CN1155102A - 生产电子源基片以及带有该基片的图像形成设备的方法 - Google Patents

生产电子源基片以及带有该基片的图像形成设备的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1155102A
CN1155102A CN95121855A CN95121855A CN1155102A CN 1155102 A CN1155102 A CN 1155102A CN 95121855 A CN95121855 A CN 95121855A CN 95121855 A CN95121855 A CN 95121855A CN 1155102 A CN1155102 A CN 1155102A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
sunk part
printing ink
film
depth
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN95121855A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1107883C (zh
Inventor
柳泽芳浩
金子哲也
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN1155102A publication Critical patent/CN1155102A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1107883C publication Critical patent/CN1107883C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/022Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
    • H01J9/027Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of thin film cathodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Abstract

公开了一个生产电子源基片的方法,该基片包括许多电子发射装置,每个电子发射装置都包括一对相对的电极,许多电子发射装置安排在基片上。此方法包括的步骤有:具有对应电极图案的凹进部分的照相凹版的制备,凹陷的部分的深度范围为4μm至15μm,用油墨填充凹陷部分,把膜压在照相凹版上以至于油墨从凹陷部分内转移到膜上,以及使膜与基片相接触以至于油墨从膜上转移到基片上,因而在其上形成电极图案。

Description

生产电子源基片以及带有 该基片的图像形成设备的方法
本发明涉及通过胶版印刷技术生产电子源基片的方法,以及生产图像形成设备的方法。更具体地说,本发明涉及生产较大尺寸的图像形成设备的方法。
近年来,对用薄的平面板形式的图象形成设备的重视有所增加,希望这种薄的平面板代替具有尺寸大和重量大的缺点的阴极射线管(CRT)。在各种类型的平面板图像形成设备中,广泛地研究了液晶显示装置。然而,液晶显示装置还有一个问题,即,显示的图像的亮度不够高。另一个留下来的问题是视角被限制在一个窄的范围内。发射型显示,例如等离子显示装置、荧光显示装置以及应用发射电子的装置的显示装置,是可以代替液晶显示装置的显示装置的有前途的选择。这些发射型显示设备能提供比液晶显示装置亮的图像和宽的视角。另一方面,需要较大尺寸的显示装置。为了满足这一要求,显示面积大于30英寸的大尺寸的CRT最近已经发展起来,并且也希望更大的CRT。然而,CRT的显示面积越大,需要安装CRT的空间越大。这意味着CRT不是非常适合于提供大的显示表面。相反,具有相当小尺寸的主体的发射型平面板显示装置能提供大的显示屏尺寸,这样,它们引起了最大的观注。从这个观点出发,在发射型的各种平面板图像形成设备中,应用发射电子装置的图像形成设备是非常有前途的。特别是,因为通过简单的设备能发射电子,应用由M.I.Elinson等人的(Radio.Eng.Electron.Phys.,10,1290(1965))提出的表面导电发射电子装置的图像形成设备是有吸引力的。
在表面导电发射电子装置中,在基片上形成小尺寸的薄膜以便当电流以平行膜表面的方向流过薄膜时,发生电子发射。各种类型的表面导电发射电子装置已公知。它们包括应用由Elinson等人的提出的SnO2薄膜的装置、应用薄Au膜(G.Dittmer,固体薄膜,9,317(1972))的装置、应用In2O3/SnO2薄膜(M.Hartwell and C.G.Fonstad,IEEE Trans.ED conf.,519(1975))的装置以及应用碳薄膜(Araki et.al.,Vauum,26(1),22(1983))的装置。
在此把由M.Hartwell等提议的装置作为表面导电发射电子装置的代表的例子,并且它的结构如图9所示。在图9中,参考数字1001指基片。参考数字1004指通过溅射把金属氧化成H型的导电薄膜。导电薄膜1004受到以后更具体地描述的称为形成增能的处理,以便在导电薄膜1004上形成发射电子区1005。电极间的导电薄膜1004的部分长度L在0.5mm到1mm的范围内,宽度为0.1mm。
