CN116052928A - 一种超厚低阻单面镀膜单面消影ito导电膜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，包括沾附在玻璃基板上的消影层，且消影层上设置有氧化铟锡层，所述消影层和氧化铟锡层间沾附有第一疏水层，且氧化铟锡层上因蚀刻形成的凹痕内壁处贴附有第二疏水层，所述第二疏水层内填充有伸出凹痕的第一二氧化硅层，且氧化铟锡层上设置有与第一二氧化硅层外侧粘连的四氮化三硅层，且四氮化三硅层上沾附有第三疏水层，本发明通过第一疏水层、第二疏水层和第三疏水层的配合设置对氧化铟锡层进行保护，避免氧化铟锡层和外界空气水分反应而发生霉变的问题，并通过第二疏水层、第一二氧化硅层和四氮化三硅层的配合设置在提高膜层附着稳定性的同时提高ITO导电膜的耐磨、耐酸碱性能。
Description
技术领域
本发明涉及玻璃镀膜技术领域，具体为一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜。
背景技术
ITO导电膜，即氧化铟锡(Indium-TinOxide)透明导电膜玻璃，多通过ITO导电膜玻璃生产线，在高度净化的厂房环境中，利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器(LCD)、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。但是，在日常使用的过程中，某些情况下需要特别低阻的ITO膜，对于厚度超厚的低阻ITO膜通常颜色不均匀，影子非常重，蚀刻图案非常明显，用在显示屏上会直接影响显示屏的显示效果。由于其厚度和吸收以及膜层成分的变化，蚀刻前后反射差会更大，蚀刻时会产生更重的影子，也即已有技术中根本就不存在完全消影的较厚溅镀的ITO导电膜。换句话说，目前使用的超过50纳米的ITO导电膜，基本没有做消影处理，只能用在特殊情况无消影要求的地方。一般情况下，常规厚度(15-30纳米)ITO消影要求应该容易满足，但对于超厚低阻(10-15欧)的ITO，很难消影，市场上见不到。
现有技术中，公开号为“CN209297771U”的一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，包括TG基板、镀于TG基板上表面的五氧化二铌膜、镀于五氧化二铌膜上表面的二氧化硅膜和镀于二氧化硅膜上表面的ITO导电层，通过五氧化二铌膜和二氧化硅膜间隔组成的消影层可以实现对厚度超厚的ITO导电膜进行消影，其中，上述厚度的五氧化二铌膜和二氧化硅膜组成的消影层的折射率与玻璃表面接近，该消影层与ITO导电膜相互配合保证了ITO导电膜刻蚀前后的反射差小于0.5％，进而可以实现低阻值超厚ITO导电膜的完全消影。
但现有技术仍存在较大缺陷，如：ITO膜层具有很强的吸水性，会吸收空气中的水份和二氧化碳并产生化学反应而变质，从而影响ITO膜层的导电性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，包括沾附在玻璃基板上的消影层，且消影层上设置有氧化铟锡层，所述消影层和氧化铟锡层间沾附有第一疏水层，且氧化铟锡层上因蚀刻形成的凹痕内壁处贴附有第二疏水层，所述第二疏水层内填充有伸出凹痕的第一二氧化硅层，且氧化铟锡层上设置有与第一二氧化硅层外侧粘连的四氮化三硅层，且四氮化三硅层上沾附有第三疏水层。
优选的，所述第一疏水层、第二疏水层和第三疏水层均为聚四氟乙烯膜层结构。
优选的，所述消影层包括五氧化二铌层和第二二氧化硅层，且五氧化二铌沾附在第二二氧化硅层和玻璃基板之间。
优选的，所述五氧化二铌层厚度为5-7纳米，且第二二氧化硅层厚度为45-55纳米，且氧化铟锡层厚度为120-150纳米。
优选的，所述氧化铟锡层和第一疏水层间沾附有透明金属层，且透明金属层厚度为0-40纳米。
优选的，所述透明金属层为金透明金属层、银透明金属层或铜透明金属层的一种或多种。
优选的，所述四氮化三硅层厚度为0.5-3纳米。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
本发明的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，通过第一疏水层、第二疏水层和第三疏水层的配合设置对氧化铟锡层进行保护，避免氧化铟锡层和外界空气水分反应而发生霉变的问题，并通过第二疏水层、第一二氧化硅层和四氮化三硅层的配合设置在提高膜层附着稳定性的同时提高ITO导电膜的耐磨、耐酸碱性能。
附图说明
图1为本发明实施例一的三维剖面示意图；
图2为图1中第二疏水层和第三疏水层连接的放大示意图；
图3为本发明实施例二的三维剖面示意图。
图中：1玻璃基板、2消影层、21五氧化二铌层、22第二二氧化硅层、3氧化铟锡层、4第一疏水层、5第二疏水层、6第一二氧化硅层、7四氮化三硅层、8第三疏水层、9透明金属层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-3，本发明提供一种技术方案：
实施例一：
一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，包括玻璃基板1和消影层2，消影层2包括溅镀在玻璃基板1上端面的五氧化二铌层21、以及溅镀在五氧化二铌层21上的第二二氧化硅层22，五氧化二铌层21内含有的五氧化二铌为高折射率材料，而第二二氧化硅层22中含有的二氧化硅为低折射率材料，通过两者的配合设置形成消影层2，消影层2和氧化铟锡层3相互配合改善ITO导电膜刻蚀前后的反射差，在本实施例中五氧化二铌层21厚度为5-7纳米、第二二氧化硅层22厚度为45-55纳米，以此保证本实施例中的ITO导电膜刻蚀后的反射差小于0.5％，达到优良的消影效果；
