CN1157448A - 有源矩阵显示器件 - Google Patents

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山崎舜平
小山润
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Abstract

在一个有源矩阵显示器件中，把一个至少包括五个薄膜晶体管(TFTs)的电路用作一个切换元件，所述的五个薄膜晶体管形成在一个用于单个象素电极，栅极线和电容线的近似于M形半导体区中，上述的象素电极，栅极线和电容线在M形半导体区相交叉。通过把选择信号提供给栅极线，使TFTs操作，借此把数据写入象素中，同时给电容线上提供一个适合的电压，在其下方形成一个沟道，并且变成一个电容器。因此通过电容器使象素电极放电的数量减少。

Description

有源矩阵显示器件
本发明涉及有关改进有源矩阵式显示器件显示屏像质量的电路和元件，这些电路和元件用在液晶显示器件，等离子显示器件或是EL(电照明)显示器件的上面。
图2A示出一种已有的有源矩阵显示器件，虚线所表示的区104是显示区。薄膜晶体管(TFTs)101以矩阵形式排列在区104中。与TFT101的源极相连的引线是像(数据)信号线106。与TFT栅极相连的引线是栅极(选通)信号线105。一些栅极信号线与一些像信号线彼此基本上垂直地排列着。
辅助电容器102用于保持象素103的电容和存储像数据。TFT101用于响应加到象素元件103上的电压切换像数据。
一般来说，如果把一个反向偏置电压加到TFT的栅极上，则在源极和漏极之间没有电流流过(截止状态)，但有一个漏电流(截止电流)流过，这个现象是公知的。这个漏电流随着象素元件的电压(电位)改变。
在N沟道型的TFT中，当栅极被负偏置时，则在半导体薄膜表面上制作的P型层和源区及漏区的N型层之间形成一个PN结。然而，因为在半导体薄膜中存在太量的陷阱，所以该PN结是不完整的，容易使PN结的漏电流流过。当栅极反偏置时截止电流增加的这个事实是由于形成在半导体薄膜表面上的P型层的载流子密度增加和在PN结上的能量位垒变窄引起的，因此导致电场的集中，从而使在PN结上的漏电流增加。
由于这个原因引起的截止电流随着源/漏极电压的变化明显，大家都知道，截止电流随着加在TFT的源极和漏极之间的电压的增加而迅速增加。即，对于当在源极和漏极之间加上5V的电压和加上10V电压这两种情况，后者的反向电流不是前者的两倍，而可以是10倍甚至是100倍那么大。这个非线性还取决于栅极电压。总之，如果栅极的反向偏置很大(对于N沟道型为一个大的负电压)，则在这两种情况之间的差别是明显的。
为了解决这个问题，日本专利公开No.5-44195和5-44196中建议了一种把TFTs中联起来的方法(多门法)。该方法的目的在于通过减少加到每个TFT源极/漏极上的电压来减少每个TFT的截止电流。当把两个TFTs按图2B所示那样串联时，加到每个TFT的源极/漏极上的电压减少一半，如上所述，如果加到源极/漏极上的电压减少一半，则截止电流减少到1/10或甚至1/100。
然而，由于对液晶显示器件的图像显示所需求的性能更为严格，所以即使利用上述的多门法也很难大幅度地减少截止电流。这是因为即使栅极数目(TFTs数目)增加到3，4或5，则加到每个TFT上的源极/漏极的电压也只是减少到1/3，1/4或1/5。这种方法带来的另一些问题是使电路是复杂并且占的面积大。
本发明的目的在于提供一种具有能实现下述功能结构的象素电路，即通过减少加到与象素电极相连的TFTs的源极/漏极间的电压，使截止电流降低到正常值的1/10之下，最好降低到正常值的1/100以下。
在说明书中所公开的本发明的特征在于一种结构，该结构包括：排列成矩阵状的栅极信号线和像信号线，排列在被上述那些栅极信号线和像信号线包围的区域中的多个象素电极以及具有相同导电类型并互相与邻近的每个象素电极串联的多个薄膜晶体管(TFTs)(TFTs的数目为n)，其中，第一个TFT(n＝1)的源区或漏区与其中一个像信号线相连，第n个TFT的源区或漏区与其中一个象素电极相连接，所有数目满足n-m(n＞m)的TFTs的栅极与其中一个公用栅极信号线相连接，在TFT(TFTs的数目号为m)中，与偶数线象素电极相连的一个TFT的栅极，以及与奇数线象素电极相连的另一个TFT的栅极连接到同一个电容线上，并且使栅极电压保持在一个适当的值上，以便使沟道形成区变成与该源区和漏区的导电类型相同。