本发明的发明者已经提出了表面导电发射电子装置,在该装置中具有发射电子能力的颗粒分散在一对装置电极之间的区域,如美国专利5,066,883所公开的。该发射电子装置的优点在于能够比上述其他传统的表面导电发射电子装置更精确地控制发射电子的位置。图3A和3B表示根据美国专利5,066,833公开的技术的表面导电发射电子装置的典型结构。这种表面导电发射电子装置包括绝缘基片31、用来形成电连接的装置电极32和33以及含有导电颗粒的导电薄膜34。在导电膜34中形成发射电子区35。在该表面导电发射电子装置中,一对装置电极间的距离L最好设为0.01μm到100μm范围中的一个值,并且,发射电子区35的板电阻最好设为1×10-3Ω/□到1×10-9Ω/□范围内的一个值。装置电极的厚度最好小于200nm,以便电极与由导电颗粒构成的薄膜34有好的电接触。当安排大数目的相似的装置时,为了获得发射电子特征的小的变化,两电极间的薄膜部分的长度和宽度的变化小是重要的。图4A到4C表示了生产如图3A和3B所示的发射电子装置的过程。
本发明的发明者已经研究了通过在基片上安装大量表面导电发射电子装置获得较大尺寸的图象形成设备的技术。有形成在基片上具有发射电子装置和内连接的电子源的各种技术。该技术之一是通过光刻法形成全部的装置电极和内连接。然而,当用基于光刻法的技术生产大尺寸图像形成设备时,生产中需要大规模曝光设备。更进一步,在该技术中,产生操作问题,因此很难形成在基片上具有小变化的良好的特征的大量的装置。
另一个技术应用例如网板印刷或胶板印刷技术的印刷技术生产电路基片。该印刷技术适合于形成大面积的图案。另外,该技术不昂贵。日本专利申请待公开4-290295公开了通过胶板印刷生产电路基片的技术的一个例子。在由日本专利申请待公开4-290295所公开的这种技术中,为了避免由于在印刷过程中膨胀和收缩所产生的电极至电极间间距的变化所产生的电接触的故障,改变用于电路部件电连接的多个电极的角度。此外,日本专利申请待公开4-290295公开了通过胶版印刷形成电极图案的技术。
然而,如果应用简单的胶版印刷技术在基片上形成许多表面导电发射电子装置来生产一个电子源基片,安装在基片上的表面导电发射电子装置中的电子发射特征产生大的变化。因此,应用该电子源基片所获得的图像形成设备将有差的图像质量。这主要是因为横过基片的装置电极的形状的变化。特别地,基片中心部分和边缘区域间的形状变化很大。
本发明的一个目的是解决生产电子源基片和图像形成设备中存在的上述问题。
更具体的说,本发明的目的是提供一个生产电子源基片的方法,其特征在于通过胶版印刷在基片上形成许多发射电子装置,以便使发射电子装置的电极尺寸不产生变化或基本不变,从而保证发射电子装置有一致的特征。本发明的另一个目的是提供生产能显示高质量图像的图象形成设备的方法。
为了达到上述目的,本发明提供生产电子源基片的方法,该基片包括许多电子发射装置,每一个电子发射装置包括一对相对的电极,这些许多电子发射装置安排在基片上,该方法包括的步骤有:制备一个照相凹板,该照相凹板相应于电极图案有凹陷的部分,凹陷部分的深度在4μm至15μm范围内;在凹陷部分填充油墨;把一个膜压到照相凹板上,以便把凹陷部分内的油墨转移到膜上;以及使膜与基片接触,使油墨从膜上转移到基片上,因此在基片上形成电极图案。
本发明还提供生产图像形成设备的方法,该图像形成设备包括电子源基片以及有荧光物质安排在其上的前板,电子源基片和前板安排成彼此面对面,电子源基片包括许多电子发射装置,每一个电子发射装置包括一对相对的电极,许多电子发射装置安排在基片上,电子发射装置适合于发射电子,从而电子轰击荧光物质,因此形成图像,该方法包括的步骤有:制备具有与电极图案相对应的凹陷部分的照相凹板,凹陷部分的深度在4μm至15μm范围内;在凹陷部分中填充油墨;把一个膜压到照相凹板上,以便使油墨从凹陷部分内转移到膜上;使膜与基片接触以便使油墨从膜上转移到基片上,因此在基片上形成电极图案,这样获得了电子源的基片。
图1A和1B是表示根据本发明的照相凹板的略图;
图2A至2D是表示根据本发明形成装置电极的过程的略图;
图3A和3B是本发明应用的表面导电发射电子装置的略图;
图4A至4C是表示生产如图3所示的发射电子装置的过程的略图;
图5A至5E是表示生产具有矩阵形式的内连接的电子源基片的过程的略图;
图6是形成电压的波形的略图;
图7是根据本发明生产的图像形成设备的略图;
图8是表示驱动电路的一个例子的电路图;以及
图9是表示传统的表面导电发射电子装置的略图。
下面将更详细地描述根据本发明的生产电子源基片和图像形成设备的方法。在该发明中,照相凹板的凹陷部分的深度最好在4μm到15μm范围之内。在照相凹板上形成具有相当小的深度的凹陷部分,以便能机械地限制膜表面穿入凹陷部分,因此不用执行照相凹板压力的微调就能避免印刷图案的变形。这意味着该技术能减小基片中心和边缘区域间装置电极形状的变化和减少电极和厚度变化,因而保证能在基片上形成许多发射电子装置,并且电极间的装置电极空隙(宽度)的长度的变化小。因此,本发明提供了具有发射电子装置和一致的特征的电子源基片以及应用该电子源基片的图像形成设备。
此外,在本发明中,因为照相凹板的凹陷部分具有相当小的深度,所以以近乎等于100%的高效(油墨转移效率)把油墨从照相凹板的凹陷部分内转移到膜上。这样就避免了由于没有被转移而留在凹陷部分的残留油墨的问题。
