CN115172148A - 一种太阳能电池的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：对P型硅片正面进行制绒、在正面生长隧穿氧化层、依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜、对非金属化区域进行开窗处理、对开窗区域进行制绒、磷扩散和退火处理、背面刻蚀和正面清洗。本发明太阳能电池的制备方法具有工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、对底层发射极损伤小等优点，由此制得的太阳能电池具有更好的效率，与常规PERC电池制备路线高度重合，只需要增加CVD的设备用来制备poly‑finger结构，即可以有效利用现有产线完成生产，有利于进一步降低制备成本，更适合于推广应用。

Description

一种太阳能电池的制备方法
技术领域
本发明属于光伏技术领域，涉及一种太阳能电池的制备方法。
背景技术
PERC电池是目前市场上的主流太阳能电池，其中量产的PERC电池效率水平可以达到23.0～23.5％，但再往上提升电池效率难度较大，主要受限于界面以及金属下的钝化。目前，在PERC电池中，采用选择性发射极技术，在金属下实现重磷掺杂，可以改善电池效率，但是金属下的复合仍比较高，成为限制电池效率提升的主要因素。另外，通过在PERC电池正面制作隧穿接触结构(poly-finger结构)，也可以改善电池效率，但是现有制备PERC电池的方法中主要采用以下方式制备poly-finger结构，如采用先正面poly-Si、掩膜、湿法刻蚀、磷扩散和退火的方式制备poly-finger结构，该工艺仍然存在以下缺陷：工艺复杂，增加清洗工序多，良率难以保证，印刷掩膜，增加污染风险，量产可行性小；湿法刻蚀精度差，图案化掩膜下poly-Si宽度会受到刻蚀影响，无法做到很细，且工艺窗口小；由于并非采用单纯的原位掺杂方式，通过退火和磷扩散的方式同时形成轻重掺杂比较难控制，结果是不利于降低金属下的复合，使得电池效率难以有效提升。又如，采用直接激光开窗和二次扩散的方式制备poly-finger结构，同样存在工艺流程复杂且工艺窗口较小而导致的不易控制等缺陷，而且直接激光开窗容易对底层发射极造成损伤，也使得电池效率难以有效提升。因此，获得一种工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、效率高的太阳能电池的制备方法，对于太阳能电池的推广和应用具有重要意义。
发明内容
本发明要解决的技术问题是，提供一种工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、效率高的太阳能电池的制备方法。
为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案。
一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
S1、对P型硅片正面进行制绒；
S2、在P型硅片正面生长隧穿氧化层；
S3、在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜；所述掩膜为氧化硅薄膜和/或磷掺杂氧化硅薄膜；
S4、采用激光对非金属化区域进行开窗处理，去除掩膜；
S5、对开窗区域进行制绒；
S6、对P型硅片正面进行磷扩散和退火处理，在开窗区域形成轻掺杂n型发射极以及在未开窗区域形成隧穿钝化接触结构；
S7、对P型硅片背面进行刻蚀和对P型硅片正面进行清洗，完成对太阳能电池的制备。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S2中，采用化学氧化法、热氧法、PECVD法或ALD法在P型硅片正面生长隧穿氧化层；所述隧穿氧化层的厚度为0.5nm～2.5nm；所述隧穿氧化层为氧化硅层。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S3中，采用PECVD法或PVD法在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜；所述磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为30nm～300nm；所述磷掺杂非晶硅薄膜的磷掺杂浓度为1E20cm-3～1E21cm-3。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S3中，所述磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为60nm～150nm；所述磷掺杂非晶硅薄膜的磷掺杂浓度为2E20cm-3～7E20cm-3。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S1中，采用碱性溶液对P型硅片正面进行制绒，形成金字塔绒面；所述金字塔绒面的尺寸为0.5μm～3μm；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、TMAH溶液中的至少一种；所述P型硅片的电阻率为0.3Ω·cm～7Ω·cm。