CN1159950C - 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺 - Google Patents
单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1159950C CN1159950C CNB011404418A CN01140441A CN1159950C CN 1159950 C CN1159950 C CN 1159950C CN B011404418 A CNB011404418 A CN B011404418A CN 01140441 A CN01140441 A CN 01140441A CN 1159950 C CN1159950 C CN 1159950C
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- microphone
- monolithic integrated
- capacitor type
- integrated capacitor
- type silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 20
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 title description 5
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 5
- 241000239290 Araneae Species 0.000 claims description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 9
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 21
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Inorganic materials [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
Abstract
单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺属于硅基微传声器技术领域，其特征在于：下电极为在上端面开有大量声学孔的背极板，上电极为作振膜用的复合式纹膜，纹膜的底部形状与声学孔的形状相对应，构成凹陷的纹槽，纹槽之间有平坦的梁桥；绝缘层夹在纹膜和背极板的上端面之间。复合膜采用多晶硅/氮化硅结构。纹槽共有六种结构。在纹槽间有一系列小的凹形支撑结构，背极板是用单晶硅制成的，在单晶硅的上面集成着一个前置CMOS放大器，在前置CMOS放大器和单晶硅之间有一层氮化硅保护层。背极板厚度可大于膜厚的十倍。它可用各向同性或各向异性腐蚀工艺制成，它具有：机械灵敏度好、频带宽、刚性好、抗电击穿、抗粘连、抗干扰等优点。
Description
技术领域
一种单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺，属于微传声器尤其是硅基微传声器技术领域。
背景技术
微传声器能方便地实现巨大的传声器阵列，在助听、窃听、高精度测量中有独特优势。硅基微传声器使用光刻技术能精确控制图形和尺寸，工艺上有很大的重复性，易于批量生产，又可与IC集成构成微系统，将推动传声器向小型化、低成本和高性能方向发展。传统的电容式微传声器结构如图1所示。1是作上电极用的振膜，2是开有很多声学孔3的作下电极用的背极板。振膜1做在硅衬底4上，而硅衬底4和背极板2之间有一个绝缘层5和气隙。图1所示的微传感器存在着以下缺点：1、传声器的灵敏度受制于振膜的机械灵敏度。使用微机械加工方法制备的薄膜有着不可忽视的残余应力，当膜厚减小到一定程度如小于1μm时，会产生应力刚化(Stress Stiffening)效应，它对膜的机械灵敏度有极大影响。对于一般的平膜，残余应力越大，机械灵敏度越低，而且它与工艺参数、环境温度、器件封装都密切相关，难于精确控制。2、＂软背极板＂问题。随着传声器尺寸的缩小，背极板2和振膜1之间的气隙中的气流将直接影响微传声器的上限截止频率即影响频率带宽。为了减小气流阻力，必须在背极板2上开大量声学孔，它在一定条件增大了传声器的频带，但同时也减小了传声器的电容，降低了其灵敏度；更重要是它会降低背极板2的刚度，形成所谓＂软背极板＂，严重影响高频性能。因此，较厚的刚性背极板2是保证系统高频响应的必要前提。背极板2一般用淀积工艺制备，受内应力影响其厚度和刚度难以满足要求，且工艺条件难以控制；若使用减薄的单晶硅作为背极板与衬底键合则可以做得大于膜厚的10倍，刚性也好，但设备昂贵，热处理温度较高，与标准CMOS工艺不兼容；3、为了解决微传声器在制作及封装时产生的寄生电容和下级放大器的输入电容对灵敏度和输出波形的不利影响，也为了解决传声器较大的交流输出电阻在信号传输时易于引入噪声的问题，目前一般把微传声器与放大电路芯片混合封装来减少杂散电容，屏蔽外界噪声，但会使制作成本上升。如果把前置放大器与微传声集成于同一芯片中就能很好解决这个问题，但由于使用微机械加工的方法制作薄膜在工艺上难以与传统的IC工艺兼容；4、微传声器的极间电击穿和在机械力作用下的粘连问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种灵敏度高，频带宽，抗干扰强，输出波形好又能抗电击穿和粘连的单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺。
