CN115918277A - 电路板 - Google Patents

Abstract

实施例的电路板包括：绝缘层；设置在绝缘层上表面上或下表面下的电路图案；以及设置在绝缘层的上表面和下表面中的至少一个表面上的缓冲层，其中缓冲层包括碳、氮和氧，氮与碳之比((碳/氮)*100)为5至15，氧与碳之比((碳/氧)*100)为15至30。

Description

电路板

技术领域

本发明涉及一种电路板。

背景技术

印刷电路板(PCB)是通过在电绝缘基板上用铜等导电材料印刷电路线图案而形成的，因此PCB是指即将安装电子部件之前的电路板。也就是说，为了在平面上密集地安装各种类型的电子部件，PCB是指具有其上固定有每个部件的安装位置并固定地印刷有连接这些部件的电路图案的平面的电路板。

一般来说，有机保焊剂(OSP)方法、电解镍/金方法、电解镍/金钴合金方法、无电解镀镍/钯/金方法等被用作包括在上述PCB中的电路图案的表面处理方法。

在这种情况下，上述表面处理方法根据其用途而变化，例如，该用途包括焊接、打线和连接器。

安装在印刷电路板上的部件可以通过连接到这些部件的电路图案来传输由这些部件产生的信号。

同时，最近，随着便携式电子设备等功能的进步，为了对大量信息进行高速处理，正在进行信号的高频化，需要适用于高频应用的印刷电路板的电路图案。

人们正在努力减少用于高频应用的印刷电路板中的电路图案间距和线宽。

为了减少图案间距和线宽，需要在电路图案与绝缘层之间有强大的粘附力，通过增加粘合力可以在减少电路图案的间距和线宽的同时提高可靠性。

因此，需要有一种具有能够改善电路图案的粘附力的新结构的印刷电路板。

发明内容

技术问题

实施例旨在提供一种通过改善绝缘层与电路图案之间的粘附力而具有改进的可靠性和密度的电路板。

技术方案

实施例的电路板包括：绝缘层；电路图案，所述电路图案设置在所述绝缘层的上表面上或下表面下；以及缓冲层，所述缓冲层设置在所述绝缘层的所述上表面上和所述下表面下中的至少一个，其中所述缓冲层包括碳元素、氮元素和氧元素，其中氮元素与碳元素之比((碳元素/氮元素)*100)为5至15，氧元素与碳元素之比((碳元素/氧元素)*100)为15至30。

实施例的电路板包括：电路图案，所述电路图案设置在绝缘层的上表面上或下表面下；以及缓冲层，所述缓冲层设置在所述绝缘层的上表面上、所述绝缘层的下表面下和导通部的内表面上中的至少一个，其中所述缓冲层包括碳元素、氮元素和氧元素，其中氮元素与碳元素之比((碳元素/氮元素)*100)为5至15，氧元素与碳元素之比((碳元素/氧元素)*100)为15至30。

有益效果

实施例的电路板可以改善绝缘层与电路图案之间的粘附力。详细而言，可以改善电路图案的电镀层中由铜形成的第一层与绝缘层之间的粘附力。

相应地，电路图案的间距和线宽可以减少。

也就是说，即使电路图案的厚度或线宽减少，电路图案的支撑力可以通过电路图案的第一层与绝缘层之间的粘附力得到保证，从而可以实现具有细线宽和细间距的电路图案。

相应地，由于实施例的电路板可以提高电路图案的密度，所以在相同的区域内可以设置更多的电路图案，并且电路图案的尺寸可以减少。

附图说明

图1是实施例的电路板的剖视图；

图2是第一实施例的电路板的一个区域的剖视图；

图3至图10是用于解释第一实施例的电路板的电路图案的形成过程的视图；

图11是第二实施例的电路板的一个区域的剖视图；

图12至图19是用于解释第二实施例的电路板的电路图案的形成过程的视图。

具体实施方式

下面，将参考附图详细描述本发明的实施例。然而，本发明的精神和范围不限于所描述的实施例的一部分，并且可以以各种其他形式实施，并且在本发明的精神和范围内，实施例的一个或多个要素可以有选择地被粘合和替换。

