CN114447092A - 显示装置 - Google Patents
显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114447092A CN114447092A CN202210134421.8A CN202210134421A CN114447092A CN 114447092 A CN114447092 A CN 114447092A CN 202210134421 A CN202210134421 A CN 202210134421A CN 114447092 A CN114447092 A CN 114447092A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- display
- display device
- pad
- wiring
- insulating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 128
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
- H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
Abstract
公开了一种显示装置。一方面,显示装置包括基底,基底具有显示区域和焊盘区域,其中,显示区域包括被构造为显示图像的多个像素,焊盘区域与显示区域相邻并且被构造为传输电信号。焊盘区域的至少一部分能够弯曲。显示装置还包括形成在基底上方并且包括在焊盘区域中的弯曲槽的绝缘层。弯曲槽包括侧壁。多个外围布线形成在绝缘层上方,切掉部分连接到侧壁并且设置在相邻的外围布线之间。
Description
本申请是申请日为2016年8月10日、申请号为201610652721.X、发明名称为“显示装置”的专利申请的分案申请。
技术领域
所描述的技术总体上涉及一种显示装置。
背景技术
类似液晶显示器(LCD)、等离子体显示装置(PDP)、有机发光二极管(OLED)显示器、电场效应显示器、电泳显示器的显示装置正面临不断增加的市场需求。
这类装置包括通过发射多色光来显示图像的显示面板和设置在显示面板上并且保护显示面板的窗口。通过进一步包括为接收人类接触或手持输入装置(如,触针)的输入信号而提供的触摸面板,显示装置取得巨大进展。
此时,为了利用显示面板发光,在显示面板的外围安装驱动芯片,以通过传输触摸信号来驱动显示面板。为了电连接显示面板和驱动芯片,在显示面板的一部分上形成焊盘电极。焊盘电极由导电材料形成以电连接显示面板和驱动芯片。
对于具有较大显示区域的显示装置的市场需求正在增加,制造商正在开发可以降低焊盘区域与显示区域比例并且提高显示器的性能的显示装置。
发明内容
一个发明方面涉及一种能够减小显示装置的焊盘面积并且防止布线之间短路的显示装置。
另一个方面包括一种显示装置,所述显示装置具有:基底,所述基底包括具有多个像素以便显示图像的显示区域和传输电信号的焊盘区域,其中,焊盘区域的一部分可以被弯曲;绝缘层,形成在基底上并且包括在焊盘区域中的弯曲槽;多个外围布线,形成在绝缘层上方;切掉部分,从弯曲槽的侧壁突出或者凹进并且设置在彼此相邻的多个外围布线之间。
弯曲槽沿着与外围布线延伸的长度方向交叉的方向设置在绝缘层上。切掉部分设置在与绝缘层相同的层处。
切掉部分由与绝缘层的材料相同的材料形成。切掉部分与绝缘层一体地形成。
切掉部分的宽度从侧壁到切掉部分的端部保持不变。
切掉部分的宽度从侧壁到切掉部分的端部减小。
显示区域包括从像素延伸到焊盘区域的显示布线,其中,外围布线的一端通过第一接触孔接触显示布线。
焊盘区域包括焊盘电极和焊盘布线,外围布线的另一端通过第二接触孔接触焊盘线布线,焊盘电极通过焊盘接触孔接触焊盘布线。
显示区域与显示布线连接并且包括具有栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管,显示布线由与栅电极的材料相同的材料制成,外围布线由与源电极和漏电极的材料相同的材料制成。
切掉部分具有从侧壁突出到基底处的焊盘区域的边缘的多个突出。
切掉部分具有从侧壁凹进到基底处的焊盘区域的边缘的多个凹部。
切掉部分的高度等于或者低于绝缘层的高度。
另一个方面是一种显示装置,显示装置包括:基底,包括显示区域和焊盘区域,其中,显示区域包括被构造为显示图像的多个像素,焊盘区域与显示区域相邻并且被构造为传输电信号,其中焊盘区域的至少一个部分能够弯曲;绝缘层,形成在基底上方并且包括在焊盘区域中的弯曲槽,其中弯曲槽包括侧壁;多个外围布线,形成在绝缘层上方;以及切掉部分,连接到侧壁并且设置在相邻的外围布线之间。
在以上显示装置中,弯曲槽沿着与外围布线延伸的方向交叉的方向延伸。
在以上显示装置中,切掉部分形成在与绝缘层相同的层上。
在以上显示装置中,切掉部分由与绝缘层的材料相同的材料形成。
在以上显示装置中,切掉部分与绝缘层一体地形成。
在以上显示装置中,切掉部分的宽度从侧壁到切掉部分的端部区域基本相同。
在以上显示装置中,切掉部分的宽度从侧壁到切掉部分的端部减小。
在以上显示装置中,显示区域包括从像素延伸到焊盘区域的显示布线,其中,外围布线的一端通过第一接触孔接触显示布线。
在以上显示装置中,焊盘区域包括焊盘电极和焊盘布线,其中,外围布线的另一端通过第二接触孔接触焊盘布线,其中,焊盘电极通过焊盘接触孔接触焊盘布线。
在以上显示装置中,显示区域连接到显示布线并且包括具有栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管,其中,显示布线由与栅电极的材料相同的材料形成,其中,外围布线由与源电极和漏电极的材料相同的材料形成。
在以上显示装置中,切掉部分包括从侧壁到焊盘区域的边缘突出的多个突出。
在以上显示装置中,切掉部分包括从侧壁到焊盘区域的边缘凹进的多个凹部。
在以上显示装置中,切掉部分的高度基本上等于或者小于绝缘层的高度。
另一个方面是一种显示装置,所述显示装置包括:基底,包括被构造为显示图像的显示区域和与显示区域相邻并且被构造为向显示区域传输电信号的焊盘区域,其中,焊盘区域的一部分能够弯曲;绝缘层,形成在基底上方并且包括形成在焊盘区域中的弯曲槽,其中,弯曲槽包括侧壁;多个显示布线,形成在显示区域中;多个外围布线,形成在外围区域中并且电连接到显示布线;以及切掉部分,从侧壁延伸到显示区域中或者从显示区域的绝缘层突出到外围区域中的侧壁中,其中,切掉部分置于相邻的外围布线之间。
在以上显示装置中,弯曲槽的高度低于绝缘层剩余部分的高度。
在以上显示装置中,切掉部分基本上是矩形的。
在以上显示装置中,所选的显示布线和所选的外围布线叠置在显示区域中的叠置区域中,其中,叠置区域具有比切掉部分的长度小的长度。
在以上显示装置中,切掉部分基本上是三角形的。
在以上显示装置中,侧壁与所选的外围布线在显示装置的深度维度上叠置。
在以上显示装置中,切掉部分的宽度小于外围布线的宽度。
根据公开的实施例中的至少一个,提供了一种显示装置,当该显示装置弯曲时,在通过去除绝缘层与显示装置的焊盘区域的弯曲区域对应的部分而形成的弯曲槽中,由于通过堆叠多个层而形成的每个绝缘层的模量差异而导致的对显示装置的损害的概率可以下降。
另外,提供了一种通过切掉部分使多个外围布线之间短路的概率降低的显示装置。
附图说明
图1示出根据示例性实施例的显示装置的俯视平面图。
图2示出显示示例性实施例的显示装置的弯曲状态的侧视图。
图3示出根据第一示例性实施例的显示装置的图1中的A区域的放大图。
图4示出沿图3中的IV-IV线截取的剖视图。
图5示出图3中的B区域的放大图。
图6示出根据第二示例性实施例的显示装置的图3中的B区域的放大图。
图7示出根据第三示例性实施例的显示装置的图3中的B区域的放大图。
图8示出根据第四示例性实施例的显示装置的图3中的B区域的放大图。
图9示出显示根据示例性实施例的显示装置的显示区域中的像素的一部分的剖视图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图来详细描述示例性实施例。然而,在描述本技术时,将省略对已知的功能或构造的描述,以便本技术的主题更加清晰。
与示例性实施例的描述无关的部分未在附图中示出以使描述更加清晰,贯穿说明书,同样的附图标记表示同样的元件。另外,为了更好理解和易于描述,附图中所示的每个构造的尺寸和厚度被任意示出,但是本技术不限于此。
在附图中,为了清楚,夸大了层、膜、面板、区域等的厚度。在附图中,为了理解和易于描述,夸大了一些层和区域的厚度。在本公开中,术语“基本上(基本)”包含完全地、几乎完全地或者在一些应用下以及根据本领域技术人员的达到任何显著程度的含义。而且,“形成在、设置在或位于……上方”还可表示“形成在、设置在或位于……上”。术语“连接”包括电连接。
图1示出根据示例性实施例的显示装置100的俯视平面图。图2示出显示示例性实施例的显示装置100的弯曲状态的侧视图。
根据示例性实施例的显示装置100包括基底110、绝缘层120、多个外围布线124和切掉部分126。
如图1所示,本示例性实施例的基底110包括由于它们各自的功能而可区分开的显示区域DA和焊盘区域PA。显示区域DA是形成在基底110的区域中并且包括多个像素PX以便显示图像的区域,焊盘区域PA是通过与膜上芯片COF和柔性印刷电路板FPCB电连接来接收从外部传输到显示区域的电信号的区域。
根据本示例性实施例的基底110可以是由类似聚酰亚胺或聚碳酸酯的柔性材料形成的塑料膜。因此,本示例性实施例的基底110可以允许焊盘区域PA的一部分如图2中所示弯曲。
绝缘层120形成在本示例性实施例的基底110上。绝缘层120通过防止湿气和氧气从外部渗透来保护基底110。绝缘层120通过堆叠有机层或无机层,或者通过交替地堆叠有机层和无机层而形成。
例如,本示例性实施例的绝缘层120包括在基底110上的阻挡层120a、缓冲层(未示出)、栅极绝缘层120b和120c以及层间绝缘层120d。
阻挡层120a通过堆叠多个有机层或无机层,或者通过交替地堆叠有机层和无机层而形成。阻挡层120a由具有比基底110的透湿性和氧气透过率低的材料形成,使得透过基底110的湿气和氧气不会透过发光元件30。关于发光元件30,在下面针对图9的部分中进行了举例描述。
与阻挡层120a相似,缓冲层(未示出)也通过堆叠多个有机层或无机层而形成。为了在显示区域DA中的发光元件30处形成像素电路并且防止湿气和杂质渗透到像素电路和发光元件30中,缓冲层提供了基本上平坦的表面。
栅极绝缘层120b和120c由有机层或无机层形成在缓冲层上,使得包括栅极线(未示出)、栅电极32和栅极焊盘(未示出)的栅极布线与其它层的导电材料绝缘。尽管未在附图中示出,但是本示例性实施例的栅极线包括第一栅极线和形成在与第一栅极线不同的层中的第二栅极线,使得第一栅极绝缘层120b和第二栅极绝缘层120c形成为对应于第一栅极线和第二栅极线。
层间绝缘层120d形成在栅极绝缘层120b和120c上并且主要由有机层形成,但不限于此。层间绝缘层120d形成在包括数据线(未示出)、数据焊盘(未示出)、源电极33和漏电极34的数据布线与栅极布线之间,使得层间绝缘层120d将栅极布线和数据布线彼此绝缘。
当传统的显示装置被弯曲时,可能出现如下问题:当显示装置弯曲时对显示装置的损坏;或者由于通过堆叠多个有机层或无机层而使绝缘层的厚度太厚,所以各层之间大的模量差异会使得显示装置不容易弯曲。
因此,本示例性实施例的显示装置100包括通过去除绝缘层120与显示装置100的弯曲区域对应的一部分而形成的弯曲槽BD。由于通过去除绝缘层120的一部分而形成弯曲槽BD,所以可以通过与未被去除的绝缘层120的台阶来形成侧壁128。
在这种情况下,可以通过去除包括在绝缘层120中的阻挡层120a、缓冲层(未示出)、栅极绝缘层120b和120c以及层间绝缘层120d的一部分或者为了使基底110露出而去除绝缘层120的全部来形成本示例性实施例的弯曲槽BD。
图2和图4示出通过去除绝缘层120中的缓冲层、栅极绝缘层120b和120c以及层间绝缘层120d并且保留阻挡层120a而形成的弯曲槽BD。
然而,本实施例仅是一个示例,如上所述,可能的是,可以仅去除阻挡层120a或者仅去除层间绝缘层120d同时保留缓冲层(未示出)以及栅极绝缘层120b和120c。
切掉部分126形成在弯曲槽BD的侧壁处。切掉部分126从弯曲槽BD的侧壁128突出到在基底处的焊盘区域的边缘或者从弯曲槽BD的侧壁128凹进到基底处的焊盘区域的边缘。
图3示出了根据第一示例性实施例的包括从弯曲槽BD的侧壁128突出的切掉部分126的焊盘区域PA和显示区域DA的一部分。图4示出了沿图3中的IV-IV线截取的剖视图。
词语“突出”可以意味着切掉部分126朝向基底110的焊盘区域PA中的边缘延伸。例如,这意味着切掉部分126从弯曲槽BD的保留在绝缘层120中的侧壁128朝向在弯曲槽BD处通过去除绝缘层120而开放的空白空间延伸。
多个外围布线124形成在本示例性实施例的包括弯曲槽BD的绝缘层120上。外围布线124与显示区域DA中的多个显示布线和焊盘区域PA中的多个焊盘电极140电连接。
如图3和图4中所示,外围布线124的一端通过接触穿过第一接触孔124a与显示布线130电连接,外围布线124的另一端通过接触穿过第二接触孔124b与焊盘区域PA中的焊盘布线136电连接。
焊盘布线136接触焊盘接触孔142并且与焊盘电极140连接。本示例性实施例的显示布线130由与上述栅极布线的材料相同的材料形成,本示例性实施例的外围布线124由与上述数据布线的材料相同的材料形成。
例如,显示布线130包括第一显示布线132和形成在与第一显示布线132不同层上的第二显示布线134,第一显示布线132形成在第一栅极线上并且第二显示布线134形成在与第一栅极线形成在不同层上的第二栅极线上,并且分别由与第一栅极线的材料和形成在与第一栅极线不同层上的第二栅极线的材料相同的材料形成。
然而,它并不限于此,即使外围布线124由与栅极布线的材料相同的材料形成,所描述的技术的实施范围也不被限制。形成显示布线130和外围布线124之后,为了形成如针对图9描述的显示区域DA中的像素,可以添加用来形成类似像素电极371或者共用电极373的电极的材料。
在这种情况下,由于用来形成电极的材料不仅施加在显示区域DA上而且施加在基底110的所有区域上,所以未被去除的用来形成电极的材料可以保留在弯曲槽BD的形成有台阶的下侧中。
如果用来形成电极的材料保留在弯曲槽BD中,则由于用于形成电极的剩余材料位于包括弯曲槽BD的绝缘层120中而使外围布线124连接,所以会发生短路现象,从而产品会有缺陷。因此,根据本示例性实施例,形成了多个切掉部分126以防止用来形成电极的材料保留在弯曲槽BD中。
根据本示例性实施例的多个切掉部分126形成在每个外围布线124之间,使得与未形成切掉部分126的情况相反,切掉部分126延伸了弯曲槽BD的侧壁128的周向长度。
用于形成电极的材料不保留在外围布线124之间,使得由于通过延伸侧壁128的周向长度而可以使形成电极的材料保留在弯曲槽BD中的侧壁128上的概率降低,从而可以防止外围布线124之间的短路现象。
本示例性实施例的切掉部分126可以由与绝缘层120的材料相同的材料形成并且可以与绝缘层120一体地形成。
当去除绝缘层120的一部分以形成弯曲槽BD时,为了在侧壁128处形成切掉部分126,可以通过使用对应于切掉部分126的形状的掩模来形成弯曲槽BD。
另外,尽管未在附图中示出,但是本示例性实施例的切掉部分126具有与弯曲槽BD的侧壁128的高度相同或比弯曲槽BD的侧壁128的高度低的高度。
例如,当去除绝缘层120以形成弯曲槽BD时,通过去除具有与弯曲槽BD的高度相同或者比弯曲槽BD的高度低的绝缘层120来形成切掉部分126。
作为示例,如果去除绝缘层120中的层间绝缘层120d、栅极绝缘层120b和120c以及缓冲层来形成弯曲槽BD,不仅可以去除层间绝缘层120d、栅极绝缘层120b和120c以及缓冲层中的全部以形成弯曲槽BD,而且可以仅去除层间绝缘层120d或者仅去除层间绝缘层120d以及栅极绝缘层120b和120c。
图5至图8示出根据第一示例性实施例至第四示例性实施例的切掉部分126的各种示例性实施例。
图5示出图3中的B区域和B区域的外周的放大图。图6到图8示出能够在对应于图5的位置处变形的其他示例性实施例。
如图5所示,由于绝缘层120从弯曲槽BD的侧壁128朝向焊盘电极140突出,所以形成根据第一示例性实施例的切掉部分126。
这与针对图3和图4的描述相同。同时,图6示出根据第二示例性实施例的切掉部分126。
根据第二示例性实施例,由于绝缘层120从弯曲槽BD的侧壁128朝向焊盘电极140凹进,所以形成切掉部分126。
如图5和图6中所示,根据第一示例性实施例和第二示例性实施例的切掉部分126的宽度从侧壁128到切掉部分126的端部保持不变。
图7示出根据第三示例性实施例的切掉部分126。与第一示例性实施例类似,图7示出了由于绝缘层120从弯曲槽BD的侧壁128朝向焊盘电极140突出而形成的切掉部分126。
然而,根据第三示例性实施例,不同于第一示例性实施例,图7示出切掉部分126的宽度从弯曲槽BD的侧壁128到切掉部分126的端部减小。
图8示出根据第四示例性实施例的切掉部分126。与第二示例性实施例类似,图8示出的切掉部分126也形成为绝缘层120从弯曲槽BD的侧壁128朝向显示区域DA凹进的一部分,并且与第三示例性实施例类似,切掉部分126的宽度从弯曲槽BD的侧壁128到切掉部分126的端部减小。
此外,尽管未在附图中示出,但是不仅切掉部分126的表面和边缘可以被倒圆,而且多个切掉部分126的长度或高度彼此不同的情况也将被包括到所描述的技术的示例性范围内。
同时,图9示出了根据示例性实施例的显示装置100的显示区域DA中的像素PX。
在图9的像素PX中,包括阻挡层120a、缓冲层、栅极绝缘层120b和120c以及层间绝缘层120d的绝缘层120形成在基底110上,发光元件30形成在绝缘层120上。
此时,在缓冲层上形成包括沟道区311、源极区312和漏极区313的半导体层31,栅极绝缘层120b和120c覆盖半导体层31,栅电极32与沟道区311对应地形成在栅极绝缘层120b和120c上。
层间绝缘层120d覆盖栅电极32,接触孔形成在层间绝缘层120d中以便源电极33和漏电极34分别与半导体层31的源极区312和漏极区313连接。
然后,为了使表面平坦,在其上形成有源电极33和漏电极34的层间绝缘层120d上形成平坦化层35。在平坦化层35中形成另一个接触孔以便像素电极371和漏电极34彼此接触。源电极33、半导体层31、栅电极32和漏电极34可以是薄膜晶体管TFF。
在平坦化层35上形成在对应于像素的发光区域的区域处敞开的像素限定层36。在像素限定层36的敞开区域中依次堆叠像素电极371、有机发射层372和共用电极373,从而完成了有机发光元件37。
薄膜包封层38形成在有机发光元件37上以防止湿气和氧气渗透到其上形成有机发光元件37的基底110中。
图9示出根据示例性实施例的包括有机发光元件37的OLED显示器。然而,所描述的技术不限于此,并且它可以被应用于类似液晶显示器LCD、等离子体显示装置PDP、场效应显示器FED和电泳显示器的各种显示装置。
根据示例性实施例,显示布线130从显示区域DA中的像素PX延伸到焊盘区域PA。显示布线130是与栅电极32在相同层且由相同材料形成的栅极线或者与源电极33和漏电极34在相同层且由相同材料形成的数据线。
另外,如上所述,栅极线可以是形成在彼此不同的层的第一栅极线和第二栅极线。因此,第一显示布线132和第二显示布线134不仅对应于第一栅极线和第二栅极线,而且对应于栅极线和数据线。
同时,本示例性实施例的形成在焊盘区域PA中的焊盘布线136也由与显示布线130的材料相同的材料形成,并且焊盘电极140由与外围布线124的材料相同的材料形成。
另外,用来形成像素电极的材料形成在焊盘电极140上,以形成显示区域DA的像素电极371。以上描述的是,显示装置100包括对应于第一至第四示例性实施例的切掉部分126。
根据本示例性实施例,当显示装置弯曲时,在通过去除绝缘层与显示装置的焊盘区域的弯曲区域对应的部分而形成的弯曲槽中,由于通过堆叠多个层而形成的每个绝缘层的模量差异而导致的对显示装置的损害的概率可以下降。
另外,通过形成切掉部分126,可以降低穿过焊盘区域PA的外围布线124之间短路的概率。
虽然已经结合目前被认为实用的示例性实施例来描述本发明技术,但将理解的是,本发明不限于已公开的实施例,而是相反地,本发明意图覆盖包括在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。
因此,改变的示例和修改的示例不应当与所描述技术的技术精神或者观点分离开领会,而且应当领会的是,修改的示例性实施例将被包括在所描述的技术的权利要求中。
Claims (10)
1.一种显示装置,所述显示装置包括:
显示区域,在所述基底上包括多个像素;
焊盘区域,在所述基底上并且与所述显示区域相邻;
绝缘层,设置在所述基底上并且包括多个凹部,所述绝缘层的一部分在所述多个凹部中被去除,其中,所述凹部从所述焊盘区域到所述显示区域是凹入的;
多条外围布线,设置在所述绝缘层上,
其中,所述凹部设置在相邻的外围布线之间,并且
所述凹部和所述布线一一交替设置。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述绝缘层包括间隙区域,所述间隙区域是在所述焊盘区域中被去除的所述绝缘层,
所述间隙区域在与所述外围布线延伸的方向交叉的方向上延伸。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示区域包括从所述像素延伸到所述焊盘区域的显示布线,并且其中,所述外围布线的端部区域通过第一接触孔接触所述显示布线。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述焊盘区域包括焊盘电极和焊盘布线,其中,所述外围布线的另一端部通过第二接触孔接触所述焊盘布线,并且其中,所述焊盘电极通过焊盘接触孔接触所述焊盘布线。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示区域连接到显示布线并且包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极,其中,所述显示布线由与所述栅电极的材料相同的材料形成,并且其中,所述外围布线由与所述源电极和所述漏电极的材料相同的材料形成。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述凹部的高度基本等于或小于所述绝缘层的高度。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述基底是柔性的。
8.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述间隙区域的高度小于所述绝缘层的剩余部分的高度。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述凹部是大致矩形的。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述凹部的宽度小于所述外围布线的宽度。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0113265 | 2015-08-11 | ||
KR1020150113265A KR102412468B1 (ko) | 2015-08-11 | 2015-08-11 | 표시 장치 |
CN201610652721.XA CN106449698B (zh) | 2015-08-11 | 2016-08-10 | 显示装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610652721.XA Division CN106449698B (zh) | 2015-08-11 | 2016-08-10 | 显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114447092A true CN114447092A (zh) | 2022-05-06 |
Family
ID=57996099
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610652721.XA Active CN106449698B (zh) | 2015-08-11 | 2016-08-10 | 显示装置 |
CN202210134421.8A Pending CN114447092A (zh) | 2015-08-11 | 2016-08-10 | 显示装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610652721.XA Active CN106449698B (zh) | 2015-08-11 | 2016-08-10 | 显示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US10483291B2 (zh) |
KR (1) | KR102412468B1 (zh) |
CN (2) | CN106449698B (zh) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102412468B1 (ko) * | 2015-08-11 | 2022-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
US10643511B2 (en) * | 2016-08-19 | 2020-05-05 | Apple Inc. | Electronic device display with monitoring circuitry |
CN106601780A (zh) * | 2017-01-24 | 2017-04-26 | 北京小米移动软件有限公司 | 电子设备、显示器件及显示器件的制备方法 |
CN112234088B (zh) * | 2017-04-21 | 2023-04-18 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
KR102381286B1 (ko) * | 2017-05-18 | 2022-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102420079B1 (ko) * | 2017-06-16 | 2022-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102505265B1 (ko) * | 2017-06-23 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 전자 장치 |
KR102370450B1 (ko) * | 2017-07-07 | 2022-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102370406B1 (ko) | 2017-07-10 | 2022-03-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102492735B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2023-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109755256B (zh) | 2017-11-01 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示面板及制备方法、柔性显示装置 |
KR102465788B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-11-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN108899330A (zh) * | 2018-07-06 | 2018-11-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法,显示装置 |
KR102617925B1 (ko) * | 2018-09-27 | 2023-12-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN109192078B (zh) * | 2018-11-12 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性面板及其制备方法和显示装置 |
KR20200094874A (ko) * | 2019-01-30 | 2020-08-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR20200115751A (ko) * | 2019-03-25 | 2020-10-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110119224B (zh) * | 2019-05-17 | 2024-07-19 | 苏州诺菲纳米科技有限公司 | 触控传感器及其制备方法 |
KR20210102562A (ko) | 2020-02-11 | 2021-08-20 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
WO2021203320A1 (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20000009438A (ko) | 1998-07-24 | 2000-02-15 | 윤종용 | 액정 표시 장치의 결함 제거 방법 |
KR100995579B1 (ko) | 2003-11-03 | 2010-11-19 | 삼성전자주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
KR100599726B1 (ko) | 2003-11-27 | 2006-07-12 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 |
KR101248005B1 (ko) | 2009-11-17 | 2013-03-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
KR102097150B1 (ko) * | 2013-02-01 | 2020-04-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR102038985B1 (ko) * | 2013-02-21 | 2019-11-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 장치 및 그 제조방법 |
US9203050B2 (en) * | 2013-05-21 | 2015-12-01 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method of manufacturing the same |
KR102066087B1 (ko) * | 2013-05-28 | 2020-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시장치 및 그의 제조방법 |
KR102089246B1 (ko) * | 2013-07-19 | 2020-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 및 플렉서블 디스플레이 장치의 제조방법 |
KR102085961B1 (ko) * | 2013-12-24 | 2020-03-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
US9666814B2 (en) * | 2014-03-07 | 2017-05-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
KR102192227B1 (ko) * | 2014-10-02 | 2020-12-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패드 구조 및 이를 포함하는 표시장치 |
KR102412468B1 (ko) | 2015-08-11 | 2022-06-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN110797348B (zh) * | 2019-10-12 | 2022-01-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
-
2015
- 2015-08-11 KR KR1020150113265A patent/KR102412468B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-07-21 US US15/215,858 patent/US10483291B2/en active Active
- 2016-08-10 CN CN201610652721.XA patent/CN106449698B/zh active Active
- 2016-08-10 CN CN202210134421.8A patent/CN114447092A/zh active Pending
-
2019
- 2019-08-21 US US16/547,060 patent/US11158655B2/en active Active
-
2021
- 2021-10-26 US US17/452,246 patent/US20220045108A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170019546A (ko) | 2017-02-22 |
CN106449698B (zh) | 2022-03-04 |
US20170047357A1 (en) | 2017-02-16 |
US10483291B2 (en) | 2019-11-19 |
US20190378860A1 (en) | 2019-12-12 |
US20220045108A1 (en) | 2022-02-10 |
CN106449698A (zh) | 2017-02-22 |
KR102412468B1 (ko) | 2022-06-23 |
US11158655B2 (en) | 2021-10-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106449698B (zh) | 显示装置 | |
CN110956900B (zh) | 显示装置 | |
KR102550697B1 (ko) | 플렉서블 디스플레이 장치 | |
CN110018597B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN109671742B (zh) | Amoled显示面板 | |
JP2018092018A (ja) | 表示装置、および表示装置の製造方法 | |
CN109991788B (zh) | 显示面板及显示装置 | |
CN108807419B (zh) | 显示装置 | |
CN110931523A (zh) | 显示装置 | |
US20240008331A1 (en) | Display device | |
CN104835420A (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
CN105720079A (zh) | 有机电致发光显示装置 | |
US11452207B2 (en) | Flexible circuit film and display apparatus having the same | |
CN113517262A (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
KR102060789B1 (ko) | 표시 장치 | |
KR20160090233A (ko) | 디스플레이 디바이스 | |
KR102415286B1 (ko) | 디스플레이 기판, 디스플레이 장치, 및 디스플레이 기판을 제조하는 방법 | |
WO2018193681A1 (ja) | 表示装置、および表示装置の製造方法 | |
KR102513388B1 (ko) | 협 베젤 구조를 갖는 평판 표시 장치 | |
KR20210107194A (ko) | 연성 회로 필름, 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
US20240276844A1 (en) | Display substrate and display device | |
EP4002477A2 (en) | Display device and method of providing the same | |
KR20230094228A (ko) | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
TW202310694A (zh) | 電子裝置 | |
CN115863349A (zh) | 显示装置和制造显示装置的方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |