CN114752889A - 掩膜板及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本公开提供了一种掩膜板及其制作方法，涉及显示技术领域。该掩膜板的制作方法包括：形成具有第一开口的掩膜基板；将掩膜基板铺设于一掩膜板框架一侧，并对掩膜基板进行张网；在掩膜基板背离掩膜板框架的表面设置遮盖第一开口的支撑层；形成覆盖掩膜基板的掩膜层，掩膜层填充第一开口，且掩膜层位于第一开口内的区域具有多个第二开口；剥离支撑层。本公开通过在掩膜基板上形成精细金属掩膜板开口，并在精细金属掩膜板开口中形成电铸精细掩膜板开口，提高了掩膜板的分辨率，同时解决了传统的电铸精细掩膜板的焊接难度大、低开口率、张网误差大以及热膨胀系数大引起的蒸镀混色不良问题。

Description

掩膜板及其制作方法

技术领域

本公开涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种掩膜板及其制作方法。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示屏是一种新型显示屏，和传统的液晶显示屏相比，OLED显示屏具有广视角、高对比度、快响应、低功耗和可折叠等优点，已被广泛地应用于手机、电脑等终端设备上。

随着OLED显示屏技术的快速发展，用户对于显示屏的分辨率以及使用时长有了更高的要求，因此，在生产OLED显示屏时，提高显示屏幕的分辨率成了衡量OLED优劣的指标之一，但受限于现有工艺中掩膜板的张网和蒸镀工艺的误差，制约了具有高分辨率的OLED的制作水平。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于克服上述现有技术的不足，提供了一种掩膜板及其制造方法。

本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。

根据本公开的一个方面，提供了一种掩膜板的制作方法，该方法包括：形成具有第一开口的掩膜基板；

将所述掩膜基板铺设于一掩膜板框架一侧，并对所述掩膜基板进行张网；

在所述掩膜基板背离所述掩膜板框架的表面设置遮盖所述第一开口的支撑层；

形成覆盖所述掩膜基板的掩膜层，所述掩膜层填充所述第一开口，且所述掩膜层位于所述第一开口内的区域具有多个第二开口；

剥离所述支撑层。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所将所述掩膜基板铺设于一掩膜板框架一侧，并对所述掩膜基板进行张网，包括：

将所述掩膜板框架上的预设位置作为基准线，以所述基准线为基准建立第一坐标系；

以所述第一坐标系为基准对所述掩膜基板进行张网。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述对所述掩膜基板进行张网，包括：

基于张网后的所述掩膜基板的变形误差和所述基准线，建立第二坐标系；

以所述第二坐标系为基准，形成所述掩膜层的第二开口。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述形成覆盖所述掩膜基板的掩膜层，包括：

在所述第一开口内形成图案化的光刻胶层；

以所述掩膜基板为阴极，通过电铸工艺在所述光刻胶层内形成所述掩膜层；

剥离所述光刻胶层。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述光刻胶层为感光膜层。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述支撑层为非感光膜层。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述形成具有第一开口的掩膜基板，包括：

在掩膜基板上划分焊接区和掩膜图案区，刻蚀所述掩膜基板，在所述掩膜图案区形成所述第一开口。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，刻蚀后的所述掩膜图案区的厚度小于刻蚀后的焊接区的厚度。

在本公开的一些实施例中，基于前述方案，所述掩膜基板和所述掩膜层采用热膨胀系数相同或不同的材料制成。

根据本公开的另一个方面，提供了一种掩膜板，包括：

掩膜板框架；

掩膜板，所述掩膜板设置于所述掩膜板框架的一侧，所述掩膜板由具有第一开口的掩模基板制成，且在所述掩膜基板上覆盖有掩膜层，所述掩膜层填充于所述第一开口内，且所述掩膜层位于所述第一开口内的区域具有多个第二开口。

本公开提供的掩膜板的制作方法，一方面，通过在掩膜基板上刻蚀出第一开口，在掩膜基板上形成非感光支撑层，建立新的对位孔，并在第一开口形成图案化的感光光刻胶层，利用支撑层和光刻胶层在第一开口内形成第二开口，通过此制作方法形成的掩膜板具有高分辨率的开口，达到了高分辨率下的高精度掩膜板的效果；另一方面，由于第一开口区域具有精细金属掩膜板的焊接区域较厚的特点，第二开口区域处具有电铸精细掩膜板的掩膜图案区域的高分辨率同时具有热膨胀系数小的特点，降低了掩膜板焊接在掩膜板框架上的难度的同时在蒸镀时可以减小由于热膨胀系数较大造成的混色风险；第三方面，由于掩膜板在张网过程中以第一坐标系为基准，在进行刻蚀第二开口时以第二坐标系为基准，补偿了掩膜板由于张网变形而引起的误差。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本公开示例性实施例中的一种掩膜板的制作方法的流程示意图。

图2为本公开示例性实施例中的一种金属基板的结构示意图。

图3为本公开示例性实施例中的一种掩膜基板的结构示意图。

图4为本公开示例性实施例中的一种掩膜基板张网后的结构示意图。

图5为本公开示例性实施例中的一种掩膜基板张网工艺的流程示意图。

图6为本公开示例性实施例中的一种张网变形误差补偿过程的流程示意图。

图7为本公开示例性实施例中的一种掩膜层形成过程的流程示意图。

图8为本公开示例性实施例中的一种掩膜板的俯视图。

图9为本公开示例性实施例中的一种掩膜板形成过程的结构剖面图。

其中，附图标记说明如下：

1：金属基板；11：焊接区；12：掩膜图案区；

110：夹持部；2：掩膜板框架；21：框架；

22：掩膜片；1’：掩膜板基板；10’：蒸镀面；

10：第一开口；20：第二开口；13：支撑层；

14：光刻胶层；AH1：第一连接孔；AH2：第二连接孔。

具体实施方式

现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。此外，附图仅为本公开的示意性图解，并非一定是按比例绘制。

用语“一个”、“一”、“该”、“所述”和“至少一个”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素/组成部分/等之外还可存在另外的要素/组成部分/等；用语“第一”、“第二”和“第三”等仅作为标记使用，不是对其对象的数量限制。

对显示面板上进行精细金属掩膜蒸镀以形成所需膜层图案的技术，例如，在OLED(Organic Light-Emitting Display，有机发光显示)器件的制作工艺中，将发光材料蒸镀在LTPS(Low Temperature Poly Silicon，低温多晶硅)型阵列基板上以形成对应的各子像素，就是通过将掩膜集成框架(Mask Frame Assembly，MFA)附设在待蒸镀的基板表面，其中，掩膜集成框架(Mask Frame Assembly，MFA)是由多个精细金属掩膜板(FMM Mask)并列设置且每个精细金属掩膜板(FMM Mask)的两端均焊接在框架(Frame)上制作而成，在每一个精细金属掩膜板(FMM Mask)上排列设置有多个掩膜图案区，掩膜图案区对应于待成膜基板上的待成膜图案，蒸镀时，蒸镀材料透过精细金属掩膜板(FMM Mask)上的掩膜图案区内的镂空部分沉积在待成膜基板的表面，以形成所需的待成膜图案。

在本领域内，掩膜集成框架(MFA)还包括设置于框架(Frame)上的掩膜片(FMask)，掩膜片(F Mask)用于对精细金属掩膜板(FMM Mask)的掩膜图案区域进行限定，以使精细金属掩膜板(FMM Mask)的掩膜图案区在预设的区域范围内，此外，由于掩膜片(FMask)设置在精细金属掩膜板(FMM Mask)的下方，对精细金属掩膜板(FMM Mask)具有支撑作用。在本公开中，将框架(Frame)和掩膜片(F Mask)组成的结构部分称为掩膜板框架(Mask Frame)。

需要说明的是，本领域技术人员对上述精细金属掩膜工艺中的精细金属掩膜板及其组成还有另外的称谓，例如，上述的多个精细金属掩膜板(FMM Mask)还可称为精细金属掩膜条或精细金属掩膜片(FMM Mask)，由多个焊接在框架上的精细金属掩膜条或精细金属掩膜片(FMM Sheet)组成的整体称为精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，简称为FMM)。

