CN115884626A

CN115884626A - 发光显示装置

Info

Publication number: CN115884626A
Application number: CN202210819673.4A
Authority: CN
Inventors: 李骏熙
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2021-09-27
Filing date: 2022-07-13
Publication date: 2023-03-31
Also published as: KR20230045655A; US20230093816A1

Abstract

本公开涉及发光显示装置，包括：基板；有机膜，位于所述基板上且具有阳极连接用开口；阳极，位于所述有机膜上且通过所述有机膜的所述阳极连接用开口而被电连接；黑色像素定义膜，具有使所述阳极露出的阳极露出用开口，并且包括黑色有机物质；阴极，位于所述黑色像素定义膜和所述阳极上；以及封装层，覆盖所述阴极，所述阳极包括：阳极中心部，与所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口重叠且具有三层结构；以及阳极周边部，从所述阳极中心部延伸且包括透明的导电物质，所述三层结构中下部层和上部层包括透明的导电物质并且中间层由能够反射光的金属物质形成。

Description

发光显示装置

技术领域

本公开涉及发光显示装置，更具体而言涉及用于变更阳极的结构来减小外部光的反射率并去除黑色像素定义膜与阳极间的问题的发光显示装置。

背景技术

显示装置是显示画面的装置，具有液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)、有机发光显示装置(Organic Light Emitting Diode，OLED)等。这种显示装置正在使用于如移动电话、导航仪、数码相机、电子书、便携式游戏机或各种终端机等这样的各种电子设备中。

如有机发光显示装置这样的显示装置可以使用柔性基板而具有显示装置可被弯曲或折叠的结构。

此外，在如移动电话这样的小型电子设备中，相机或光学传感器等光学元件形成在作为显示区域的周边的边框区域中，但是随着将显示的画面的大小形成得大且显示区域的周边区域的大小逐渐减小，正在开发相机或光学传感器可以位于显示区域的背面的技术。

发明内容

实施例用于减小外部光的反射率的同时去除黑色像素定义膜与阳极间的问题来提高显示品质。

一实施例涉及的发光显示装置包括：基板；有机膜，位于所述基板上且具有阳极连接用开口；阳极，位于所述有机膜上且通过所述有机膜的所述阳极连接用开口而被电连接；黑色像素定义膜，具有使所述阳极露出的阳极露出用开口，并且包括黑色有机物质；阴极，位于所述黑色像素定义膜和所述阳极上；以及封装层，覆盖所述阴极，所述阳极包括：阳极中心部，与所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口重叠且具有三层结构；以及阳极周边部，从所述阳极中心部延伸且包括透明的导电物质，所述三层结构中下部层和上部层包括透明的导电物质并且中间层由能够反射光的金属物质形成。

可以是，所述阳极周边部具有单一层结构。

可以是，所述阳极周边部是所述阳极中心部的所述上部层延伸而形成的。

可以是，所述阳极周边部覆盖所述阳极中心部的侧面。

可以是，所述阳极中心部中的一部分与所述黑色像素定义膜重叠。

可以是，所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口至所述阳极中心部一端为止的间隔在1.5μm以上且3.5μm以下。

可以是，所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口至所述阳极周边部一端为止的间隔在5.5μm以上且9.5μm以下。

可以是，所述发光显示装置还包括：遮光部件，位于所述封装层上且具有滤色器用开口；以及滤色器，填充所述遮光部件的所述滤色器用开口。

可以是，所述遮光部件的所述滤色器用开口至所述阳极中心部一端为止的间隔大于所述遮光部件的所述滤色器用开口至所述阳极周边部的一端为止的间隔。

可以是，所述遮光部件的所述滤色器用开口至所述阳极中心部一端为止的间隔在3.5μm以上且8.5μm以下。

可以是，所述遮光部件的所述滤色器用开口至所述阳极周边部一端为止的间隔在1.0μm以上且2.0μm以下。

可以是，所述遮光部件的所述滤色器用开口与所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口间的间隔在4.5μm以上且7.5μm以下。

可以是，所述发光显示装置还包括：感知电极，在平面上与所述遮光部件重叠且被所述遮光部件覆盖，所述有机膜的所述阳极连接用开口在平面上与所述黑色像素定义膜及所述遮光部件重叠，所述有机膜的所述阳极连接用开口在平面上至少一部分与所述感知电极重叠。

可以是，所述阳极还包括：延伸部，从所述阳极中心部延伸且具有三层结构。

可以是，从所述阳极中心部到所述阳极连接用开口为止的间隔在12μm以下。

可以是，所述透明的导电物质包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)中的至少一种透明导电性氧化物(TCO)。

可以是，所述中间层包括银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和金(Au)中的至少一种金属。

可以是，所述下部层和所述上部层包括所述铟锡氧化物(ITO)，所述中间层包括银(Ag)。

可以是，所述阳极周边部具有双层结构。

可以是，所述阳极周边部的所述双层结构从所述阳极中心部的所述上部层和所述下部层延伸。

(发明效果)

根据实施例，使用黑色像素定义膜来减小外部光的反射率的同时，阳极之中反射外部光的中心部只有一部分与黑色像素定义膜重叠，反射外部光的中心部位于阳极与黑色像素定义膜重叠的区域之中的一部分中，由透明导电物质形成的周边部位于阳极与黑色像素定义膜重叠的区域之中的剩余部分中，从而可以去除可能在黑色像素定义膜与阳极之间产生的翘起现象。其结果，可以减小外部光的反射率的同时可以去除黑色像素定义膜与阳极间的翘起问题，从而可以提高显示品质。

附图说明

图1是表示一实施例涉及的发光显示装置的使用状态的示意立体图。

图2是一实施例涉及的发光显示装置的分解立体图。

图3是一实施例涉及的发光显示装置的框图。

图4是示意性表示另一实施例涉及的发光显示装置的立体图。

图5是放大表示一实施例涉及的发光显示装置的一部分区域的平面图。

图6是表示一实施例涉及的发光显示装置的阳极的结构和黑色像素定义膜的开口的关系的平面图。

图7是沿着图6的VII-VII′线截取的剖视图。

图8是在图6中进一步还表示了遮光部件的开口和滤色器的关系的平面图。

图9是沿着图8的IX-IX′线截取的剖视图。

图10是一实施例涉及的发光显示装置所包括的一个像素的电路图。

图11至图23是具体表示一实施例涉及的发光显示装置之中的下部面板层的制造顺序涉及的各层的结构的图。

图24是一实施例涉及的发光显示装置的剖视图。

图25是一实施例涉及的发光显示装置之中的上部面板层之中的一部分的平面图。

图26是表示又一实施例涉及的发光显示装置的阳极的结构的剖视图，是沿着图6的VII-VII′线截取的剖视图。

图27和图28是表示可能在阳极与黑色像素定义膜之间产生的翘起现象的图。

符号说明：

DP：显示面板；DA：显示区域；Anode：阳极；Anode-1：阳极中心部；Anode-2：阳极周边部；Anode-e：延伸部；An1：下部层；An2：中间层；An3：上部层；OP4：阳极连接用开口；380：黑色像素定义膜；OP：黑色像素定义膜的开口；220：遮光部件；OPBM：遮光部件的开口；230R、230G、230B：滤色器；EA1：第一元件区域；EA2：第二元件区域；OPS：光传感器区域；110：基板；111：缓冲层；141、142、143：栅极绝缘膜；161、162：层间绝缘膜；181、182、183：有机膜；400：封装层；501、510、511：感知绝缘层；550：平坦化层；127、128、151、152、153、155、171、172、741：布线；385：间隔物；BML：金属层；EML：发光层；FL：功能层；OP3：开口；540、541：感知电极；FL-SD1、FL-SD2：扩展部。

具体实施方式

以下，参照附图，详细说明本发明的各实施例，使得本领域技术人员能够容易实施。本发明可以由各种不同的形态实现，并不限于在此说明的各实施例。

为了明确说明本发明，省略了与说明无关的部分，并在整个说明书中对相同或类似的构成元件赋予相同的符号。

此外，在附图中，为了便于说明，任意示出各构成的大小和厚度，本发明并不一定限于图示的情况。在附图中，为了明确表示各层和区域而放大表示了厚度。此外，在附图中，为了便于说明，夸张地示出了部分层和区域的厚度。

此外，层、膜、区域、板等部分位于其他部分上或者上方时，不仅包括直接位于其他部分上的情况，还包括其间存在其他部分的情况。相反，某一部分直接位于其他部分上时，表示其间不存在其他部分。此外，位于成为基准的部分上或者上方是指位于成为基准的部分上或者下，并不一定表示朝向重力的相反方向位于上或者上方。

此外，在整个说明书中，某一部分包括某一构成元件时，在没有特别相反记载的情况下并不是排除其他构成元件，而是表示还可以包括其他构成元件。

此外，在整个说明书中，“平面上”是指俯视对象部分的情况，“截面上”是指从侧方观察垂直截取对象部分的截面的情况。

以下，通过图1至图3来观察示意性的发光显示装置的结构。图1是表示一实施例涉及的发光显示装置的使用状态的示意立体图，图2是一实施例涉及的发光显示装置的分解立体图，图3是一实施例涉及的发光显示装置的框图。

参照图1，一实施例涉及的发光显示装置1000(在以下的说明中也可以简称为显示装置1000)是显示动态图像或静态图像的装置，不仅可以用作如移动电话(mobile phone)、智能电话(smart phone)、平板PC(tablet personal computer)、移动通信终端机、电子手册、电子书、PMP(portable multimedia player)、导航仪、UMPC(Ultra Mobile PC)等这样的便携式电子设备的显示画面，还可以用作电视机、笔记本、监视器、广告板、物联网(internet of things，IOT)设备等各种产品的显示画面。此外，一实施例涉及的显示装置1000可以使用于如智能表(smart watch)、手表电话(watch phone)、眼镜型显示器和头戴式显示器(head mounted display，HMD)这样可穿戴装置(wearable device)中。此外，一实施例涉及的显示装置1000还可以用作汽车的仪表盘、汽车的仪表中央盒(center fascia)或配置在仪表盘的CID(Center Information Display，中央信息显示器)、代替汽车的后视镜的室内镜显示器(room mirror display)、作为汽车的后座用娱乐设备而配置在前座的背面的显示器。图1为了便于说明，示出了将显示装置1000用作智能电话的情况。

显示装置1000可以在分别平行于第一方向DR1及第二方向DR2的显示面朝向第三方向DR3显示图像。显示图像的显示面可以对应于显示装置1000的前表面(frontsurface)，可以对应于覆盖窗WU的前表面。图像可以包括动态图像，当然也可以包括静态图像。

在本实施例中，以显示图像的方向为基准定义各部件的前表面(或上表面)和背面(或下表面)。前表面和背面可以在第三方向DR3上彼此对置(opposing)，前表面和背面各自的法线方向可以平行于第三方向DR3。前表面与背面之间的第三方向DR3上的隔开距离可以对应于显示面板在第三方向DR3上的厚度。

一实施例涉及的显示装置1000可以感知从外部施加的使用者的输入(参照图1的手)。使用者的输入可以包括使用者身体的一部分、光、热、或压力等各种形态的外部输入。在一实施例中，作为使用者的输入示出了施加至前表面的使用者的手。但是，本发明并不限于此。使用者的输入可以以各种形态提供，此外，显示装置1000也可以根据显示装置1000的结构而感知施加至显示装置1000的侧面或背面的使用者的输入。

