CN115188651A - 一种半导体设备反应源控制方法和一种半导体工艺设备 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种半导体设备反应源控制方法和半导体工艺设备，半导体设备包括源瓶、第一管路、第二管路、工艺腔室，第一管路的一端为进气端，另一端插入源瓶的源液中；第二管路的一端插入源瓶的非原液中，另一端与工艺腔室连通，且在从源瓶到工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，该方法包括：在工艺过程中，获取实时监测的源瓶压力值和工艺腔室压力值；获取开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；根据拟合曲线，确定与源瓶压力值、工艺腔室压力值对应的开阀角度值；根据开阀角度值，控制位置阀调整开阀角度的大小，从而保证进入工艺腔室的反应源的量一致，保证工艺的重复精度，提高反应源的利用率。

Description

一种半导体设备反应源控制方法和一种半导体工艺设备
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体设备反应源控制方法和一种半导体工艺设备。
背景技术
化学气相沉积(CVD，Chemical Vapor Deposition)工艺是反应物进入工艺腔室内，在一定压力和温度下进行的化学反应。反应物有些需要特殊合成后的液体存放在源瓶内，通过给源瓶加热，使液体汽化生成饱和蒸汽压存在于源瓶非液体环境中，利用载气的方式将生成的饱和蒸汽压携带出来进入工艺腔室，与其他反应气体反应生产需求的薄膜。
然而，因源瓶的体积是固定的，随着工艺的消耗，液体越来越少，生成的饱和蒸汽压也会降低，载气携带进入工艺腔室的量会存在差异，对于高端制程工艺，反应源每次进入腔室的量多少直接影响工艺的重复性。若不对反应源的量进行控制，也会造成进入腔室的量太多，未发生反应而被抽走造成浪费。因此，在工艺的过程中，如何保证进入工艺腔室的反应源的量一致，是亟需解决的问题。
发明内容
鉴于上述问题，提出了本发明实施例以便提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的一种半导体设备反应源控制方法和相应的一种半导体工艺设备。
为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种半导体设备反应源控制方法，所述半导体设备包括源瓶、管路、工艺腔室；所述管路包括第一管路和第二管路，其中，所述第一管路的一端为进气端，另一端插入所述源瓶的源液中；所述第二管路的一端插入所述源瓶中的液面上方，另一端与所述工艺腔室连通，且所述第二管路上在从所述源瓶到所述工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，所述第一压力规用于检测源瓶的压力；所述工艺腔室上设置有第二压力规，所述第二压力规用于检测工艺腔室的压力，所述方法包括：
在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值；
获取所述位置阀的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；所述拟合曲线用于表征所述位置阀的开阀角度值与所述源瓶压力值和所述工艺腔室压力值的映射关系；
根据所述拟合曲线，确定与所述当前源瓶压力值、所述当前工艺腔室压力值对应的所述位置阀的目标开阀角度值；
根据所述目标开阀角度值，控制所述位置阀调整开阀角度。
可选地，所述半导体设备还包括温控器，所述方法还包括：
当所述位置阀的开阀角度值达到预设角度阈值时，控制所述温控器提升源瓶温度。
可选地，还包括：
将所述位置阀设置在不同开阀角度值，以及记录在所述不同开阀角度值下的源瓶压力值和工艺腔室压力值；
根据在所述不同开阀角度值下的源瓶压力值和腔室的压力值，生成所述开阀角度值与源瓶压力值和腔室压力值的拟合曲线。
可选地，所述将所述位置阀设置在不同开阀角度值，以及记录在所述不同开阀角度值下的源瓶压力值和工艺腔室压力值，包括：
获取所述位置阀在最大开阀角度值下对应的所述源瓶压力值的初始值和所述工艺腔室压力值的初始值；
控制所述位置阀的开阀角度值减少预设角度值，以及记录所述源瓶当前的压力值以及所述工艺腔室当前的压力值；
判断所述位置阀的当前开阀角度值是否达到预设角度值；
若未达到，则重复所述控制所述位置阀的开阀角度值减少预设角度值，以及记录所述源瓶当前的压力值以及所述工艺腔室当前的压力值的步骤；
若达到，则记录结束。
可选地，所述拟合曲线的公式为S＝K1*R1*T1/(G13*V1)+K2*G23*V2/(R2*T2)，分子量n＝K3/S，其中S为开阀角度，K1、K2、K3为自学习系数，R1、R2为气体常数，V1和V2为体积，G1为源瓶压力，G2为工艺腔室压力。
可选地，所述管路还包括第三管路，其中，所述第三管路的一端连接所述第一管路，另一端连接所述第二管路；所述管路上设置有多个阀门，用于控制管路内气体的流通，所述方法还包括：
在所述工艺开始前，控制所述多个阀门的通断，以使从所述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输，而不经过源瓶；
在所述工艺过程中，控制所述多个阀门的通断，以使所述从所述第一管路进气端进入的气体经过源瓶传输，而不经过第三管路。
可选地，所述半导体设备还包括真空泵；所述管路还包括第四管路，所述第四管路的一端与所述工艺腔室连接，另一端与所述真空泵连接；所述第一管路的进气端设置有质量流量控制器；所述在所述工艺开始前，控制所述多个阀门的通断，使得从所述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输，而不经过源瓶，包括：