上述的两种示例，仅为本领域技术人员在实际工作应用中对精细金属掩膜工艺中的掩膜板所采用的不同称谓，二者所指代的精细金属掩膜板的结构是相同的。以下在本公开实施例的说明书中，以上述第一种示例的称谓，即多个精细金属掩膜板(FMM Mask)并列设置且每个精细金属掩膜板(FMM Mask)的两端均焊接在掩膜板框架(Mask Frame)上，掩膜板框架(Mask Frame)包括框架(Frame)和其上设置的掩膜片(F Mask)为例进行详细的说明。

目前，对于精细金属掩膜板(Fine Metal Mask，FMM)的制作，常采用曝光工艺和刻蚀工艺，在金属基板上形成开口，但受金属板厚度和最小像素区域开口的限制，使得在金属基板上难以形成具有高分辨率的精细金属掩膜板(FMM)；而对于具有高分辨的电镀金属掩膜板(Electroforming Fine Mask，EFM)的制作，常采用电铸成型后张网而成，但由于电镀金属掩膜板(EFM)具有的高分辨率特性，需要其制作的金属基板具有较薄的厚度，这样就增加的电镀金属掩膜板(EFM)张网产生的误差和焊接在框架(Frame)上的难度，在蒸镀时，由于上述两种误差会导致在蒸镀时在基板上形成混色的概率较高。

因此，为了解决上述的问题，本公开提供了一种掩膜板的制作方法，可以在具有较高分辨率的同时降低由于张网和材料热膨胀系数较大引起的误差，降低了蒸镀过程中的混色风险。

本公开实施方式提供了一种掩膜板的制作方法，如图1所示，该方法包括：

S10：形成具有第一开口的掩膜基板；

S20：将掩膜基板铺设于一掩膜板框架一侧，并对掩膜基板进行张网；

S30：在掩膜基板背离掩膜板框架的表面设置遮盖第一开口的支撑层；

S40：形成覆盖掩膜基板的掩膜层，掩膜层填充第一开口，且掩膜层位于第一开口内的区域具有多个第二开口；

S50：剥离支撑层。

其中，在步骤S10中，形成具有第一开口的掩膜基板。

本公开提供的掩膜基板可以为金属基板，如图2所示，金属基板1是包括焊接区11和掩膜图案区12，金属基板1为制作精细金属掩膜板的原材，可以是如图2所示的类长条状结构，也可以是其它适用于制作掩膜板的结构，本公开不做具体限定。

在一些实施例中，金属基板1的焊接区11具有多个夹持部110，通常情况下，在金属基板1的相对的两侧设置有相同数量的夹持部110，在张网过程中，张网机的夹爪可以通过夹持焊接区11的夹持部110，对位于金属基板1中的相对边的夹持部110施加相反方向的力，完成对掩膜板的张网工艺，焊接区11的夹持部110的尺寸可以根据具体夹持需要确定；焊接区11上具有焊点(在图中未示出)，焊点可以位于掩膜板与掩膜板框架焊接的区域，焊点的数量可以为多个，并且焊点的位置可以根据掩膜板与掩膜板框架的具体连接位置确定，可根据具体的焊接组件和焊接工艺确定，本公开对具体的焊点数量和焊点的位置不做具体限定；掩膜图案区12上设置有对应于待成膜基板上的待成膜图案，其上具有与待成膜基板上的子像素大小对应的像素格开口，像素格开口呈阵列排列，像素格开口的数量与待成膜基板上的子像素数量相同；此外，由于在掩膜板框架上可以同时焊接多个精细金属掩膜板，因此需要提供与掩膜板数量相等的金属基板1。

在一些具体的实施例中，如图3所示，结合图2，金属基板1为厚度均匀的长条状原材基板，在金属基板1上加工第一开口10时，首先在金属基板1上划分出焊接区11和掩膜图案区12，对金属基板1进行刻蚀工艺，且在刻蚀过程中，使得掩膜图案区12刻蚀掉的厚度大于焊接区11刻蚀掉的厚度，即形成的掩膜图案区12的厚度小于焊接区11的厚度，并在掩膜图案区12内进行刻蚀形成第一开口10，具有第一开口10的金属基板1即为图3中所示的掩膜板基板1’。