在本发明中,凹陷部分的深度最好在4μm到15μm范围之内,更好的是在4μm到12μm之间,特别好是在7μm到9μm之间。
在这个发明中,油墨胶的粘度不应太高,这是因为高粘度造成难于把油墨从凹陷部分中移去并且因此产生把油墨转移到膜上的困难。另一方面,如果油墨的粘度太低,油墨的流动性导致装置电极图案不佳的均一性。因此,在本发明中,油墨粘度宜在1000cps至10000cps范围内,最好的是在1000cps至5000cps范围内。应用上述粘度范围的油墨能形成小于200nm的小厚度并且厚度变化非常小的电极图案。油墨胶最好是含7%到15%的铂(Pt)或金(Au)的树脂酸盐膏类型。虽然本发明不局限于特殊的印刷压力范围,但是,希望调节印刷压力以便为了在大量发射电子装置、包括该发射电子装置的电子源以及图象形成设备的生产中获得良好的再现性,膜穿透的量落在50μm到200μm范围内。此外,为了获得良好的油墨转移,最好使用覆盖有硅化橡胶的膜。这是希望的,特别是当油墨转移到无油墨吸收能力的基片材料上,例如玻璃基片。
现在,根据本发明生产具有电子源基片的图像形成设备的方法将描述如下。即,如下生产图像形成设备:
(1)首先,在基片上以矩阵形式形成许多对相对的装置电极。
(2)然后,矩阵形式形成内连接,以便通过这些内连接把装置电极连接起来。
(3)在相对的装置电极间形成起电子发射区作用的导电薄膜。这样就获得了一个电子源基片。
(4)通过在透明基片的表面涂敷荧光物质生产前板。
(5)安排电子源基片以及前板,以便使它们彼此面对,从而形成真空腔。
(6)真空腔内部抽真空。然后,执行增能形成和消气。这样就获得了图像形成设备。
如果通过例如图8所示的驱动电路驱动具有矩阵形式内连接的作为结果显示板,那么能够在该显示板上显示电视图像。下面将更详细地描述图8所示的驱动电路。
在图8中,参考数字901代表一个具有矩阵形式内连接的显示板。该驱动电路包括一个扫描电路902、一个控制电路903。位移寄存器904、一个线存贮器905、一个同步信号提取电路906、调制信号发生器907以及直流电压源Vx和Va。
显示板901通过接线端Dox1至Doxm、接线端Doy1到Doyn以及高压接线端Hv与外电路连接。通过如下的这些接线端驱动安排在显示板上的电子源。以mnx的矩阵形式安排的表面导电发射电子装置通过接线端Dox1到Doxm施加的扫描信号一排一排地驱动。
通过接线端Doy1到Doyn,把调制信号施加到由扫描信号选择的表面导电发射电子装置的线上的每一个装置,因此控制每一个装置发射的电子束。通过高压接线端HV从直流电压源Va提供例如10kv的直流电压。该电压用来加速从每个表面导电发射电子装置发射的电子束,以便使电子获得足够高的能量激发荧光物质。
扫描电路902如下操作。扫描电路902包括m个开关元件(在图8中的S1到Sm)。每个开关元件选择由直流电压源输出的电压Vx或者Ov(地电平),以便通过接线端Dox1到Doxm向显示板901供应选择的电压。每一个开关元件S1到Sm和例如FET的开关装置一起形成。这些开关元件S1到Sm相应于由控制电路903供应的控制信号Tscan进行操作。
在这个实施例中,直流电压源Vx的输出电压被设置为一个固定值,以便供应给没有被扫描的装置一个小于表面导电发射电子装置的电子发射阀值电压的电压。
控制电路903负责控制各种电路,以便根据外部电路供应的图像信号正确地显示图像。为了响应从同步信号提取电路906中得到的同步信号Tsync,控制电路903产生控制信号Tscan、Tsft和Tmrg,并且把这些信号送到相应的电路。
同步信号提取电路906构成为一个公共滤波电路,这样能根据外部电路提供的NTSC标准从电视信号中提取同步信号成分和亮度信号成分。虽然由同步信号提取电路906提取的同步信号在图8中简单地标为Tsync,但是,实际的同步信号由垂直同步信号和水平同步信号组成。在图8中,由电视信号中提取的图像亮度信号成分标为DATA。这个DATA信号施加到移位寄存器904。
移位寄存器904把以时间先后获得的DATA信号转换成图像以并行的形式的一线一线的信号。对应于由控制电路903产生的控制信号Tsft执行移位寄存器904的上述转换操作(这就意味着该控制信号Tsft作为移位寄存器904的移位闭锁信号)。图像数据被转换成并行形式之后,从移位寄存器904中以包括Id1到Idn的并行信号的形式一线一线的输出(因此驱动n个发射电子装置)。
线存贮器905存贮在要求的时间间隔内的图像数据的一线。即,线存贮器905在由控制电路903产生的控制信号Tmry的控制下存贮数据Id1到Idn。存贮的数据的内容作为数据I′d1到I′dn从线存贮器905中输出并且供应给调制信号发生器907。根据相应的图像数据I′d1到I′dn调制信号发生器907产生信号,以便通过由调制信号发生器907产生的相应的调制信号驱动每个表面导电发射电子装置,其中,通过接线端Doy1到Doyn把调制信号发生器907的输出信号供给显示板901的表面导电发射电子装置。
应用在本发明中的发射电子装置具有以如下面描述的发射电流Ic来表示的基本特征。在电子发射中,有一个明显的电压阀值Vth。即,只有当大于阀值电压Vth的电压施加到发射电子装置上时,发射电子装置能发射电子。在作用在发射电子装置的电压大于该阀值电压情况下,发射电流随着应用的电压的变化而变化。因此,当由一脉冲电压驱动发射电子装置时,如果电压小于电子发射阀值电压,无电子发射,而当脉冲电压大于阀值电压时,发射电子束。这样,能够通过改变脉冲的峰值电压Vm来控制电子束的强度。另外,也能够通过改变脉冲宽度Pw来控制电子束负载的电荷全量。