在所述工艺开始前，控制所述质量流量控制器设置工艺清扫需要的流量值，以及控制所述多个阀门的通断，以使从所述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输到所述工艺腔室，而不经过源瓶。
可选地，所述打开相应的阀门，使得从所述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输到所述工艺腔室，而不经过源瓶，还包括：
在所述气体传输预设时间后，控制所述多个阀门的通断，以使所述气体停止从所述第一管路进气端进入，以及打开真空泵，将所述管路抽成真空状态。
本发明实施例还公开了一种半导体工艺设备，所述半导体设备包括源瓶、管路、工艺腔室；所述管路包括第一管路和第二管路，其中，所述第一管路的一端为进气端，另一端插入所述源瓶中的液面上方；所述第二管路的一端插入所述源瓶的非原液中，另一端与所述工艺腔室连通，且所述第二管路上在从所述源瓶到所述工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，所述第一压力规用于检测源瓶的压力；所述工艺腔室上设置有第二压力规，所述第二压力规用于检测工艺腔室的压力，所述半导体工艺设备还包括：
控制器，用于在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值；获取所述位置阀的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；所述拟合曲线用于表征所述开阀角度值与所述源瓶压力值和所述工艺腔室压力值的映射关系；根据所述拟合曲线，确定与所述当前源瓶压力值、所述当前工艺腔室压力值对应的所述位置阀的目标开阀角度值；根据所述目标开阀角度值，控制所述位置阀调整开阀角度。
可选地，所述位置阀包括，
壳体，所述壳体为中空腔室；
通气接口，所述通气接口包括两个，分别位于所述壳体相对的两侧，所述通气接口一端插入所述壳体内部，另一端与所述第二管路连接；
阀板，所述阀板位于所述壳体内部，且位于所述壳体内部的两个所述通气接口之间，所述阀板的形状与所述壳体的横截面相配合；
伺服电机，所述伺服电机通过固定件与所述阀板连接，用于控制所述阀板的转动角度；所述控制器，用于通过控制所述伺服电机旋转所述阀板的转动角度，调整开阀角度大小。
可选地，所述半导体设备还包括：
加热带，所述加热带沿所述源瓶外部周向设置，用于提升所述源瓶温度；
温控器，用于接收所述控制器发送的升温指令，并根据所述升温指令，控制所述加热带提升温度；
所述控制器，还用于当所述位置阀的开阀角度值达到预设角度阈值时，向所述温控器发送升温指令。
本发明实施例包括以下优点：在本发明实施例中，在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值；获取开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；该拟合曲线用于表征位置阀的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的映射关系；根据拟合曲线，确定与当前源瓶压力值、当前工艺腔室压力值对应的位置阀的目标开阀角度值；根据目标开阀角度值，控制位置阀调整开阀角度的大小，从而可以根据源瓶压力和腔室压力变化及时响应位置阀开阀角度，实时调试进气量保证薄膜沉积的均匀性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的一种半导体设备反应源控制方法的步骤流程图；
图2是本发明实施例提供的一种反应源气路图；
图3是本发明实施例提供的一种位置阀的结构图；
图4是本发明实施例提供的另一种反应源气路图；
图5是本发明实施例提供的一种控制自学习流程图；
图6本发明实施例提供的一种工艺执行流程图；
图7是本发明实施例提供的一种工艺温度补偿功能流程图；
图8是本发明实施例提供的一种半导体工艺设备的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
在镀膜的工艺过程中，生成的薄膜质量与反应源的进气量正相关，进入的气体量多反应生成薄膜会偏厚，进气量少反应生成的薄膜会偏薄，现有技术中，为了提升薄膜均匀性，通常会通过调整反应源的载气流量和稀释气体流量来调整进气量，进而通过记录反应晶圆的数量来记录和补充气体流量来调整薄膜均匀性。
然而，通过改变质量流量控制器设定的流量值来改变载气和稀释气体的进气量的方式，不能够实时确定反应源的性质和压力，且需要经常变动质量流量控制器，导致工艺配方种类非常多，不利于管控易造成混用情况，对工艺影响非常大；随着工艺反应液态源的消耗，非液态源的空间增大，生成的饱和蒸汽压会增加，此时载气携带出来的反应物会增多，会导致反应薄膜沉积偏厚，对工艺结果造成影响；当反应液态源性质发生变化导致生成饱和蒸汽压的不足或者液态源很少时，不足以维持现有工艺使用，此时一般通过工艺结果或者腔室压力规的压力测试发现异常来更换源瓶，会使源瓶内的剩余源液浪费；而且，客户端对于每个批次前、批次中和后的工艺数据进行抽样点检和数据分析，若该片正常，则认为整个批次所有样片均正常，保证当前批次发现异常时能够及时被发现不流入下一个批次，该方式通过工艺结果直接表现出来，非常客观直接，但是若出现异常，整个批次所有工艺晶圆都要去确认和分析数据，滞后性比较大。
本发明实施例的核心构思之一在于，通过在源瓶出气管路上增加真空规和位置阀(可以实现0-100％角度开阀)，利用预先生成的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线，确定与源瓶压力值、工艺腔室压力值对应的开阀角度值，并通过调整对应位置阀的开阀角度，保证进入工艺腔室的反应源的量一致，保证工艺的重复精度。