需要说明的是，本公开使用的刻蚀工艺可以是干法刻蚀、湿法刻蚀或者是干湿法结合的刻蚀，本公开对刻蚀方法的具体类型不做具体限定，可根据具体工艺步骤选择。

另外，在本公开的实施例中，在金属基板1的掩膜图案区12上刻蚀的第一开口10的数量可以是如图2所示的在一张金属基板1上形成两个第一开口10，但也可以在一张金属基板1上形成三个或者四个第一开口10，本公开下述实施例均是以前者为例，但并不代表本公开仅限于如图2中的第一开口10的和数量和排列布局，具体的掩膜基板1’上第一开口10的数量和排布可以根据实际需要选定。

通过上述工艺步骤，可以使得形成的掩膜基板具有较厚的焊接区，在掩膜板框架上对掩膜基板进行张网时，由于焊接区较厚，可以降低焊接难度，且是张网后的掩膜基板不易产生褶皱。

在本实施例中，对于刻蚀出第一开口10的金属基板1，形成了精细掩膜基板的雏形，在本公开中称为掩膜基板1’，在本公开中，掩膜基板1’可采用因瓦合金材料，由于因瓦合金是含有35.4％镍的铁合金，常温下具有很低的热膨胀系数，在使用因瓦合金形成的掩膜板就具有较小的热膨胀系数，在后续蒸镀过程中，降低了由于热膨胀而引起的掩膜板的变形，从而导致的混色问题的风险，此外，掩模基板1’也可以采用不锈钢材料或者其它适用于制成金属掩膜板的热膨胀系数低的材料，本公开不做具体限定。

其中，在步骤S20中，将掩膜基板铺设于一掩膜板框架一侧，并对掩膜基板进行张网。

在一些实施例中，在金属基板1上完成对第一开口10的刻蚀后，形成了掩膜基板1’，对掩膜基板1’进行张网，首先提供掩膜板框架(Mask Frame)2，掩膜板框架(MaskFrame)2包括框架(Frame)21和其上设置的掩膜片(F Mask)22，其中，掩膜片(F Mask)22可以通过焊接等方式连接在框架(Frame)21上，掩膜片(F Mask)22与框架(Frame)21之间的焊接点可以是如图4中黑色区域所示，也可以在其它位置进行两者之间的焊接。

在掩膜板框架(Mask Frame)2上选定预设位置，此预设位置为基准线，基准线的位置选择是基于在掩膜板张网工艺中，以基准线为张网标准位置进行张网，此基准线的划定可以根据预先设定的掩膜板所需的拉伸程度进行确定，可根据实际张网工艺操作的需要进行选定基准线的位置。在本公开中，可以在基准线上选定一点，在此点开设连接孔，作为第一连接孔AH1，如图4所示，以第一连接孔为AH1为基准建立第一坐标系，并以第一坐标系为基准对掩膜基板1’进行张网，此处的第一坐标系是以基准线为基准建立的，对掩膜基板1’进行的张网工艺步骤如图5所示，包括：

S201：将掩膜板框架上的预设位置作为基准线，以基准线为基准建立第一坐标系；

S202：以第一坐标系为基准对掩膜基板进行张网。

在步骤S30中，在掩膜基板背离掩膜板框架的表面设置遮盖第一开口的支撑层。

在步骤S20中，完成对掩膜基板1’的张网工艺后，在掩膜基板1’的蒸镀面上形成支撑层，其中蒸镀面为掩膜基板1’背离掩膜板框架2的表面，掩膜基板1’的蒸镀面指的是在蒸镀工艺中，掩膜基板1’与待蒸镀的基板表面相接触的表面，在本公开的实施例中可以指掩膜基板1’的上表面，即如图9中的9a所示的蒸镀面10’，其中，在蒸镀面10’上形成支撑层13，支撑层13为非感光材料膜层，可选地，可以为非感光聚酰亚胺(Polyimide，简称为PI)制成，由于支撑层13为非感光，其形状不受后续的曝光工艺的影响，支撑层13作为支撑板作用，可以为第二开口20的形成提供支撑。

支撑层13的数量可以为一个或多个，在支撑层13的数量为一个时，支撑层13需要覆盖到所有的第一开口10所在的区域，这样可以有效地保证在形成第二开口20时，支撑层13可以对所形成的第二开口20进行有效地支撑；在支撑层13的数量为多个时，可以根据第一开口10所在的位置确定支撑层13的位置，一个支撑层13对应第一开口10，保证所有的第一开口10区域均有支撑层13的覆盖，上述仅为示例性举例，对于支撑层13的数量和支撑层13与第一开口10的对应关系不做具体限定，两者可以是一对一，或者一对多的关系。