图2C中示出上述结构的一个例子。在图2C中，五个TFTs121至125和五个TFTs126至130分别串联排列，即n＝5，m＝2。TFT121和126(n＝1)的源区与一个像信号线131相连，第n个TFTs123和128(n＝5)的漏区分别与象素元件132和133的象素电极相连。
在与同一个象素电极相串联的TFT(TFTs的数目为n个)中，TFTs(TFTs的数目为n-m，n＞m)，连接到一个公共栅极信号线上，其它的TFTs(TFTs的数目为m个)连接到一个公共电容线上。这些栅极信号线彼此是不相同的，但偶数和奇数电容线是公用的。即在图2C中，三个TFTs121至123(TFTs的数目为n-m)的栅极与一个栅极信号线135相连，TFTs126至128的栅极与栅极信号线134相连。TFTs124和125(TFTs的数目为m个)的栅极和TFTs129和130的栅极与一个保持在一个所需栅极电压上的公用电容线相连接。如果与栅极信号线相连的TFT具有LDD(低浓度掺杂漏区)结构和/或补偿结构，则可以有效地减少截止电流。
本发明的另一种结构，提供了一种包括下述部分及排列的有源矩阵显示器件：一对相邻的象素电极，一对配置在这两个象素电极之间的栅极信号线，一个配置在这两个栅极信号线之间的电容线，以及一对各自与所述的象素电极相连的岛形半导体区，其中每个岛形半导体区的一端与各自象素电极相连接，每个栅极信号线至少跨过每个岛形半导体区的三部分形成，而该电容线至少跨过每个岛形半导体区的两部分形成。
在图4C中示出了上述结构的一个例子。在图4C中，该结构包括：一对相邻的象素电极216和217，一对排列在该象素电极216和217之间的栅极信号线204和205，一个排列在这两个栅极信号线之间的电容线209，以及一对各自与所述的象素电极216和217相连接的岛形半导体区(每个岛区形成一个TFT的有源层)201和202，其中每个岛形半导体区201和202的一端与各自的象素电极216和217相连，每个栅极信号线204和205至少跨过每个岛形半导体区201和202的三部分形成，而该电容线209至少跨过每个岛形半导体区201和202的两部分形成。
当采用上述结构时，因为一条电容线可以供一对象素电极公用，所以可以增加开口率。在图6中仅示出了一个最低限度的结构，在一个液晶显示器件中实际上是几百个乘以几百个结构(如图6所示的每个结构)的组合。
在图2C中，本发明的基本特征是使TFTs121至125串联，其中使TFTs121至125的栅极与栅极信号线135相连，使其它的TFTs124和125的栅极与电容线136相连。这样，在一个保持某个象素，电压的时间周期内，通过使电容线保持一个适合的电压便可以在沟道和TFTs124和125的栅极之间各形成一个电容。
这样就使在TFTs122和123各自源极和漏极之间的电压减少，从而减少了TFTS的截止电流。辅助电容不是绝对必需的。因为在写入数据期间它增加了负载，所以如果在象素元件的电容和在TFTs124和125中产生的电容的比值是最适合的时候，最好不包括这个电容。
因为偶数线和奇数线与公共电容线连接，所以电容线的数目是偶数线和奇数线之和的数目的一半，从而可以增加一个象素的开口率。
下面结合图2C具体地描述工作原理：假设把一个选通信号提供给栅级信号线135，则所有的TFTs121至123导通。为了使TFTs124和125也导通，必需把一个信号供给电容线136上，于是，象素元件132随着在像信号线131上的信号加入而进行充电，同时，TFTs124和125也充电，在充电过程完成(平衡)阶段，TFTs122和123各自的源极和漏极之间的电压近似相等。
在这种状态下，如果不提供或切断选通信号，则TFTS121至123被截止。在这一阶段TFTs124和125仍然处在导通状态。随后另一个象素信号加到图像信号线131上。因为TFT121有一个最终的截止电流，就使TFT124中存储的电荷放电，从而使该电压降低。可是，其降低速度与图2A所示的已有的有源矩阵电路中的电容器102上电压降低的速度近似相等。