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S4中，所述开窗处理完成后，未被去除的金属化区域的保留宽度为30μm～200μm。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S5中，采用碱性溶液对开窗区域进行制绒，去除激光损伤并在非金属化区域硅片表面形成金字塔绒面；所述金字塔绒面的尺寸为0.5μm～3μm；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、TMAH溶液中的至少一种。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S6中，所述磷扩散的温度为800℃～950℃；所述退火处理的温度为800℃～950℃；所述轻掺杂n型发射极的扩散方阻为120～250Ω/sq。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S7中，采用氢氟酸和硝酸的混合溶液对硅片背面进行刻蚀，去除背面和边缘绕扩PSG；采用氢氟酸溶液对硅片正面进行清洗，去除掩膜和PSG。
上述的制备方法，进一步改进的，步骤S8中，在刻蚀和清洗完成后，还包括：在P型硅片正面和背面生长钝化层、在P型硅片正面和背面生长减反射层、背面开窗、金属化、烧结和后处理。
上述的制备方法，进一步改进的，采用热氧法或PECVD法在P型硅片正面生长钝化层；所述钝化层为氧化硅层和/或氮化硅层；所述钝化层的厚度为1nm～5nm；
上述的制备方法，进一步改进的，采用ALD法或PEALD法在P型硅片背面生长钝化层；所述钝化层为氧化铝层；所述钝化层的厚度为3nm～20nm。
上述的制备方法，进一步改进的，采用PECVD法在P型硅片正面和背面分别生长减反射层；所述减反射层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种膜层或多种叠层膜；所述减反射层的厚度为60nm～150nm。
上述的制备方法，进一步改进的，采用激光对P型硅片背面进行开窗。
上述的制备方法，进一步改进的，采用丝网印刷或激光转印的方式在P型硅片正面制备正面副栅线和正面主栅电极，以及在P型硅片背面制备背面副栅线和背面主栅电极，完成对硅片的金属化处理；所述正面副栅线和正面主栅电极为银电极；所述背面副栅线为铝电极。所述背面主栅电极为银电极。
上述的制备方法，进一步改进的，所述后处理包括利用光注入方式或电注入方式对电池片进行处理。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
针对PERC电池的制备方法中存在的工艺复杂、不易操作、难以精确控制图形尺寸、对底层发射极损伤大以及由它们导致的效率低等缺陷，本发明中创造性的提出了一种太阳能电池的制备方法，先对硅片正面进行制绒并在依次在制绒后的硅片正面制备隧穿氧化层、磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜，其中掩膜可以为氧化硅薄膜，也可以为磷掺杂氧化硅薄膜，同时，以磷掺杂氧化硅薄膜为掩膜时，可以防止退火过程磷往外扩散，从而能够避免poly-Si中磷浓度的下降；继而采用激光对硅片正面非金属化区域进行开窗处理和制绒，其中开窗处理可以去除非金属化区域的氧化硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜和隧穿氧化层；然后通过磷扩散和退火处理，在开窗区域形成轻掺杂n型发射极以及在未开窗区域形成隧穿钝化接触结构(poly-finger结构)；最后对P型硅片背面进行刻蚀和对P型硅片正面进行清洗，完成对太阳能电池的制备。与常规制备方法相比，本发明中采用激光开窗和制绒的方式在硅片正面引入poly-finger结构，图形尺寸精度可控，极大降低工艺复杂性以及成本投入，同时由此制备的poly-finger结构，既可以保证金属下的复合极大降低，又可以极大的减少正面对光的吸收，因而可以有效降低正面金属下的复合，大幅提高电池的开路电压和填充因子，从而能够显著提高电池效率；更为关键的是，本发明中通过退火处理即可一步形成正面发射极，制备效率显著提高。本发明太阳能电池的制备方法具有工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、对底层发射极损伤小等优点，且由此制得的太阳能电池具有更好的效率，同时本发明制备方法与常规PERC电池制备路线高度重合，只需要增加CVD的设备用来制备poly-finger结构，即可以有效利用现有产线完成生产，有利于进一步降低制备成本，更适合于推广应用。
附图说明
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。
图1为本发明实施例1中太阳能电池的制备工艺流程示意图。