其中，在步骤S40中，形成覆盖掩膜基板的掩膜层，掩膜层填充第一开口，且掩膜层位于第一开口内的区域具有多个第二开口。

在步骤S50中，剥离支撑层。

在一些实施例中，如图8所示，在形成光刻胶层14前，需要在掩膜片22上开设第二连接孔AH2，并且以第二连接孔AH2为基准建立第二坐标系，以第二坐标系为基准在支撑层13上形成光刻胶层14，具体过程如图6所示，包括：

S301：基于张网后的掩膜基板的变形误差和基准线，建立第二坐标系；

S302：以第二坐标系为基准，形成掩膜层的第二开口。

在对掩膜基板1’进行张网工艺时，掩膜基板1’由于张网机的夹爪张力作用，会使掩膜基板1’产生张网变形，从而导致张网误差，由于第一连接孔AH1和第一坐标系均是在掩膜基板1’张网前建立的张网基准，在具有张网误差后，需要重新建立基准，以消除张网误差带来的影响，因此，需要基于张网后的掩膜基板的变形误差和基准线为准，建立第二坐标系，其中，张网后的掩膜基板的变形误差可以由设置在掩膜板框架上的传感器进行测量，例如，在张网时，需要使掩膜基板的中位于最外层的第一开口的边与基准线平齐，此时达到了预设的张网效果，但实际上由于拉力的作用，会使得第一开口的边产生一定的变形，使得张网后的第一开口的边无法与基准线重合，通过设置的掩膜板框架上的传感器可以测得第一开口的边与基准线之间的距离，这个距离为张网后的掩膜基板的变形误差，在建立第二坐标系时，在第一坐标系的基础上，将第一坐标系移动一定的位置，补偿张网后的掩膜基板的变形误差，形成第二坐标系。

在建立第二坐标系后，以第二坐标系为基准，在与第一开口10相连的支撑层13的表面形成图案化的光刻胶层14，其中，在与第一开口10相连的支撑层13的表面为图9中9c中的支撑层13的下表面，光刻胶层14的形成过程如下：在支撑层13的下表面形成一体化光刻胶层，一体化光刻胶层通过曝光工艺形成图案化的光刻胶层14(如图9中的9b所示)，光刻胶层14上具有的图案与第二开口20相对应，即光刻胶层14上图案的形状为第二开口20的形状。

需要说明的是，光刻胶层14可以是感光材料制成，具体的，光刻胶层14可以是感光聚亚酰胺(Polyimide，简称为PI)，也可以是其它感光材料，可以根据实际情况进行材料的选择，本公开不做具体限定。光刻胶层14的数量可以与支撑层13的数量是一一对应的，但是本公开对两者的对应关系不做具体限定，一个支撑层13上可以形成一个光刻胶层14，或者支撑层13上可以形成多个光刻胶层14，两者具体的对应关系可以根据实际加工工艺或者实际需要进行选择。

在本公开的一些实施例中，通过电铸工艺利用图案化的光刻胶层形成第二开口具体步骤如图7所示，包括：

S401：在第一开口内形成图案化的光刻胶层；

S402：填充光刻胶层，形成掩膜层；

S403：剥离光刻胶层。

其中，通过电铸工艺填充光刻胶层的非图案化区域，具体的过程如下：电铸工艺是利用金属在电解液中产生阴极沉积的原理获得制件的特种加工方法，在本公开中，在电解池中，用导电的原膜(可以采用因瓦合金掩膜基板)作阴极,用于电铸的金属(形成第二开口的金属材料)作阳极，金属盐溶液作电铸溶液，阳极金属材料(形成第二开口的金属材料)与金属盐溶液中的金属离子的种类相同，在直流电源的作用下，电铸溶液中的金属离子在阴极还原成金属，沉积于原膜(即因瓦合金掩膜集板)表面，由于在本公开中在阴极上附着有图案化的光刻胶层，因此，电铸溶液中的金属离子沉积在光刻胶层的空白区域(即光刻胶层的图案化区域)，而阳极金属则源源不断地变成离子溶解到电铸液中进行补充，使溶液中金属离子的浓度保持不变，以此类推，电铸溶液中的金属离子不断沉积在光刻胶层的非图案化区域，直至形成如图9中的9c所示的结构。

需要说明的是，在本公开中，作为阳极金属材料的形成第二开口的金属材料可以是因瓦合金，也可以是与形成第一开口相同的金属材料，例如不锈钢和其它具有热膨胀系数小的金属材料，本公开不做具体限定。

因此，在本公开中，掩模基板与掩膜层可以采用热膨胀系数相同或者不同的材料，例如，掩膜基板和掩膜层可以均采用因瓦合金材料；或者掩膜基板采用不锈钢材料，掩膜层采用因瓦合金材料，本公开对掩膜基板和掩膜层的材料不做具体限定，但采用的材料需符合本公开要求的热膨胀系数小的特点。

在图9中的图9a中，由于加工工艺的限制，会在形成第一开口的掩膜基板的掩膜图案区域形成具有段差(Step Height)的区域(简称为段差区域)，而段差(Step Height)是指两块模具镶件或前后模等分型面位置因为加工精度偏差导致匹配的偏差，由于段差(StepHeight)的存在，使得后续的蒸镀过程中，会在段差(Step Height)区域对应的待蒸镀基板上产生蒸镀阴影，降低了发光材料在待蒸镀基板上形成的子像素的质量，因此，去除段差(Step Height)的影响是提高蒸镀基板上子像素质量的一种手段，在一些具体的实施例中，在本公开提供的第二开口的形成过程中，通过电铸工艺的阳极沉积作用，使得掩膜层覆盖了图9a所示的段差(Step Height)区域，形成了不受段差(Step Height)影响的掩膜板。

需要说明的是，本公开上述的段差(Step Height)并非只存在在一个固定的区域中，由于在加工第一开口时会产生对应的段差(Step Height)，因此在每一个掩膜基板的掩膜图案区域会存在多个段差(Step Height)，而本公开提供的电铸工艺可将掩膜图案区内的多个段差(Step Height)进行覆盖。

此外，在掩膜基板的焊接区域内，由于第一开口的存在，在焊接区域与掩膜图案区相连接的位置处会产生尖角区域A，如图9a中虚线圆所圈出的区域，尖角区域A同样在蒸镀过程中产生蒸镀阴影，但通过本公开提供的将光刻胶层玻璃的过程，可以将尖角区域A去除，使得焊接区域与掩膜图案区的连接部位，即第一开口的位置变得光滑，即如图9d中所示的焊接区域的结构，避免了蒸镀过程此区域产生的蒸镀阴影。

在本公开的一些实施例中，通过步骤S40，实际上是在第一开口10中，通过电铸工艺开设有多个第二开口20，其中，第一开口10是通过刻蚀工艺形成的，第二开口20是通过电铸工艺产生的，由于通过电铸工艺可以产生具有高分辨的开口，因此，第二开口20实际上是高分辨率开口。本公开提供的掩膜板可在第一开口内形成多个第二开口，可提高掩膜板的分辨率，兼顾了精细金属掩膜板(FMM)和电铸精细掩膜板(EFM)的优点。

另外，在本公开中，在金属基板上可以形成多个第一开口10，并且多个第一开口10可以呈阵列排布，在第一开口10中可以形成多个第二开口20，多个第二开口20可以呈阵列排布，但第一开口10在金属基板上形成的数量和位置排布以及第二开口20在第一开口10中形成的数量和位置排布可以根据后续的基板上沉积的子像素的数量和排布进行确定，本公开不做具体限定。

在第二开口20形成的过程中，包括去除支撑层13和第光刻胶层14，在本公开中，可采用剥离工艺去除支撑层13和光刻胶层14，例如，可采用有机溶剂如丙酮浸泡去除支撑层13和光刻胶层14，但本公开并不限于此种方法去除支撑层和光刻胶层，可以根据具体工艺进行去除方法的选择。