在TFT122中，因为源极和漏极之间的电压在初始时近似为零，所以截止电流非常小，TFT124的电压也随着降低，因此TFT122的源极和漏极之间的电压逐渐增加，其截止电流也增加。在TFT123中，截止电流也以同样的方式逐渐增加，但它的增加速率却比TFT122的增加速率小。从上面的描述可以发现，象素元件132的电压降由于TFTs的截止电流的增加而比图2A中的已有的有源矩阵电路的小很多。
如果LDD(低浓度掺杂漏区)或补偿区形成在TFTs121至125的沟道内，则这些区变成漏电阻器和源电阻器，因此可以减弱在漏极结的电场强度并减少截止电流。
如图1A所示的，通过这种电路结构可以提高这种电路的集成化程度。为此，将使这些栅极信号线134和电容线136在近似M形半导体区100上重叠。图1B至1D中，示出了当时可能的组合结构，其中随便的一个组合都能获得相同的效果。
图1B是最传统的形式。TFTs121至125在半导体区100与栅极信号线134和电容线136相交处(三个栅极信号线相交处和两个与电容线相交区：共五个相交处)形成。将N型或P型杂质注入到半导体区的被栅极信号线和电容线分开(包围)的那些区(在图1B中的四个区)，以及半导体区两端的区中，使这些区变成TFT的源极和漏极。然后形成图像信号线和象素电极，以便使图像信号线和象素电极与半导体区两端的区相连接。(图1B)
在图1C中，点a和b可以不被电容线136覆盖住。这是由于使TFTs124和125最好充分地起到电容器的作用。
在图1D中，可通过形成六个与半导体区100相交区构成彼此串联的六个TFTs301至306(图2D中的307至312)的切换元件。在图2D中示出了矩阵电路，用两上串联的TFTs308和309(302和303)简单地代替图2C中的TFT122(127)。因此，与图2C中的结构相比较减少了截止电流。
图1A至1D示出了本发明的半导体区，栅极信号线和电容线的排列情况；
图2A至2D示出了有源矩阵电路示意图；
图3A至3F示出了在一个实施例中切换元件的制造工艺(横剖视图)；
图4A至4F示出了在一个实施例中的切换元件的制造工艺(顶视图)；
图5A和图5B示出了在一个实施例中半导体区，栅极信号线以及电容线的排列情况；
图6示出了在一个实施例中的栅极信号线，电容线，外围电路或类似地元件的配置情况；
图7是在一个实施例中的象素区的顶视图；
图8是在一个实施例中的象素区的顶视图。
实施例1
下面通过描述该电路的制造工艺来增加对本发明的理解。这个实施例描述了在图2C的电路中的薄膜晶体管(TFTs)121至125的串联电路的制造工艺。图1A至1D示出了当从顶部看去时该实施例的电路，图3A至3D是该制造工艺的剖视图。在图3A至3D中，左侧示出了通过由图1A中的点划线X-Y指示的剖面部分，而右侧说明了由X′-Y′指示的剖面部分。这两部分虽然从图上看是相邻的，但是应该注意到X-Y和X′-Y′显然不在同一条直线上。
本实施例的特征在于，为了进一步减少截止电流，通过阳极化处理栅极构成一种补偿栅。在日本专利公开No.5-267667中给出了一种用于阳极化处理栅极的技术。一种具有已有结构所用的栅极也可用在本发明中。
在一个衬底(麻粒7059玻璃，100mm×100mm)151上形成一个具有厚度为1000至5000(例如3000A)的二氧化硅膜152作为基膜。通过等离子CVD(化学蒸汽沉积)使TEOS(四乙氧硅烷)分解后沉积，以便形成该氧化硅膜152，这个工艺过程也可以通过溅射技术来完成。
用等离子CVD或低压CVD(LPCVD)沉积一层厚度为300至1500(例如500)的非晶硅膜，然后在550至600C环境温度中放置8至24小时，以使其结晶化。填加少量的镍可以促进该结晶化过程。在日本专利公开N0.6-244104中公开了一种通过填加镍或其它类似物质减少结晶化温度以及缩短结晶化时间的工艺技术。
还可用激光辐射或类似地光处理技术来完成这个工艺。也可以用热处理和光处理结合的技术完成这个工艺。
蚀刻结晶化的硅膜以便形成一个近似M形的岛形区100。然后在岛形区100上形成栅极绝缘膜153。即用等离子CVD形成一个厚度为700至1500(例如1200)的二氧化硅薄膜。这个工艺也可以通过溅射来完成。用1A和3)。