图2为本发明实施例1中太阳能电池的结构示意图。
图例说明：
1、P型硅片；2、n+发射极；3、正面钝化层；4、正面减反射层；5、隧穿氧化层；6、磷掺杂多晶硅层；7、银电极；8、背面钝化层；9、背面减反射层；10、铝电极。
具体实施方式
以下结合说明书附图和具体优选的实施例对本发明作进一步描述，但并不因此而限制本发明的保护范围。
以下实施例中所采用的材料和仪器均为市售。
实施例：
一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
S1、采用碱性溶液对P型硅片正面进行制绒，在P型硅片正面形成尺寸为0.5μm～3μm的金字塔绒面，其中碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、TMAH溶液中的至少一种；P型硅片的电阻率为0.3Ω·cm～7Ω·cm。
S2、采用化学氧化法、热氧法、PECVD法或ALD法在P型硅片正面生长隧穿氧化层，其中隧穿氧化层为氧化硅层，厚度为0.5nm～2.5nm。
S3、采用PECVD法或PVD法在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜；所述掩膜为氧化硅薄膜和/或磷掺杂氧化硅薄膜，其中磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为30nm～300nm，磷掺杂浓度为5E19cm-3～1E21cm-3。进一步优选的，磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为60nm～150nm，磷掺杂浓度为1E20cm-3～7E20cm-3。本发明中，通过控制磷掺杂非晶硅薄膜的掺杂浓度，有利于实现对掺杂曲线的精准控制。同时，与其他掩膜(如氮化硅层、氮氧化硅膜层)相比，本发明中以氧化硅薄膜和/或磷掺杂氧化硅薄膜为掩膜，更容易被去除。
S4、采用激光对非金属化区域进行开窗处理，去除掩膜；开窗处理完成后，未被去除的金属化区域的保留宽度为30μm～200μm。与常规开窗方法(如湿法、丝网印刷)相比，本发明中，通过激光开窗的方式，金库更高，其中精度可以控制在±10μm以内，而常规的丝网印刷方式(印刷精度±25μm，网版精度±20μm，再加上湿法刻蚀影响)，图案化精度＞±50μm。同时，本发明中，通过激光开窗，可控获得更高的开窗精度，这意味着后续的提效空间更大、工艺窗口和稳定性更好。另外，本发明中采用的激光工艺，可以省掉很多清洗环节，工艺更加简单。
S5、采用碱性溶液对开窗区域进行制绒，去除激光损伤并在非金属化区域硅片正面形成尺寸为0.5μm～3μm的金字塔绒面，其中碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、TMAH溶液中的至少一种。
S6、在温度为800℃～950℃下对P型硅片正面进行磷扩散和退火处理，通过磷扩散在开窗区域形成磷掺杂非晶硅薄膜，同时通过退火处理在开窗区域形成轻掺杂n型发射极以及在未开窗区域形成隧穿钝化接触结构，其中轻掺杂n型发射极的扩散方阻为120～250Ω/sq。本发明中，结合磷掺杂非晶硅薄膜上的氧化硅薄膜和/或磷掺杂氧化硅薄膜作为阻挡层，在磷扩散过程中可以精确控制轻掺杂浓度，同时也可以精确控制多晶硅里面重掺杂浓度。
S7、采用氢氟酸和硝酸的混合溶液对硅片背面进行刻蚀，去除背面和边缘绕扩PSG；采用氢氟酸溶液对硅片正面进行清洗，去除掩膜和PSG。
本发明中，步骤S7中，在刻蚀和清洗完成后，还包括：在P型硅片正面和背面生长钝化层、在P型硅片正面和背面生长减反射层、背面开窗、金属化、烧结和后处理。
本发明中，采用热氧法或PECVD法在P型硅片正面生长钝化层，其中钝化层为氧化硅层和/或氮化硅层；钝化层的厚度为1nm～5nm。
采用ALD法或PEALD法在P型硅片背面生长钝化层，其中钝化层为氧化铝层，厚度为3nm～20nm；进一步优选的，钝化层的厚度为5nm～15nm。
采用PECVD法在P型硅片正面和背面分别生长减反射层，其中减反射层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种膜层或多种叠层膜；减反射层的厚度为60nm～150nm。
采用激光对P型硅片背面进行开窗；
采用丝网印刷或激光转印的方式在P型硅片正面制备正面副栅线和正面主栅电极，以及在P型硅片背面制备背面副栅线和背面主栅电极，完成对硅片的金属化处理；所述正面副栅线和正面主栅电极为银电极；所述背面副栅线为铝电极；所述背面主栅电极为银电极；
后处理包括利用光注入方式或电注入方式对电池片进行处理。
实施例1：
一种太阳能电池的制备方法，其制备工艺流程图如图1所示，包括以下步骤：
S1、对P型硅片正面进行制绒，具体为：采用质量分数为1.5％的KOH溶液对P型硅片正面进行制绒(第一次)，形成尺寸为1.5μm的金字塔绒面，其中金字塔的该步骤中，采用的P型硅片的电阻率为1.5Ω·cm。
S2、在P型硅片正面生长隧穿氧化层，具体为：采用热氧法在P型硅片正面生长隧穿氧化层，其中隧穿氧化层为氧化硅层，厚度为1.3nm。