参照图1和图2，显示装置1000可以包括覆盖窗WU、壳体HM、显示面板DP以及光学元件ES。在一实施例中，覆盖窗WU和壳体HM可以结合而构成显示装置1000的外观。

覆盖窗WU可以包括绝缘面板。例如，覆盖窗WU可以通过玻璃、塑料或它们的组合构成。

覆盖窗WU的前表面可以定义显示装置1000的前表面。透过区域TA可以是光学上透明的区域。例如，透过区域TA可以是具有约90％以上的可见光透过率的区域。

阻断区域BA可以定义透过区域TA的形状。阻断区域BA可以与透过区域TA相邻且包围透过区域TA。阻断区域BA可以是与透过区域TA相比光透过率相对低的区域。阻断区域BA可以包括阻断光的不透明的物质。阻断区域BA可以具有预定的颜色。阻断区域BA可以通过与定义透过区域TA的透明基板分开提供的边框层来定义或者可以通过插入或着色于透明基板而形成的墨液层来定义。

显示面板DP可以包括显示图像的面板以及驱动部50。显示面板DP可以包括具备显示区域DA和非显示区域PA的前表面。显示区域DA可以是根据电信号使像素工作来射出光的区域。

在一实施例中，显示区域DA可以是包括像素而显示图像的区域，同时可以是触摸传感器在第三方向DR3上位于像素的上侧而感知外部输入的区域。

覆盖窗WU的透过区域TA可以至少一部分与显示面板DP的显示区域DA重叠。例如，透过区域TA可以与显示区域DA的前表面重叠或者与显示区域DA的至少一部分重叠。由此，使用者可以通过透过区域TA识别图像或者基于图像提供外部输入。但是，本发明并不限于此。例如，也可以在显示区域DA内彼此分离显示图像的区域和感知外部输入的区域。

显示面板DP的非显示区域PA可以至少一部分与覆盖窗WU的阻断区域BA重叠。非显示区域PA可以是被阻断区域BA覆盖的区域。非显示区域PA可以与显示区域DA相邻且包围显示区域DA。非显示区域PA不显示图像，可以配置有用于驱动显示区域DA的驱动电路或驱动布线等。非显示区域PA可以包括第一周边区域PA1和第二周边区域PA2，其中，显示区域DA位于第一周边区域PA1的外侧，第二周边区域PA2包括驱动部50、连接布线及弯曲区域。在图2的实施例中，第一周边区域PA1位于显示区域DA的三侧，第二周边区域PA2位于显示区域DA的剩余一侧。

在一实施例中，显示面板DP可以被组装成显示区域DA和非显示区域PA朝向覆盖窗WU的平坦的状态。但是，本发明并不限于此。显示面板DP的非显示区域PA的一部分可以被弯折。此时，非显示区域PA之中的一部分可以朝向显示装置1000的背面，从而可以减少在显示装置1000的前表面观察到的阻断区域BA，在图2中，可以弯曲第二周边区域PA2而使其位于显示区域DA的背面之后进行组装。

此外，显示面板DP可以包括元件区域EA，具体而言元件区域EA可以包括第一元件区域EA1和及第二元件区域EA2。第一元件区域EA1和第二元件区域EA2可以至少一部分被显示区域DA包围。示出了第一元件区域EA1和第二元件区域EA2彼此间隔开的形态，但是并不限于此，第一元件区域EA1和第二元件区域EA2也可以至少一部分被连接。第一元件区域EA1和第二元件区域EA2可以是在其下部配置利用红外线、可见光或音响等的构件的区域。

在显示区域DA形成有多个发光元件以及生成发光电流来分别传递给多个发光元件的多个像素电路部。在此，将一个发光元件和一个像素电路部称为像素PX。在显示区域DA中一对一地形成有一个像素电路部和一个发光元件。

第一元件区域EA1可以包括由透明的层构成的区域使得光透过，未设置导电层或半导体层，包括含有遮光物质的像素定义层、遮光层等与对应于第一元件区域EA1的位置重叠的开口，从而具有不会阻挡光的结构。

第二元件区域EA2可以包括能够使光和/或音响透过的透过部以及具备多个像素PX的显示部。透过部位于相邻的像素PX之间，且由可以使光和/或音响透过的透明的层构成。显示部可以形成为结合多个像素PX而具有一个单位结构，透过部可以位于相邻的单位结构之间。

在图1和图2的基础上参照图3，显示面板DP可以包括具备显示像素的显示区域DA以及触摸传感器TS。显示面板DP可以包括作为生成图像的构成的像素PX，从而使用者可以通过透过区域TA从外部识别出图像。此外，触摸传感器TS可以位于像素PX的上部，可以感知从外部施加的外部输入。触摸传感器TS可以感知提供至覆盖窗WU的外部输入。

再次参照图2，第二周边区域PA2可以包括弯曲部。显示区域DA和第一周边区域PA1可以具有以实质上平行于由第一方向DR1和第二方向DR2定义的平面的状态平坦的状态，也可以具有第二周边区域PA2的一侧从平坦的状态延伸而经过弯曲部之后再次变成平坦的状态。其结果，第二周边区域PA2的至少一部分可以被组装成被弯曲而位于显示区域DA的背面侧。第二周边区域PA2的至少一部分在组装时在平面上与显示区域DA重叠，因此可以减少显示装置1000的阻断区域BA。但是，本发明并不限于此。例如，第二周边区域PA2也可以不被弯曲。

驱动部50可以被安装在第二周边区域PA2上，可以被安装在弯曲部上或者位于弯曲部的两侧之中的一处。驱动部50可以形成为芯片形态。

驱动部50可以与显示区域DA电连接而向显示区域DA传递电信号。例如，驱动部50可以向配置在显示区域DA中的像素PX提供数据信号。或者，驱动部50也可以包括触摸驱动电路，与配置在显示区域DA中的触摸传感器TS电连接。另一方面，可以将驱动部50设计成除了上述的电路以外还包括各种电路或者向显示区域DA提供各种电信号。

另一方面，在显示装置1000中，焊盘部可以位于第二周边区域PA2的末端，通过焊盘部可以与包括驱动芯片的柔性印刷电路基板(Flexible Printed circuit board，FPCB)电连接。在此，位于柔性印刷电路基板的驱动芯片可以包括用于驱动显示装置1000的各种驱动电路或用于供给电源的连接器等。根据实施例，可以代替柔性印刷电路基板而使用刚性印刷电路基板(Printed circuit board，PCB)。

光学元件ES可以配置在显示面板DP的下部。光学元件ES可以包括与第一元件区域EA1重叠的第一光学元件ES1以及与第二元件区域EA2重叠的第二光学元件ES2。

第一光学元件ES1可以是利用光或音响的电子元件。例如，第一光学元件ES1可以是如红外线传感器这样接收光并对其加以利用的传感器、输出光或音响并对其加以感知来测量距离或识别指纹等的传感器、输出光的小型灯、或者输出声音的扬声器等。利用光的电子元件的情况下，当然可以利用可见光、红外线光、紫外线光等各种波段的光。

第二光学元件ES2可以是相机、红外线相机(IR camera)、点投影仪(dotprojector)、红外线照明器(IR illuminator)以及飞行时间传感器(ToF sensor，Time-of-Flight sensor)中的至少一个。

参照图3，显示装置1000可以包括显示面板DP、电源供给模块PM、第一电子模块EM1以及第二电子模块EM2。显示面板DP、电源供给模块PM、第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以彼此被电连接。在图3中例示性地示出了显示面板DP的构成之中位于显示区域DA的显示像素和触摸传感器TS。

电源供给模块PM可以供给显示装置1000的整体操作所需的电源。电源供给模块PM可以包括通常的电池模块。

第一电子模块EM1和第二电子模块EM2可以包括用于使显示装置1000工作的各种功能性模块。第一电子模块EM1可以直接被安装在与显示面板DP电连接的母板中或者被安装在单独的基板中而通过连接器(未图示)等与母板电连接。

第一电子模块EM1可以包括控制模块CM、无线通信模块TM、图像输入模块IIM、音响输入模块AIM、存储器MM以及外部接口IF。各模块之中的一部分也可以不被安装在母板而是通过与母板连接的柔性印刷电路基板而电连接至母板。

控制模块CM可以控制显示装置1000的整体操作。控制模块CM可以是微处理器。例如，控制模块CM激活或者不激活显示面板DP。控制模块CM可以基于从显示面板DP接收的触摸信号，控制图像输入模块IIM或音响输入模块AIM等其他模块。

无线通信模块TM可以利用蓝牙或WIFI线路而与其他终端机收发无线信号。无线通信模块TM可以利用通常的通信线路而收发音响信号。无线通信模块TM包括调制要发送的信号来加以发送的发送部TM1以及解调所接收的信号的接收部TM2。

图像输入模块IIM可以处理图像信号来变换成显示面板DP能够显示的图像数据。音响输入模块AIM可以在录音模式、声音识别模式等模式下通过麦克风(Microphone)接收外部的音响信号来将其变换成电音响数据。

外部接口IF可以起到与外部充电器、有线/无线数据端口、卡座(例如，存储卡(Memory card)、SIM/UIM卡)等连接的接口作用。

第二电子模块EM2可以包括音响输出模块AOM、发光模块LM、受光模块LRM以及相机模块CMM等，其中的至少一部分可以作为光学元件ES而如图1和图2那样位于显示面板DP的背面。作为光学元件ES可以包括发光模块LM、受光模块LRM以及相机模块CMM等。此外，第二电子模块EM2可以直接被安装在母板、或者被安装在单独的基板而通过连接器(未图示)等与显示面板DP电连接或与第一电子模块EM1电连接。

音响输出模块AOM可以变换从无线通信模块TM接收的音响数据或存储在存储器MM中的音响数据来输出至外部。

发光模块LM可以生成并输出光。发光模块LM可以输出红外线。例如，发光模块LM可以包括LED元件。例如，受光模块LRM可以感知红外线。受光模块LRM可以在感知到预定等级以上的红外线时被激活。受光模块LRM可以包括CMOS传感器。由发光模块LM生成的红外光被输出之后，被外部被摄体(例如，使用者的手指或脸部)反射，反射的红外光可以入射至受光模块LRM。相机模块CMM可以拍摄外部的图像。

在一实施例中，光学元件ES进一步可以包括光感知传感器或热感知传感器。光学元件ES可以感知通过前表面接收的外部被摄体或者通过前表面向外部提供音响等声音信号。此外，光学元件ES也可以包括多个构成，并不限于任一实施例。

再次参照图2，壳体HM可以与覆盖窗WU结合。覆盖窗WU可以配置在壳体HM的前表面。壳体HM可以与覆盖窗WU结合而提供预定的容纳空间。显示面板DP和光学元件ES可以被容纳于在壳体HM与覆盖窗WU之间提供的预定的容纳空间中。

壳体HM可以包括具有相对高的刚性的物质。例如，壳体HM可以包括玻璃、塑料或金属、或者可以包括由它们的组合构成的多个外壳和/或板。壳体HM可以稳定地保护容纳在内部空间中的显示装置1000的构成免受外部冲击的影响。