本发明包括作电容电极用的振膜和在上端面开有大量声学孔的背极板，以及用以在电极间形成气隙的绝缘层，其特征是：下电极为在上端面开有大量声学孔的背极板，上电极为作振膜用的复合式纹膜，所述纹膜的底部形状与声学孔的形状相对应，构成凹陷的纹槽，纹槽之间有平坦的梁桥；所述绝缘层夹在纹膜和背极板的上端面之间。所述的纹膜是多晶硅/氮化硅结构的复合膜。所述的纹膜是均布方块结构、蛛状方形结构，八桥圆形结构，八桥方形结构，四桥方形结构和四桥圆形结构中的任何一种结构。所述的纹膜在其纹槽之间设有一系列小的支撑用凹形结构。所述的背极板是用单晶硅制成的，在单晶硅的上面集成着一个前置CMOS放大器，在所述前置CMOS放大器和单晶硅之间有一层氮化硅保护层。所述微传声器在正面光刻纹槽图形时是用各向同性腐蚀工艺形成的。所述的微传声器在正面光刻纹槽图形时是用各向异性腐蚀工艺形成的。
使用证明：它可达到预期目的。
附图说明：
图1，典型电容式微传声器结构示意图。
图2，各向异性腐蚀工艺制成的具有纹膜结构的微传声器结构示意图。
图3，各向同性腐蚀工艺制成的具有纹膜结构的微传声器结构示意图。
图4，均布方块结构式纹槽分布示意图。
图5，蛛状方形结构式纹槽分布示意图。
图6，八桥圆形结构式纹槽分布示意图。
图7，八桥方形结构式纹槽分布示意图。
图8，四桥方形结构式纹槽分布示意图。
图9，四桥圆形结构式纹槽分布示意图。
图10，单片集成电容式微传声器截面图。
图11，单片集成电容式微传声器制作工艺流程图。
具体实施方式
请见图2～图10。为了提高纹膜结构的机械灵敏度，在背极板2上的声学孔3处，纹膜1有一个凹陷的纹槽6，分隔纹槽6的是平坦的梁桥7，纹槽6和梁桥7的分布形式有图4～图9共六种结构形式，以保证纹膜1和上有绝缘层5的背极板2能分别形成平板电容器的微电容的上、下两极。根据有限元分析，它与具有相同残余应力的平膜相比，纹膜结构的机械灵敏度可提高一个数量级。另外，这种纹膜式多晶硅/氮化硅复合膜简称纹膜1也即振膜结构，氮化硅的张应力为多晶硅的压应力所补偿，其内应力较普通氮化硅薄膜可降低一个数量级， 进一步又提高了膜的机械灵敏度。为了解决＂软背极板＂问题，在与纹膜1的底部相对应的背极板2上开有声学孔3以减小传声器工作时的空气阻尼的同时，使用单晶硅作为微传声器的背极板2。与用薄膜淀积法形成的微传声器背极板2相比，这种用单晶硅做的背极板2其力学性质均匀稳定，厚度不受应力限制，可以做到膜厚的10倍，具有很好的刚性，可以避免＂软背极板＂对传声器高频特性的不良影响。为了避免分布电容给微传声器的灵敏度和输出波形带来的不良影响，同时也为了能减小微传声器的交流输出电阻，以降低信号传输过程中的噪声，把前置CMOS放大电路8作了单片集成。为了避免电击穿而在膜上的各纹槽6之间设计了一系列小的凹形支撑结构9，这样可大大降低在强声波作用时纹膜1和背极板2的接触面积，同时它对牺牲层的自由释放也有很好的效果。
再见图11。其相应的工艺流程如下；
1、双面氧化，热生长SiO2，然后双面低压化学气相淀积(LPCVD)Si3N4作为抗KOH腐蚀层。背面在背窗10处光刻背面图形，用反应离子刻蚀(RIE)法去除背窗表面的Si3N4。再用氢氟酸缓冲液(BHF)腐蚀背窗区域SiO2，此时硅片正面及背面其他部分仍由Si3N4保护。用氢氧化钾KOH腐蚀背窗体硅，保留约20μm。用浓磷酸去除体表面的Si3N4，仍保留SiO2。
2、正面光刻纹槽6的图形，用BHF腐蚀SiO2。
可采用KOH，各向异性腐蚀(2-a)和深反应离子刻蚀(DRIE)两种不的方法腐蚀到设计深度，它们的后续加工步骤都相同。
光刻N-阱区域，注入As离子，高温下热处理，将表面注入的As离子推进到设计阱深。
BHF去除表面残留SiO2，重新氧化，热生长1μm SiO2作绝缘层。
3、光刻传声器膜区，BHF去除膜区SiO2。
LPCVD淀积一层Si3N4作保护层。
4、LPCVD淀积磷硅玻璃(PSG)，约2～3μm作牺牲层用。
光刻牺牲层图形，BHF去除PSG。
光刻晶体管电极及P+接触孔，RIE刻蚀Si3N4，BHF去除氮化硅下的SiO2。
光刻支撑结构，BHF腐蚀PSG约1～1.5μm。
5、热氧化60nm作为MOS晶体管栅区绝缘层。
LPCVD 0.6μm PolySi(多晶硅)，扩磷并退火，再LPCVD一层0.1μm的氮化硅。
光刻Poly/Si3N4复合膜，RIE刻蚀复合膜。形成纹膜1、MOS晶体管及无源电阻。
BHF去除晶体管电极上覆盖的SiO2，分别进行As(N型)，B(P型)离子注入。
6、淀积低温氧化硅(LTO)0.5μm作为晶体管布线绝缘层。光刻晶体管区域，用BHF刻蚀布线绝缘层。
光刻接触孔，RIE刻蚀Si3N4，BHF去除LTO，形成接触孔。
溅射金属铝，光刻接触孔，磷酸刻蚀铝，在氢气和氮气下进行合金。
7、背面RIE(SF6/O2)刻蚀单晶硅到露出纹槽底部。
正面涂光刻胶，BHF腐蚀牺牲PSG，去除光刻胶。
使用单分子自组装(SAM)工艺在微结构表面生长疏水层。
去离子水(DI)清洗，风干，完成牺牲层释放。
由此可见，它具有机械灵敏度高，刚性好，抗干扰性好、抗电击穿、抗粘连等优点。
Claims (7)
1、单片集成电容式硅基微传声器，包括作电容电极用的振膜和在上端面开有大量声学孔的背极板，以及用以在电极间形成气隙的绝缘层，其特征是：下电极为在上端面开有大量声学孔的背极板，上电极为作振膜用的复合式纹膜，所述纹膜的底部形状与声学孔的形状相对应，构成凹陷的纹槽，纹槽之间有平坦的梁桥；所述绝缘层夹在纹膜和背极板的上端面之间。
2、根据权利要求1的单片集成电容式硅基微传声器，其特征在于：所述的纹膜是多晶硅/氮化硅结构的复合膜。