用溅射的方法形成约1000-3μm(例如5000A)厚的铝(包括1％重的Si或0.1-0.3％重的Sc)层，然后再将其蚀刻形成栅极信号线134和电容线136。这两条线为TFTs的栅极。(如图1B和3B)
在这个阶段，见图6，在基片601上的其他所有栅极信号线和电容线(铝配线602)与有源矩阵区上形成的铝膜区604相连接。如果把栅极的铝配线或周边电路(栅极驱动器605和源极驱动器606)类似的配线设计成与铝膜区604相隔离开的话，则该周边电路不发生阳极氧化，因而提高集成化程度。
使电流通过浸在电解液中的栅极(栅极信号线134和电容线136)以便完成阳极氧化，借此形成厚度为500-2500(例如2000)的阳极氧化膜。用乙二醇将L-酒石酸稀释到5％浓度，再利用氨水将PH值调整到7.0±0.2，从而得到电解液。将基片浸入该电解液。使恒流源的正极端与基片上的栅极相连，负极端与铂电极相连。加上20mA恒定电流的电压，使氧化反应持续到电压达到150V。在150V的恒压下连续进行氧化反应直至电流减至小于0.1mA为止。这样，在栅极信号线134和电容线136上获得2000厚的氧化铝膜154和155。(见图3C)。
接着，借助离子注入以自校准方式把栅极部分(栅极以及其周边阳极氧化膜)作为一个掩膜，将掺杂物(磷)注入到岛形区100，以便形成N型掺杂区。注入的气体是磷化氢(PH3)。剂量为1×1014和5×1015个原子/cm2例如1×1015个原子/cm2，并且加速电压是60到90KV，(例如80KV)。这样便形成了N型掺杂区156到159。(图3D)
用KrF准分子激光(波长248nm，脉冲宽度20ns)照射掺杂区156-159，使其活化。激光的能量密度为200到400mJ/cm2时较合适，最好为250到300mJ/cm2。这个工艺过程也可以用热处理的方法完成。具体地说，活化过程可以在低于标准条件温度下用热处理方法和加入催化剂(镍)来完成(见日本专利公开6-267989号)。
用上述方法形成N型杂质区156和157，不过在这个实施例中，杂质区与栅极被阳极氧化膜的厚度隔开，由此可见，它们被称之为补偿栅。这样就形成了TFTs121，123，124和125。另一个TFT122也可用同样的方法形成。
然后，用等离子CVD方法形成一个厚度为5000的作为中间绝缘层的氧化硅膜160。TEOS和氧气做为原料气体。然后蚀刻中间绝缘膜160和栅绝缘膜153以便在N型杂质区156上形成一个接触孔。此后用溅射的方法形成铝膜，并且将铝膜蚀刻形成源极电极线161。该线即为图像信号线131的延伸部分。(图3E)
接着形成一个钝化膜162。用NH3/SiH4/H2混合气体，使用等离子CVD方法形成厚度为2000至8000(例如4000)的氯化硅膜以作为该钝化膜。然后蚀刻钝化膜162，中间绝缘膜160以及栅极绝缘膜153以便于形成用于N型杂质区159上的象素电极的接触孔。
用溅射方法形成一个铟锡氧化物(ITO)膜，然后蚀刻构成一个象素电极163。该象素电极是象素元件132的一个电极。通过以上步骤，形成一个按如图2C所示(图3F)串联方式连接的N沟道型TFTs121至125(126至130)有源矩阵电路元件。实施例2
图4A至4F给出了在本实施例中形成电路的工艺。由于所用的是公知的方法(或是用实施例1中的方法)，所以对具体工艺将不作出详细说明。这个实施例的等效电路如图2C所示。
在图4A中，如实施例1(或图1A)中那样在所希望的位置上照模板加工结晶硅的图形，以便形成近似M形半导体区(有源层)201至204。形成栅极绝缘膜(未示出)后，平行地配置栅极信号线205至208，在栅极信号线205与206之间形成电容线209，在栅极信号线207和208之间形成电容线210。栅极信号线205至208之间的位置关系，电容线209和210之间的位置关系，以及有源层201至204之间的位置关系与实施例1中相同。有源层201至204是与栅极信号线205至208在三部分上重叠的。另外，有源层201和202是与公共电容线209在两部分上重叠，以及有源层203和204是与公共电容线210在两部分上重叠。(图4A)
在为提供N型或P型导电类型而把一种杂质掺到有源层201至204之后，形成中间层绝缘体(未示出)，然后在有源层201至204的左端形成接触孔211至214，以及形成图象信号线215。(图4B)