以下，通过图4，观察其他实施例涉及的显示装置1000的结构。图4是示意性表示另一实施例涉及的发光显示装置的立体图。省略对于与前述的构成元件相同的构成的说明。

在图4的实施例中，示出了显示装置1000通过折叠轴FAX被折叠的结构的可折叠显示装置。

参照图4，在一实施例中，显示装置1000可以是可折叠显示装置。显示装置1000可以以折叠轴FAX为基准向外侧或内侧折叠。在以折叠轴FAX为基准向外侧折叠的情况下，显示装置1000的显示面可以在第三方向DR3上分别位于外侧而朝向两个方向显示图像。在以折叠轴FAX为基准向内侧折叠的情况下，无法从外部识别出显示面。

在一实施例中，显示装置1000可以包括显示区域DA、元件区域EA以及非显示区域PA。显示区域DA可以被划分为第1-1显示区域DA1-1、第1-2显示区域DA1-2以及折叠区域FA。第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2可以以折叠轴FAX为基准(或为中心)分别位于左侧和右侧，折叠区域FA可以位于第1-1显示区域DA1-1与第1-2显示区域DA1-2之间。此时，若以折叠轴FAX为基准向外侧折叠，则第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2在第三方向DR3上位于两侧，可以在两个方向上显示图像。此外，若以折叠轴FAX为基准向内侧折叠，则无法从外部识别出第1-1显示区域DA1-1和第1-2显示区域DA1-2。

在图5中示出了一实施例涉及的发光显示装置之中的显示面板DP的一部分，利用移动电话用显示面板进行了图示。

在显示面板DP中，显示区域DA可以位于前表面，在前表面可以包括元件区域EA，具体而言可以包括第一元件区域EA1和第二元件区域EA2。进一步地，在图5的实施例中，第一元件区域EA1位于与第二元件区域EA2相邻的位置处。在图5的实施例中，第一元件区域EA1位于第二元件区域EA2的左侧。第一元件区域EA1的位置和个数可以按实施例而不同。在图5中，与第二元件区域EA2对应的光学元件可以是相机，与第一元件区域EA1对应的光学元件可以是光传感器。

显示区域DA中形成有多个发光二极管以及生成发光电流来分别传递至多个发光二极管的多个像素电路部。在此，将一个发光二极管和一个像素电路部称为像素PX(参照图2)。在显示区域DA中一对一地形成有一个像素电路部和一个发光二极管。以下，将显示区域DA还称为“通常显示区域”。在图5中未示出截取线下方的显示面板DP的结构，但是显示区域DA可以位于在截取线下方。

第一元件区域EA1可以仅由透明的层构成使得光透过，未设置导电层或半导体层，在下部面板层具有光传感器区域OPS(参照图21)，在上部面板层的黑色像素定义膜380(参照图7等)、遮光部件220(参照图9等)和滤色器230(参照图9等)中在与第一元件区域EA1对应的位置处形成有开口(以下，也称为追加开口)，从而可以具有不会遮挡光的结构。另一方面，即使光传感器区域OPS位于下部面板层，若不存在与上部面板层对应的开口，则可以是非第一元件区域EA1的显示区域DA。在后述的图11至图21中示出了一个像素PX和一个光传感器区域OPS，从而可以是第一元件区域EA1或显示区域DA的像素结构。

实施例涉及的显示面板DP大致可以被划分为下部面板层和上部面板层。下部面板层可以是构成像素PX的发光二极管和像素电路部所处的部分，还包括覆盖像素PX的封装层(参照图24的400)。即，下部面板层从基板(参照图24的110)到封装层为止还包括阳极Anode、黑色像素定义膜(参照图24的380)、发光层(参照图24的EML)、间隔物(参照图24的385)、功能层(参照图24的FL)、阴极(参照图24的Cathode)，包括基板与阳极之间的绝缘膜、半导体层以及导电层。另一方面，上部面板层是位于封装层的上部的部分，可以包括能够感知触摸的感知绝缘层(参照图24的501、510、511)以及多个感知电极(参照图24的540、541)，可以包括遮光部件(参照图24的220)、滤色器(参照图24的230)以及平坦化层(参照图24的550)等。

另一方面，在图11至图22中观察显示区域DA的下部面板层的结构。

虽然未在图5中示出，但是周边区域还可以位于显示区域DA的外侧。此外，在图5中示出了移动电话用显示面板，但是只要是光学元件可以位于显示面板的背面的显示面板就可以适用本实施例，也可以是柔性显示装置。柔性显示装置中的可折叠显示装置的情况下，第二元件区域EA2和第一元件区域EA1的位置可以形成在与图5不同的位置处。

以下，通过图6至图9，通过平面图和剖视图详细观察一实施例涉及的阳极Anode的结构和周边构成元件的关系。

首先，通过图6和图7，详细观察阳极Anode的结构和位于下部面板层的黑色像素定义膜380的关系。

图6是表示一实施例涉及的发光显示装置的阳极的结构和黑色像素定义膜的开口的关系的平面图，图7是沿着图6的VII-VII′线截取的剖视图。

首先，通过图6和图7观察阳极Anode的结构如下。

阳极Anode大致包括阳极中心部Anode-1、阳极周边部Anode-2以及从阳极中心部Anode-1延伸的延伸部Anode-e。

阳极中心部Anode-1具有三层(An1、An2、An3)结构，下部层An1和上部层An3由透明的导电物质形成，中间层An2由可反射光的金属物质形成。在此，下部层An1和上部层An3所包括的透明的导电物质可以包括如铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)这样的透明导电性氧化物(TCO)，中间层An2所包括的金属物质可以包括如银(Ag)、锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)、金(Au)这样的金属。在此，下部层An1的厚度可以具有

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以下的值。在此，下部层An1和上部层An3的厚度可以形成为不同，根据实施例，下部层An1可以形成为比上部层An3厚。但是，根据实施例，可以以各种方式形成厚度。

阳极周边部Anode-2可以不包括反射光的金属物质，在图6的实施例中可以由上部层An3的单一层形成。阳极周边部Anode-2形成为比阳极中心部Anode-1宽，以覆盖阳极中心部Anode-1的侧面的方式形成得宽。

另一方面，阳极Anode还可以包括从阳极中心部Anode-1延伸的延伸部Anode-e，延伸部Anode-e也可以如阳极中心部Anode-1那样由三层结构形成。此时，延伸部Anode-e可以具有延伸至阳极周边部Anode-2的外侧的结构。阳极周边部Anode-2可以具有覆盖延伸部Anode-e的一部分的侧面的结构。延伸部Anode-e可以为了接收传递至有机发光二极管的电流而以各种结构延伸，可以具有通过开口(参照图20等的OP4)而与下部的电极(参照图20等的阳极连接部件ACM2)电连接的结构。

除了延伸部Anode-e，阳极中心部Anode-1和阳极周边部Anode-2可以形成为彼此相同的形状，可以具有阳极中心部Anode-1的各边和阳极周边部Anode-2的各边彼此平行且具有一定的程度距离的结构。但是，根据实施例，阳极中心部Anode-1和阳极周边部Anode-2可以具有彼此不同的形状，也可以具有各边之间的距离彼此不同且不平行的结构。

以下，以构成阳极Anode的下部层An1和上部层An3由铟锡氧化物(ITO)形成且中间层An2由银(Ag)形成的实施例为中心进行说明。但是，除此以外也可以形成为包括以上记载的各种物质中的至少一种。

在图6和图7中还示出了阳极Anode与黑色像素定义膜380的关系。

黑色像素定义膜380由显黑色的有机物质形成，从而从外部施加的光不会再次反射至外部。根据实施例，可以包括负型的黑色有机物质，可以包括黑色颜料。

参照图6，黑色像素定义膜380的开口(以下，也称为阳极露出用开口)OP可以具有仅与阳极Anode之中的阳极中心部Anode-1重叠的结构，从而被黑色像素定义膜380的开口OP露出的阳极Anode的部分可以是阳极中心部Anode-1。阳极中心部Anode-1的中心和黑色像素定义膜380的开口OP的中心可以一致或彼此相邻。

阳极中心部Anode-1可以具有三层结构，是包括由可反射光的金属物质形成的中间层An2而反射光的部分，因此被黑色像素定义膜380的开口OP露出的阳极中心部Anode-1可以将从显示装置1000的外部施加的光再次反射至外部。通常，形成有黑色像素定义膜380的部分阻断外部的光再次反射至外部的情况，但是与开口OP相邻的黑色像素定义膜380的部分形成得薄，从而无法完全阻断外部的光，此时，在阳极中心部Anode-1位于其下部的情况下，外部的光其一部分有可能被反射而提供到外部。如上所述，存在外部光的反射可能性的部分在图6和图7中是黑色像素定义膜380与阳极中心部Anode-1重叠的部分，是具有间隔(以下，也称为黑色像素定义膜的开口至阳极中心部一端为止的间隔)gop1的部分。该部分是与黑色像素定义膜380的开口OP相邻的部分，黑色像素定义膜380可能未形成得充分厚，从而可能会产生外部光的反射。间隔gop1越薄，越可以减少反射的部分，但是在该情况下，存在黑色像素定义膜380形成得薄的部分可能会增加的缺点。即，若黑色像素定义膜380在开口OP的周边以高的高度形成，则相应地溢出的部分的宽度会增加，因此会具有形成为足够的厚度以下的宽度也增加的结构。为了解决这种问题，在本实施例中，将间隔gop1以2.5μm为中心以上下1μm形成(即，形成为在1.5μm以上且3.5μm以下)，从而使黑色像素定义膜380在开口OP的周边与具有三层结构的阳极中心部Anode-1重叠，使得黑色像素定义膜380只要在开口OP的周边形成在三层的阳极中心部Anode-1之上，就尽量减小所形成的黑色像素定义膜380的高度。其结果，黑色像素定义膜380形成得薄的部分的宽度减小，因此具有减少黑色像素定义膜380之中可反射外部的光的宽度的结构。

此外，在本实施例中，形成阳极周边部Anode-2，从而与黑色像素定义膜380重叠的阳极Anode形成为大部分由阳极周边部Anode-2构成。

如上所述，进一步形成阳极周边部Anode-2是因为如图27所示那样当黑色像素定义膜380与阳极Anode重叠的宽度在一定程度以下的情况下，在未形成黑色像素定义膜380的开口部分会中会产生阳极Anode的上部层An3翘起的问题(参照图27的An3′)，因此为了去除这种翘起并提高阳极Anode与黑色像素定义膜380间的接触特性而进一步形成了阳极周边部Anode-2。

参照图28，在黑色像素定义膜380与阳极Anode重叠一定程度以上的宽度的情况下，可知在黑色像素定义膜380的开口OP部分中不会产生翘起的问题。

基于此，在本实施例中，将黑色像素定义膜380与阳极Anode重叠的间隔(也称为黑色像素定义膜的开口至阳极周边部一端为止的间隔)gop2以7.5μm或7.67μm为基准以上下约2μm形成(即，形成为在5.5μm以上且9.5μm以下)，从而使得在黑色像素定义膜380的开口OP部分，阳极Anode的上部层An3不会翘起。在此，通过实验确认到的结果，在间隔gop2形成为约7μm程度的情况下，确认到上部层An3不会翘起，并且确认到即使具有比这稍微窄的间隔gop2的情况下，翘起的现象不大因此不会影响显示品质。