S3、在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和氧化硅薄膜，具体为：采用PECVD法在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和氧化硅薄膜，其中磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为80nm，磷掺杂浓度为5E20cm-3。位于磷掺杂非晶硅薄膜上方的氧化硅薄膜，是一种掩膜。
S4、采用激光对非金属化区域进行开窗处理，去除氧化硅薄膜，具体为：利用激光对氧化硅掩膜层进行图案化的激光开窗处理(开窗区域对应后续非金属化区域)，去除非金属化区域(激光开窗区域)的氧化硅薄膜、磷掺杂非晶硅薄膜和隧穿氧化层；未去除氧化层的区域为后续的金属化区域，该区域保留宽度为50μm。
S5、对开窗区域进行制绒，具体为：采用质量分数为1.5％的KOH溶液对开窗区域进行制绒，去除激光损伤和掺杂非晶硅，并在非金属化区域硅片表面形成尺寸为1.5μm的金字塔绒面，同时在制绒过程中，由于氧化硅薄膜(掩膜)的存在，非开窗区域不会被刻蚀，仍然保留掺杂非晶硅结构。
S6、在920℃下对P型硅片正面进行磷扩散和退火处理，通过磷扩散在开窗区域形成磷掺杂非晶硅薄膜，同时通过退火处理在开窗区域形成轻掺杂n型发射极以及在未开窗区域形成隧穿钝化接触结构，其中轻掺杂n型发射极的扩散方阻为180Ω/sq。
S7、采用氢氟酸和硝酸的混合溶液(该混合溶液由质量分数为49％的氢氟酸和质量分数为65％的硝酸配制得到，其中氢氟酸和硝酸的体积比为3:2。本发明中，可按按照氢氟酸和硝酸的体积比为3:3～3:1配制刻蚀溶液)对硅片背面进行刻蚀，去除背面和边缘绕扩PSG，采用质量分数为8％的氢氟酸溶液(质量分数为3-15％均可)对硅片正面进行清洗，去除氧化硅薄膜和PSG。
本实施例中，在刻蚀和清洗完成后，还包括：在P型硅片正面和背面生长钝化层、在P型硅片正面和背面生长减反射层、背面开窗、金属化、烧结和后处理，具体为：
(1)采用热氧的方式在P型硅片正面生长钝化层，其中钝化层为氧化硅层，厚度为3nm。
(2)采用ALD法在P型硅片背面生长钝化层，其中钝化层为氧化铝层，厚度为10nm。
(3)采用PECVD法在P型硅片正面和背面分别生长减反射层，其中减反射层为氮化硅膜，厚度为80nm。
(4)采用激光对P型硅片背面进行开窗，形成图案化区域，用于后续铝浆印刷与硅基体形成欧姆接触。
(5)采用丝网印刷的方式在P型硅片正面形成图案化的金属副栅线和正面主栅电极，用于电流收集，副删与n+Poly-Si需要进行套印，以及背面印刷铝浆与背面激光开窗区域需要进行套印(也可以采用烧穿型铝浆，无需套印)，在P型硅片背面制备背面副栅和背面主栅电极。该步骤中，正面金属电极(包括主栅和副栅)为银电极，且银电极需要烧穿减反层，但不能烧穿掺杂poly-Si；背面副栅为铝电浆，且铝电极需要烧穿氧化铝与硅形成欧姆接触。背面主栅电极为银电极，主要用于电池后续的焊接，一般背面先印主栅后副栅，正面无要求。
(6)对丝网印刷后的电池片进行烧结，使金属电极与硅片形成欧姆接触，然后利用电注入方式对电池片进行后处理，得到PERC电池。
如图2所示，本实施例中，制备的PERC电池包括：P型硅片1，作为衬底，其中P型硅片1的正面由内向外依次设有n+发射极2、正面钝化层3和正面减反射层4，且P型硅片1的正面还设有贯穿n+发射极2、正面钝化层3和正面减反射层4的银电极7，该P型硅片1的正面且位于银电极7下方由内而外依次设有隧穿氧化层5和磷掺杂多晶硅层6；P型硅片1的背面由内而外依次设有背面钝化层8和背面减反射层9，且P型硅片1的背面还设有贯穿背面钝化层8和背面减反射层9的铝电极10。
本实施例中，p型硅片1，电阻率为3Ω·cm(1.5Ω·cm)；n+发射极2的表面磷掺杂浓度为2E20cm-3，扩散方阻为180Ω/sq；正面钝化层3为氧化硅层，厚度为3nm；正面减反射层4为氮化硅膜，厚度为80nm；隧穿氧化层5为氧化硅层，厚度为1.3nm；磷掺杂多晶硅层6的厚度为80nm，掺杂浓度为5E20cm-3，宽度为50μm；银电极7需要烧穿减反层，但不能烧穿掺杂poly-Si；背面钝化层8为氧化铝层，厚度为10nm；背面减反射层9为氮化硅膜，厚度为80nm；铝电极10，需要烧穿氧化铝与硅形成欧姆接触。
对本发明实施例1中制备的PERC电池进行电性能测试，结果如表1所示。
表1本发明实施例1中制备的PERC电池的电性能数据
Figure BDA0003724916440000071
Figure BDA0003724916440000081
由表1可知，相比常规方法制备的PERC电池(正面无poly-finger结构)，本发明制备方法制得的PERC电池(正面有poly-finger结构)的效率大幅提高，提高幅度高达0.51％。与此同时，相比常规工艺，本发明制备工艺在提升PERC电池(正面有poly-finger结构)的效率方面具有突出的优势，能够更加显著的提高电池的效率。