正如上述所讨论的,基于电压调制或者脉冲宽度调制能用来控制发射电子装置,以便根据输入信号发射电子装置发射电子。当应用电压调制技术时,设计调制信号发生器907来产生具有固定宽度的和根据输入数据而改变的峰值电压的脉中。
另一方面,如果应用脉冲宽度调制技术,设计调制信号发生器907来产生具有固定峰电压的和根据输入数据而改变的宽度的脉冲。
只要以希望的速率正确进行图像信号的串行到并行的转换以及存贮操作,移位寄存器904和线存贮器905可以是模拟型或数字型的。
当这些电路应用数字技术时,需要模/数转换器与同步信号提取电路906的输出相连接,以便使同步信号提取电路906的输出信号DATA从模拟型转换成数字型。另外,应根据线存贮器905输出的是数字信号还是模拟信号来选择适当形式的调制信号发生器907。当应用用数字信号的电压调制技术时,要求调制信号发生器907包括一个数/模转换器并且按要求附加一个放大器。在脉冲宽度调制的情况下,和一个高度信号发生器、记录由信号发生器产生的脉冲数目的计数器以及比较计数器的输出值和上述存贮器的输出值的比较器一起构成调制信号发生器907。如果需要的话,进一步在上述中添加一个放大器,以便把比较器输出的脉冲宽度调制信号的电压放大到能够驱动表面导电发射电子装置的足够大的电压。
另一方面,在应用用模拟信号的电压调制技术的情况下,作为调制信号发生器907应用例如运算放大器的放大器。如果需要,附加一个电平移位装置。在脉冲宽度调制技术与模拟技术相联系的情况下,电压控制振荡发生器(VCO)能用作调制信号发生器907。如果需要的话,在上述中进一步加入一个放大器,以便把电压控制振荡发生器VCO的输出电压放大到能驱动表面导电发射电子装置的足够大的电压。
在以根据本发明的上述方法构造的图像显示装置中,通过外部接线端Dox1到Doxm和Doy1到Doyn,把一个电压加到每个发射电子装置上,从而发射电子。通过由高压接线端HV施加到金属背面85或透明电极(未示出)的高压加速发射的电子。加速电子轰击荧光膜84以便通过由荧光膜发射的光形成图像。
参考具体的实施例,下面将更详细地描述本发明。实施例1和比较例1
参考图1A、1B和2A到2D,下面将详细描述通过胶版印刷形成装置电极的过程。在这个实施例中,应用具有不同深度的凹陷部分的各种照相凹版,并且比较结果。首先,将描述应用胶版印刷技术形成发射电子装置的装置电极的方法。
图2A到2D是表示印刷过程的横截面图。在这些图中,参考数字21代表油墨供应装置,22代表由镀铬的黄铜组成的凹版金属版,以及29代表凹版金属版上形成的凹陷部分,其中,凹陷部分是根据要印刷的图案形成的。参考数字25代表供应到凹版金属版22的油墨,该油墨由树脂酸铂膏组成。参考数字26代表由瑞典钢组成的刮浆刀,该刮浆刀在凹版金属版22的表面上滑动,以便使油墨供应到凹陷部分中。参考号23代表由尺寸为40cm×40cm的蓝色板玻璃组成的基片。参考数字27代表覆盖有硅化橡胶的膜,该膜在凹版金属版22上和基片23上转动并且移动,同时对凹版金属版22和基片23施加一个压力。
根据本实施例,油墨25位于凹版金属版22之上(图2A)。然后,刮浆刀26滑过凹版金属板22的表面,并且以2mm的量压住凹版金属版22的表面,保持刮浆刀26与凹版金属版22的表面成600角,因此把油墨25填入凹陷部分29(图2B)。
然后,膜27在凹版金属版22上旋转并转动并且施加一个压力(图2c)以便使油墨25转移到膜27上。
然后,膜27在基片23表面上施转并移动并且施加一个压力,以便使油墨进一步转移到玻璃基片23的表面上,因此形成装置电极图案34(图2D)。
在这个实施例中,应用由粘度为7000cps的树脂酸铂膏(含7wt%的金属)组成的油墨25。在所有的情况下,用50μm的压力压紧照相凹版以及50μm的印刷压力执行印刷。用圆锥直径20cm和圆锥角50的圆锥板工具计算油墨粘度。应用6个不同的照相金属凹板22,对应印刷图案的凹陷部分29分别以4、7、9、12、15和20μm的深度形成在凹版金属版的表面上。应用在该实施例中的装置电极图案由许多以矩阵形式安排的一对对电极,其中,每对电极中的一个电极是尺寸为500μm×150μm的矩形,每对电极中的另一个电极是尺寸为350μm×200μm的矩形,电极安排的位置彼此被20μm的空隙隔开。
在完成把油墨转移到玻璃基片上之后,玻璃基片在炉子中800C下干燥10分钟,然后,在带输送炉中在峰值温度为5800C下焙干10分钟。这样,就形成了在实际实用中具有足够好的质量的装置电极,但是应用的照相凹版的凹陷浓度为20μm除外。结果总结在表1中。
                       表1
凹陷部分的深度(μm) 4   7   9   12   15   20
边缘区域的电极形状 图案形状   ◎   ◎   ○   △   ×
空隙 ×
膜厚度的均一性   ○   ◎   ○   △   ×
许多装置中的电极图案的均一性   ◎   ◎   △   △   ×
注:◎:优异;○:良好;△:能用;×:不能用
印刷压力=50μm;凹版压力=50μm实施例2以与实施例1相似的方式形式装置电极,但是应用粘度为1000cps或5000cps的树脂酸铂膏代替实施例中应用的粘度为7000cps(含金属7wt%)的膏以及应用凹陷深度分别为4、7、9、12μm的照相凹板。如表2所示粘度为1000cps和5000cps的两种油墨表现出相似的结果。
                        表2
凹陷部分的深度(μm)   4   7   9   12
边缘区域的电极形状 图案形状
空隙
膜厚度的均一性   ○   ◎   ◎   ○
许多装置中的电极图案的均一性   ◎   ◎   ◎   △
注:◎:优异;○:良好;△:能用;
印刷压力=50μm;凹版压力=50μm实施例3
以与实施例1相似的方式形成装置电极,但是由含有5、10或15wt%的树脂酸铂膏代替实施例1中应用的树脂酸铂膏(粘度为7000cps以及含有7wt%的金属)。另外,应用凹陷深度为7μm或9μm的照相凹版。结果在表3中总结。如表3所示,凹陷深度为7μm和9μm的照相凹版无明显区别。
                       表3
  金属含量(%)   5     10     20
边缘区域的电极形状 图案形状   ◎     ◎     ◎
间隙
膜厚度的均一性   ○     ◎     ◎
大量装置中的电极图案的均一性   ◎     ◎     ◎
注:◎:优异;○:良好;
凹陷部分的深度=7μm,9μm;
印刷压力=50μm;凹版压力=50μm
虽然在上述实施例中应用树脂酸铂膏,但也可由金Au、钯Pd或银Ag代替铂。另外,印刷压力可以是50μm到200μm范围内的一个值。实施例4
如果在上述基片上加上薄的导电膜并且形成内连接,就获得了电子源的基片。如果安排一个涂有荧光物质的前板,以便使它面对电子源基片,从而形成一个真空腔,就获得一个图像形成设备。参考图5A到5E,下面将更详细地描述图像形成设备和电子源基片的形成过程。
根据实施例1,2或3制备尺寸为40cm×40cm具有大量一对对的装置电极32和33的电子源基片。在基片上形成第一内连接(低水平内连接)。即,通过把银膏作为导电膏并加以烘干的网版印刷技术形成厚度为12μm宽度为100μm的低水平内连接图案51(图5B)。
然后,通过把包括氧化铅的厚膜膏作为与玻璃粘合剂和树脂混合的主要的成份的网版印刷技术形成与低水平内连接图案垂直延伸的内层绝缘膜图案。执行两次具有厚膜膏的网版印刷以及其后的烘干,因此形成条形式的内层绝缘膜52(图5C)。
然后,通过应用与用来形成低水平内连接图案相似的网版印刷技术形成厚度为12μm宽度为100μm的第二内连接图案(上部水平内连接图案)。这样,矩阵形式的内连接包括彼此重直交差的条形低水平内连接和条形上部水平内连接(图5D)。如下形成电子发射区。首先,在已经形成装置电极32和33以及内连接51和52的基片上涂敷有机钯(Okuno Seiyaku kogyo Co.,Ltd.出产和CCP4230)。然后在3000C下加热10分钟,因而形成厚度为10nm主要由Pd颗粒组成的导电薄膜54。该薄膜54含有由许多颗粒组成的混合物。颗粒分散在膜内,或者安排这些颗粒使它们彼此相邻或彼此重叠(或者可以以岛的形式安排)。颗粒的直径参考上述状态中表示的颗粒的直径。通过光刻法形成钯膜图案。这样就获得了电子源的基片(图5E)。
参考图7描述使用上述的电子源基片生产图像形成设备。
具有矩阵形内连接72和73的电子源基片71固定在后板81上。安排具有黑色条纹(未示出)的玻璃基片83,荧光物质84以及金属基座85,以便通过支架82面对电子源基片71,并且由熔化的玻璃密封这些元件。
这样从上述过程形成真空腔,并且通过抽空管(未示出)抽空真空腔内的气体,直到真空腔内的压力变得足够低为止。然后,通过外部接线端Dx1至DX1和Dy1至Dym在每个表面导电发射电子装置的装置电极间施加电压,以便使导电薄膜受到形成处理,因而形成电子发射区。应用如图6所示的具有脉宽T1、脉冲间隔T2的波形的电压的执行形成过程。
在该实施例中,T1设为1毫秒(msec),T2设为10毫秒(msec)。三角形波的峰值电压设为14V。完成低压约为1×10-6Torr的形成过程之后,用气体喷灯烧去抽空管,因而密封箱(外壳)88。另外,执行除气,从而在密封之后箱88中的压力足够低。
结果显示板与如图8所示的驱动电路连接,以便能在该板上显示电视图像。这样,获得完整的图像显示装置。在该图像显示装置上形成的大量装置电极的尺寸变化小,因此,图像显示装置表现出显示高质量图像的优异的能力,并且在长的时间期限内观察不到显示能力的下降。

Claims (22)

1.一种生产电子源基片的方法,所述的基片包括许多电子发射装置,每个电子发射装置包括一对相对电极,所述的这些许多的电子发射装置安排在所述的基片之上,该方法包括的步骤有:
制备具有对应于所述的电极图案的凹陷部分的照相凹版,所述的凹陷部分的深度在4μm至15μm范围之内;
把油墨填入所述的凹陷部分;
把膜压到所述的照相凹版上,以便使油墨从凹陷部分内部转移到所述的膜上;以及
使所述的膜与所述的基片接触,以便使油墨从所述的膜上转移到所述的基片上,因此在基片上形成所述的电极图案。
2.一种根据权利要求1的方法,其特征在于,所述的凹陷部分的深度在4μm到12μm的范围内。
3.一种根据权利要求1的方法,其特征在于,所述的凹陷部分的深度在4μm到9μm的范围内。
4.一种根据权利要求1的方法,其特征在于,所述的凹陷部分的深度在7μm到9μm的范围内。
5.一种根据权利要求1的方法,其特征在于,所述的油墨的粘度在1000cps到10000cps范围内。
6.一种根据权利要求5的方法,其特征在于,所述的油墨的粘度在1000cps到5000cps范围内。
7.一种根据权利要求1的方法,其特征在于,所说的油墨包括有一种金属有机化合物。
8.一种根据权利要求1的方法,其特征在于,所说的金属有机化合物的浓度在7%至15%(重量)范围内。
9.一种根据权利要求7的方法,其特征在于,所说的金属有机化合物的金属元素从Pt、Au、Pd和Ag中选择。
10.一种根据权利要求1的方法,其特征在于,所说的膜施加的印刷压力在50μm到200μm范围内。
11.一种根据权利要求1的方法,其特征在于,所说的膜包括硅化橡胶。
12.一种生产图像形成设备的方法,所说的图像形成设备包括一个电子源基片和在其上安排有荧光物质的前板,安排所说的电子源基片和前板以便使它们彼此面对,所说的电子源基片包括许多电子发射装置,每个电子发射装置包括一对相对电极,在所说的基片上安排许多所说的电子发射装置,所说的电子发射装置适合于发射电子,以便使电子轰击所说的荧光物质,因而形成图像,所说的方法包括的步骤有:
制备一个具有相应于所说的电极的图案的凹陷部分的照相凹版,所说的凹陷部分的深度在4μm到15μm范围之内;
把油墨填入所说的凹陷部分;
把膜压到所说的照相凹版上,以便把油墨从凹陷部分的内部转移到所说的膜上,以及
使所说的膜接触所说的基片,以便把油墨从所说的膜转移到所说的基片上,因此在其上形成所说的电极图案,这样就获得了所说的电子源基片。
13.一种根据权利要求12的方法,其特征在于,所说的凹陷部分的深度在4μm到12μm范围内。
14.一种根据权利要求12的方法,其特征在于,所说的凹陷部分的深度在4μm到9μm范围内。
15.一种根据权利要求12的方法,其特征在于,所说的凹陷部分的深度在7μm到9μm范围内。
16.一种根据权利要求12的方法,其特征在于,所说的油墨的粘度在1000cps到10000cps范围内。
17.一种根据权利要求16的方法,其特征在于,所说的油墨的粘度在1000cps到5000cps范围内。
18.一种根据权利要求12的方法,其特征在于,所说的油墨包括一种金属有机化合物。
19.一种根据权利要求18的方法,其特征在于,所说的金属有机化合物的浓度在7%到15%(重量)的范围内。
20.一种根据权利要求18的方法,其特征在于,所说的金属有机化合物的金属元素从Pt、Au、Pd和Ag中选择。
21.一种根据权利要求12的方法,其特征在于,所说的膜施加的印刷压力在50μm到200μm范围内。
22.一种根据权利要求12的方法,其特征在于,所说的膜包括硅化橡胶。
CN95121855A 1994-11-25 1995-11-24 生产电子源基片以及带有该基片的图像形成设备的方法 Expired - Fee Related CN1107883C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP291310/94 1994-11-25
JP291310/1994 1994-11-25
JP29131094 1994-11-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1155102A true CN1155102A (zh) 1997-07-23
CN1107883C CN1107883C (zh) 2003-05-07

Family

ID=17767249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN95121855A Expired - Fee Related CN1107883C (zh) 1994-11-25 1995-11-24 生产电子源基片以及带有该基片的图像形成设备的方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US5996488A (zh)
EP (1) EP0714113B1 (zh)
KR (1) KR100356263B1 (zh)
CN (1) CN1107883C (zh)
DE (1) DE69525310T2 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100558563C (zh) * 2006-02-03 2009-11-11 三星电子株式会社 印刷设备、凹版印刷法和使用该法制造显示装置的方法
CN104425497A (zh) * 2013-09-05 2015-03-18 瑞萨电子株式会社 半导体装置及其制造方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5996488A (en) * 1994-11-25 1999-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Preparation of an electron source by offset printing electrodes having thickness less than 200 nm
KR100472686B1 (ko) * 1998-10-14 2005-03-08 캐논 가부시끼가이샤 화상 형성 장치의 제조 방법 및 그 제조 방법에 의해제조된 화상 형성 장치
JP2000311600A (ja) 1999-02-23 2000-11-07 Canon Inc 電子源、画像形成装置並びに配線基板の製造方法および該製造方法を用いた電子源、画像形成装置並びに配線基板
JP3321129B2 (ja) * 1999-11-17 2002-09-03 富士通株式会社 立体構造物転写方法及びその装置
JP4250345B2 (ja) 2000-02-08 2009-04-08 キヤノン株式会社 導電性膜形成用組成物、導電性膜の形成方法および画像形成装置の製造方法
KR20010095198A (ko) * 2000-03-31 2001-11-03 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 디스플레이 패널 및 그 제조방법
US6443059B1 (en) * 2001-02-07 2002-09-03 Apack Technologies Inc. Solder screen printing process
CN1248556C (zh) * 2002-08-05 2006-03-29 佳能株式会社 电极和布线材料吸收用底层图形形成材料及其应用
GB2392309B (en) * 2002-08-22 2004-10-27 Leica Microsys Lithography Ltd Substrate loading and unloading apparatus
KR101138428B1 (ko) * 2005-09-06 2012-04-26 삼성전자주식회사 잉크 패턴 인쇄 장치, 이를 이용한 잉크 패턴 형성 방법 및액정 표시 장치의 제조 방법
KR101157969B1 (ko) * 2005-09-12 2012-06-25 엘지디스플레이 주식회사 인쇄판 및 그를 이용한 액정표시소자 제조 방법
KR101192748B1 (ko) * 2005-12-30 2012-10-18 엘지디스플레이 주식회사 인쇄장비 및 이를 이용한 액정표시소자 제조방법
KR20070078447A (ko) * 2006-01-27 2007-08-01 삼성전자주식회사 잉크스페이서 가압장치 및 이를 이용한 표시패널의제조방법
KR100728386B1 (ko) * 2006-02-02 2007-06-13 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 전극제조방법 및 그 장치
TWI345110B (en) * 2006-09-05 2011-07-11 Ind Tech Res Inst Color backlight device and liquid crystal display thereof
KR100850717B1 (ko) * 2006-12-06 2008-08-06 삼성전자주식회사 이미지형성체와 그 제조장치 및 방법
KR101733585B1 (ko) * 2009-07-28 2017-05-11 삼성디스플레이 주식회사 잉크 패턴 형성 방법 및 잉크 패턴 인쇄 장치
KR101093075B1 (ko) * 2011-04-04 2011-12-13 한국기계연구원 패턴 인쇄 장치
DE102019219615A1 (de) 2019-12-13 2021-06-17 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Herstellungsverfahren für Edelmetall-Elektroden

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4209551A (en) * 1977-12-28 1980-06-24 Toppan Printing Co., Ltd. Method of fabricating a phosphor screen of a color television picture tube
JPS5928479B2 (ja) * 1979-12-03 1984-07-13 大日本スクリ−ン製造株式会社 凹版印刷版
US4479432A (en) * 1980-05-15 1984-10-30 Toppan Printing Co., Ltd. Thick film printing method
JPS58183283A (ja) * 1982-04-20 1983-10-26 Nissha Printing Co Ltd 薄膜印刷方法
JPS58191188A (ja) * 1982-04-30 1983-11-08 Nissha Printing Co Ltd 薄膜印刷方法
US4904895A (en) * 1987-05-06 1990-02-27 Canon Kabushiki Kaisha Electron emission device
DE3853744T2 (de) * 1987-07-15 1996-01-25 Canon Kk Elektronenemittierende Vorrichtung.
US4956578A (en) * 1987-07-28 1990-09-11 Canon Kabushiki Kaisha Surface conduction electron-emitting device
CA2019046C (en) * 1989-06-16 1998-05-12 Satoshi Okazaki Method of printing fine patterns
DE69121449T2 (de) * 1990-04-12 1997-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Leitende Tintenzusammensetzung und Verfahren zum Herstellen eines dickschichtigen Musters
US5362513A (en) * 1990-05-10 1994-11-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a pattern of conductive fine-line films and setting ink used for the same
US5272980A (en) * 1990-08-31 1993-12-28 Dai Nippon Printing Co. Ltd. Alignment method for transfer and alignment device
JPH04186229A (ja) * 1990-11-20 1992-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 補助電極付透明電極およびその製造方法
US5201268A (en) * 1990-12-25 1993-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Intaglio printing process and its application
JPH04280495A (ja) * 1991-03-08 1992-10-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 凹版オフセット印刷方法及び凹版オフセット印刷装置
JPH04290295A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板
JPH05241172A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金属ライン付透明電極
CA2112180C (en) * 1992-12-28 1999-06-01 Yoshikazu Banno Electron source and manufacture method of same, and image forming device and manufacture method of same
JP3205167B2 (ja) 1993-04-05 2001-09-04 キヤノン株式会社 電子源の製造方法及び画像形成装置の製造方法
JPH075836A (ja) * 1993-04-05 1995-01-10 Canon Inc 画像形成装置及び画像形成方法
US5838097A (en) * 1993-11-09 1998-11-17 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
US5996488A (en) * 1994-11-25 1999-12-07 Canon Kabushiki Kaisha Preparation of an electron source by offset printing electrodes having thickness less than 200 nm
JP3241613B2 (ja) * 1995-10-12 2001-12-25 キヤノン株式会社 電子放出素子、電子源および画像形成装置の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100558563C (zh) * 2006-02-03 2009-11-11 三星电子株式会社 印刷设备、凹版印刷法和使用该法制造显示装置的方法
CN104425497A (zh) * 2013-09-05 2015-03-18 瑞萨电子株式会社 半导体装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5996488A (en) 1999-12-07
CN1107883C (zh) 2003-05-07
US6457408B1 (en) 2002-10-01
DE69525310T2 (de) 2002-08-14
EP0714113B1 (en) 2002-02-06
DE69525310D1 (de) 2002-03-21
KR100356263B1 (ko) 2003-01-30
EP0714113A1 (en) 1996-05-29
KR960019376A (ko) 1996-06-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1107883C (zh) 生产电子源基片以及带有该基片的图像形成设备的方法
CA2129150C (en) Method of manufacturing electron-emitting device as well as electron source and image-forming apparatus
KR0154358B1 (ko) 전자 방출 소자
CA2151199C (en) Image-forming apparatus and manufacture method of same
DE69838232T2 (de) Elektronenemissionsvorrichtung mit segmentierter Anode und Bildanzeigevorrichtung
US5770918A (en) Electroconductive frit and image-forming apparatus using the same
AU721994B2 (en) Electron-emitting device and electron source and image- forming apparatus using the same as well as method of manufacturing the same
KR100347282B1 (ko) 전자 빔 장치와 화상 형성 장치
EP0725414A1 (en) Electron beam apparatus and method of driving the same
JP3174473B2 (ja) 電子放出素子の製造方法および加工装置
JP3267490B2 (ja) 電子源の製造方法
JP3217949B2 (ja) 電子放出素子、電子源、表示素子及び画像形成装置の製造方法
CN100438589C (zh) 电视机及图像显示装置
CN1444248A (zh) 带有支撑板的电子射线产生装置
JP3313905B2 (ja) 画像形成装置の製造方法
JP3472033B2 (ja) 電子源基板の製造方法および画像形成装置の製造方法
JP3135801B2 (ja) 画像形成装置の製造方法
AU724811B2 (en) Electron-emitting device
AU747308B2 (en) Method of manufacturing an electron-emitting device
AU747313B2 (en) Electron source and image-forming apparatus
JPH09300586A (ja) オフセット印刷装置、それに用いるブランケット、それらを用いたオフセット印刷方法及びそれらを用いた画像形成装置の製造方法
JP2000229398A (ja) オフセット印刷用ブランケット、オフセット印刷装置、オフセット印刷方法、並びにそれを用いた電子源及び画像形成装置の製造方法
JP3174482B2 (ja) 電子放出素子を用いた画像形成装置の作製方法
JPH09277586A (ja) 電子源、画像形成装置及びその製造方法
JP2000335073A (ja) オフセット印刷方法及び画像形成装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20030507

Termination date: 20131124