虽然未图示，但是从阳极中心部Anode-1的一边到阳极周边部Anode-2的一边为止的间隔可以在2μm以上且8μm以下。

在如上所述的结构中，若以阳极Anode的上部层An3为基准观察，则上部层An3具有整体形成在阳极Anode的上部且覆盖中间层An2的侧面并进一步还延伸的结构，并且具有与黑色像素定义膜380也连续地相接的结构。与黑色像素定义膜380相接的部分可以包括阳极周边部Anode-2的全部、作为阳极周边部Anode-2与阳极中心部Anode-1的边界而覆盖中间层An2的侧面的部分以及阳极中心部Anode-1的上部的间隔gop1部分。

通过如上所述的图6和图7的结构，阳极Anode之中反射外部光的阳极中心部Anode-1以1.5μm以上且3.5μm以下的宽度与黑色像素定义膜380重叠，从而反射外部光的阳极中心部Anode-1位于阳极Anode与黑色像素定义膜380重叠的区域之中的一部分。使由透明导电物质形成的阳极周边部Anode-2位于阳极Anode与黑色像素定义膜380重叠的剩余部分，从而将黑色像素定义膜380与阳极Anode重叠的宽度形成为5.5μm以上且9.5μm以下，由此可以去除可能在黑色像素定义膜380与阳极Anode之间产生的翘起现象。其结果，可以在减小外部光的反射率的同时还去除黑色像素定义膜380与阳极Anode间的翘起问题，从而可以提高显示品质。

另一方面，以下，通过图8和图9，详细观察阳极Anode与位于上部面板层的遮光部件220及滤色器230间的关系。

图8是在图6中进一步还表示了遮光部件的开口和滤色器的关系的平面图，图9是沿着图8的IX-IX′线截取的剖视图。

在图8和图9中，在图6和图7的基础上进一步更详细地以遮光部件220的开口(以下，也称为滤色器用开口)OPBM为基准示出了阳极Anode的各部分(阳极中心部Anode-1和阳极周边部Anode-2)与黑色像素定义膜380的开口OP的关系。

首先，观察遮光部件220和滤色器230所处的上部面板层。遮光部件220由显黑色的有机物质形成，从而使得从外部施加的光不会透入至内部。但是，遮光部件220包括遮光部件开口OPBM，使得从下部面板层的发光二极管射出的光通过上部面板层而被提供给使用者。在遮光部件开口OPBM形成有滤色器230，从而使得从发光二极管射出的光具有色感。参照图8，滤色器230的边界位于比遮光部件开口OPBM的边界更靠外侧的位置处。

遮光部件开口OPBM可以在平面上与黑色像素定义膜380的开口OP重叠，可以形成为比黑色像素定义膜380的开口OP宽。两个开口间的间隔在图8和图9中被示为间隔gops。根据实施例，可以将间隔(以下，还称为遮光部件开口OPBM与黑色像素定义膜380的开口OP间的间隔)gops以5.72μm或6.02μm为基准以上下约1.5μm形成(即，形成为4.5μm以上且7.5μm以下)。如上所述，遮光部件开口OPBM形成为比黑色像素定义膜380的开口OP大，从而黑色像素定义膜380的一部分被遮光部件开口OPBM露出。

观察遮光部件开口OPBM与阳极Anode的两部分(阳极中心部Anode-1和阳极周边部Anode-2)间的间隔如下。

遮光部件220的开口OPBM与阳极中心部Anode-1重叠的部分与遮光部件220具有间隔(以下，也称为遮光部件开口至阳极中心部一端为止的间隔)gopbm1，遮光部件220与阳极周边部Anode-2重叠的部分具有间隔(以下，也称为遮光部件开口至阳极周边部一端为止的间隔)gopbm2。

在此，可以将间隔gopbm2以1.50μm为基准以上下约0.5μm形成(即，形成为1.0μm以上且2.0μm以下)，间隔gopbm1可以大于间隔gopbm2，可以形成为3.5μm以上且8.5μm以下。

以下，通过图10具体观察位于显示面板DP的下部面板层的像素的电路结构。

以下的像素的结构可以是包括光传感器区域OPS(参照图21)的显示区域DA和/或第二元件区域EA2的像素结构。在此，光传感器区域OPS是在上部去除遮光部件220等阻断光的部分时对应于第一元件区域EA1的部分，若在光传感器区域OPS的上部通过遮光部件220等阻断光则可以包括于显示区域DA。

首先，通过图10观察像素的电路结构。

图10所示的电路结构是在显示区域DA和第二元件区域EA2中形成的像素电路部和发光二极管的电路结构。

一实施例涉及的一个像素PX包括与各种布线127、128、151、152、153、155、171、172、741连接的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、维持电容器Cst、升压电容器C_boost以及发光二极管LED。在此，除了发光二极管LED以外的晶体管和电容器构成像素电路部。根据实施例，可以省略升压电容器C_boost。

一个像素PX与多个布线127、128、151、152、153、155、171、172、741连接。多个布线包括第一初始化电压线127、第二初始化电压线128、第一扫描线151、第二扫描线152、初始化控制线153、发光控制线155、数据线171、驱动电压线172以及公共电压线741。与第七晶体管T7连接的第一扫描线151还与第二晶体管T2连接，但是根据实施例，第七晶体管T7也可以不同于第二晶体管T2而是与单独的旁路控制线连接。

第一扫描线151与扫描驱动部(未图示)连接而将第一扫描信号GW(发光二极管初始化信号GB＝第一扫描信号GW)传递至第二晶体管T2和第七晶体管T7。第二扫描线152可以在与第一扫描线151的信号相同的时刻被施加极性与施加至第一扫描线151的电压相反的电压。例如，在向第一扫描线151施加负极性的电压时，可以向第二扫描线152施加正极性的电压。第二扫描线152将第二扫描信号GC传递至第三晶体管T3。初始化控制线153将初始化控制信号GI传递至第四晶体管T4。发光控制线155将发光控制信号EM传递至第五晶体管T5和第六晶体管T6。

数据线171是传递由数据驱动部(未图示)生成的数据电压DATA的布线，由此传递至发光二极管LED的发光电流的大小发生变化，从而发光二极管LED发光的亮度也发生变化。驱动电压线172施加驱动电压ELVDD。第一初始化电压线127传递第一初始化电压Vinit，第二初始化电压线128传递第二初始化电压AVinit。公共电压线741将公共电压ELVSS施加至发光二极管LED的阴极。在本实施例中，施加至驱动电压线172、第一初始化电压线127、第二初始化电压线128和公共电压线741的电压分别可以是恒定的电压。

驱动晶体管(或也称为第一晶体管)T1是p型晶体管，作为半导体层具有硅半导体。驱动晶体管T1是根据驱动晶体管T1的栅电极的电压(即，存储在维持电容器Cst中的电压)的大小来调节输出至发光二极管LED的阳极Anode的发光电流的大小的晶体管。可以根据输出至发光二极管LED的阳极Anode的发光电流的大小来调节发光二极管LED的明亮度，因此可以根据施加至像素PX的数据电压DATA来调节发光二极管LED的发光亮度。为此，驱动晶体管T1的第一电极被配置成可以被施加驱动电压ELVDD，从而经由第五晶体管T5与驱动电压线172连接。此外，驱动晶体管T1的第一电极还与第二晶体管T2的第二电极连接，从而接收数据电压DATA。另一方面，驱动晶体管T1的第二电极向发光二极管LED输出发光电流，经由第六晶体管(以下，也称为输出控制晶体管)T6而与发光二极管LED的阳极Anode连接。此外，驱动晶体管T1的第二电极还与第三晶体管T3连接，从而将施加至第一电极的数据电压DATA传递至第三晶体管T3。另一方面，驱动晶体管T1的栅电极与维持电容器Cst的一电级(以下，称为“第二维持电极”)连接。因此，根据存储在维持电容器Cst中的电压，驱动晶体管T1的栅电极的电压发生变化，由此驱动晶体管T1输出的发光电流被变更。维持电容器Cst起到在一帧期间将驱动晶体管T1的栅电极的电压维持恒定的作用。另一方面，驱动晶体管T1的栅电极还与第三晶体管T3连接，使得施加至驱动晶体管T1的第一电极的数据电压DATA经过第三晶体管T3而被传递至驱动晶体管T1的栅电极。另一方面，驱动晶体管T1的栅电极还与第四晶体管T4连接，从而可以接收第一初始化电压Vinit而被初始化。

第二晶体管T2是p型晶体管，作为半导体层具有硅半导体。第二晶体管T2是将数据电压DATA接收到像素PX内的晶体管。第二晶体管T2的栅电极与第一扫描线151和升压电容器C_boost的一电级(以下，称为“下部升压电极”)连接。第二晶体管T2的第一电极与数据线171连接。第二晶体管T2的第二电极与驱动晶体管T1的第一电极连接。若第二晶体管T2根据通过第一扫描线151传递的第一扫描信号GW之中的负极性的电压被导通，则通过数据线171传递的数据电压DATA被传递至驱动晶体管T1的第一电极，最终，数据电压DATA被传递至驱动晶体管T1的栅电极而存储在维持电容器Cst中。

第三晶体管T3是n型晶体管，作为半导体层具有氧化物半导体。第三晶体管T3电连接驱动晶体管T1的第二电极和驱动晶体管T1的栅电极。其结果，第三晶体管T3是将数据电压DATA补偿与驱动晶体管T1的阈值电压相应的量之后将其存储在维持电容器Cst的第二维持电极中的晶体管。第三晶体管T3的栅电极与第二扫描线152连接，第三晶体管T3的第一电极与驱动晶体管T1的第二电极连接。第三晶体管T3的第二电极与维持电容器Cst的第二维持电极、驱动晶体管T1的栅电极及升压电容器C_boost的另一电极(以下，称为“上部升压电极”)连接。第三晶体管T3根据通过第二扫描线152传递的第二扫描信号GC之中的正极性的电压而被导通，从而连接驱动晶体管T1的栅电极和驱动晶体管T1的第二电极，将施加至驱动晶体管T1的栅电极的电压传递至维持电容器Cst的第二维持电极而将其存储在维持电容器Cst中。此时，存储在维持电容器Cst中的电压被存储成驱动晶体管T1截止时的驱动晶体管T1的栅电极的电压，从而以补偿了驱动晶体管T1的阈值电压(Vth)值的状态进行存储。

第四晶体管T4是n型晶体管，作为半导体层具有氧化物半导体。第四晶体管T4起到初始化驱动晶体管T1的栅电极和维持电容器Cst的第二维持电极的作用。第四晶体管T4的栅电极与初始化控制线153连接，第四晶体管T4的第一电极与第一初始化电压线127连接。第四晶体管T4的第二电极与第三晶体管T3的第二电极、维持电容器Cst的第二维持电极、驱动晶体管T1的栅电极及升压电容器C_boost的上部升压电极连接。第四晶体管T4根据通过初始化控制线153传递的初始化控制信号GI之中的正极性的电压而被导通，此时将第一初始化电压Vinit传递至驱动晶体管T1的栅电极、维持电容器Cst的第二维持电极和升压电容器C_boost的上部升压电极来进行初始化。

第五晶体管T5和第六晶体管T6是p型晶体管，作为半导体层具有硅半导体。

第五晶体管T5起到将驱动电压ELVDD传递至驱动晶体管T1的作用。第五晶体管T5的栅电极与发光控制线155连接，第五晶体管T5的第一电极与驱动电压线172连接，第五晶体管T5的第二电极与驱动晶体管T1的第一电极连接。