在图4C中，有源层201至204的右端形成接触孔，在被栅极信号线205至208以及图像信号线215包围的区域内形成象素电极216至219。以便使有源层201至204的右端与象素电极相接。
通过以上工艺形成了用于有源矩阵电路的切换元件。在本实施例中，因为一条电容线209(210)可被一对象素电极216和217(218和219)公用，所以电容线的数目可以减少一半，并且这样增加了象素的开口率。在图4C中，仅给出了一个最小结构。在实际的一个液晶显示器件中，是几百个乘以几百个结构(在图4C中给出的是每个结构)组合起来的。
图2C为图4C的有源矩阵电路的等效电路。栅极信号线204和205分别相当于栅极信号线135和134，电容线209相当于电容线136。TFTs121至125由有源层201，栅极信号线205以及电容线209构成，TFTs126至130由有源层202，栅极信号线206以及电容线209构成。象素电极216和127相当于象素元件132和133的一个电极。
如图4D至4F所示，为了提高开口率，使有源层221上形成的TFT的一部分与图像信号线224相重叠也是有效的。此外，在图4E中，可以使有源层221的所有弯曲部分与电容线222和栅极信号线223相重叠。
当弯曲部分的数目以及在有源层和栅极信号线之间部分的数目以及电容线的数目增加时，则晶体管的数目也增加。这样便可进一步减少截止电流。当图5A中的有源层501的弯曲部分的数目大于图1A至1D一个岛区的弯曲部分数目时，并且有源层501与栅极信号线502和电容线503相重叠，则形成了作为开关元件的六个TFTs和形成了作为电容器的三个TFTs。实施例3
本实施例涉及通过改进图4C中的结构而获得的结构。图7为本实施例结构的平面图。与图4C中相同的标号代表相同的部件。本实施例的等效电路具有图2C中的电路结构。
图7的结构特征在于对于两个象素来讲使用着一条公用电容线。在实施例2中，有源层201和202或有源层203和204相对于电容线209或210在一个点上对称地排列着，以使电容线209和210与有源层201至204重叠的那部分区域沿着电容线209和210的纵向排列。
在实施例3中，有源层201和202或有源层203和204相对于电容线209或210在一条线上对称地排列着，以使电容线209和210与有源层201至204重叠的区域沿着电容线209和210横向排列着。
在本实施例中，由于一对电容线被一个象素电极公用，使得电容线数目减少一半，这样便提高了开口率。实施例4
本实施例涉及另一个通过改进图4C结构而获得的结构。图8示出了本实施例的结构。与图4C中相同的标号代表相同的部件。本实施例结构的等效电路如图2C所示。
类似于实施例2，在实施例4中，有源层201和202或有源层203和204在一点上对称地排列着，以使电容线209和210与有源层201至204重叠的那部分区域沿着电容线209和210纵向排列。在本实施例中，有源层201和202以及有源层203和204如图8所示的那样排列着。
在本实施例中，因为一对电容线为一个象素电极所公用，电容线的数目能够减少一半，这样就能提高开口率。
在本发明中，通过把多个TFTs的栅极连接到一个栅极信号线以及每个象素中的电容器线上可以抑制液晶元件电压的下降。同样，由于一对电容线共同作用一个象素电极，电容线的数目可以减少一半，这样就能提高开口率。
总的来说，TFTs的损耗取决于源极和漏极间的电压。因此，根据本发明，由于在整个驱动过程中图2C中的TFTs122，123，126和127的源极和漏极都维持在一个低电压状态下，所以，本发明可以降低损耗。
本发明在需要高清晰度图象显示的应用中是有效的。即，对于显示256或更加精细的光和色彩浓淡的层次，则需将液晶元件的放电在一帧期间抑制到1％或更小。如果使用传统系统，则图2A或2B都不符合目的要求。
本发明适用于利用结晶硅半导体TFTs的有源矩阵显示器件，该器件适用于矩阵显示和矩阵具有很多行(线)类似的显示。通常，由于矩阵有很多行，要使每行的选择时间变短，这种非晶硅半导体TFTs是不适合的。因为，使用结晶硅半导体TFTs存在着截止电流过大的问题。
本发明在使截止电流减小这方面做出明显的贡献。采用非晶硅半导体TFTTs仍具有优越性。