参照图1，示出了本发明实施例提供的一种半导体设备反应源控制方法的步骤流程图，所述半导体设备包括源瓶、管路、工艺腔室；所述管路包括第一管路和第二管路，其中，所述第一管路的一端为进气端，另一端插入所述源瓶的源液中；所述第二管路的一端插入所述源瓶中的液面上方，另一端与所述工艺腔室连通，且所述第二管路上在从所述源瓶到所述工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，所述第一压力规用于检测源瓶的压力；所述工艺腔室上设置有第二压力规，所述第二压力规用于检测工艺腔室的压力，所述方法具体可以包括如下步骤：
步骤101，在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值。
作为一种示例，如图2所示为本发明提供的一种反应源气路图，200为源瓶，201为第一管路，202为第二管路，203为工艺腔室，204为位置阀，205为第一压力规，206为第二压力规，207为第三管路，208为质量流量控制器，209为第四管路，210为控制系统，211为真空泵，212为温控器。第一管路201远离源瓶200的一端为进气端，另一端插入源瓶200的源液中；第二管路202的一端插入源瓶200的非源液中即液面之上，另一端与工艺腔室203相连。第二管路202上的第一压力规205可以用于测量源瓶的压力，工艺腔室203上的第二压力规206可以用于测量工艺腔室203的压力。
示例性的，在工艺过程中，控制系统210可以实时监测第一压力规205检测的源瓶200出气压力和第二压力规206检测的工艺腔室203压力。
在本发明的一种实施例中，管路还包括第三管路，其中，第三管路的一端连接第一管路，另一端连接第二管路；管路上设置有多个阀门，用于控制管路内气体的流通，该控制方法还包括：在工艺开始前，控制多个阀门的通断，以使从第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输，而不经过源瓶；在工艺过程中，控制多个阀门的通断，以使从第一管路进气端进入的气体经过源瓶传输，而不经过第三管路。
作为一种示例，如图2所示为本发明实施例提供的一种反应源气路图，管路上可以设置有阀门a、b、c、d、e、位置阀、f、g等多个阀门，第三管路207为位于源瓶200外且连通第一管路201和第二管路202的管路，第三管路207的第一端口可以设置在第二管路202阀门b、c之间，第三管路207的第二端口可以设置在第二管路202上的阀门d、e之间。
作为一种示例，第三管路207可以用于工艺前清洗源瓶200外的管路，为了便于清洗充分，第三管道207的第一端口可以设置在靠近阀门c的地方，第三管道207的第二端口可以设置在靠近阀门d的地方。
示例性地，在工艺开始前，控制系统210可以控制多个阀门的通断，以使从第一管路201进气端进入的气体经过第三管路207传输，而不经过源瓶200；在工艺过程中，可以控制多个阀门的通断，以使从第一管路201进气端进入的气体经过源瓶200传输，而不经过第三管路207。
例如，在工艺开始前，可以控制阀门a、b、f、e打开，位置阀204开度100％，使气体从进气口经过第三管路207，进行管路吹扫清洗，去除管路杂质气体。
例如，在工艺的过程中，可以控制阀门a、b、c、d、e打开，控制位置阀204设置预设开阀角度，使气体经过源瓶200传输，而不经过第三管路207。在工艺的过程中，可以依次打开阀a、b、c、d、e，气体携带源瓶200内部气体进入工艺腔室209，与另一种工艺气体反应。
需要说明的是，为了便于控制源瓶的进气，阀门e可以设置在源瓶200外且靠近源瓶200进气口位置的第一管路201上；为了便于控制源瓶200的出气，阀门d可以设置在源瓶200外且靠近源瓶200出气口位置的第二管路202上；第一压力规205，用于检测源瓶200出气端的压力，设置在阀门d和阀门e之间的第二管路202上，在实际的应用中，为了便于更准确的反应源瓶200的压力，可以将第一压力规205设置在靠近阀门d的位置；位置阀204用于控制进入工艺腔室203的气体分子量，为了便于更准确控制进入工艺腔室203的气体分子量，可以设置在靠近工艺腔室203的管路上。
另外，为了进一步控制源瓶的进出气可以设置阀门e，阀门e的位置可以是第一压力规205和位置阀204之间的第二管路202的任意地方，本领域技术人员可以根据实际情况进行设置，本发明实施例在此不做限制。
此外，本领域技术人员应该可以理解，上述的阀门位置的设置仅仅是本发明的示例，本领域技术人员可以采用其他方式进行设置，本发明在此不作限制。
在本发明的一种实施例中，半导体设备还包括真空泵；管路还包括第四管路，第四管路的一端与工艺腔室连接，另一端与真空泵连接；第一管路的进气端设置有质量流量控制器；在所述工艺开始前，控制多个阀门的通断，使得从第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输，而不经过源瓶，包括：在工艺开始前，控制质量流量控制器设置工艺清扫需要的流量值，以及控制多个阀门的通断，以使从第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输到工艺腔室，而不经过源瓶。
作为一种示例，第四管路209可以为连通工艺腔室203与真空泵211的管路，第四管路209上设置有阀门g，用于控制真空泵与工艺腔室之间的通断。
作为一种示例，在工艺开始前，可以控制质量流量控制器208设置工艺清扫需要的流量值，打开阀门a、b、f、e，位置阀开度100％，使气体从进气口经过第三管路207，进行管路吹扫清洗，去除管路杂质气体。
在本发明的一种实施例中，打开相应的阀门，使得从第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输到工艺腔室，而不经过源瓶，还包括：在气体传输预设时间后，控制多个阀门的通断，以使气体停止从第一管路进气端进入，以及打开真空泵，将管路抽成真空状态。
作为一种示例，在进行管路清扫的过程中，气体在传输预设时间后，可以控制阀门的通断，以使进气口停止进气，并打开真空泵211，抽取管路内剩余气体，以使管路内呈真空状态。
例如，在进气流通30秒后，可以关闭阀门a，其他阀状态不变，气体通过工艺腔室203、以及打开阀门g的第四管路209和真空泵211，利用真空泵211将管路抽成真空状态，抽真空20秒，循环多次，完成管路吹扫和准备工作。
步骤102，获取开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；该拟合曲线用于表征位置阀的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的映射关系。
示例性地，控制系统可以获取位置阀的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线。其中，该拟合曲线可以表征开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的映射关系。例如，可以根据获取的当前源瓶压力值和工艺腔室压力值，通过开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的映射关系，得到对应的开阀角度值。
在本发明的一种实施例中，将位置阀设置在不同开阀角度值，以及记录在不同开阀角度值下的源瓶压力值和工艺腔室压力值；根据在不同开阀角度值下的源瓶压力值和腔室的压力值，生成开阀角度值与源瓶压力值和腔室压力值的拟合曲线。
示例性地，在工艺前，可以将位置阀204设置不同的开阀角度，并记录不同开阀角度下的源瓶压力值和腔室压力值，可以根据在不同开阀角度值下的源瓶压力值和腔室的压力值，生成开阀角度值与源瓶压力值和腔室压力值的拟合曲线。
作为一种示例，如图2所示为本发明实施例提供的一种反应源气路图，在对管路清扫完毕后，此时阀a处于关闭状态，可以打开阀门b、c、d、e、g，位置阀204的开阀角度S设置为100％，待管路气体稳定30秒后，打开阀a，开始进行自学习：
例如，设置位置阀204的初始角度为100％，记录初始开阀角度对应的源瓶压力值G10和工艺腔室的压力值G20，修改位置阀的角度到90％，记录第一压力规205的当前测试值G19和第二压力规206的当前测试值G29；其它设置不变，再修改位置阀的角度到80％，记录第一压力规205的当前测试值G18和第二压力规206的当前测试值G28；以此类推，直至位置阀204的开阀角度修改为10％时，记录第一压力规205的当前测试值G11和第二压力规206的当前测试值G21。根据记录的10％到100％开阀角度下的源瓶压力值和腔室的压力值，生成开阀角度值与源瓶压力值和腔室压力值的拟合曲线。
示例性地，如图3所示为本发明实施例提供的一种位置阀的结构图，位置阀包括，壳体2041，通气接口2042，阀板2043，伺服电机2044，固定件2045。其中，壳体2041为中空腔室；通气接口2042包括两个，分别位于壳体2041相对的两侧，通气接口2042一端插入壳体2041内部，另一端与第二管路202连接；阀板2043位于壳体2041内部，且位于壳体2041内部的两个通气接口2042之间，阀板2043的形状与壳体2041的横截面相配合；伺服电机2044通过固定件2045与阀板2043连接，用于控制阀板2043的转动角度。
作为一种示例，壳体可以为圆柱体，壳体在垂直于第二管路方向的截面可以为圆形，阀板可以为与壳体截面相配合的圆形。
作为一种示例，可以利用伺服电机旋转来实现阀板位置控制，实现0-100％角度开阀，例如，开阀角度值为100％时，阀板旋转90°。此外，可以利用控制系统驱动伺服电机旋转来实现开阀角度的控制。
需要说明的是，位置阀204起抑流作用，在位置阀204后端的真空泵211抽速一定时，阀的角度开度越小，抑流作用越好，经过位置阀204的气体越少，进入工艺腔室203的气体分子量越少；当角度变大，抑流作用减弱，经过位置阀204的气体越多，进入工艺腔室203的气体分子量越多，因此，在一定工艺时间后，源瓶200较多的气体分子量因流入工艺腔室203，从而源瓶200气体分子量减少。
在本发明的一种实施例中，拟合曲线的公式为S＝K1*R1*T1/(G13*V1)+K2*G23*V2/(R2*T2)，分子量n＝K3/S，其中S为开阀角度，K1、K2、K3为自学习系数，R1、R2为气体常数，V1和V2为体积，G1为源瓶压力，G2为工艺腔室压力。
作为一种示例，开阀角度与源瓶压力和腔室压力的拟合曲线的拟合公式，可以由理想气体方程PV＝nRT(其中P为压力，V为体积，n为分子量，R为气体常数，T为K氏温度)推导，气体分子量与压力和体积成正比，和温度成反比，在真空泵211抽速不变的情况下，其中位置阀204的开阀的角度越大，分子量减少的会越多，进入工艺腔室203的分子量就越多，因此，可得拟合曲线公式S＝K1*R1*T1/(G13*V1)+K2*G23*V2/(R2*T2)，分子量n＝K3/S，其中S为开阀角度，K1、K2、K3为自学习系数，R1、R2为气体常数，V1和V2为体积，G1为源瓶压力，G2为工艺腔室压力。
在本发明的一种实施例中，将位置阀设置在不同开阀角度值，以及记录在不同开阀角度值下的源瓶压力值和工艺腔室压力值，包括：获取位置阀在最大开阀角度下源瓶压力值的初始值和工艺腔室压力值的初始值；控制位置阀的开阀角度值减少预设角度值，以及记录源瓶当前的压力值以及工艺腔室当前的压力值；判断位置阀的当前开阀角度值是否达到预设角度值；若未达到，则重复控制位置阀的开阀角度值减少预设角度值，以及记录源瓶当前的压力值以及工艺腔室当前的压力值的步骤；若达到，则记录结束。
例如，对管路吹扫完毕后，此时阀a处于关闭状态，可以打开阀门b、c、d、e、g，位置阀204的开阀角度S设置为100％，稳定管路气体30秒后，开始进行自学习：打开阀a，待第二压力规的压力值稳定后，记录第一压力规205测量的源瓶压力G10和第二压力规206测量的工艺腔室压力G20；控制开阀角度S减少10％，记录源瓶200此时的压力值以及工艺腔室203此时的压力值；判断S是否为10％，若S不为10％，则继续将S减少10％，并记录此时源瓶200的压力值以及此时腔室203的压力值，若未达到，则重复将S减少10％，并记录此时源瓶200的压力值以及此时腔室203的压力值的步骤；若达到，则记录结束，学习完成。
此外，开阀角度可以利用位置阀204中的伺服电机旋转来实现阀板位置控制，实现0-100％角度开阀，可以利用控制系统210驱动伺服电机旋转来实现需求角度。
步骤103，根据拟合曲线，确定与当前源瓶压力值、当前工艺腔室压力值对应的目标开阀角度值。
示例性地，在工艺的过程中，控制系统可以实时获取源瓶压力规检测到的压力值以及腔室压力规检测到的压力值，并根据开阀角度与源瓶压力和腔室压力的拟合曲线，确定与当前源瓶压力值、当前工艺腔室压力值对应的开阀角度值。
例如，在具体的实施过程中，可以通过质量流量控制器208设置固定流量M1，打开阀门a、b、c、d、e、g，设置位置阀204的初始开阀角度为S1，第一压力规205和第二压力规206分别实时检测源瓶压力值和腔室压力值，并反馈给控制系统210，控制系统210根据开阀角度与源瓶压力和腔室压力的拟合公式，计算得到需要调整的开阀角度S2。
需要说明的是，不同工艺的沉积膜厚存在一定的差异，如功率器件需要厚膜或者薄膜，可以根据一些实际工艺测试结果来确定，位置阀的开阀角度大小也是根据实际工艺测试结果调整初始值。例如，有些工艺对于均匀性要求不高，但是产能要求高的厚膜工艺，可以适当增大角度，另外有些均匀性要求高的薄膜工艺，需要多次循环沉积，开阀角度越小结果更好。本领域技术人员可以根据实际情况进行设置，本发明实施例在此不做限制。
步骤104，根据目标开阀角度值，控制位置阀调整开阀角度的大小。
示例性地，控制系统可以根据目标开阀角度值，控制位置阀调整开阀角度的大小。例如，可以根据计算得到需要调整的开阀角度S2，并控制位置阀开阀角度由S1调整至S2，从而保证每次通入工艺腔室的反应源的分子量都是固定的。
作为一种示例，随着工艺的执行，源瓶200内的液体逐渐消耗，会导致源瓶200内非液体部分的饱和蒸汽压的空间变大，生成的饱和蒸汽压反应物就越多，会导致载气压力升高，控制系统210可以获取第一压力规205检测到的源瓶压力值以及第二压力规206检测到的工艺腔室压力值，根据开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线，计算得到对应的开阀角度值，控制位置阀204的开阀角度关小。
在本发明的一种实施例中，半导体设备还包括温控器，控制方法还包括：当位置阀的开阀角度值达到预设角度阈值时，控制温控器提升源瓶温度。
在本发明实施例中，随着工艺长时间进行，源瓶内反应源消耗越来越多，源瓶内非液体部分的体积增大，当源瓶内的反应源减少到一定阈值(例如小于源瓶的五分之一)时，饱和蒸汽压生成分子量减少，需要提高温度才能补充气体产生的分子量。
示例性地，控制系统210可以获取第一压力规205检测到的源瓶压力值以及第二压力规206检测到的工艺腔室压力值，可以根据开阀角度与源瓶压力和腔室压力的拟合公式，计算得到需要调整的开阀角度S2，若S2大于预设开阀角度阈值，则控制温控器212提升源瓶的温度，同时将位置阀204的开阀角度调整到S2，实现通入腔室的反应源流量固定。
需要说明的是，饱和蒸气压的生成跟温度、体积、分子量等有关系，但是，当反应源减少到预设反应源阈值时，例如，反应源只有源瓶体积的五分之一时，因反应源量减少较多，且会出现部分失效情况，导致生成的饱和蒸气压生成分子量不足，因此压力减小。
在本发明实施例中，在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值；获取开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；所述拟合曲线用于表征所述开阀角度值与所述源瓶压力值和所述工艺腔室压力值的映射关系；根据所述拟合曲线，确定与所述当前源瓶压力值、所述当前工艺腔室压力值对应的目标开阀角度值；根据所述目标开阀角度值，控制所述位置阀调整开阀角度的大小，从而可以根据源瓶压力和腔室压力变化及时响应位置阀开阀角度，实时调试进气量保证薄膜沉积的均匀性，以及通过控制系统的实时监控，对于其它因素引起的进气量变化如质量流量控制器的进气量变化和工艺腔室真空泵的抽速变化也能够及时响应。
参照图4，示出了本发明实施例提供的另一种反应源气路图，301为源瓶，302为源瓶内非液体部分，303为源瓶加热带，304为源瓶内液态源，311-320为气动隔膜阀，321为位置阀，322为工艺腔室，323为隔离阀，324为真空泵。源瓶301设置有加热带303，工艺腔室322设置有工艺腔室压力规Gauge2，第一管路从远离源瓶的进气端到插入源瓶内液态源304的另一端的方向上，依次设置有阀门311、312、314、315，第二管路从插入源瓶内非液体部分302的一端到与工艺腔室322相连的另一端的方向上，依次设置有阀门318、源瓶压力规Gauge1、阀门317、位置阀321。具体工艺流程可以包括以下步骤：
1)在工艺开始前，可以对管路进行清扫，去除杂质气体。
例如，可以控制阀门311、312、314、316、317打开，位置阀321开度100％，质量流量控制器MFC1设定工艺吹扫需要的流量值，进行管路吹扫清洗，流气30秒后，关闭阀门311，其他阀状态不变，气体通过工艺腔室322，再进入真空泵324将管路抽成真空状态，抽真空20秒，循环多次，完成管路吹扫和准备工作。其中，工艺开始前，所有阀门可以处于关闭状态。
2)工艺前通过调整位置阀321的开阀角度，以及记录不同开阀角度下的源瓶301和腔室322的压力值，进行自学习和校准。
例如，对管路吹扫完毕后，此时阀311处于关闭状态，可以通过质量流量控制器MFC1设置工艺所需载气流量，打开阀门312、314、315、318、317、323，位置阀321开阀角度S设置为100％，稳定管路气体30秒后，开始进行自学习：打开阀311，工艺腔室Gauge2压力值稳定后，记录Gauge1的压力G10和Gauge2的压力G20；控制开阀角度S减少10％，记录源瓶此时的压力值以及腔室此时的压力值；判断开阀角度S是否为10％，若S不为10％，则继续将S减少10％，并记录此时源瓶的压力值以及此时腔室的压力值，直至S为10％，结束学习。
作为一种示例，如图5所示为本发明实施例提供的一种控制自学习流程图：
S501，自学习开始；
S502，MFC1设定载气流量值；
S503，源瓶温度稳定；
S504，打开阀门312、314、315、318、317、323；
S505，位置阀设置开阀角度值为100％；
S506，30秒后打开阀门311；
S507，打开阀门323；
S508，记录源瓶初始压力值G10和腔室初始压力值G20；
S509，控制开阀角度S减少10％；
S520，记录源瓶压力值G1以及腔室压力值G2；
S521，判断开阀角度S是否为10％；
S522，若是，则结束学习；若不是，则返回步骤S509。
3)根据记录的不同开阀角度下的源瓶和腔室的压力值，得到开阀角度与源瓶压力和腔室压力的拟合曲线。
例如，根据记录的不同开阀角度下的源瓶和腔室的压力值，以及理想气体方程PV＝nRT(其中P为压力，V为体积，n为分子量，R为气体常数，T为K氏温度)，可以推导出拟合曲线公式S＝K1*R1*T1/(G13*V1)+K2*G23*V2/(R2*T2)，分子量n＝K3/S，其中S为开阀角度，K1、K2、K3为自学习系数，R1、R2为气体常数，V1和V2为体积。
4)开始工艺，控制系统获取实时监测的Gauge1检测到的源瓶压力值以及Gauge2检测到的工艺腔室的压力值，并根据开阀角度与源瓶压力和腔室压力的拟合曲线，控制位置阀调整开阀角度的大小。
示例性地，在工艺的过程中，可以控制阀门311、312、314、315、318、317依次打开，控制位置阀321设置预设开阀角度，使气体经过源瓶传输，而不经过第三管路，气体携带源瓶1内部气体进入反应腔室322，与另一种工艺气体反应。
在具体的实施过程中，可以由质量流量控制器MFC1设定工艺需要的流量M1，打开阀门311、312、314、315、318、317、323，设置位置阀的初始开阀角度为S1，源瓶压力规Gauge1和工艺腔室Gauge2压力规分别实时检测源瓶压力值和腔室压力值，并反馈给控制系统，控制系统根据开阀角度与源瓶压力和腔室压力的拟合公式，计算得到需要调整的开阀角度S2，并控制位置阀调整开阀角度至S2，从而保证每次通入腔室322的反应源的分子量都是固定的。
作为一种示例，如图6所示为本发明实施例提供的一种工艺执行流程图：
S601，接收工艺执行指令；
S602，设定固定开阀角度S1；
S603，读取源瓶压力值G1和腔室压力值G2；
S604，拟合公式计算开阀角度S2；
可以根据开阀角度与源瓶压力和腔室压力的拟合公式，计算得到需要调整的开阀角度S2。
S605，驱动位置阀旋转到S2，并返回步骤S603；
S606，收到工艺结束指令，退出。
5)补充反应源气体分子量。
如图4所示为本发明实施例提供的另一种反应源气路图，加热带303，沿所述源瓶301外部周向设置，用于提升源瓶301温度；温控器，用于接收控制器发送的升温指令，并根据升温指令，控制加热带提升温度；控制器，还用于当位置阀的开阀角度值达到预设角度阈值时，向温控器发送升温指令。
示例性地，当位置阀的开阀角度达到预设阈值时，控制器中的控制系统控制温控器提升源瓶加热带303温度，同时增大位置阀321的角度，实现通入工艺腔室322的反应源流量固定。
例如，控制系统获取源瓶压力规检测到的压力值以及工艺腔室压力规检测到的压力值，根据开阀角度与源瓶压力和工艺腔室压力的拟合公式，计算得到需要调整的开阀角度S2，若S2大于预设开阀角度阈值，则控制温控器提升加热带303的温度，同时增大位置阀321的角度，实现通入腔室322的反应源流量固定。
作为一种示例，如图7所示为本发明实施例提供的一种工艺温度补偿功能流程图：
S701，接收工艺执行指令；
S702，设定固定开阀角度S1；
S703，读取源瓶压力值G1和腔室压力值G2；
S704，拟合公式计算开阀角度S2；
S705，驱动位置阀旋转到S2；
S706，S2>S1+5％；
S707，源瓶温度提升5℃，并返回步骤S703；
S708，收到工艺结束指令，退出。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
参照图8，示出了本发明实施例提供的一种半导体工艺设备的结构框图，上述半导体设备801包括源瓶、第一管路、第二管路、工艺腔室，其中，上述第一管路的一端为进气端，另一端插入上述源瓶的源液中；上述第二管路的一端插入上述源瓶的非原液中，另一端与上述工艺腔室连通，且在从上述源瓶到上述工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，上述第一压力规用于检测源瓶出气压力；上述工艺腔室上设置有第二压力规，上述第二压力规用于检测工艺腔室压力，上述半导体工艺设备801还包括：
控制器8011，用于在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值；获取开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；上述拟合曲线用于表征上述开阀角度值与上述源瓶压力值和上述工艺腔室压力值的映射关系；根据上述拟合曲线，确定与上述当前源瓶压力值、上述当前工艺腔室压力值对应的目标开阀角度值；根据上述目标开阀角度值，控制上述位置阀调整开阀角度的大小。
在本发明一个可选的实施例中，上述位置阀包括，
壳体，上述壳体为中空腔室；
通气接口，上述通气接口包括两个，分别位于上述壳体沿上述第二管路方向的两侧，上述通气接口一端插入上述壳体内部，另一端与上述第二管路连接；
阀板，上述阀板位于上述壳体内部，且位于上述壳体内部的两个上述通气接口之间，上述阀板的形状与上述壳体的横截面相配合；
伺服电机，上述伺服电机通过固定件与上述阀板连接，用于控制上述阀板的转动角度；上述控制器，用于通过控制上述伺服电机旋转上述阀板的转动角度，调整开阀角度大小。
在本发明一个可选的实施例中，上述半导体设备还包括：
加热带，上述加热带沿上述源瓶外部周向设置，用于提升上述源瓶温度；
温控器，用于接收上述控制器发送的升温指令，并根据上述升温指令，控制上述加热带提升温度；
上述控制器，还用于当上述位置阀的开阀角度值达到预设角度阈值时，向上述温控器发送升温指令。
在本发明一个可选的实施例中，上述半导体设备还包括温控器，上述控制器，用于当上述位置阀的开阀角度值达到预设角度阈值时，控制上述温控器提升源瓶温度。
在本发明一个可选的实施例中，上述控制器，还用于将上述位置阀设置在不同开阀角度值，以及记录在上述不同开阀角度值下的源瓶压力值和工艺腔室压力值；根据在上述不同开阀角度值下的源瓶压力值和腔室的压力值，生成上述开阀角度值与源瓶压力值和腔室压力值的拟合曲线。
在本发明一个可选的实施例中，上述将上述位置阀设置在不同开阀角度值，以及记录在上述不同开阀角度值下的源瓶压力值和工艺腔室压力值，上述控制器，用于获取上述源瓶压力值的初始值和上述工艺腔室压力值的初始值；控制上述位置阀的开阀角度值减少预设角度值，以及记录上述源瓶当前的压力值以及上述工艺腔室当前的压力值；判断上述位置阀的当前开阀角度值是否达到预设角度值；若未达到，则重复上述控制上述位置阀的开阀角度值减少预设角度值，以及记录上述源瓶当前的压力值以及上述工艺腔室当前的压力值的步骤；若达到，则记录结束。
在本发明一个可选的实施例中，上述拟合曲线的公式为S＝K1*R1*T1/(G13*V1)+K2*G23*V2/(R2*T2)，分子量n＝K3/S，其中S为开阀角度，K1、K2、K3为自学习系数，R1、R2为气体常数，V1和V2为体积，G1为源瓶压力，G2为工艺腔室压力。
在本发明一个可选的实施例中，上述管路还包括第三管路，其中，上述第三管路的一端连接上述第一管路，另一端连接上述第二管路；上述管路内包括多个阀门，用于控制管路内其他的流通，上述控制器，还用于在上述工艺开始前，控制上述多个阀门的通断，以使从上述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输，而不经过源瓶；在上述工艺过程中，控制上述多个阀门的通断，以使上述从上述第一管路进气端进入的气体经过源瓶传输，而不经过第三管路。
在本发明一个可选的实施例中，上述半导体设备还包括真空泵；上述管路还包括第四管路，上述第四管路的一端与上述工艺腔室连接，另一端与上述真空泵连接；上述第一管路的进气端设置有质量流量控制器；上述在上述工艺开始前，控制上述多个阀门的通断，使得从上述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输，而不经过源瓶，上述控制器，用于在上述工艺开始前，控制上述质量流量控制器设置工艺清扫需要的流量值，以及控制上述多个阀门的通断，以使从上述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输到上述工艺腔室，而不经过源瓶。
在本发明一个可选的实施例中，上述打开相应的阀门，使得从上述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输到上述工艺腔室，而不经过源瓶，上述控制器，还用于在上述气体传输预设时间后，控制上述多个阀门的通断，以使上述气体停止从上述第一管路进气端进入，以及打开真空泵，将上述管路抽成真空状态。
对于设备实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种半导体设备反应源控制方法和一种半导体工艺设备，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (11)

1.一种半导体设备反应源控制方法，其特征在于，所述半导体设备包括源瓶、管路、工艺腔室；所述管路包括第一管路和第二管路，其中，所述第一管路的一端为进气端，另一端插入所述源瓶的源液中；所述第二管路的一端插入所述源瓶中的液面上方，另一端与所述工艺腔室连通，且所述第二管路上在从所述源瓶到所述工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，所述第一压力规用于检测源瓶的压力；所述工艺腔室上设置有第二压力规，所述第二压力规用于检测工艺腔室的压力，所述方法包括：
在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值；
获取所述位置阀的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；所述拟合曲线用于表征所述位置阀的开阀角度值与所述源瓶压力值和所述工艺腔室压力值的映射关系；
根据所述拟合曲线，确定与所述当前源瓶压力值、所述当前工艺腔室压力值对应的所述位置阀的目标开阀角度值；