第六晶体管T6起到将从驱动晶体管T1输出的发光电流传递至发光二极管LED的作用。第六晶体管T6的栅电极与发光控制线155连接，第六晶体管T6的第一电极与驱动晶体管T1的第二电极连接，第六晶体管T6的第二电极与发光二极管LED的阳极Anode连接。

第七晶体管T7是p型或n型晶体管，作为半导体层具有硅半导体或氧化物半导体。第七晶体管T7起到初始化发光二极管LED的阳极Anode的作用。第七晶体管T7的栅电极与第一扫描线151连接，第七晶体管T7的第一电极与发光二极管LED的阳极Anode连接，第七晶体管T7的第二电极与第二初始化电压线128连接。若第七晶体管T7根据第一扫描线151之中的负极性的电压而被导通，则第二初始化电压AVinit被施加至发光二极管LED的阳极Anode，从而发光二极管LED的阳极Anode被初始化。另一方面，第七晶体管T7的栅电极也可以与单独的旁路控制线连接，从而通过与第一扫描线151分开的布线进行控制。此外，根据实施例，施加第二初始化电压AVinit的第二初始化电压线128和施加第一初始化电压Vinit的第一初始化电压线127可以彼此相同。

说明了一个像素PX包括七个晶体管T1至T7、两个电容器(维持电容器Cst和升压电容器C_boost)的情况，但是并不限于此，根据实施例，也可以去除升压电容器C_boost。此外，示出了第三晶体管T3和第四晶体管T4由n型晶体管形成的实施例，但是也可以是这两者中的只有一个由n型晶体管形成或者另一个晶体管由n型晶体管形成。此外，根据实施例，七个晶体管T1至T7也可以都由p型晶体管形成。

以上，通过图10观察了形成在显示区域DA中的像素PX的电路结构。

以下，通过图11至图24观察形成在显示区域DA中的像素PX的详细平面结构以及重叠结构，以下的实施例的像素PX包括光传感器区域OPS。

首先，通过图11至图23观察制造顺序涉及的各层的平面结构。在此，图示的像素PX的结构可以是包括光传感器区域OPS的显示区域DA和/或第二元件区域EA2的像素结构。

图11至图23是具体示出一实施例涉及的发光显示装置之中的下部面板层的制造顺序涉及的各层的结构的图。

参照图11和图24，金属层BML位于基板110上。

基板110可以包括玻璃等具有刚性(rigid)的特性而不会被弯折的物质或者包括如塑料或聚酰亚胺(Polyimide)这样可以被弯折的柔性的物质。柔性基板的情况下，如图24所示，可以具有聚酰亚胺(Polyimide)和形成在其上的由无机绝缘物质形成的阻挡层的双层结构形成为双重的结构。

金属层BML包括多个扩展部BML1以及将多个扩展部BML1彼此连接的连接部BML2。金属层BML的扩展部BML1可以形成在与后述的第一半导体层之中的驱动晶体管T1的沟道1132(参照图12)在平面上重叠的位置处。金属层BML也可以被称为下部屏蔽层，可以包括铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或金属合金，进一步可以包括非晶硅，可以构成单一层或多层。

参照图24，在基板110和金属层BML上设有覆盖它们的缓冲层111。缓冲层111可以起到阻断杂质元素向第一半导体层130(参照图12)渗透的作用，可以是包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)等的无机绝缘膜。

如图12和图24所示，由硅半导体(例如，多晶半导体)形成的第一半导体层130位于缓冲层111上。第一半导体层130包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131以及第二区域1133。此外，第一半导体层130不仅包括驱动晶体管T1的沟道1132，还包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7的沟道，在各沟道的两侧通过等离子体处理或掺杂来具备具有导电层特性的区域，从而执行第一电极和第二电极的作用。

驱动晶体管T1的沟道1132可以在平面上形成为被弯曲的形状。但是，驱动晶体管T1的沟道1132的形状并不限于此，可以以各种方式变更。例如，驱动晶体管T1的沟道1132也可以以其他形状被弯曲，还可以形成为棒形状。驱动晶体管T1的第一区域1131和第二区域1133可以位于驱动晶体管T1的沟道1132的两侧。位于第一半导体层130的第一区域1131和第二区域1133执行驱动晶体管T1的第一电极和第二电极的作用。

在第一半导体层130，第二晶体管T2的沟道、第一区域和第二区域位于从驱动晶体管T1的第一区域1131向下侧延伸的部分1134。第五晶体管T5的沟道、第一区域和第二区域位于从驱动晶体管T1的第一区域1131向上侧延伸的部分1135。第六晶体管T6的沟道、第一区域和第二区域位于从驱动晶体管T1的第二区域1133向上侧延伸的部分1136。第七晶体管T7的沟道、第一区域和第二区域位于在第一半导体层130的部分1136被弯曲的同时进一步延伸的部分1137。

参照图24，第一栅极绝缘膜141可以位于包括驱动晶体管T1的沟道1132、第一区域1131和第二区域1133的第一半导体层130上。第一栅极绝缘膜141可以是包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)等的无机绝缘膜。

参照图13，包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层可以位于第一栅极绝缘膜141上。第一栅极导电层不仅包括驱动晶体管T1的栅电极1151，还包括第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7各自的栅电极。驱动晶体管T1的栅电极1151可以与驱动晶体管T1的沟道1132重叠。驱动晶体管T1的沟道1132被驱动晶体管T1的栅电极1151覆盖。

第一栅极导电层还可以包括第一扫描线151和发光控制线155。第一扫描线151和发光控制线155大致可以在横向(以下，也称为第一方向DR1)上延伸。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅电极连接。第一扫描线151可以与第二晶体管T2的栅电极形成为一体。第一扫描线151还与后级像素的第七晶体管T7的栅电极连接。

另一方面，发光控制线155可以与第五晶体管T5的栅电极及第六晶体管T6的栅电极连接，发光控制线155和第五晶体管T5及第六晶体管T6的栅电极可以形成为一体。

第一栅极导电层可以包括铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以构成为单一层或多层。

可以在形成包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层之后执行等离子体处理或掺杂工序，从而使第一半导体层130的露出的区域导体化。即，被第一栅极导电层遮住的第一半导体层130不被导体化，未被第一栅极导电层覆盖的第一半导体层130的部分可以具有与导电层相同的特性。其结果，包括被导体化的部分的晶体管可以具有p型晶体管特性，从而驱动晶体管T1、第二晶体管T2、第五晶体管T5、第六晶体管T6和第七晶体管T7可以是p型或n型晶体管。

参照图24，第二栅极绝缘膜142可以位于包括驱动晶体管T1的栅电极1151的第一栅极导电层和第一栅极绝缘膜141上。第二栅极绝缘膜142可以是包括氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)等的无机绝缘膜。

参照图14，包括维持电容器Cst的第一维持电极1153、第三晶体管T3的下部屏蔽层3155和第四晶体管T4的下部屏蔽层4155的第二栅极导电层可以为位于第二栅极绝缘膜142上。下部屏蔽层3155、4155分别可以位于第三晶体管T3和第四晶体管T4的沟道的下部而起到屏蔽(shielding)从下侧向沟道提供的光或电磁干扰等的作用。

第一维持电极1153与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠而形成维持电容器Cst。在维持电容器Cst的第一维持电极1153形成有开口1152。维持电容器Cst的第一维持电极1153的开口1152可以与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一维持电极1153在横向(第一方向DR1)上延伸而与相邻的第一维持电极1153彼此连接。

第三晶体管T3的下部屏蔽层3155可以与第三晶体管T3的沟道3137(参照图15)及栅电极3151(参照图16)重叠。第四晶体管T4的下部屏蔽层4155可以与第四晶体管T4的沟道4137(参照图15)及栅电极4151(参照图16)重叠。

第二栅极导电层还可以包括下部第二扫描线152a、下部初始化控制线153a以及第一初始化电压线127。下部第二扫描线152a、下部初始化控制线153a和第一初始化电压线127大致可以在横向(第一方向DR1)上延伸。下部第二扫描线152a可以与第三晶体管T3的下部屏蔽层3155连接。下部第二扫描线152a可以与第三晶体管T3的下部屏蔽层3155形成为一体。下部初始化控制线153a可以与第四晶体管T4的下部屏蔽层4155连接。下部初始化控制线153a可以与第四晶体管T4的下部屏蔽层4155形成为一体。

第二栅极导电层GAT2可以包括铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以构成为单一层或多层。

参照图24，第一层间绝缘膜161可以位于包括维持电容器Cst的第一维持电极1153、第三晶体管T3的下部屏蔽层3155和第四晶体管T4的下部屏蔽层4155的第二栅极导电层上。第一层间绝缘膜161可以包括含有氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)等的无机绝缘膜，根据实施例，可以将无机绝缘物质形成得厚。

参照图15，包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138的氧化物半导体层可以位于第一层间绝缘膜161上。此外，氧化物半导体层可以包括升压电容器C_boost的上部升压电极3138t。

第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138可以彼此被连接而形成为一体。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138位于第三晶体管T3的沟道3137的两侧，第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138位于第四晶体管T4的沟道4137的两侧。第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138连接。第三晶体管T3的沟道3137与下部屏蔽层3155重叠，第四晶体管T4的沟道4137与下部屏蔽层4155重叠。

升压电容器C_boost的上部升压电极3138t位于第三晶体管T3的第二区域3138与第四晶体管T4的第二区域4138之间。升压电容器C_boost的上部升压电极3138t与升压电容器C_boost的下部升压电极重叠，从而构成升压电容器C_boost。

参照图24，第三栅极绝缘膜143可以位于包括第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138和升压电容器C_boost的上部升压电极3138t的氧化物半导体层上。

第三栅极绝缘膜143可以位于氧化物半导体层和第一层间绝缘膜161上的整个面。因此，第三栅极绝缘膜143可以覆盖第三晶体管T3的沟道3137、第一区域3136和第二区域3138、第四晶体管T4的沟道4137、第一区域4136和第二区域4138、升压电容器C_boost的上部升压电极3138t的上部面和侧面。但是，本实施例并不限于此，第三栅极绝缘膜143也可以不位于氧化物半导体层和第一层间绝缘膜161上的整个面。例如，第三栅极绝缘膜143也可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠，并且不与第一区域3136及第二区域3138重叠。此外，第三栅极绝缘膜143也可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠，并且不与第一区域4136及第二区域4138重叠。

第三栅极绝缘膜143可以包括含有氧化硅(SiO_x)、氮化硅(SiN_x)或氮氧化硅(SiO_xN_y)等的无机绝缘膜。

参照图16，包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层可以位于第三栅极绝缘膜143上。

第三晶体管T3的栅电极3151可以与第三晶体管T3的沟道3137重叠。第三晶体管T3的栅电极3151可以与第三晶体管T3的下部屏蔽层3155重叠。

第四晶体管T4的栅电极4151可以与第四晶体管T4的沟道4137重叠。第四晶体管T4的栅电极4151可以与第四晶体管T4的下部屏蔽层4155重叠。

第三栅极导电层还可以包括上部第二扫描线152b以及上部初始化控制线153b。

上部第二扫描线152b和上部初始化控制线153b大致可以在横向(第一方向DR1)上延伸。上部第二扫描线152b与下部第二扫描线152a一起形成第二扫描线152。上部第二扫描线152b可以与第三晶体管T3的栅电极3151连接。上部第二扫描线152b可以与第三晶体管T3的栅电极3151形成为一体。上部初始化控制线153b与下部初始化控制线153a一起形成初始化控制线153。上部初始化控制线153b可以与第四晶体管T4的栅电极4151连接。上部初始化控制线153b可以与第四晶体管T4的栅电极4151形成为一体。

