CN114361059A - 晶圆清洗设备和清洗方法 - Google Patents

晶圆清洗设备和清洗方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114361059A
CN114361059A CN202011087901.0A CN202011087901A CN114361059A CN 114361059 A CN114361059 A CN 114361059A CN 202011087901 A CN202011087901 A CN 202011087901A CN 114361059 A CN114361059 A CN 114361059A
Authority
CN
China
Prior art keywords
nozzle
wafer
adjusting
cleaning agent
angle
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011087901.0A
Other languages
English (en)
Inventor
朱苏凯
黄焱誊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Changxin Memory Technologies Inc
Original Assignee
Changxin Memory Technologies Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Changxin Memory Technologies Inc filed Critical Changxin Memory Technologies Inc
Priority to CN202011087901.0A priority Critical patent/CN114361059A/zh
Priority to PCT/CN2021/103806 priority patent/WO2022077960A1/zh
Priority to US17/441,215 priority patent/US11869779B2/en
Publication of CN114361059A publication Critical patent/CN114361059A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本申请公开一种晶圆清洗设备和晶圆清洗方法，在对晶圆清洗作业中，能检测到由喷嘴所喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置，且在落点位置产生偏差时，采取包括控制喷嘴调整机构调整喷嘴的位置和/或喷射角度、控制流速调整单元调整喷嘴喷射的清洗剂的流速等措施，使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置位于预设目标区域内，提高晶圆清洗效果，提高产品性能及产品良率。

