，
所述第一区域的第一宽度和所述第二区域的第二宽度为在形成所述连接导体的层的面内，与所述连接导体从所述第一导通孔朝向所述第二导通孔延伸的方向正交的方向上的宽度，
所述第一宽度比所述第二宽度宽。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的滤波装置，其中，
该滤波装置还具备与所述第一LC并联谐振器、所述第二LC并联谐振器和所述第三LC并联谐振器相互磁耦合的第四LC并联谐振器。
5.根据权利要求4所述的滤波装置，其中，
所述第四LC并联谐振器配置在所述第一LC并联谐振器和所述第三LC并联谐振器之间。
6.根据权利要求4或5所述的滤波装置，其中，
该滤波装置还具备与所述第一LC并联谐振器、所述第二LC并联谐振器、所述第三LC并联谐振器和所述第四LC并联谐振器相互磁耦合的第五LC并联谐振器。
7.根据权利要求1至3中任一项所述的滤波装置，其中，
该滤波装置还具备与所述第一LC并联谐振器、所述第二LC并联谐振器和所述第三LC并联谐振器相互磁耦合的第六LC并联谐振器和第七LC并联谐振器，
所述第六LC并联谐振器包含第六导体，
所述第七LC并联谐振器包含第七导体，
该滤波装置还具备第三导通孔，该第三导通孔的一端与所述第七LC并联谐振器所包含的所述第七导体连接，另一端与所述连接导体连接，
所述连接导体包含在从层叠方向俯视所述层叠体的情况下与所述第六导体的一部分重叠的第三区域。
8.一种滤波装置，具备：
接地端子；以及
多个LC并联谐振器，它们分别与所述接地端子连接，相互电连接，
所述多个LC并联谐振器包含第一LC并联谐振器、第二LC并联谐振器以及第三LC并联谐振器，
所述多个LC并联谐振器各自包含串联连接的第一电感器和第二电感器以及第一电容器，
在所述第一电感器和所述第一电容器之间的连接节点处与所述接地端子连接，
所述滤波装置还具备：
第三电感器和第四电感器，它们串联连接在所述第一LC并联谐振器的所述第一电感器和所述第二电感器之间的连接节点与所述第三LC并联谐振器的所述第一电感器和所述第二电感器之间的连接节点之间；以及
第二电容器，连接在所述第二LC并联谐振器的所述第一电感器和所述第二电感器之间的连接节点与所述第三电感器和所述第四电感器之间的连接节点之间。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的滤波装置，其中，
所述滤波装置作为使特定的频带的信号通过的带通滤波器发挥功能。
10.一种高频前端电路，其中，
该高频前端电路具备权利要求1至9中任一项所述的滤波装置。
CN202180055477.8A 2020-09-28 2021-09-16 滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路 Pending CN116057648A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-161614 2020-09-28
JP2020161614 2020-09-28
PCT/JP2021/034149 WO2022065201A1 (ja) 2020-09-28 2021-09-16 フィルタ装置およびそれを備える高周波フロントエンド回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116057648A true CN116057648A (zh) 2023-05-02

Family

ID=80846496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180055477.8A Pending CN116057648A (zh) 2020-09-28 2021-09-16 滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20230170870A1 (zh)
JP (1) JPWO2022065201A1 (zh)
CN (1) CN116057648A (zh)
WO (1) WO2022065201A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112187209B (zh) * 2020-10-23 2021-08-10 嘉兴佳利电子有限公司 一种基于ltcc工艺的超宽通带五阶带通滤波器
WO2023199784A1 (ja) * 2022-04-11 2023-10-19 京セラ株式会社 フィルタ及び通信装置
WO2024018744A1 (ja) * 2022-07-21 2024-01-25 Tdk株式会社 電子部品

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4766354B1 (ja) * 2010-09-09 2011-09-07 Ｔｄｋ株式会社 積層型バンドパスフィルタ
WO2012077498A1 (ja) * 2010-12-06 2012-06-14 株式会社村田製作所 積層帯域通過フィルタ
TWI648949B (zh) * 2016-11-18 2019-01-21 日商村田製作所股份有限公司 LC filter
JP6791107B2 (ja) * 2017-12-08 2020-11-25 株式会社村田製作所 積層帯域通過フィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
US20230170870A1 (en) 2023-06-01
JPWO2022065201A1 (zh) 2022-03-31
WO2022065201A1 (ja) 2022-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN116057648A (zh) 滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路
US10873309B2 (en) LC filter, radio-frequency front-end circuit, and communication device
CN1221229A (zh) 带除滤波器和双工器
EP2387152A1 (en) Filter element, branching filter, and electronic apparatus
US20230420819A1 (en) Dielectric filter
US10998876B2 (en) Balun
US20230179157A1 (en) High-frequency circuit and communication device
US20230044655A1 (en) Filter device and radio frequency front-end circuit including the same
CN113039720B (zh) 谐振元件、滤波器以及双工器
CN117256100A (zh) 高频模块和通信装置
CN117099306A (zh) 高频模块和通信装置
WO2023017676A1 (ja) フィルタ装置およびそれを備える高周波フロントエンド回路
US20230055439A1 (en) Band pass filter and high frequency front-end circuit including same
CN115885353A (zh) 滤波装置以及具备该滤波装置的高频前端电路
US20240275353A1 (en) Filter apparatus
CN117544122A (zh) 滤波器装置以及具备该滤波器装置的高频前端电路
WO2022059373A1 (ja) フィルタ装置およびそれを備えた高周波フロントエンド回路
WO2022215353A1 (ja) フィルタ装置およびそれを備えた高周波フロントエンド回路
WO2022085427A1 (ja) フィルタ装置、ならびに、それを搭載した高周波フロントエンド回路およびダイプレクサ
US20240136995A1 (en) Filter device and radio frequency front end circuit
WO2023139901A1 (ja) フィルタ装置
US20240072403A1 (en) Dielectric filter
US20240097651A1 (en) Filter device and high-frequency front-end circuit provided with the same
CN118381480A (zh) 滤波器装置及高频前端电路
EP1909356A1 (en) Irreversible circuit element, composite electronic parts, and communication device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination