CN114549415A - 薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、设备及存储介质 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 102
- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 67
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 96
- 238000003708 edge detection Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 61
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 41
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 20
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims description 10
- 238000004590 computer program Methods 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 8
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 11
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 7
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000013401 experimental design Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000013386 optimize process Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000011165 process development Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T5/00—Image enhancement or restoration
- G06T5/70—Denoising; Smoothing
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T5/00—Image enhancement or restoration
- G06T5/90—Dynamic range modification of images or parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/10—Segmentation; Edge detection
- G06T7/13—Edge detection
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/10—Image acquisition modality
- G06T2207/10056—Microscopic image
- G06T2207/10061—Microscopic image from scanning electron microscope
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/20—Special algorithmic details
- G06T2207/20092—Interactive image processing based on input by user
- G06T2207/20104—Interactive definition of region of interest [ROI]
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/20—Special algorithmic details
- G06T2207/20112—Image segmentation details
- G06T2207/20132—Image cropping
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
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Abstract
本申请提供一种薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质。其中方法包括：获取半导体衬底图像；对所述衬底图像进行全域网格化；对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，每个空间位点对应一个决策单元；遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。相较于现有技术，本申请可以实现在任意衬底结构上的沉积速率准确拓展。
Description
技术领域
本申请涉及半导体建模技术领域，具体涉及一种薄膜沉积建模速率拓展方法及装置、电子设备以及计算机可读存储介质。
背景技术
薄膜沉积工艺是大规模集成电路制造工艺中的关键工艺，前道工艺和后道工艺都有大量薄膜需要借助沉积工艺实现图形化生长。如前道工艺中的高k介电层材料氧化铪(HfO2)，侧壁间隔材料二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)等，后道工艺中互连金属材料铜(Cu)、扩散阻挡层材料氮化钽(TaN)等。根据不同的应用场景和应用需求，对应采取的沉积工艺也不相同。
薄膜沉积技术主要分为化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition,CVD)和物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)。其中，CVD工艺又包括等离子体气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、低压气相沉积(Low PressureChemical Vapor Deposition,LPCVD)、原子层沉积(Atomic Layer Deposition,ALD)等。CVD因为有着更好的台阶覆盖性、更高的沉积速率和更好的成膜质量，成为了大规模制造中常用的沉积工艺。
在薄膜制备过程中，工艺工程师发现，由于衬底表面缺陷、薄膜沉积过程中薄膜内部孔洞缺陷以及不恰当的工艺条件会造成薄膜功能失效，影响后续工艺的执行。目前工艺界主要采用实验设计法(Design of Experiment,DOE)来优化现有工艺和开发新工艺。然而DOE需要设计大量实验，对工艺参数做量化分析，控制其他相关因素，寻找影响工艺的关键因素，因此非常耗时且研发成本高。
随着晶体管尺寸逐步逼近物理极限，集成电路制造工艺难度不断增加，技术迭代也越来越快。工艺集成工程师迫切需要更高效更经济的方式来优化工艺条件，通过对特定工艺建模仿真辅助工艺开发逐渐成为主流方向0。
对薄膜沉积工艺来说，工艺仿真有设备尺度的宏观流体工艺仿真，微观反应尺度的表面生长过程仿真以及特征尺寸尺度的生长形貌仿真。从大规模制造工艺开发角度来说，特征尺寸微、纳米尺度的二维截面形貌仿真及轮廓随工艺条件演化行为是工艺工程师最为关注的方向。
目前，薄膜沉积工艺建模研究中最常用的轮廓演化算法主要包括水平集算法、元胞自动机算法、线算法等。其中，水平集算法因为具有鲁棒性好，能够准确追踪界面演化的优势而被广泛采用，常被用来解决沉积、刻蚀和光刻胶显影等模型的界面演化问题。水平集算法是一种界面追踪的数值方法，将演化曲线或曲面表示为高一维函数(level set函数)的零水平集，在沉积过程中level set函数不断演化，求解演化后level set函数的零水平集就是曲线或者曲面的演化结果。求解水平集函数的方法主要有快速步进法(fastmarching method)。然而当使用快速步进法求解水平集函数时，需要知道整个求解域每一网格点的速率值，也就是要将基于初始衬底的表面速率拓展至全域。最常用的速率拓展法是最近距离法，也就是将离拓展目标点最近的表面速率拓展给目标点。然而在一些比较复杂的形貌处，比如在衬底表面法向角度急剧变化之处，由于沉积速度也会产生急剧跃变，最近距离拓展法会导致速率拓展不够准确，甚至造成速率竞争，产生形貌尖角，因此这一方法不具备普适性，准确性不高。
发明内容
本申请的目的是提供一种薄膜沉积建模速率拓展方法及装置、一种电子设备以及一种计算机可读存储介质。
本申请第一方面提供一种薄膜沉积建模速率拓展方法，包括：
获取半导体衬底图像；
按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格化，得到网格化后全部网格位点的坐标信息；
对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并根据预设工艺条件得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；其中，所述表面位点是指所述衬底表面轮廓曲线上的网格位点；
针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；其中，所述空间位点是指全部网格位点中除去表面位点外的网格位点；
根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，所述决策单元是指与所述空间位点之间的偏离角度符合预设条件的表面位点的集合，每个空间位点对应一个决策单元；
遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，根据表面位点的沉积速率及其与所述空间位点之间的直线距离，计算得到从表面位点到所述空间位点的沉积时间，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。
本申请第二方面提供一种薄膜沉积建模速率拓展装置，包括：
获取模块，用于获取半导体衬底图像；
网格化模块，用于按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格化，得到网格化后全部网格位点的坐标信息；
边缘检测模块，用于对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并根据预设工艺条件得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；其中，所述表面位点是指所述衬底表面轮廓曲线上的网格位点；
偏离确定模块，用于针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；其中，所述空间位点是指全部网格位点中除去表面位点外的网格位点；
决策单元确定模块，用于根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，所述决策单元是指与所述空间位点之间的偏离角度符合预设条件的表面位点的集合，每个空间位点对应一个决策单元；
速率拓展模块，用于遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，根据表面位点的沉积速率及其与所述空间位点之间的直线距离，计算得到从表面位点到所述空间位点的沉积时间，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。
本申请第三方面提供一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述处理器运行所述计算机程序时执行以实现本申请第一方面所述的方法。
本申请第四方面提供一种计算机可读介质，其上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令可被处理器执行以实现本申请第一方面所述的方法。
相较于现有技术，本申请提供的薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、电子设备及存储介质，获取半导体衬底图像；对所述衬底图像进行全域网格化；对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，每个空间位点对应一个决策单元；遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。相较于现有技术，本申请可以实现在任意衬底结构上的沉积速率准确拓展，避免传统速率拓展法带来的尖角和速率竞争问题，可以极大提升拓展速率的准确性和任意衬底结构的仿真普适性，从而提升薄膜工艺仿真形貌的精度。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：
图1示出了本申请提供的一种薄膜沉积建模速率拓展方法的流程图；
图2示出了本申请提供的一种具体的薄膜沉积建模速率拓展方法的流程图；
图3示出了本申请提供的一种薄膜沉积建模速率拓展装置的示意图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。
需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。
另外，术语“第一”和“第二”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本申请实施例提供一种薄膜沉积建模速率拓展方法及装置、一种电子设备以及计算机可读存储介质，下面结合附图进行说明。
请参考图1，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种薄膜沉积建模速率拓展方法的流程图，如图1所示，该薄膜沉积建模速率拓展方法，可以包括以下步骤S101至S106：
S101、获取半导体衬底图像；
具体的，本申请中首先获得一个需要沉积的半导体衬底的微纳结构图像，该半导体衬底包括但不限于集成电路微电子器件、光电子器件、微机电系统器件、有机发光材料等在制造过程中产生的某个工艺步骤下的微纳结构。
具体是指经过前序刻蚀、光刻、沉积等工艺产生的非平面衬底结构，包括直角台阶、倾角台阶、直角沟槽、倾角沟槽、T型结构、悬臂梁结构或更加复杂的单一或周期性图形。本实施例所述衬底结构的最小尺寸可以是几个纳米，最大尺寸可为几十个微米。
具体的，所述衬底图像可以是扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope，SEM)图像，也可以是自定义的非平面衬底结构。如果衬底结构是平面的，则各处的沉积速率相同。
在本申请的一些实施方式中，在步骤S102之前，上述方法中还可以包括步骤：对所述衬底图像进行图像预处理；其中，所述图像预处理包括裁剪图像、去噪、调整对比度、平滑处理中的任意一项或多项。
具体的，可以根据衬底图像的实际情况确定做哪些预处理，例如可以通过裁剪图像去除衬底图像中感兴趣区域以外的区域，感兴趣区域为待仿真区域。可以通过去噪去除衬底图像中的背景噪声，尤其是对于SEM图像，图像去噪处理可以采用中值滤波、高斯滤波、均值滤波、维纳滤波或傅里叶滤波等方法。可以通过调整对比度使衬底图像中暗区域更暗，亮区域增强。可以通过平滑处理去除衬底图像中的高频信息，保留低频信息。
示例性的，对衬底图像进行预处理可以包括先裁剪图像，再对截取的感兴趣区域图像进行去噪处理。
本申请中对衬底图像进行预处理，目的是得到更高质量可分割的图像，便于后续对衬底图像进行网格化以及边缘检测。
S102、按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格化，得到网格化后全部网格位点的坐标信息；
具体的，按照预设网格大小对衬底图像进行全域网格格点化，每一个网格位点对应一个坐标信息，从而形成坐标矩阵[X1,Y1]，可以按照X1、Y1坐标值升序或降序或一定规律的方法标定序号，以便于后续遍历每一网格位点。预设网格大小可以根据实际需要进行设定。
S103、对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并根据预设工艺条件得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；
其中，所述表面位点是指所述衬底表面轮廓曲线上的网格位点，衬底表面轮廓曲线上的网格位点形成表面位点矩阵[X2,Y2]，可以按照X2、Y2坐标值升序或降序或一定规律的方法标定序号，以便于后续遍历每一表面位点。
具体的，上述步骤S103可以实现为：对所述衬底图像进行边缘检测，得到检测结果；根据所述检测结果进行边缘提取，以得到光滑的连续曲线作为衬底表面轮廓曲线。
具体的，可以对衬底图像或预处理后的衬底图像做边缘检测和光滑处理，得到光滑的连续曲线，也就是待沉积的衬底表面轮廓曲线。
示例性的，边缘检测可以采用一阶微分算子、二阶微分算子或Canny边缘检测等方法。
提取衬底表面轮廓曲线之后，可以给定一组确定的工艺条件，计算出该工艺条件下衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率。
具体的工艺条件包括：反应气体种类、压强(P)、反应温度(T)、射频功率(W)、反应气体流速(Flow)、反应气体流量比(Flow ratio)等。
以集成电路制造工艺中沉积硅的氮氧化物为例，常用反应气体包括但不限于以下气体：硅烷(SiH4)、氨气(NH3)、氮气(N2)、氩气(Ar)、一氧化二氮(N2O)、氢气(H2)等。
沉积速率也可以称为反应速率、生长速率，具体计算可以根据现有的薄膜沉积速率计算公式，本申请在此不做赘述。
S104、针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；
其中，所述空间位点是指全部网格位点中除去表面位点外的网格位点。例如，全部网格位点是100个，其中表面位点有10个，其余的90个是空间位点。
具体的，根据空间位点的坐标信息和表面位点的坐标信息可以计算得到两点之间的直线距离。将空间位点和每个表面位点之间的直线与空间位点的法向之间的方向角，作为每个表面位点对应的偏离角度。
S105、根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，所述决策单元是指与所述空间位点之间的偏离角度符合预设条件的表面位点的集合，每个空间位点对应一个决策单元；
具体的，所述预设条件，包括：
若表面位点与所述空间位点之间的偏离角度大于预设偏离角度，则舍弃；
若表面位点与所述空间位点之间的偏离角度不大于预设偏离角度，则纳入决策单元。
其中，所述预设偏离角度的取值范围为0到90°之间。
具体的，可以选取一定的预设偏离角度，根据预设偏离角度选择一个合适的表面位点点阵，这个点阵被定义为决策单元。具体的预设偏离角度可以是从0到90°之间的某一区间或某一确定值。
S106、遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，根据表面位点的沉积速率及其与所述空间位点之间的直线距离，计算得到从表面位点到所述空间位点的沉积时间，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。
具体的，以某一个空间位点i为例，遍历空间位点i对应的决策单元中的表面位点，并根据每个决策单元中的表面位点与空间位点i之间的直线距离以及表面位点的沉积速率确定沉积到达时间最短的表面位点，并将这一表面位点的沉积速率拓展至空间位点i。沉积时间等于直线距离除以沉积速率。
重复步骤S106可以得到每一个空间位点的拓展速率，形成当前时刻、当前衬底结构下的空间拓展速率矩阵。
本申请从偏离角度和最小到达时间两个标准来寻找最精准的沉积速率，然后基于现有的水平集算法，可以更准确地仿真出薄膜沉积轮廓。
为了便于理解，如图2所示，本申请还提供了一种具体的薄膜沉积建模速率拓展方法的流程图。
本申请实施例提供的薄膜沉积建模速率拓展方法，相较于现有技术，可以实现在任意衬底结构上的沉积速率准确拓展，避免传统速率拓展法带来的尖角和速率竞争问题，可以极大提升拓展速率的准确性和任意衬底结构的仿真普适性，从而提升薄膜工艺仿真形貌的精度。
在上述的实施例中，提供了一种薄膜沉积建模速率拓展方法，与之相对应的，本申请还提供一种薄膜沉积建模速率拓展装置，该薄膜沉积建模速率拓展装置可以通过软件、硬件或软硬结合的方式来实现。例如，该薄膜沉积建模速率拓展装置可以包括集成的或分开的功能模块或单元来执行上述各方法中的对应步骤。请参考图3，其示出了本申请的一些实施方式所提供的一种薄膜沉积建模速率拓展装置的示意图。由于装置实施例基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。下述描述的装置实施例仅仅是示意性的。
如图3所示，所述薄膜沉积建模速率拓展装置10，可以包括：
获取模块101，用于获取半导体衬底图像；
网格化模块102，用于按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格化，得到网格化后全部网格位点的坐标信息；
边缘检测模块103，用于对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并根据预设工艺条件得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；其中，所述表面位点是指所述衬底表面轮廓曲线上的网格位点；
偏离确定模块104，用于针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；其中，所述空间位点是指全部网格位点中除去表面位点外的网格位点；
决策单元确定模块105，用于根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，所述决策单元是指与所述空间位点之间的偏离角度符合预设条件的表面位点的集合，每个空间位点对应一个决策单元；
速率拓展模块106，用于遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，根据表面位点的沉积速率及其与所述空间位点之间的直线距离，计算得到从表面位点到所述空间位点的沉积时间，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。
根据本申请的一些实施方式中，所述网格化模块102，还用于：
在按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格格点化之前，对所述衬底图像进行图像预处理；其中，所述图像预处理包括裁剪图像、去噪、调整对比度、平滑处理中的任意一项或多项。
根据本申请的一些实施方式中，所述边缘检测模块103，具体用于：
对所述衬底图像进行边缘检测，得到检测结果；
根据所述检测结果进行边缘提取，以得到光滑的连续曲线作为衬底表面轮廓曲线。
根据本申请的一些实施方式中，所述预设条件，包括：
若表面位点与所述空间位点之间的偏离角度大于预设偏离角度，则舍弃；
若表面位点与所述空间位点之间的偏离角度不大于预设偏离角度，则纳入决策单元。
根据本申请的一些实施方式中，所述预设偏离角度的取值范围为0到90°之间。
本申请实施例提供的薄膜沉积建模速率拓展装置，相较于现有技术，可以实现在任意衬底结构上的沉积速率准确拓展，避免传统速率拓展法带来的尖角和速率竞争问题，可以极大提升拓展速率的准确性和任意衬底结构的仿真普适性，从而提升薄膜工艺仿真形貌的精度。
本申请实施方式还提供一种与前述实施方式所提供的薄膜沉积建模速率拓展方法对应的电子设备，所述电子设备可以是手机、笔记本电脑、平板电脑、台式机电脑等，以执行上述薄膜沉积建模速率拓展方法。
本申请实施例提供的电子设备与本申请实施例提供的薄膜沉积建模速率拓展方法出于相同的发明构思，具有与其采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
本申请实施方式还提供一种与前述实施方式所提供的薄膜沉积建模速率拓展方法对应的计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序(即程序产品)，所述计算机程序在被处理器运行时，会执行前述任意实施方式所提供的薄膜沉积建模速率拓展方法。
需要说明的是，所述计算机可读存储介质的例子还可以包括，但不限于相变内存(PRAM)、静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、其他类型的随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、快闪记忆体或其他光学、磁性存储介质，在此不再一一赘述。
本申请的上述实施例提供的计算机可读存储介质与本申请实施例提供的薄膜沉积建模速率拓展方法出于相同的发明构思，具有与其存储的应用程序所采用、运行或实现的方法相同的有益效果。
需要说明的是，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的系统、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围，其均应涵盖在本申请的权利要求和说明书的范围当中。
Claims (10)
1.一种薄膜沉积建模速率拓展方法，其特征在于，包括：
获取半导体衬底图像；
按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格化，得到网格化后全部网格位点的坐标信息；
对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并根据预设工艺条件得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；其中，所述表面位点是指所述衬底表面轮廓曲线上的网格位点；
针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；其中，所述空间位点是指全部网格位点中除去表面位点外的网格位点；
根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，所述决策单元是指与所述空间位点之间的偏离角度符合预设条件的表面位点的集合，每个空间位点对应一个决策单元；
遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，根据表面位点的沉积速率及其与所述空间位点之间的直线距离，计算得到从表面位点到所述空间位点的沉积时间，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格格点化之前，所述方法包括：
对所述衬底图像进行图像预处理；其中，所述图像预处理包括裁剪图像、去噪、调整对比度、平滑处理中的任意一项或多项。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，包括：
对所述衬底图像进行边缘检测，得到检测结果；
根据所述检测结果进行边缘提取，以得到光滑的连续曲线作为衬底表面轮廓曲线。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设条件，包括：
若表面位点与所述空间位点之间的偏离角度大于预设偏离角度，则舍弃；
若表面位点与所述空间位点之间的偏离角度不大于预设偏离角度，则纳入决策单元。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述预设偏离角度的取值范围为0到90°之间。
6.一种薄膜沉积建模速率拓展装置，其特征在于，包括：
获取模块，用于获取半导体衬底图像；
网格化模块，用于按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格化，得到网格化后全部网格位点的坐标信息；
边缘检测模块，用于对所述衬底图像进行边缘检测，得到衬底表面轮廓曲线，并根据预设工艺条件得到所述衬底表面轮廓曲线上所有表面位点的沉积速率；其中，所述表面位点是指所述衬底表面轮廓曲线上的网格位点；
偏离确定模块，用于针对每一个空间位点，根据坐标信息确定所述空间位点与每个表面位点之间的直线距离和偏离角度；其中，所述空间位点是指全部网格位点中除去表面位点外的网格位点；
决策单元确定模块，用于根据所述偏离角度确定用于对所述空间位点进行速率拓展的决策单元，所述决策单元是指与所述空间位点之间的偏离角度符合预设条件的表面位点的集合，每个空间位点对应一个决策单元；
速率拓展模块，用于遍历所述空间位点的决策单元中的表面位点，根据表面位点的沉积速率及其与所述空间位点之间的直线距离，计算得到从表面位点到所述空间位点的沉积时间，将沉积时间最短的表面位点的沉积速率拓展至所述空间位点。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述网格化模块，还用于：
在按照预设网格大小对所述衬底图像进行全域网格格点化之前，对所述衬底图像进行图像预处理；其中，所述图像预处理包括裁剪图像、去噪、调整对比度、平滑处理中的任意一项或多项。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述边缘检测模块，具体用于：
对所述衬底图像进行边缘检测，得到检测结果；
根据所述检测结果进行边缘提取，以得到光滑的连续曲线作为衬底表面轮廓曲线。
9.一种电子设备，包括：存储器、处理器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器运行所述计算机程序时执行以实现如权利要求1至5中任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，其上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令可被处理器执行以实现如权利要求1至5中任一项所述的方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (1)
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Family
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| CN202210061500.0A Pending CN114549415A (zh) | 2022-01-19 | 2022-01-19 | 薄膜沉积建模速率拓展方法、装置、设备及存储介质 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN114549415A (zh) |
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