根据所述目标开阀角度值，控制所述位置阀调整开阀角度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体设备还包括温控器，所述方法还包括：
当所述位置阀的开阀角度值达到预设角度阈值时，控制所述温控器提升源瓶温度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：
将所述位置阀设置在不同开阀角度值，以及记录在所述不同开阀角度值下的源瓶压力值和工艺腔室压力值；
根据在所述不同开阀角度值下的源瓶压力值和腔室的压力值，生成所述开阀角度值与源瓶压力值和腔室压力值的拟合曲线。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述位置阀设置在不同开阀角度值，以及记录在所述不同开阀角度值下的源瓶压力值和工艺腔室压力值，包括：
获取所述位置阀在最大开阀角度值下对应的所述源瓶压力值的初始值和所述工艺腔室压力值的初始值；
控制所述位置阀的开阀角度值减少预设角度值，以及记录所述源瓶当前的压力值以及所述工艺腔室当前的压力值；
判断所述位置阀的当前开阀角度值是否达到预设角度值；
若未达到，则重复控制所述位置阀的开阀角度值减少预设角度值，以及记录所述源瓶当前的压力值以及所述工艺腔室当前的压力值的步骤；
若达到，则记录结束。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述拟合曲线的公式为S＝K1*R1*T1/(G13*V1)+K2*G23*V2/(R2*T2)，分子量n＝K3/S，其中S为开阀角度，K1、K2、K3为自学习系数，R1、R2为气体常数，V1和V2为体积，G1为源瓶压力，G2为工艺腔室压力。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述管路还包括第三管路，其中，所述第三管路的一端连接所述第一管路，另一端连接所述第二管路；所述管路上设置有多个阀门，用于控制管路内气体的流通，所述方法还包括：
在所述工艺开始前，控制所述多个阀门的通断，以使从所述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输，而不经过源瓶；
在所述工艺过程中，控制所述多个阀门的通断，以使从所述第一管路进气端进入的气体经过源瓶传输，而不经过第三管路。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述半导体设备还包括真空泵；所述管路还包括第四管路，所述第四管路的一端与所述工艺腔室连接，另一端与所述真空泵连接；所述第一管路的进气端设置有质量流量控制器；所述在所述工艺开始前，控制所述多个阀门的通断，使得从所述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输，而不经过源瓶，包括：
在所述工艺开始前，控制所述质量流量控制器设置工艺清扫需要的流量值，以及控制所述多个阀门的通断，以使从所述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输到所述工艺腔室，而不经过源瓶。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述打开相应的阀门，使得从所述第一管路进气端进入的气体经过第三管路传输到所述工艺腔室，而不经过源瓶，还包括：
在所述气体传输预设时间后，控制所述多个阀门的通断，以使所述气体停止从所述第一管路进气端进入，以及打开真空泵，将所述管路抽成真空状态。
9.一种半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体设备包括源瓶、管路、工艺腔室；所述管路包括第一管路和第二管路，其中，所述第一管路的一端为进气端，另一端插入所述源瓶的源液中；所述第二管路的一端插入所述源瓶中的液面上方，另一端与所述工艺腔室连通，且所述第二管路上在从所述源瓶到所述工艺腔室的方向上，依次设置有第一压力规、位置阀，所述第一压力规用于检测源瓶的压力；所述工艺腔室上设置有第二压力规，所述第二压力规用于检测工艺腔室的压力，所述半导体工艺设备还包括：
控制器，用于在工艺过程中，获取实时监测的当前源瓶压力值和当前工艺腔室压力值；获取所述位置阀的开阀角度值与源瓶压力值和工艺腔室压力值的拟合曲线；所述拟合曲线用于表征所述开阀角度值与所述源瓶压力值和所述工艺腔室压力值的映射关系；根据所述拟合曲线，确定与所述当前源瓶压力值、所述当前工艺腔室压力值对应的所述位置阀的目标开阀角度值；根据所述目标开阀角度值，控制所述位置阀调整开阀角度。
10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述位置阀包括，
壳体，所述壳体为中空腔室；
通气接口，所述通气接口包括两个，分别位于所述壳体相对的两侧，所述通气接口一端插入所述壳体内部，另一端与所述第二管路连接；
阀板，所述阀板位于所述壳体内部，且位于所述壳体内部的两个所述通气接口之间，所述阀板的形状与所述壳体的横截面相配合；
伺服电机，所述伺服电机通过固定件与所述阀板连接，用于控制所述阀板的转动角度；所述控制器，用于通过控制所述伺服电机旋转所述阀板的转动角度，调整开阀角度大小。
11.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述半导体设备还包括：
加热带，所述加热带沿所述源瓶外部周向设置，用于提升所述源瓶温度；
温控器，用于接收所述控制器发送的升温指令，并根据所述升温指令，控制所述加热带提升温度；
所述控制器，还用于当所述位置阀的开阀角度值达到预设角度阈值时，向所述温控器发送升温指令。
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