此外，第三栅极导电层还可以包括下部第二初始化电压线128a。下部第二初始化电压线128a大致在横向(第一方向DR1)上延伸，并被施加第二初始化电压AVinit。

第三栅极导电层可以包括铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以构成为单一层或多层。

在形成包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层之后，通过等离子体处理或掺杂工序，被第三栅极导电层覆盖的氧化物半导体层的部分形成为沟道，未被第三栅极导电层覆盖的氧化物半导体层的部分被导体化。第三晶体管T3的沟道3137可以位于栅电极3151的下方以便与栅电极3151重叠。第三晶体管T3的第一区域3136和第二区域3138可以不与栅电极3151重叠。第四晶体管T4的沟道4137可以位于栅电极4151的下方以便与栅电极4151重叠。第四晶体管T4的第一区域4136和第二区域4138可以不与栅电极4151重叠。上部升压电极3138t可以不与第三栅极导电层重叠。包括氧化物半导体层的晶体管可以具有n型晶体管的特性。

参照图24，第二层间绝缘膜162可以位于包括第三晶体管T3的栅电极3151和第四晶体管T4的栅电极4151的第三栅极导电层上。第二层间绝缘膜162可以具有单层或多层的结构。第二层间绝缘膜162可以包括氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等无机绝缘物质，根据实施例，可以包括有机物质。

参照图17和图24，第二层间绝缘膜162可以形成有两种开口OP1、OP2。两种开口OP1、OP2可以使用彼此不同的掩模来形成。

开口OP1可以是在第二层间绝缘膜162、第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161、第二栅极绝缘膜142和第一栅极绝缘膜141中的至少一个中形成的开口，可以使第一半导体层130、第一栅极导电层或第二栅极导电层露出。

开口OP2可以是在第二层间绝缘膜162和/或第三栅极绝缘膜143中形成的开口，可以使氧化物半导体层或第三栅极导电层露出。

开口OP1中的一个可以与驱动晶体管T1的栅电极1151的至少一部分重叠，还可以形成在第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161和第二栅极绝缘膜142中。此时，开口OP1中的一个可以与第一维持电极1153的开口1152重叠，可以位于第一维持电极1153的开口1152的内侧。

开口OP2中的一个其至少一部分可以与升压电容器C_boost重叠，还可以形成在第三栅极绝缘膜143中。

开口OP2中的另一个可以与驱动晶体管T1的第二区域1133的至少一部分重叠，可以形成在第三栅极绝缘膜143、第一层间绝缘膜161、第二栅极绝缘膜142和第一栅极绝缘膜141中。

开口OP2中的又一个可以与第三晶体管T3的第一区域3136的至少一部分重叠，可以形成在第三栅极绝缘膜143中。

参照图18和图19，包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层可以位于第二层间绝缘膜162上。图18是可能在图19中很难容易识别出第一数据导电层而仅提取第一数据导电层和开口OP1、OP2而示出的平面图，图19是示出了第一数据导电层以下的所有层的平面图。

第一连接电极1175可以与驱动晶体管T1的栅电极1151重叠。第一连接电极1175可以通过开口OP1和第一维持电极1153的开口1152而与驱动晶体管T1的栅电极1151连接。第一连接电极1175可以与升压电容器C_boost重叠。第一连接电极1175可以通过开口OP2而与升压电容器C_boost的上部升压电极3138t连接。因此，可以通过第一连接电极1175连接驱动晶体管T1的栅电极1151和升压电容器C_boost的上部升压电极3138t。此时，通过第一连接电极1175，驱动晶体管T1的栅电极1151还可以与第三晶体管T3的第二区域3138及第四晶体管T4的第二区域4138连接。

第二连接电极3175可以与驱动晶体管T1的第二区域1133重叠。第二连接电极3175可以通过开口OP1而与驱动晶体管T1的第二区域1133连接。第二连接电极3175可以与第三晶体管T3的第一区域3136重叠。第二连接电极3175可以通过开口OP2而与第三晶体管T3的第一区域3136连接。因此，可以通过第二连接电极3175连接驱动晶体管T1的第二区域1133和第三晶体管T3的第一区域3136。

第一数据导电层还可以包括第二初始化电压线128b。第二初始化电压线128b具有在纵向(第二方向DR2)上延伸的布线部128b-1和从布线部128b-1朝向横向(第一方向DR1)的两侧突出的第一延伸部128b-2，并且包括从第一延伸部128b-2再次朝向纵向(第二方向DR2)弯曲而设置的第二延伸部128b-3。在第一延伸部128b-2和第二延伸部128b-3相遇的部分，通过开口OP2而与位于第三栅极导电层的下部第二初始化电压线128a电连接。其结果，第二初始化电压AVinit通过位于第三栅极导电层的下部第二初始化电压线128a而在横向(第一方向DR1)上被传递，第一数据导电层通过第二初始化电压线128b在纵向(第二方向DR2)上传递第二初始化电压AVinit。

第二延伸部128b-3的末端通过开口OP1而与第一半导体层130的一部分1137(即，第七晶体管T7)电连接。

第一数据导电层还可以进一步包括连接部127CM、171CM、阳极连接部件ACM1以及扩展部(以下，也称为第一扩展部)FL-SD1。

连接部127CM通过开口OP1而与第二栅极导电层的第一初始化电压线127连接，并且通过开口OP2而与第二半导体层(氧化物半导体层)的一部分(即，第四晶体管T4的第一区域)4136连接，从而将流过第一初始化电压线127的第一初始化电压Vinit传递至氧化物半导体层的第四晶体管T4。

连接部171CM通过开口OP1而与第一半导体层130的一部分1137(即，第七晶体管T7)电连接。

阳极连接部件ACM1通过开口OP1而与第一半导体层130的一部分1136(即，第六晶体管T6)电连接。

扩展部FL-SD1为了使位于上部的阳极Anode平坦化而形成得宽。此外，扩展部FL-SD1通过开口OP1而与第一半导体层130的一部分1135(即，第五晶体管T5)连接，并且通过开口OP1还与第一维持电极1153电连接。

第一数据导电层可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以构成为单一层或多层。

参照图24，第一有机膜181可以位于包括第一连接电极1175和第二连接电极3175的第一数据导电层上。第一有机膜181可以是包括有机物质的有机绝缘膜，作为有机物质可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯丙环丁烯和酚醛树脂形成的组中的一种以上的物质。

参照图20、图21和图24，开口OP3位于第一有机膜181中。包括数据线171、驱动电压线172和阳极连接部件ACM2的第二数据导电层可以位于第一有机膜181上。第二有机膜(以下，也称为下部有机膜)182和第三有机膜(以下，也称为上部有机膜)183位于第二数据导电层上，在第二有机膜182和第三有机膜183中形成有开口(以下，也称为阳极连接用开口)OP4。阳极连接部件ACM2通过开口OP4而与阳极Anode电连接。图21是可能在图22中很难容易识别出第二数据导电层而仅提取第二数据导电层和开口OP3、OP4示出的平面图，图22是示出第二数据导电层及其周边的所有层的平面图。

参照图20和图21，开口OP3与位于第一数据导电层的连接部171CM、阳极连接部件ACM1及扩展部FL-SD1重叠而分是使它们露出。

第二数据导电层可以包括数据线171、驱动电压线172以及阳极连接部件ACM2。

数据线171和驱动电压线172大致可以在纵向(第二方向)上延伸。数据线171通过开口OP3而与第一数据导电层的连接部171CM连接，并由此与第二晶体管T2连接。驱动电压线172通过开口OP3且通过第一数据导电层的扩展部FL-SD1而与第五晶体管T5及第一维持电极1153电连接。阳极连接部件ACM2通过开口OP3而与第一数据导电层的阳极连接部件ACM1电连接，并与第六晶体管T6电连接。

参照图20，驱动电压线172还包括扩展部FL-SD2以及突出的布线部172-e，具有不形成在形成有阳极连接部件ACM2的部分中的结构。

扩展部FL-SD2为了使位于上部的阳极Anode平坦化而形成得宽。

另一方面，驱动电压线172的突出的布线部172-e也为了将位于其上部的阳极Anode形成得平坦而在两个数据线171的两侧形成有两个，从而具有共四个布线结构171、172-e位于阳极Anode的下部的结构。

通过如以上所述的阳极Anode的下部的结构(第一数据导电层的扩展部FL-SD1及布线部128b-1以及第二数据导电层的扩展部FL-SD2、数据线171及布线部172-e)和第一有机膜181至第三有机膜183，阳极Anode具有平坦化特性。

在本实施例中，扩展部FL-SD1和扩展部FL-SD2与驱动电压线172电连接而传递驱动电压ELVDD。

第二数据导电层可以包括铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)等金属或金属合金，可以构成为单一层或多层。

参照图24，第二有机膜182和第三有机膜183位于第二数据导电层上。第二有机膜182和第三有机膜183可以是有机绝缘膜，可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯丙环丁烯和酚醛树脂形成的组中的一种以上的物质。根据实施例，也可以省略第三有机膜183。

在第二有机膜182和第三有机膜183中形成有开口OP4，由此阳极Anode与阳极连接部件ACM2被电连接。

参照图22，在第三有机膜183上形成阳极Anode。如图6所示，阳极Anode包括阳极中心部Anode-1、阳极周边部Anode-2以及从阳极中心部Anode-1延伸的延伸部Anode-e。在此，阳极中心部Anode-1和延伸部Anode-e具有三层(An1、An2、An3)的结构，阳极周边部Anode-2不包括可反射光的金属物质，可以具有单一层结构。在此，下部层An1和上部层An3由透明的导电物质，中间层An2由可反射光的金属物质形成，在一实施例中，作为透明的导电物质使用铟锡氧化物(ITO)，作为中间层An2所包括的金属物质可以包括银(Ag)。

阳极周边部Anode-2形成为比阳极中心部Anode-1宽，以覆盖阳极中心部Anode-1的侧面的方式形成得宽。

参照图22和图24，黑色像素定义膜380位于阳极Anode上，黑色像素定义膜380的开口OP形成为与阳极Anode重叠。

黑色像素定义膜380与阳极中心部Anode-1重叠的部分的间隔(图6的gop1；黑色像素定义膜的开口OP至阳极中心部Anode-1的一端为止的间隔)以2.5μm为中心以上下1μm形成(即，形成为1.5μm以上且3.5μm以下)，从而减少黑色像素定义膜380之中可反射外部的光的宽度，黑色像素定义膜380与阳极周边部Anode-2重叠的间隔(图6的gop2；黑色像素定义膜的开口OP至阳极周边部Anode-2的一端为止的间隔)以7.5μm或7.67μm为基准以上下约2μm形成(即，形成为5.5μm以上且9.5μm以下)，从而形成为在黑色像素定义膜380的开口OP部分，阳极Anode的上部层An3不会翘起。在此，从阳极中心部Anode-1的一边到阳极周边部Anode-2的一边为止的间隔可以在2μm以上且8μm以下。

通过如以上所示的阳极Anode的结构与黑色像素定义膜380或其开口OP的位置关系，可以减小外部光的反射率的同时，还可以去除黑色像素定义膜380与阳极Anode间的翘起问题，从而可以提高显示品质。

图23示出了将如上所述的结构整体重叠的结构。

参照图21和图23，在发光显示装置1000如图5所示那样具有光传感器区域OPS的情况下，可以确认出位于下部面板层的各导电层或半导体层在光传感器区域OPS中未形成图案，从而具有可以使光透过的结构。在光传感器区域OPS中仅仅是未设置导电层或半导体层，无机膜、有机膜等绝缘膜都是可以重叠的。但是，根据实施例，也可以省略下部面板层的所有无机膜、有机膜中的一部分。

根据实施例，若在与上部面板层之中与光传感器区域OPS对应的位置处，在遮光部件220或红色滤色器230R(参照图25)分别形成追加开口，则背面的光传感器可以感测发光显示装置1000的整个面。

另一方面，在通常像素中也可以如图23所示那样使光传感器区域OPS位于下部面板层，但是使位于其上部的上部面板层其遮光部件220或红色滤色器230R不形成追加开口，从而可以不形成光传感器区域OPS。

基于如以上所述的平面结构，通过图24观察发光显示装置的整体截面结构。

图24是一实施例涉及的发光显示装置的剖视图。

在图24中示出了直到上部面板层为止。

通过图24，观察显示区域DA的像素PX的详细重叠结构。在此，显示区域DA可以是位于主显示区域(也称为第一显示区域)和第二元件区域(也称为构件区域)EA2的像素PX的重叠结构。此外，在图24的实施例中，像素电路部可以表示位于第二有机膜182和第三有机膜183的下部的构成，发光二极管可以是第三有机膜183的上部并且可以表示位于封装层400的下部的构成中的一部分。此外，将直到封装层400为止称为下部面板层，对于形成在封装层400上的层称为上部面板层。

简单观察图24的显示区域DA的重叠结构如下。

金属层BML可以位于基板110上，金属层BML可以位于与第一半导体层ACT1的沟道重叠的区域。覆盖金属层BML的缓冲层111位于金属层BML上，第一半导体层ACT1位于缓冲层111上。第一半导体层ACT1包括沟道区域以及位于沟道区域的两侧的第一区域及第二区域。

第一栅极绝缘膜141可以被设置成覆盖第一半导体层ACT1或者仅与第一半导体层ACT1的沟道区域重叠。第一栅极导电层GAT1位于第一栅极绝缘膜141上，第一栅极导电层GAT1包括含有硅半导体的晶体管LTPS TFT的栅电极。第一半导体层ACT1之中在平面上与栅电极重叠的区域可以是沟道区域。此外，栅电极也可以执行维持电容器Cst的一电级的作用。含有硅半导体的晶体管LTPS TFT包括第一半导体层ACT1以及与其在平面上重叠的第一栅极导电层GAT1的栅电极。

第一栅极导电层GAT1被第二栅极绝缘膜142覆盖，并且第二栅极导电层GAT2位于第二栅极绝缘膜142上。第二栅极导电层GAT2可以包括与栅电极重叠而构成维持电容器Cst的第一维持电极以及位于氧化物半导体层ACT2的下部的氧化物半导体晶体管用下部屏蔽层。

第二栅极导电层GAT2被第一层间绝缘膜161覆盖，并且氧化物半导体层ACT2位于第一层间绝缘膜161上，氧化物半导体层ACT2包括沟道区域以及位于沟道区域的两侧的第一区域及第二区域。

氧化物半导体层ACT2被第三栅极绝缘膜143覆盖，并且第三栅极导电层GAT3位于第三栅极绝缘膜143上。第三栅极导电层GAT3可以包括与氧化物半导体晶体管Oxide TFT的栅电极及氧化物半导体晶体管用下部屏蔽层连接的连接部件。氧化物半导体晶体管OxideTFT包括氧化物半导体层ACT2以及与其在平面上重叠的第三栅极导电层GAT3的栅电极。

第三栅极导电层GAT3被第二层间绝缘膜162覆盖，并且第一数据导电层SD1位于第二层间绝缘膜162上。第一数据导电层SD1可以包括连接部件，从而可以起到向第一半导体层ACT1和氧化物半导体层ACT2提供电压或电流或者将电压或电流传递到其他元件的作用。

第一数据导电层SD1被第一有机膜181覆盖，第二数据导电层SD2(具体是阳极连接部件ACM2)位于第一有机膜181上。第二数据导电层SD2可以通过开口OP3而与第一数据导电层SD1连接。第二数据导电层SD2被第二有机膜182和第三有机膜183覆盖。

阳极Anode可以位于第三有机膜183上，阳极Anode如图6所示那样包括阳极中心部Anode-1、阳极周边部Anode-2以及从阳极中心部Anode-1延伸的延伸部Anode-e。阳极Anode的延伸部Anode-e具有通过位于第二有机膜182和第三有机膜183的开口OP4而与第二数据导电层SD2连接的结构。参照图24，从阳极中心部Anode-1到位于第二有机膜182和第三有机膜183的开口OP4为止的间隔gop4可以具有12μm以下的值或者10μm以下的值，这是可以根据阳极Anode的位置而变更的值，可以具有2μm以上且15μm以下的值。

阳极中心部Anode-1和延伸部Anode-e具有三层(An1、An2、An3)结构，参照图24中放大的部分，阳极周边部Anode-2不包括可反射光的金属物质，具有以单一层结构长长得延伸的结构。在此，下部层An1和上部层An3可以由透明的导电物质形成，中间层An2可以由可反射光的金属物质形成，在一实施例中，作为透明的导电物质可以使用铟锡氧化物(ITO)，作为中间层An2所包括的金属物质可以包括银(Ag)。

阳极周边部Anode-2可以形成为比阳极中心部Anode-1宽，从而以覆盖阳极中心部Anode-1的侧面的方式形成得宽。

具有与阳极Anode的至少一部分重叠的开口(以下，也称为阳极露出用开口)OP且覆盖阳极Anode的另一部分的黑色像素定义膜380位于阳极Anode上。黑色像素定义膜380不仅可以包括有机绝缘物质，而且还可以包括光阻断物质。

黑色像素定义膜380与阳极中心部Anode-1重叠的部分的间隔(黑色像素定义膜的开口OP至阳极中心部Anode-1的一端为止的间隔)gop1以2.5μm为中心以上下1μm形成(即，形成为在1.5μm以上且3.5μm以下)，从而减少黑色像素定义膜380之中可反射外部的光的宽度，黑色像素定义膜380与阳极周边部Anode-2重叠的间隔(黑色像素定义膜的开口OP至阳极周边部Anode-2的一端为止的间隔)gop2以7.5μm或7.67μm为基准以上下约2μm形成(即，形成为在5.5μm以上且9.5μm以下)，从而形成为阳极Anode的上部层An3在黑色像素定义膜380的开口OP部分中不会翘起。在此，从阳极中心部Anode-1的一边到阳极周边部Anode-2的一边为止的间隔可以在2μm以上且8μm以下。

通过以上所述的阳极Anode的结构与黑色像素定义膜380或其开口OP的位置关系，可以减小外部光的反射率的同时还可以去除黑色像素定义膜380与阳极Anode间的翘起问题，从而可以提高显示品质。

间隔物385形成在黑色像素定义膜380上。间隔物385可以形成为具有高低差的结构，间隔物385可以包括位于高度高且窄的区域的第一部分385-1以及位于高度低且宽的区域的第二部分385-2。即，间隔物385可以包括第一部分385-1以及具有比第一部分385-1低的高度且与第一部分385-1形成为一体的第二部分385-2。

发光层EML位于黑色像素定义膜380的开口OP内且阳极Anode上。功能层FL可以不位于间隔物385和露出的黑色像素定义膜380上，功能层FL可以形成在显示面板DP的整个面。功能层FL可以包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层以及空穴注入层，功能层FL可以位于发光层EML的上下。即，空穴注入层、空穴传输层、发光层EML、电子传输层、电子注入层和阴极Cathode可以依次位于阳极Anode上，从而功能层FL之中的空穴注入层和空穴传输层可以位于发光层EML的下部，功能层FL之中的电子传输层和电子注入层可以位于发光层EML的上部。

阴极Cathode可以由透光性电极或反射电极形成，阴极Cathode可以在显示面板DP中经由除了透光区域的整个面形成为一体。

封装层400位于阴极Cathode上。封装层400可以包括至少一个无机膜以及至少一个有机膜，可以具有包括第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层的三层结构。封装层400可以用于保护由有机物质形成的发光层EML免受从外部流入的水分或氧等的影响。根据实施例，封装层400可以包括还依次重叠了无机层和有机层的结构。

为了触摸感知，感知绝缘层501、510、511以及两个感知电极540、541位于封装层400上。下部感知绝缘层501位于封装层400上，下部感知电极541位于下部感知绝缘层501上，中间感知绝缘层510位于下部感知电极541上，上部感知电极540位于中间感知绝缘层510上，并且上部感知绝缘层511位于上部感知电极540上。

遮光部件220和滤色器230位于上部感知绝缘层511上。

遮光部件220可以被设置成在平面上与感知电极540、541重叠，且被设置成在平面上不与阳极Anode重叠。这是为了可显示图像的阳极Anode和发光层EML不会被遮光部件220和感知电极540、541遮住。

形成在第二有机膜182和第三有机膜183中的阳极连接用开口OP4可以在平面上与黑色像素定义膜380及遮光部件220重叠，阳极连接用开口OP4的至少一部分可以在平面上与感知电极540、541重叠。

遮光部件开口OPBM可以在平面上与黑色像素定义膜380的开口OP重叠，且形成为比黑色像素定义膜380的开口OP宽，遮光部件开口OPBM与黑色像素定义膜380的开口OP间的间隔gops可以以5.72μm或6.02μm为基准以上下约1.5μm形成(即，形成为在4.5μm以上且7.5μm以下)。如上所述，遮光部件开口OPBM形成为比黑色像素定义膜380的开口OP大，从而黑色像素定义膜380的一部分被遮光部件开口OPBM露出。

另一方面，遮光部件220的开口OPBM与阳极中心部Anode-1重叠的部分与遮光部件220的间隔(遮光部件开口OPBM至阳极中心部Anode-1的一端为止的间隔)gopbm1可以形成为在3.5μm以上且8.5μm以下，遮光部件220和阳极周边部Anode-2重叠的间隔(遮光部件开口OPBM至阳极周边部Anode-2的一端为止的间隔)gopbm2可以小于间隔gopbm1，可以以1.50μm为基准以上下约0.5μm形成(即，形成为在1.0μm以上且2.0μm以下)。

滤色器230位于感知绝缘层501、510、511和遮光部件220上。滤色器230包括使红色光(Red light)透过的红色滤色器230R(参照图25)、使绿色光(Green light)透过的绿色滤色器230G(参照图25)以及使蓝色光(Blue light)透过的蓝色滤色器230B(参照图25)。各个滤色器230R、230G、230B可以被设置成在平面上与发光二极管的阳极Anode重叠。从发光层EML射出的光可以经过滤色器230的同时被变更为相应颜色而被射出，因此从发光层EML射出的光也可以具有全部相同的颜色。但是，也可以在发光层EML中表现出彼此不同颜色的光并使其经过与其相同颜色的滤色器，从而强化所显示的色感。

遮光部件220可以位于各个滤色器230R、230G、230B之间。根据实施例，滤色器230可以被色变换层代替或者还可以包括色变换层。色变换层可以包括量子点(Quantum Dot)。

覆盖滤色器230的平坦化层550位于滤色器230上。平坦化层550可以是透明的有机绝缘膜。根据实施例，为了提高显示面板DP的正面识别性以及出光效率，低折射层和追加平坦化层还可以位于平坦化层550上。通过低折射层和具有高折射特性的追加平坦化层，可以使光向前表面折射的同时射出。在该情况下，根据实施例，也可以是省略平坦化层550的同时，低折射层和追加平坦化层直接位于滤色器230上。

在本实施例中，在平坦化层550的上部不包括偏振板。即，偏振板可以起到阻止外部光入射而在阳极Anode等中被反射的同时被使用者识别出使得显示品质降低的作用。但是，在本实施例中，已经包括了以黑色像素定义膜380覆盖阳极Anode的侧面来减少在阳极Anode中反射的程度且还形成遮光部件220来减少光入射的程度以阻止反射引起的显示品质的降低的结构。因此，不需要单独在显示面板DP的前表面形成偏振板。

以下，通过图25，观察包括一实施例涉及的上部面板层的平面结构。

图25是一实施例涉及的发光显示装置之中的上部面板层中的一部分的平面图。

在图25中为了明确示出上部面板层和下部面板层的关系，还追加示出了位于下部面板层的黑色像素定义膜380的开口OP以及间隔物385的第一部分385-1。

遮光部件220可以包括开口OPBM，开口OPBM可以在平面上与黑色像素定义膜380的开口OP重叠的同时形成得比开口OP宽。

滤色器230R、230G、230B位于与遮光部件220的开口OPBM对应的位置处。滤色器230R、230G、230B也可以填充遮光部件220的开口OPBM并位于遮光部件220的上部面之中的一部分上。遮光部件220的上部面之中的其余一部分可以不被滤色器230R、230G、230B覆盖。在图25中以彼此不同的斜线表示各颜色的滤色器230R、230G、230B和遮光部件220以表示成容易区分。另一方面，根据实施例，滤色器230R、230G、230B可以具有一个颜色的滤色器具有开口且被整体配置而其余两个颜色的滤色器填充开口的结构。

参照图25，还示出了间隔物385之中的第一部分385-1的位置，其可以形成在在平面上与遮光部件220重叠的位置处。然而，间隔物385的第一部分385-1虽然以第三方向DR3为基准形成在黑色像素定义膜380上，但是以第三方向DR3为基准其位置比遮光部件220更靠下部。

以下，通过图26，观察图7的变形实施例。

图26的实施例涉及的阳极Anode不同于图7的阳极Anode，阳极周边部Anode-2具有双层。即，图26的实施例涉及的阳极周边部Anode-2不包括可反射光的金属物质，具有双层结构(即，包括由透明的导电物质形成的下部层An1和上部层An3的结构)，不包括由可反射光的金属物质形成的中间层An2。在一实施例中，作为透明的导电物质可以使用铟锡氧化物(ITO)，作为中间层An2所包括的金属物质可以包括银(Ag)。

除了阳极周边部Anode-2具有双层这一点以外，图7的阳极Anode和图26的阳极Anode具有相同的特征。

即，阳极周边部Anode-2形成为比阳极中心部Anode-1宽，阳极周边部Anode-2之中的上部层An3覆盖阳极中心部Anode-1的侧面且形成得宽。

此外，黑色像素定义膜380与阳极中心部Anode-1重叠的部分的间隔(黑色像素定义膜的开口OP至阳极中心部Anode-1的一端为止的间隔)gop1如图6的实施例那样以2.5μm为中心以上下1μm形成(即，形成为在1.5μm以上且3.5μm以下)，从而减少黑色像素定义膜380之中可反射外部的光的宽度，黑色像素定义膜380和阳极周边部Anode-2重叠的间隔(黑色像素定义膜的开口OP至阳极周边部Anode-2的一端为止的间隔)gop2也如图6的实施例那样以7.5μm或7.67μm为基准以上下约2μm形成(即，形成为在5.5μm以上且9.5μm以下)，从而形成为阳极Anode的上部层An3不会在黑色像素定义膜380的开口OP的部分中翘起。通过如以上所述的阳极Anode的结构与黑色像素定义膜380或其开口OP的位置关系，可以减小外部光的反射率的同时还可以去除黑色像素定义膜380与阳极Anode间的翘起问题，从而可以提高显示品质。

在此，从阳极中心部Anode-1的一边到阳极周边部Anode-2的一边为止的间隔可以在2μm以上且8μm以下。

虽然未在图26中示出，但是如图9所示那样的遮光部件220的开口OPBM和阳极Anode的关系也可以与图8的阳极Anode相同。

即，遮光部件开口OPBM可以在平面上与黑色像素定义膜380的开口OP重叠且形成为比黑色像素定义膜380的开口OP宽，遮光部件开口OPBM与黑色像素定义膜380的开口OP间的间隔gops可以以5.72μm或6.02μm为基准以上下约1.5μm形成(即，形成为在4.5μm以上且7.5μm以下)。如上所述，遮光部件开口OPBM形成为比黑色像素定义膜380的开口OP大，从而黑色像素定义膜380的一部分被遮光部件开口OPBM露出。

另一方面，遮光部件220的开口OPBM与阳极中心部Anode-1重叠的部分与遮光部件220的间隔(遮光部件开口OPBM至阳极中心部Anode-1的一端为止的间隔)gopbm1可以形成为在3.5μm以上且8.5μm以下，遮光部件220与阳极周边部Anode-2重叠的间隔(遮光部件开口OPBM至阳极周边部Anode-2的一端为止的间隔)gopbm2可以小于间隔gopbm1，可以以1.50μm为基准以上下约0.5μm形成(即，形成为在1.0μm以上且2.0μm以下)。

以下，通过图27和图28，详细观察使用黑色像素定义膜380的情况下在黑色像素定义膜380的开口OP部分处产生的阳极Anode的翘起现象。

图27和图28是表示可能会在阳极与黑色像素定义膜之间产生的翘起现象的图。

在实施例中使用黑色像素定义膜380的情况下，由于黑色像素定义膜380显黑色，因此具有可以减少外部光的反射的优点。

但是，黑色像素定义膜380作为显黑色的有机物质可以包括黑色颜料，由于该物质所具有的物性，存在与阳极Anode所包括的透明的导电物质的接触特性不好的缺点。即，为了在黑色像素定义膜380中形成开口而进行蚀刻时，存在阳极Anode的由透明的导电物质形成的上部层An3如图27所示那样翘起的缺点。发光层(参照图24的EML)位于黑色像素定义膜380的开口(参照图24的OP)处，若阳极Anode的上部层An3翘起，则阳极Anode与发光层EML间的接触会变得不良，可能会产生与施加至发光元件的电流相比射出更低的亮度的问题。

作为去除如上所述的问题的方法之一，如图28所示，若将黑色像素定义膜380和阳极Anode重叠的区域形成为一定程度以上，则上部层An3不会在黑色像素定义膜380的开口OP处翘起。即，在图27中，由于黑色像素定义膜380和阳极Anode重叠的区域的宽度gap-o1在一定程度以下，因此产生了上部层An3翘起的问题An3′，但是当图28所示的黑色像素定义膜380和阳极Anode重叠的区域的宽度gap-o2在一定程度以上的情况下，可以确认出上部层An3没有翘起。

在此，黑色像素定义膜380和阳极Anode应重叠的一定程度以上的宽度可以在5.5μm以上，在考虑工序上可能会产生的偏差时，若以7.5μm程度形成，则不会产生翘起的问题。

在本实施例中，不同于图28，特征在于，仅将阳极Anode的上部层An3形成得长，从而确保黑色像素定义膜380和阳极Anode应重叠的宽度在一定程度以上，由此去除翘起的问题的同时，以最小限度的宽度形成中间层An2来减少黑色像素定义膜380的末端形成得薄的部分的宽度，由此还减少被反射的光。

以上，详细说明了本发明的实施例，但是本发明的权利范围并不限于此，本领域技术人员利用权利要求书所定义的本发明的基本概念的各种变形以及改良形态也属于本发明的权利范围。

Claims

1.一种发光显示装置，包括：

基板；

有机膜，位于所述基板上且具有阳极连接用开口；

阳极，位于所述有机膜上且通过所述有机膜的所述阳极连接用开口而被电连接；

黑色像素定义膜，具有使所述阳极露出的阳极露出用开口，并且包括黑色有机物质；

阴极，位于所述黑色像素定义膜和所述阳极上；以及

封装层，覆盖所述阴极，

所述阳极包括：阳极中心部，与所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口重叠且具有三层结构；以及阳极周边部，从所述阳极中心部延伸且包括透明的导电物质，

所述三层结构中下部层和上部层包括透明的导电物质并且中间层由能够反射光的金属物质形成。

2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述阳极周边部具有单一层结构，

所述阳极周边部是所述阳极中心部的所述上部层延伸而形成的，

所述阳极周边部覆盖所述阳极中心部的侧面。

3.根据权利要求2所述的发光显示装置，其中，

所述阳极中心部中的一部分与所述黑色像素定义膜重叠，

所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口至所述阳极中心部一端为止的间隔在1.5μm以上且3.5μm以下，

所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口至所述阳极周边部一端为止的间隔在5.5μm以上且9.5μm以下。

4.根据权利要求3所述的发光显示装置，还包括：

遮光部件，位于所述封装层上且具有滤色器用开口；以及

滤色器，填充所述遮光部件的所述滤色器用开口。

5.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，

所述遮光部件的所述滤色器用开口至所述阳极中心部一端为止的间隔大于所述遮光部件的所述滤色器用开口至所述阳极周边部一端为止的间隔，

所述遮光部件的所述滤色器用开口至所述阳极中心部一端为止的间隔在3.5μm以上且8.5μm以下，

所述遮光部件的所述滤色器用开口至所述阳极周边部一端为止的间隔在1.0μm以上且2.0μm以下。

6.根据权利要求4所述的发光显示装置，其中，

所述遮光部件的所述滤色器用开口与所述黑色像素定义膜的所述阳极露出用开口间的间隔在4.5μm以上且7.5μm以下。

7.根据权利要求4所述的发光显示装置，还包括：

感知电极，在平面上与所述遮光部件重叠且被所述遮光部件覆盖，

所述有机膜的所述阳极连接用开口在平面上与所述黑色像素定义膜及所述遮光部件重叠，

所述有机膜的所述阳极连接用开口在平面上至少一部分与所述感知电极重叠。

8.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述阳极还包括：延伸部，从所述阳极中心部延伸且具有三层结构，从所述阳极中心部到所述阳极连接用开口为止的间隔在12μm以下。

9.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述透明的导电物质包括铟锡氧化物和铟锌氧化物中的至少一种透明导电性氧化物，

所述中间层包括银、锂、钙、铝、镁和金中的至少一种金属。

10.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，

所述阳极周边部具有双层结构，

所述阳极周边部的所述双层结构从所述阳极中心部的所述上部层和所述下部层延伸。