综上可知，本发明太阳能电池的制备方法具有工艺简单、易于操作、图形尺寸精确可控、对底层发射极损伤小等优点，且由此制得的太阳能电池具有更好的效率，同时本发明制备方法与常规PERC电池制备路线高度重合，只需要增加CVD的设备用来制备poly-finger结构，即可以有效利用现有产线完成生产，有利于进一步降低制备成本，更适合于推广应用。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神实质和技术方案的情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (10)

1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、对P型硅片正面进行制绒；
S2、在P型硅片正面生长隧穿氧化层；
S3、在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜；所述掩膜为氧化硅薄膜和/或磷掺杂氧化硅薄膜；
S4、采用激光对非金属化区域进行开窗处理，去除掩膜；
S5、对开窗区域进行制绒；
S6、对P型硅片正面进行磷扩散和退火处理，在开窗区域形成轻掺杂n型发射极以及在未开窗区域形成隧穿钝化接触结构；
S7、对P型硅片背面进行刻蚀和对P型硅片正面进行清洗，完成对太阳能电池的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤S2中，采用化学氧化法、热氧法、PECVD法或ALD法在P型硅片正面生长隧穿氧化层；所述隧穿氧化层的厚度为0.5nm～2.5nm；所述隧穿氧化层为氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，采用PECVD法或PVD法在隧穿氧化层上依次沉积磷掺杂非晶硅薄膜和掩膜；所述磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为30nm～300nm；所述磷掺杂非晶硅薄膜的磷掺杂浓度为1E20cm-3～1E21cm-3。
4.据权利要求3述的制备方法，其特征在于，步骤S3中，所述磷掺杂非晶硅薄膜的厚度为60nm～150nm；所述磷掺杂非晶硅薄膜的磷掺杂浓度为2E20cm-3～7E20cm-3。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S1中，采用碱性溶液对P型硅片正面进行制绒，形成金字塔绒面；所述金字塔绒面的尺寸为0.5μm～3μm；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、TMAH溶液中的至少一种；所述P型硅片的电阻率为0.3Ω·cm～7Ω·cm。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S4中，所述开窗处理完成后，未被去除的金属化区域的保留宽度为30μm～200μm。
7.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S5中，采用碱性溶液对开窗区域进行制绒，去除激光损伤并在非金属化区域硅片表面形成金字塔绒面；所述金字塔绒面的尺寸为0.5μm～3μm；所述碱性溶液为氢氧化钾溶液、氢氧化钠溶液、TMAH溶液中的至少一种。
8.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S6中，所述磷扩散的温度为800℃～950℃；所述退火处理的温度为800℃～950℃；所述轻掺杂n型发射极的扩散方阻为120～250Ω/sq；
步骤S7中，采用氢氟酸和硝酸的混合溶液对硅片背面进行刻蚀，去除背面和边缘绕扩PSG；采用氢氟酸溶液对硅片正面进行清洗，去除掩膜和PSG。
9.根据权利要求1～4中任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤S7中，在刻蚀和清洗完成后，还包括：在P型硅片正面和背面生长钝化层、在P型硅片正面和背面生长减反射层、背面开窗、金属化、烧结和后处理。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，采用热氧法或PECVD法在P型硅片正面生长钝化层；所述钝化层为氧化硅层和/或氮化硅层；所述钝化层的厚度为1nm～5nm；
采用ALD法或PEALD法在P型硅片背面生长钝化层；所述钝化层为氧化铝层；所述钝化层的厚度为3nm～20nm；
采用PECVD法在P型硅片正面和背面分别生长减反射层；所述减反射层为氮化硅、氮氧化硅、氧化硅中的一种膜层或多种叠层膜；所述减反射层的厚度为60nm～150nm；
采用激光对P型硅片背面进行开窗；
采用丝网印刷或激光转印的方式在P型硅片正面制备正面副栅线和正面主栅电极，以及在P型硅片背面制备背面副栅线和背面主栅电极，完成对硅片的金属化处理；所述正面副栅线和正面主栅电极为银电极；所述背面副栅线为铝电极；所述背面主栅电极为银电极；
所述后处理包括利用光注入方式或电注入方式对电池片进行处理。
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