3、根据权利要求1的单片集成电容式硅基微传声器，其特征在于：所述的纹膜是均布方块结构、蛛状方形结构，八桥圆形结构，八桥方形结构，四桥方形结构和四桥圆形结构中的任何一种结构。
4、根据权利要求1的单片集成电容式硅基微传声器，其特征在于：所述的纹膜在其纹槽之间设有一系列小的支撑用凹形结构。
5、根据权利要求1的单片集成电容式硅基微传声器，其特征在于：所述的背极板是用单晶硅制成的，在单晶硅的上面集成着一个前置CMOS放大器，在所述前置CMOS放大器和单晶硅之间有一层氮化硅保护层。
6、根据权利要求1的单片集成电容式硅基微传声器，其特征在于：所述微传声器在正面光刻纹槽图形时是用各向同性腐蚀工艺形成的。
7、根据权利要求1的单片集成电容式硅基微传声器，其特征在于：所述的微传声器在正面光刻纹槽图形时是用各向异性腐蚀工艺形成的。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB011404418A CN1159950C (zh) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB011404418A CN1159950C (zh) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1352515A CN1352515A (zh) | 2002-06-05 |
| CN1159950C true CN1159950C (zh) | 2004-07-28 |
Family
ID=4675867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNB011404418A Expired - Fee Related CN1159950C (zh) | 2001-12-07 | 2001-12-07 | 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1159950C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11698292B2 (en) | 2021-07-16 | 2023-07-11 | Shenzhen Shokz Co., Ltd. | Sensing devices |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100536608C (zh) * | 2004-04-14 | 2009-09-02 | 北京大学 | 微硅麦克风及其制备方法 |
| US7346178B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-03-18 | Silicon Matrix Pte. Ltd. | Backplateless silicon microphone |
| KR100675023B1 (ko) * | 2005-09-14 | 2007-01-30 | 주식회사 비에스이 | 콘덴서 마이크로폰 및 이를 위한 패키징 방법 |
| CN1960581B (zh) * | 2005-11-03 | 2011-07-13 | 歌尔声学股份有限公司 | 一种电容式硅传声器 |
| CN1838837B (zh) * | 2006-04-11 | 2012-04-11 | 东南大学 | 固体电容式结构微型传声器 |
| CN101141832B (zh) * | 2006-09-06 | 2011-04-20 | 歌尔声学股份有限公司 | 单膜电容式传声器芯片 |
| CN101321408B (zh) * | 2007-06-06 | 2012-12-12 | 歌尔声学股份有限公司 | 内旋转梁振膜及其组成的传声器芯片 |
| CN101272636B (zh) * | 2007-03-21 | 2012-07-18 | 歌尔声学股份有限公司 | 电容式传声器芯片 |
| CN101321407B (zh) * | 2007-06-06 | 2012-12-26 | 歌尔声学股份有限公司 | 梁式振膜组成的传声器芯片 |
| CN101346014B (zh) * | 2007-07-13 | 2012-06-20 | 清华大学 | 微机电系统麦克风及其制备方法 |
| CN101355828B (zh) * | 2007-07-27 | 2012-05-02 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 基于soi硅片的集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成方法及芯片 |
| CN101355827B (zh) * | 2007-07-27 | 2012-01-04 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 集成电路与电容式微硅麦克风的单片集成的制作方法及芯片 |
| CN101534466A (zh) * | 2009-04-15 | 2009-09-16 | 无锡市纳微电子有限公司 | 一种硅麦克风芯片及其制作方法 |
| CN102079503B (zh) * | 2009-11-26 | 2012-08-29 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 构成mems器件的硅衬底的刻蚀方法 |
| CN102333254B (zh) * | 2011-09-13 | 2013-11-06 | 华景传感科技（无锡）有限公司 | 一种与cmos电路纵向集成的mems硅麦克风及其制备方法 |
| CN103347808B (zh) * | 2011-12-29 | 2016-02-10 | 歌尔声学股份有限公司 | 硅基mems麦克风、包含该麦克风的系统和封装 |
| CN104796831B (zh) * | 2014-01-22 | 2018-10-09 | 无锡华润上华科技有限公司 | 一种电容式麦克风及其制造方法 |
| CN114513730B (zh) * | 2022-04-20 | 2022-08-23 | 苏州敏芯微电子技术股份有限公司 | 麦克风组件及电子设备 |
-
2001
- 2001-12-07 CN CNB011404418A patent/CN1159950C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11698292B2 (en) | 2021-07-16 | 2023-07-11 | Shenzhen Shokz Co., Ltd. | Sensing devices |
| US12055432B2 (en) | 2021-07-16 | 2024-08-06 | Shenzhen Shokz Co., Ltd. | Sensing devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1352515A (zh) | 2002-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1159950C (zh) | 单片集成电容式硅基微传声器及其制作工艺 | |
| US7781249B2 (en) | MEMS process and device | |
| JP3451593B2 (ja) | ソリッドステートコンデンサ及びマイクロホン装置 | |
| US10567886B2 (en) | Sound transducer structure and method for manufacturing a sound transducer structure | |
| US20200216309A1 (en) | Mems component and production method for a mems component | |
| EP0707781B1 (en) | Solid state condenser and microphone devices | |
| JP4142040B2 (ja) | 高分子基コンデンサー超音波エネルギー転換器の製造方法 | |
| US6806593B2 (en) | Thin film electret microphone | |
| CN1119917C (zh) | 用于微麦克风和扬声器的悬臂式振膜结构及其制备方法 | |
| US20050254673A1 (en) | High performance MEMS thin-film teflon electret microphone | |
| US20200236470A1 (en) | Microelectromechanical electroacoustic transducer with piezoelectric actuation and corresponding manufacturing process | |
| CN102333254B (zh) | 一种与cmos电路纵向集成的mems硅麦克风及其制备方法 | |
| CN111811638A (zh) | 一种压电式感应单元及其应用的水听器 | |
| CN109721022B (zh) | 具有悬置隔膜的压电mems设备及其制造过程 | |
| CN111770422A (zh) | 级联微型麦克风及其制造方法 | |
| US20240158224A1 (en) | Membrane support for dual backplate transducers | |
| JP4944494B2 (ja) | 静電容量型センサ | |
| US12069455B2 (en) | Process of fabricating lateral mode capacitive microphone including a capacitor plate with sandwich structure | |
| CN212435926U (zh) | 级联微型麦克风 | |
| CN113301484A (zh) | 一种mems结构及其制造方法 | |
| US20210403321A1 (en) | Formation of self-assembled monolayer for ultrasonic transducers | |
| Chen et al. | Development of a CMOS-compatible process for a silicon miniature microphone with high sensitivity | |
| CN117641215A (zh) | 一种麦克风传感器及其制备方法 | |
| CN116320926A (zh) | 微扬声器、微扬声器的制作方法以及电子设备 | |
| CN113498004A (zh) | Mems麦克风及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20040728 Termination date: 20100107 |