此外，除非明确地另行定义和描述，本发明实施例中使用的术语(包括技术和科学术语)可以被解释为与本发明所属技术的普通技术人员通常理解的含义相同，并且诸如常用字典中定义的术语可以被解释为具有与它们在相关技术背景中的含义一致的含义。

此外，本发明的实施例中使用的术语是用于描述实施例的，而不是为了限制本发明。在本说明书中，除非在短语中特别说明，否则单数形式也可以包括复数形式，并且在“A(和)、B和C中的至少一个(或多个)”中描述时，可以包括A、B和C中结合的所有组合中的至少一个。

此外，在描述本发明实施例的要素时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(A和(b)等的术语。这些术语仅用于将该要素与其他要素区分开来，并且这些术语不限制元件的本质、顺序或次序。

此外，当一个要素被描述为与另一要素“连接”、“结合”或“相连”时，它不仅可以包括该要素直接“连接”到、“耦接”到或“相连”到其他要素的情况，还包括该要素通过该要素与其他要素之间的另一要素“连接”、“耦接”或“相连”的情况。

此外，当描述为形成或设置在每个要素“上(上方)”或“下(下方)”时，“上(上方)”或“下(下方)”不仅可以包括两个要素彼此直接连接的情况，也包括一个或多个其他要素形成或设置在两个要素之间的情况。

此外，当表示为“上(上方)”或“下(下方)”时，它可以不仅包括基于一个要素的上方向，还包括基于一个要素的下方向。

下面，将参考附图描述实施例的电路板。

参考图1，实施例的电路板可以包括绝缘基板110、第一焊盘120、第一上金属层130、第二焊盘140、第二上金属层150、第一钝化层160、第二钝化层170、焊膏180和电子部件190。

绝缘基板110可以具有平板结构。绝缘基板110可以是印刷电路板(PCB)。这里，绝缘基板110可以被实施为单基板，或者可以被实施为依次层叠多个绝缘层的多层基板。

相应地，绝缘基板110包括多个绝缘层111。如图2所示，多个绝缘层111可以从最上部开始包括第一绝缘层111a、第二绝缘层111b、第三绝缘层111c、第四绝缘层111d以及第五绝缘层111e。此外，电路图案112可以设置在第一至第五绝缘层的各表面处。也就是说，电路图案112可以设置在第一至第五绝缘层的两个表面中的至少一个上。

多个绝缘层111是在其上设置有能够改变布线的电路的基板，并且可以包括能够在绝缘层的表面处形成电路图案112的由绝缘材料形成的所有的印刷、布线板和绝缘基板。

多个绝缘层111中的至少一个绝缘层可以包括含玻璃纤维的预浸料。详细而言，多个绝缘层111中的至少一个绝缘层可以包括环氧树脂以及玻璃纤维和硅基填料分散在环氧树脂中的材料。

或者，多个绝缘层111中的至少一个绝缘层可以包括树脂涂层铜(RCC)。树脂涂层铜(RCC)是在铜箔上涂覆且不含玻璃纤维的树脂，由于它不含玻璃纤维，所以可以降低绝缘层的介电常数。

此外，多个绝缘层111中的至少一个绝缘层可以是刚性的或柔性的。例如，绝缘层111可以包括玻璃或塑料。具体而言，绝缘层111可以包括：诸如碱石灰玻璃、铝硅酸盐玻璃等的化学钢化/半钢化玻璃；诸如聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、丙二醇(PPG)、聚碳酸酯(PC)等的钢化或柔性塑料；或者蓝宝石。

此外，绝缘层111可以包括光学各向同性膜。例如，绝缘层111可以包括环烯烃共聚物(COC)、环烯烃聚合物(COP)、光学各向同性PC、光学各向同性聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。

进一步，绝缘层111可以以具有弯曲表面的状态被部分弯曲。也就是说，绝缘层111可以部分具有平面，并且可以以具有弯曲表面的状态被部分弯曲。具体而言，绝缘层111的端部可以以具有弯曲表面的状态被弯曲，或者以具有随机曲率的表面的状态被弯曲或弯折。

此外，绝缘层111可以是具有柔性的柔性基板。进一步地，绝缘层111可以是弯曲的或弯折的基板。在这种情况下，绝缘层111可以表示用于电线的布线布局，该电线基于电路设计连接电路元件，并且电导体可以被设置在绝缘材料上。此外，电气部件可以安装在绝缘层111上，并且绝缘层111可以形成配置为连接电气部件以构成电路的布线，并且除了发挥电连接部件的功能外，绝缘层111还可以机械地固定部件。

每个电路图案112设置在绝缘层111的表面处。电路图案112可以是用于传输电信号的布线，并且可以由具有高导电性的金属材料形成。为此，电路图案112可以由选自金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钛(Ti)、锡(Sn)、铜(Cu)和锌(Zn)中的至少一种金属材料形成。

此外，电路图案112可以由包括选自金(Au)、银(Ag)、铂(Pt)、钛(Ti)、锡(Sn)、铜(Cu)和锌(Zn)中的至少一种金属材料的浆料或焊膏形成，这些金属材料在粘合强度方面优异。优选地，电路图案112可以由具有高导电性和相对低的成本的铜(Cu)形成。

电路图案112可以通过制造PCB的一般工艺形成，例如加成工艺、减成工艺、改良的半加成工艺(MSAP)、半加成工艺(SAP)等，并且这里将省略其详细描述。

同时，可以在绝缘层111与电路图案112之间设置缓冲层。详细而言，缓冲层200可以设置在绝缘层111与电路图案112之间，以直接接触绝缘层111和电路图案112。

缓冲层200可以改善绝缘层111与缓冲层200之间的粘附力，并且缓冲层200将在下文中详细描述。

在绝缘层111中形成至少一个导通部113。导通部(via)113被设置为穿过多个绝缘层111中的至少一个。导通部113可以仅穿过多个绝缘层111中的一个，并且替代地，可以形成为通常穿过多个绝缘层111中的至少两个绝缘层。因此，导通部113将设置在不同绝缘层表面处的电路图案彼此电连接。

导通部113可以通过用导电材料填充穿过多个绝缘层111中的至少一个的贯通孔(through hole)(未显示)来形成。

贯通孔可以通过机械、激光和化学加工中的任一种形成。当贯通孔通过机械加工形成时，可以使用诸如铣削、钻孔和拉线(routing)的方法。当贯通孔通过激光加工形成时，可以使用紫外或CO₂激光的方法。当贯通孔通过化学加工形成时，可以通过使用包括氨基硅烷、酮等的化学品使绝缘层111开口。

同时，激光加工是一种切割方法，其中通过在表面处聚焦光能使材料的一部分熔化和蒸发，以获得所需的形状。通过计算机程序的复杂成形可以很容易地被加工，并且可以加工用其他方法难以切割的复合材料。

此外，通过激光的加工可具有至少0.005mm的切割直径，并可进行加工的厚度范围广。

优选使用钇铝石榴石(YAG)激光器或CO₂激光器或紫外线(UV)激光器作为激光加工钻。YAG激光器是一种既能加工铜箔层又能加工绝缘层的激光器，而CO₂激光器是一种只能够加工绝缘层的激光器。

当形成贯通孔时，导通部113是通过在贯通孔的内部填充导电材料而形成的。形成导通部113的金属材料可以是选自铜(Cu)、银(Ag)、锡(Sn)、金(Au)、镍(Ni)和钯(Pd)中的任一种。导电材料可以通过无电解镀、电解镀、丝网印刷、溅射、蒸发、喷墨和点胶中的任一种，或者其组合来填充。

第一焊盘120设置在配置在多个绝缘层111的最上部的绝缘层上，并且第二焊盘140设置在配置在多个绝缘层111的最下部的绝缘层下。

换句话说，第一焊盘120被设置在多个绝缘层111中待形成电子部件190的最上绝缘层上。第一焊盘120可以在最上绝缘层上形成多个。此外，第一焊盘120的一部分可以作为信号传输的图案，其另一部分可以作为通过布线等与电子部件190电连接的内引线。换句话说，第一焊盘120可以包括用于打线(wire bonding)的打线焊盘。