第二二氧化硅层22上端面溅镀一层第一疏水层4，第一疏水层4上端面溅镀一层厚度为120-150纳米的氧化铟锡层3，第一疏水层4的设置对氧化铟锡层3起到隔绝外界水分的保护效果，避免氧化铟锡层3在外界空气和水分的腐蚀下发生霉变、而影响其导电效果的问题，然后将氧化铟锡层3送去蚀刻设备中蚀刻出电极图案，氧化铟锡层3表面因蚀刻而形成凹痕，将内部镂空形成电极图案的第一挡板挡在氧化铟锡层3上端面上，再通过溅射镀膜的方式在氧化铟锡层3的凹痕内壁处溅镀一层第二疏水层5，第二疏水层5的设置对氧化铟锡层3内壁起到隔绝外界水分的保护效果，进一步避免氧化铟锡层3凹痕处在外界空气和水分的腐蚀下发生霉变、而影响其导电效果的问题；
继续将内部镂空形成电极图案的第一挡板挡在氧化铟锡层3上端面上，并通过溅射镀膜的方式在第二疏水层5外壁上溅镀第一二氧化硅层6，且第一二氧化硅层6填充满氧化铟锡层3的凹痕并向上凸出，透明的第一二氧化硅层6对氧化铟锡层3的凹痕进行填充，以此消除氧化铟锡层3的凹痕痕迹，提高氧化铟锡层3的表面光学性能，以此进一步提高ITO导电膜的消影性能，且第一二氧化硅层6的设置夹持压出第二疏水层5，提高第二疏水层5在氧化铟锡层3凹痕中的沾附强度，接着将按照电极图案结构制造的第二挡板挡在氧化铟锡层3上端面上，并通过溅射镀膜的方式在氧化铟锡层3上端面上溅镀一层厚度为0.5-3纳米的四氮化三硅层7，四氮化三硅层7的设置提高ITO导电膜的硬度、耐磨性以及耐酸碱强度，且四氮化三硅层7粘连在第一二氧化硅层6伸出氧化铟锡层3的凸出部分上，通过两者粘连固定的方式提高四氮化三硅7和第一二氧化硅层6的膜层附着力，避免四氮化三硅7从氧化铟锡层3上脱落的问题，最后取下第二挡板，并在四氮化三硅7上端面上溅镀一层第三疏水层8，且四氮化三硅7的设置为第三疏水层8的溅镀提供强有力的附着力，第三疏水层4进一步起到隔绝外界水分的效果，避免氧化铟锡层3在外界空气和水分的腐蚀下发生霉变、而影响其导电效果的问题；
在本实施例中，第一疏水层4、第二疏水层5和第三疏水层8均为聚四氟乙烯膜层结构，聚四氟乙烯薄膜层的氟离子具有极佳的疏水性能，从而有效避免外界水分渗入氧化铟锡层3中而使得氧化铟锡层3发生霉变的问题。
实施例二：
实施例二在实施例一的基础上增加了透明金属层9来降低ITO导电膜的电阻，即：在相同厚度条件下金、银和铜金属的电阻率远小于氧化铟锡层3的电阻率，同时金属厚度在0-40纳米这一区间内呈现透明状态，因此通过在ITO导电膜中加入透明金属层9的方式降低ITO导电膜的电阻、达到低阻效果，如在本实施例中厚度为20纳米的银透明金属层位于第一疏水层4和氧化铟锡层3之间，具体为先在第一疏水层4上端面上溅镀一层厚度为20纳米的银透明金属层，再在银透明金属层的上端面溅镀氧化铟锡层3，第一疏水层4同时对银透明金属层和氧化铟锡层3起到隔绝外界水分的保护效果。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (7)
1.一种超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，包括沾附在玻璃基板(1)上的消影层(2)，且消影层(2)上设置有氧化铟锡层(3)，其特征在于：所述消影层(2)和氧化铟锡层(3)间沾附有第一疏水层(4)，且氧化铟锡层(3)上因蚀刻形成的凹痕内壁处贴附有第二疏水层(5)，所述第二疏水层(5)内填充有伸出凹痕的第一二氧化硅层(6)，且氧化铟锡层(3)上设置有与第一二氧化硅层(6)外侧粘连的四氮化三硅层(7)，且四氮化三硅层(7)上沾附有第三疏水层(8)。
2.根据权利要求1所述的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于：所述第一疏水层(4)、第二疏水层(5)和第三疏水层(8)均为聚四氟乙烯膜层结构。
3.根据权利要求1所述的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于：所述消影层(2)包括五氧化二铌层(21)和第二二氧化硅层(22)，且五氧化二铌(21)沾附在第二二氧化硅层(22)和玻璃基板(1)之间。
4.根据权利要求3所述的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于：所述五氧化二铌层(21)厚度为5-7纳米，且第二二氧化硅层(22)厚度为45-55纳米，且氧化铟锡层(3)厚度为120-150纳米。
5.根据权利要求1所述的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于：所述氧化铟锡层(3)和第一疏水层(4)间沾附有透明金属层(9)，且透明金属层(9)厚度为0-40纳米。
6.根据权利要求5所述的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于：所述透明金属层(9)为金透明金属层、银透明金属层或铜透明金属层的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的超厚低阻单面镀膜单面消影ITO导电膜，其特征在于：所述四氮化三硅层(7)厚度为0.5-3纳米。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117979673A (zh) * | 2024-03-29 | 2024-05-03 | 西北工业大学 | 一种防腐透明电磁屏蔽薄膜及其制备方法和应用 |
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2022
- 2022-12-28 CN CN202211699785.7A patent/CN116052928A/zh active Pending
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