这几个实施例主要针对具有一种顶栅型结构的TFTs做了描述，但如果使用底栅型或其它类似结构本发明的优越性依然不变。
按照本发明，可通过最小的变化获得最大的效果。特别是，具有顶栅型TFTs，虽然薄半导体区(有源层)的形成很复杂，但栅极和类似元件却可极简单形成，并且可以防止上层配线断裂(不连接)。相反地，如果栅极的形成很复杂，接着就会导致开口率减少。因此，本发明在工业应用方面是有益的。

Claims (10)

1.一种有源矩阵显示器件，其包括：
若干条图象信号线；
若干条栅极信号线，图象信号线和栅极信号线形成为具有偶数线和奇数线的矩阵状；
若干条电容线；
若干个在由像信号线和栅极信号线所包围的区域中排列的象素电极；以及
若干个与每个象素电极相邻彼此串联的薄膜晶体管，这些薄膜晶体管每个具有相同的导电类型，
其中，第一个薄膜晶体管的源极区或漏极区与一个图像信号线相连接，第二个薄膜晶体管的源极区或漏极区与一个象素电极相连接，至少第一个和第二个薄膜晶体管的栅极连接于一条栅极信号线，至少有一个第三个薄膜晶体管的栅极与偶数线的象素电极相连接，以及至少有一个第四薄膜晶体管的栅极与奇数线的象素电极相连接，偶数线的栅极电极和奇数线的栅极电极被连接于相同的电容线，第三和第四薄膜晶体管的栅极电压维持在一个所希望的电压上，该电压使第三和第四薄膜晶体管的沟道形成区变成与第三和第四薄膜晶体管的源极区和漏极区导电类型相同的导电类型。
2.一种有源矩阵显示器件，包括：
若干条图像信号线；
若干条基本上垂直图像信号线排列的栅极信号线；
若干条电容线；
若干个在被栅极信号线和图像信号线所包围的区域中配置的象素电极；
若干个与每个象素电极相连接的切换元件；
其中偶数线和奇数线上的每个切换元件包括一个近似于M形的半导体膜，该半导体膜包括至少三个与每条不同栅极信号线重叠的部分，以及至少两个与公共电容线重叠的部分。
3.一种有源矩阵显示器件，包括：
若干条图像信号线；
若干条基本上垂直于这些图像信号线排列的栅极信号线；
若干条电容线，该电容线的每一条平行于栅极信号线并且排列在这些栅极信号线之间；
若干个在由栅极信号线和图像信号线包围的区域内配置的象素电极；
若干个与每个象素电极相连接的切换元件，
其中，每个切换元件包括一个近似M形的半导体膜，该半导体
膜包括与一条图像信号线相接触的区，一个与一个象素电极相接触的区，被电容线和栅极信号线分成的至少四个区，这些区具有N或P导电类型，以及
其中奇数线切换元件和偶数线切换元件与每行的一个不同栅极信号线相连接，并且与奇数线和偶数线的一条公共电容线相连接。
4.如权利要求1所述的有源矩阵显示器件，其中每条电容线排列在奇数线的栅极信号线和偶数线的栅极信号线之间。
5.如权利要求2所述的有源矩阵显示器件，其中每条电容线排列在奇数线的栅极信号线和偶数线的栅极信号线之间。
6.如权利要求3所述的有源矩阵显示器件，其中每条电容线排列在奇数线的栅极信号线和偶数线的栅极信号线之间。
7.一种有源矩阵显示器件，包括：
一对相邻的象素电极；
一对排列在象素电极之间的栅极信号线；
一条配置在栅极信号线之间的电容线；
一对各自与所述象素电极相连接的岛形半导体区；
其中岛形半导体区的一端与象素电极相连接，每个所述的栅极信号线至少与每个岛形半导体区的三部分重叠，电容线至少与每个岛形半导体区的两部分重叠。
8.一种有源矩阵电路，包括：
若干个第一薄膜晶体管；
若干个第二薄膜晶体管；
一个与若干第一薄膜晶体管之一相连接的第一象素电极；
一个与若干第二薄膜晶体管之一相连接的第二象素电极；
一条与第一和第二薄膜晶体管之一的每另一个的源极或漏极相连接的图像信号线；
一条至少与一个以及另一个第一薄膜晶体管的栅极相连接的第一栅极信号线；
一条至少与一个以及另一个第二薄膜晶体管的栅极相连接的第二栅极信号线；以及
一条至少与除了一个和另一个第一和第二薄膜晶体管之外的第一和第二薄膜晶体管的栅极相连接的电容线。
9.如权利要求8所述的有源矩阵电路，其中第一和第二薄膜晶体管是一种用于第一和第二象素电极的切换元件。
10.如权利要求8所述的有源矩阵电路，其中电容线是一条为了形成电容而把一个所需电压加到除了至少一个和另一个第一和第二薄膜晶体管之外的第一和第二薄膜晶体管上的线。
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