此外，第二焊盘140设置在多个绝缘层111中待附接外部基板(未示出)的最下绝缘层下。与第一焊盘120一样，第二焊盘140的一部分也作为信号传输的图案，其另一部分可以作为外引线，在该外引线中设置有用于附接外部基板的粘接构件175。换言之，第二焊盘140包括用于焊接的焊盘。

此外，第一上金属层130设置在第一焊盘120上，第二上金属层150布置在第二焊盘140下。第一上金属层130和第二上金属层150由相同的材料形成，并在分别保护第一焊盘120和第二焊盘140的同时，增加了打线或焊接的特性。

为此，第一上金属层130和第二上金属层150由包括金(Au)的金属形成。优选地，第一上金属层130和第二上金属层150可以仅包括纯金(纯度为99％或更高)，或者可以由包括金(Au)的合金形成。当第一上金属层130和第二上金属层150由包括金的合金形成时，该合金可以由包括钴的金合金形成。

焊膏180设置在多个绝缘层中的最上绝缘层处。焊膏是用于固定附接至绝缘基板110的电子部件190的粘合剂。因此，焊膏180可以被定义为粘合剂。该粘合剂可以是导电粘合剂，或者可替代地，该粘合剂可以是非导电粘合剂。也就是说，印刷电路板100可以是电子部件190以打线方式附接到的基板，因此电子部件190的端子(未示出、)可以不设置在粘合剂上。此外，粘合剂可以不与电子部件190电连接。因此，可以使用非导电粘合剂作为粘合剂，或者可替代地，可以使用导电粘合剂作为粘合剂。

导电粘合剂大体上分为各向异性的导电粘合剂和各向同性的导电粘合剂，并且基本上由诸如Ni、Au/聚合物或Ag等的导电颗粒以及热固性和热塑性树脂或混合两种树脂特性的混合型绝缘树脂组成。

此外，非导电粘合剂也可以是聚合物粘合剂，并且可以优选为包括热固性树脂、热塑性树脂、填料、固化剂和固化促进剂的非导电聚合物粘合剂。

进一步地，第一钝化层160被设置在最上绝缘层上，通过第一钝化层160暴露第一上金属层130的至少一部分表面。第一钝化层160被设置为保护最上绝缘层的表面，并且例如，可以是阻焊剂。

此外，焊膏180被设置在第一上金属层130上，以便第一焊盘120和电子部件190可以彼此电连接。

这里，电子部件190可以包括器件和芯片两者。器件可以被分为有源器件和无源器件。有源器件指的是主动利用非线性特性的器件。无源器件指的是即使线性和非线性特性都存在也不使用非线性特性的器件。此外，有源器件可以包括晶体管、IC半导体芯片等，无源器件可以包括电容器、电阻器、电感器等。为了提高作为有源器件的半导体芯片的信号处理速度、执行滤波功能等，无源器件与普通的半导体封装一起被安装在基板上。

因此，电子部件190可以包括所有的半导体芯片、发光二极管芯片和其他驱动芯片。

此外，在最上绝缘层上可以形成树脂成型部，相应地，电子部件190和第一上金属层130可以被树脂成型部所保护。

同时，第二钝化层170被设置在多个绝缘层中的最下绝缘层下。第二钝化层170具有暴露第二上金属层150的表面的开口。第二钝化层170可以由阻焊剂形成。

如前所述，缓冲层可以设置在绝缘层111与电路图案112之间。

下面，将参考图2至图10描述第一实施例的电路板和制造该电路板的方法。

参考图2，缓冲层200可以设置在绝缘层111与电路图案112之间绝缘层111与电路图案112重叠的区域中。详细地说，缓冲层200可以设置在绝缘层100的设置有电路图案112的所有表面上。

缓冲层200可以是在绝缘层111的表面上处理的表面处理层。缓冲层200可以是设置在绝缘层与电路图案之间的中间层。缓冲层200可以是设置在绝缘层与电路图案之间的涂层。缓冲层200可以是改善绝缘层与电路图案之间的粘附力的功能层，即粘附力加强层。

参考图2，缓冲层200可以设置在绝缘层111的表面上。也就是说，缓冲层200可以设置在绝缘层111的设置有电路图案1120的表面上。缓冲层200可以设置在绝缘层111的除了导通部之外的表面上。

缓冲层200可以形成为具有恒定的厚度。详细而言，缓冲层200的厚度T1可以比电路图案的厚度小。

详细而言，电路图案112可以包括多个层。例如，电路图案112可以包括第一层112a和第二层112b。第一层112a可以是构成电路图案112的籽晶层。第一层112a可以通过使用诸如铜(Cu)的金属材料进行无电解镀形成。也就是说，第一层112a可以是第一镀层。

此外，第二层112b可以是设置在第一层112a上的第二镀层。即，第二层112b可以是通过对作为籽晶层的第一层112a进行电镀而进行生长的第二镀层。

第一层112a的厚度T2可以比第二层112b的厚度T3小。详细而言，第一层112a的厚度T2可以是0.7μm至2μm，而第二层112b的厚度T3可以是10μm至25μm。

缓冲层的厚度T1可以比第一层112a和第二层112b的厚度小。

例如，缓冲层的厚度T1可以比第一层112a的厚度T2小。详细而言，缓冲层的厚度T1可以是第一层112a的厚度T2的1％至50％。例如，缓冲层的厚度T1可以是10nm至1μm。

当缓冲层的厚度(T1)相对于第一层(112a)的厚度(T2)小于1％时，很难通过缓冲层实现粘附效果，并且当缓冲层的厚度T1超过第一层112a的厚度T2的50％时，电路板的整体厚度可能由于缓冲层增加。

缓冲层200可以包括多个元素。包括在缓冲层200中的多个元素可以在缓冲层中相互结合，从而以分子或离子形式被包括，并且分子以及分子或离子可以相互化学键合以形成缓冲层。

缓冲层200可以包括碳元素、氮元素和氧元素中的至少一种。详细而言，缓冲层200可以包括碳元素、氮元素和氧元素中的全部。

碳元素、氮元素、氧元素、硅元素、硫元素和金属元素可以通过在缓冲层中相互键合而以分子形式存在，或者可以在缓冲层中以单个离子的形式存在。

在多个元素中，氧元素、碳元素和氮元素可以与连结到绝缘层的缓冲层的官能团有关。也就是说，由包括氧元素、碳元素、氮原子等的分子形成的官能团可以与绝缘层和电路图案化学键合。

为此，可以以恒定的质量比包括碳元素、氮元素和氧元素。例如，可以以大于氮元素和氧元素的质量比的质量比包括碳元素。此外，可以以大于氮元素与氧元素之和的质量比包括碳元素。此外，氧元素的质量比可以大于或等于氮元素的质量比。

详细而言，氮元素与碳元素之比((碳元素/氮元素)*100)可以是5至15。此外，氧元素与碳元素之比((碳元素/氧元素)*100)可以是15至30。

碳元素、氮元素、氧元素、硅元素和硫元素与金属元素之比可以与绝缘层或电路板的粘合强度有关。

详细来说，氮元素与碳元素之比((碳元素/氮元素)*100)不满足5至15，或者氧元素与碳元素之比((碳元素/氧元素)*100)不满足15至30，缓冲层与电路板和/或缓冲层与绝缘层之间的键合力减弱，从而降低电路板与绝缘层之间的粘附力。

碳元素、氧元素和氮元素可以相互化学键合以在缓冲层200中形成多个官能团。

详细而言，缓冲层200可以包括与绝缘层111和电路图案112化学键合的多个官能团。详细而言，缓冲层200的官能团可以通过配位键而连结到绝缘层111和电路图案112中的至少一个。

例如，缓冲层200可以包括选自胺基、氰化物基和羟基中的至少一个官能团，并且该官能团可以通过配位键而与绝缘层111和电路图案112中的至少一个化学键合。

即，缓冲层200具有胺基、氰化物基和羟基中的至少一个官能团与苯环连接的结构，并且缓冲层200、绝缘层111和电路图案112可以通过官能团而被化学键合。

相应地，不同材料的绝缘层111与电路图案112之间的粘附力可以由设置在绝缘层111与电路图案112之间的缓冲层200来保证。

即，在第一实施例的电路板中，绝缘层和电路图案之间的粘附力可以通过设置在绝缘层与电路图案之间的缓冲层来改善。也就是说，由于缓冲层通过配位键而与绝缘层和电路图案进行化学键合，所以绝缘层与电路图案之间的粘附力可以得到改善。

相应地，当电路图案形成在绝缘层上时，电路图案的间距和线宽可以减少。也就是说，由于电路图案与绝缘层之间的粘附力得到改善，所以即使电路图案的间距和线宽减少，电路图案的支撑力也可以得到保证，从而可以减少电路图案的间距和线宽。

相应地，第一实施例的电路板可以减少电路图案的间距和线宽，因此可以提高电路板的密度。

图3至图10是用于解释第一实施例的电路板的制造工艺的视图。

参考图3，首先，可以制备绝缘层111。缓冲层200和金属层300可以设置在绝缘层111上。例如，缓冲层200可以设置在绝缘层111的两个表面中的至少一个上，并且包括铜等的金属层可以设置在绝缘层111的两个表面上。

接下来，参考图4，金属层可以从绝缘层111中移除。详细而言，设置在绝缘层111的两个表面上的金属层300可以从绝缘层111中移除。例如，金属层300可以通过机械或化学蚀刻从绝缘层111中移除。

相应地，缓冲层200可以暴露在绝缘层111的表面上。

接下来，参考图5，可以在绝缘层111中形成孔H。孔H可以通过机械加工或激光加工穿过绝缘层111的一个表面和另一表面形成。

相应地，缓冲层200可以设置在绝缘层111的除了形成孔H的区域之外的整个表面上。

接下来，参考图6，可以在绝缘层111的表面上形成构成电路图案的第一层112a。例如，可以在设置在绝缘层111上的缓冲层200上形成包括铜(Cu)金属的薄膜层。

第一层112a可以通过无电解镀工艺被设置为具有0.7μm至2μm的薄膜厚度。第一层112a可以设置在绝缘层111的表面以及在绝缘层111中形成的孔H的内表面上。

接下来，参考图7，可以在第一层112a上设置感光膜D。详细而言，在将感光膜D设置在第一层112a的整个表面上之后，可以执行曝光、显影和蚀刻工艺以形成感光图案。

相应地，感光图案可以被设置在布置有电路图案的区域之外的区域。

接下来，参考图8，可以在感光图案之间形成第二层112b。详细而言，可以通过在第一层112a上经电解镀形成具有10μm至25μm厚度的第二层112b来形成电路图案。

此外，由于第二层112b以填充孔H的内部的状态形成，所以可以形成电路板的导通孔113。

接下来，参考图9和图10，可以部分地移除绝缘层111上的感光膜D和第一层112a。

详细地，在移除如图9所示的设置在第二层112b之间的感光膜D之后，如图10所示，移除感光膜D的区域中剩余的第一层111a可以被蚀刻。

相应地，可以形成包括第一层111a和第二层112b且设置为彼此间隔开的多个电路图案112。

下面，将参考图11至图19描述第二实施例的电路板和制造该电路板的方法。在第二实施例的电路板的描述中，将省略与上述第一实施例的电路板类似的描述。此外，在第二实施例的电路板的描述中，对与上述第一实施例的相同的要素标注相同的附图标记。

参考图11，在第二实施例的电路板中，可以在绝缘层111上设置缓冲层200。

与上述第一实施例的电路板不同，在第二实施例的电路板中，缓冲层200也可以被设置在导通部113上。也就是说，缓冲层200可以被设置在绝缘层111的表面和导通部113的内表面上。

下面，将参考图11至图19描述第二实施例的电路板和制造该电路板的方法。在第二实施例的电路板的描述中，将省略与上述第一实施例的电路板类似的描述。此外，在第二实施例的电路板的描述中，对与上述第一实施例的相同的要素标注相同的附图标记。

参考图11，在第二实施例的电路板中，可以在绝缘层111上设置缓冲层200。

与上述第一实施例的电路板不同，在第二实施例的电路板中，缓冲层200也可以被设置在导通部113上。也就是说，缓冲层200可以被设置在绝缘层111的表面和导通部113的内表面上。

也就是说，缓冲层200可以设置在绝缘层111的设置有电路图案112的整个表面上，并且可以设置在穿过绝缘层111的导通部113的内表面上。

相应地，在第二实施例的电路板中，不仅电路图案112而且设置在导通部中的导电材料均可以设置为与缓冲层接触。

相应地，由于与电路图案材料相同的导电材料也与缓冲层的官能团化学键合，导通部中的导电材料与绝缘层之间的粘附性可以被改善。

下面，将参考图12至图19描述第二实施例的电路板制造方法。

参考图12，首先，可以制备绝缘层111。可以在绝缘层111上设置金属层300。详细而言，包括铜等的金属层300可以被设置在绝缘层111的两个表面上。

接下来，参考图13，可以从绝缘层111上去除金属层。详细而言，设置在绝缘层111的两个表面上的金属层300可以从绝缘层111中移除。例如，金属层300可以通过机械或化学蚀刻从绝缘层111上移除。

接下来，参考图14，可以在绝缘层111中形成孔H。孔H可以通过机械加工或激光加工穿过绝缘层111的一个表面和另一表面形成。

接下来，缓冲层200可以设置在绝缘层111上。详细而言，缓冲层200可以包括设置在绝缘层111的表面上的第一缓冲层210以及设置在孔H的内表面上的第二缓冲层220。

第一缓冲层210和第二缓冲层220可以设置为相互连接。第一缓冲层210和第二缓冲层220可以形成为一体。

接下来，参考图15，构成电路图案的第一层112a可以形成在绝缘层111的表面上。例如，可以在设置在绝缘层111上的缓冲层200上形成包括铜(Cu)金属的薄膜层。

第一层112a可以通过无电解镀工艺设置为具有0.7μm至2μm的薄膜厚度。第一层112a可以设置在绝缘层111的表面和在绝缘层111中形成的孔H的内表面上。

由于缓冲层也被设置在孔H的内表面上，第一层112a可以被设置为在绝缘层的表面和导通部的内表面这两者上与缓冲层直接接触。

接下来，参考图16，可以在第一层112a上设置感光膜D。详细而言，在将感光膜D设置在第一层112a的整个表面上之后，可以执行曝光、显影和蚀刻工艺以形成感光图案。

接下来，参考图17，可以在感光图案之间形成第二层112b。详细而言，电路图案可以通过在第一层112a上经电解镀形成具有10μm至25μm厚度的第二层112b来形成。

此外，由于第二层112b以填充孔H的内部的状态形成，所以可以形成电路板的导通孔113。

接下来，参考图17和18，可以部分地移除绝缘层111上的感光膜D和第一层112a。

详细而言，在移除如图18所示设置在第二层112b之间的感光膜D之后，可以如图19所示蚀刻移除感光膜D的区域中剩余的第一层111a。

相应地，可以形成包括第一层111a和第二层112b并且设置为彼此间隔开的多个电路图案112。

实施例的电路板可以改善绝缘层与电路图案之间的粘附力。详细而言，可以改善电路图案的镀层中由铜形成的第一层与绝缘层之间的粘附力。

相应地，电路图案的间距和线宽可以减少。

也就是说，即使电路图案的间距或线宽减少，电路图案的支撑力也可以通过电路图案的第一层与绝缘层之间的粘附力来保证，从而可以实现具有细线宽和细间距的电路图案。

相应地，由于实施例的电路图案可以提高电路图案的密度，因此可以在相同的区域内设置更多的电路图案，并且可以减少电路图案的尺寸。

上述实施例中描述的特征、结构和效果包括在至少一个实施例中，但不限于一个实施例。此外，各实施例中说明的特征、结构、效果等甚至可以由该实施例所涉及的本领域的普通技术人员对其他实施例进行结合或修改。因此，将被解释为与这样的组合和这样的修改有关的内容包括在本发明的范围内。

此外，上述描述已经集中在所述实施例上，但它只是说明性的，并不限制本发明。与本实施例有关的技术人员可以理解，在不背离实施例的基本特征的情况下，上文未说明的各种修改和应用是可能的。例如，在实施例中特别表示的每个部件都可以被修改和实现。此外，应当理解，与这种修改和应用有关的差异包括在所附权利要求中定义的本发明的范围内。

Claims (15)

1.一种电路板，包括：

绝缘层；

电路图案，所述电路图案设置在所述绝缘层的上表面上或下表面下；以及

缓冲层，所述缓冲层设置在所述绝缘层的所述上表面上和所述下表面下中的至少一个，

其中，所述缓冲层包括碳元素、氮元素和氧元素，

其中，氮元素与碳元素之比，即(碳元素/氮元素)*100为5至15，

其中，氧元素与碳元素之比，即(碳元素/氧元素)*100为15至30。

2.根据权利要求1所述的电路板，其中，所述缓冲层包括官能团，所述官能团与所述绝缘层和所述电路图案中的至少一个配位键合。

3.根据权利要求2所述的电路板，其中，所述官能团包括胺基、氰化物基和羟基中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的电路板，其中，所述电路图案包括：所述绝缘层上的第一层；以及所述第一层上的第二层，

其中，所述缓冲层的厚度比所述第一层的厚度小。

5.根据权利要求4所述的电路板，其中，所述缓冲层的厚度为所述第一层的厚度的1％至50％。

6.根据权利要求1所述的电路板，其中，所述缓冲层与所述绝缘层和所述电路图案直接接触。

7.根据权利要求1所述的电路板，其中，所述缓冲层设置在所述绝缘层的设置有所述电路图案的整个表面上。

8.根据权利要求1所述的电路板，其中，所述缓冲层还包括硅元素、硫元素和金属元素，

其中，所述碳元素、氮元素、和氧元素、硅元素、硫元素和金属元素各自在所述缓冲层中以相互键合的分子形式或以单离子形式存在。

9.一种电路板，包括：

电路图案，所述电路图案设置在绝缘层的上表面上或下表面下；以及

缓冲层，所述缓冲层设置在所述绝缘层的所述上表面上、所述绝缘层的所述下表面下和导通部的内表面上中的至少一个，

其中，所述缓冲层包括碳元素、氮元素和氧元素，

其中，氮元素与碳元素之比，即(碳元素/氮元素)*100为5至15，

其中，氧元素与碳元素之比，即(碳元素/氧元素)*100为15至30。

10.根据权利要求9所述的电路板，其中，所述缓冲层包括设置在绝缘层的所述上表面上的第一缓冲层以及设置在所述导通部的所述内表面上的第二缓冲层，

其中，所述第一缓冲层和所述第二缓冲层形成为一体。

11.根据权利要求9所述的电路板，其中，所述缓冲层包括官能团，所述官能团与所述绝缘层和所述电路图案中的至少一个配位键合，

其中，所述官能团包括胺基、氰化物基和羟基中的至少一种。

12.根据权利要求9所述的电路板，其中，所述电路图案包括：所述绝缘层上的第一层；以及所述第一层上的第二层，

其中，所述缓冲层的厚度为所述第一层厚度的1％至50％。

13.根据权利要求9所述的电路板，其中，所述缓冲层与所述绝缘层和所述电路图案直接接触。

14.根据权利要求9的电路板，其中，所述缓冲层设置在所述绝缘层的设置有所述电路图案的整个表面上。

15.根据权利要求9所述的电路板，其中，所述缓冲层还包括硅元素、硫元素和金属元素，

其中，所述碳元素、氮元素和氧元素、硅元素、硫元素和金属元素各自在所述缓冲层中以相互键合的分子形式或以单离子形式存在。

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