本公开提供的一种掩膜板的制作方法，首先，通过在待制作的金属基板上刻蚀形成第一开口，形成具有第一开口的掩膜基板，该掩膜基板具有较厚的焊接区和较薄的掩膜图案区，使得掩膜板易固定的框架上；其次，在形成第一开口的掩膜基板上形成支撑层和光刻胶层，在第一开口内，通过电铸工艺，利用光刻胶层形成第二开口后，形成了掩膜板，该掩膜板具有的第二开口是通过电铸工艺形成的高分辨开口，提高了掩膜板的分辨率；第三，由于在制作第二开口的过程中，通过电镀工艺覆盖了段差区域，有效地避免了蒸镀阴影，改善了在待蒸镀基板上形成的子像素的质量；第四，由于掩膜板均采用金瓦合金的材料，具有较小的热膨胀系数，可以降低蒸镀过程中产生的热应变；第五，在对掩膜基板进行张网工艺时，通过第二坐标系对第一坐标系的校正作用，可以补偿由于张网工艺造成的掩膜板的变形误差。

需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本公开中精细金属掩膜板的制作方法方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。

本公开的实施方式中还提供了一种掩膜板，该掩膜板包括：

掩膜板框架；掩膜板，掩膜板设置于掩膜板框架的一侧，掩膜板由具有第一开口的掩模基板制成，且在掩膜基板上覆盖有掩膜层，掩膜层填充于第一开口内，且掩膜层位于第一开口内的区域具有多个第二开口。

对于上述掩膜板的结构的具体形成过程及作用在本公开提供的掩膜板的制作方法中均有具体的描述，此处不再赘述。

虽然本说明书中使用相对性的用语，例如“上”“下”来描述图标的一个组件对于另一组件的相对关系，但是这些术语用于本说明书中仅出于方便，例如根据附图中所述的示例的方向。能理解的是，如果将图标的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在“上”的组件将会成为在“下”的组件。当某结构在其它结构“上”时，有可能是指某结构一体形成于其它结构上，或指某结构“直接”设置在其它结构上，或指某结构通过另一结构“间接”设置在其它结构上。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其它实施方案。本申请旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由所附的权利要求指出。

Claims (10)

1.一种掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：

形成具有第一开口的掩膜基板；

将所述掩膜基板铺设于一掩膜板框架一侧，并对所述掩膜基板进行张网；

在所述掩膜基板背离所述掩膜板框架的表面设置遮盖所述第一开口的支撑层；

形成覆盖所述掩膜基板的掩膜层，所述掩膜层填充所述第一开口，且所述掩膜层位于所述第一开口内的区域具有多个第二开口；

剥离所述支撑层。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所将所述掩膜基板铺设于一掩膜板框架一侧，并对所述掩膜基板进行张网，包括：

将所述掩膜板框架上的预设位置作为基准线，以所述基准线为基准建立第一坐标系；

以所述第一坐标系为基准对所述掩膜基板进行张网。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述对所述掩膜基板进行张网，包括：

基于张网后的所述掩膜基板的变形误差和所述基准线，建立第二坐标系；

以所述第二坐标系为基准，形成所述掩膜层的第二开口。

4.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述形成覆盖所述掩膜基板的掩膜层，包括：

在所述第一开口内形成图案化的光刻胶层；

以所述掩膜基板为阴极，通过电铸工艺在所述光刻胶层内形成所述掩膜层；

剥离所述光刻胶层。

5.根据权利要求4所述的掩膜板，其特征在于，所述光刻胶层为感光膜层。

6.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述支撑层为非感光膜层。

7.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述形成具有第一开口的掩膜基板，包括：

在掩膜基板上划分焊接区和掩膜图案区，刻蚀所述掩膜基板，在所述掩膜图案区形成所述第一开口。

8.根据权利要求7所述的掩膜板，其特征在于，刻蚀后的所述掩膜图案区的厚度小于刻蚀后的焊接区的厚度。

9.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜基板和所述掩膜层采用热膨胀系数相同或不同的材料制成。

10.一种掩膜板，其特征在于，包括：

掩膜板框架；

掩膜板，所述掩膜板设置于所述掩膜板框架的一侧，所述掩膜板由具有第一开口的掩模基板制成，且在所述掩膜基板上覆盖有掩膜层，所述掩膜层填充于所述第一开口内，且所述掩膜层位于所述第一开口内的区域具有多个第二开口。

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