Description

晶圆清洗设备和清洗方法
技术领域
本申请涉及半导体器件制造领域，特别是涉及一种晶圆清洗设备和清洗方法。
背景技术
在半导体工艺中，晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一。在常用的半导体工艺中，例如：沉积、等离子体刻蚀、旋涂光刻胶、光刻、电镀等等，都有可能会在晶圆表面引入污染物，导致晶圆表面的清洁度下降，使得制造的半导体器件良率低。
现有通常会在执行一道或多道半导体工艺(例如：CMP(Chemical MechanicalPolishing，化学机械研磨)、PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)、CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)等)后，采用清洁设备对晶圆进行清洁，用于去除可能形成在晶圆表面的污染物。
清洁设备机台使用清洗剂清洗晶圆，清洗剂在晶圆上的落点位置十分重要，如果落点位置不在目标区域内则会导致晶圆表面水膜覆盖不完整，清洗不完全，清洗效果不佳且影响良率，水膜覆盖不完整也会造成晶圆表面部分区域会有暂时性干燥，并且落点位置过近时，对晶圆的冲击力增大，可能会破坏晶圆堆叠结构的完整性，导致表面缺陷的产生，造成产品良率下降。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺失，本申请的目的在于公开一种晶圆清洗设备和清洗方法，用于解决现有技术中清洗效果不佳且影响良率等问题。
为解决上述问题及其他问题，本申请公开一种晶圆清洗设备，包括：
晶圆承载结构，用于承载晶圆；所述晶圆的中心与所述晶圆承载结构的中心一致；
清洗装置，包括喷嘴，所述喷嘴设于所述晶圆承载结构上方，用于喷射清洗剂至所述晶圆承载结构所承载的晶圆的表面；
喷嘴调整装置，包括：喷嘴调整机构，与所述喷嘴连接，用于调整所述喷嘴的位置和喷射角度中的至少一者；
流速调整装置，包括：流速调整单元，用于调整所述喷嘴喷射的清洗剂的流速；以及
控制单元，与所述喷嘴调整机构和流速调整单元连接，用于在判断得到所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆的表面的落点位置偏离预设目标区域时，控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆的表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
可选地，所述喷嘴调整机构包括：喷嘴位置调整单元，用于调整所述喷嘴在三维空间中至少一个维度上的尺度。
可选地，所述喷嘴位置调整单元包括以下一个或多个的结合：水平调整组件，用于调整所述喷嘴在水平面上的位置；高度调整组件，用于调整所述喷嘴在高度方向上的位置。
可选地，所述水平调整组件包括：第一方向调整组件，用于调整所述喷嘴在第一方向上的位置；第二方向调整组件，用于调整所述喷嘴在第二方向上的位置；所述第二方向垂直于第一方向并构成一水平面。
可选地，所述水平调整组件包括：径向调整组件，用于调整所述喷嘴在所述晶圆承载结构径向上的位置。
可选地，所述喷嘴调整装置还包括：喷嘴位置检测单元，与所述控制单元连接，用于检测所述喷嘴的位置信息。
可选地，所述喷嘴调整机构包括：喷嘴角度调整单元，用于调整所述喷嘴的喷射角度。
可选地，所述喷嘴角度调整单元包括以下一个或多个的结合：水平面角度调整组件，用于调整所述喷嘴在水平面内的喷射角度；竖直面角度调整组件，用于调整所述喷嘴在竖直面内的喷射角度。
可选地，所述水平面角度调整组件调整所述喷嘴在水平面内的喷射角度的范围为-90°至90°。
可选地，所述竖直面角度调整组件调整所述喷嘴在竖直面内的喷射角度的范围为-90°至90°。
可选地，所述喷嘴角度调整单元包括万向头结构，所述喷嘴设于所述万向头结构上。
可选地，所述喷嘴调整装置还包括：喷嘴角度检测单元，与所述控制单元连接，用于检测所述喷嘴的喷射角度信息。
可选地，所述流速调整装置还包括流速检测单元，与所述控制单元连接，用于检测所述喷嘴的流速信息。
可选地，所述晶圆清洗设备还包括量测晶圆，所述量测晶圆的尺寸与所述晶圆的尺寸相同。
可选地，所述量测晶圆预设有目标落点区域，所述控制单元根据所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆的落点位置，通过对所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者进行调整，直至所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆的落点位置位于所述目标落点区域内。
可选地，所述晶圆清洗设备还包括落点检测单元，用于检测由所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置。
可选地，所述落点检测单元包括至少一个压力传感器或压力传感器阵列。
可选地，所述落点检测单元包括图像检测仪或红外检测仪。
本申请另公开一种晶圆清洗方法，应用于如前所述的晶圆清洗设备中，所述晶圆清洗方法包括如下步骤：
将晶圆置放于晶圆承载结构上，其中，所述晶圆的中心与所述晶圆承载结构的中心一致；
在晶圆清洗作业中，检测由喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置；以及
在判断得到所检测的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置偏离预设目标区域时，调整所述喷嘴的位置、喷射角度、以及所述喷射的清洗剂的流速中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
本申请公开的晶圆清洗设备和晶圆清洗方法，在对晶圆清洗作业中，能检测到由喷嘴所喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置，且在落点位置产生偏差时，采取包括控制喷嘴调整机构调整喷嘴的位置和/或喷射角度、控制流速调整单元调整喷嘴喷射的清洗剂的流速等措施，使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置位于预设目标区域内，提高晶圆清洗效果，提高产品性能及产品良率。
附图说明
本申请所涉及的发明的具体特征如所附权利要求书所显示。通过参考下文中详细描述的示例性实施方式和附图能够更好地理解本申请所涉及发明的特点和优势。对附图简要说明书如下：
图1显示为一般清洁设备的结构示意图；
图2显示为本申请晶圆清洗设备的简易示意图；
图3显示为本申请晶圆清洗设备在一实施例中的逻辑框图；
图4显示为本申请晶圆清洗设备在另一实施例中的逻辑框图；
图5显示为本申请晶圆清洗设备在再一实施例中的逻辑框图；
图6显示为本申请晶圆清洗设备在一应用示例中的侧视图；
图7显示为本申请晶圆清洗设备在一应用示例中的俯视图；
图8和图9显示为本申请晶圆清洗设备中通过径向调整组件调整喷嘴在水平面上的位置的状态示意图；
图10和图11显示为本申请晶圆清洗设备中通过高度调整组件调整喷嘴在高度方向上的位置的状态示意图；
图12和图13显示为本申请晶圆清洗设备中通过流速调整单元调整喷嘴喷射的清洗剂的流速的状态示意图；以及
图14显示为本申请晶圆清洗方法在一实施例中的流程示意图。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效。
在下述描述中，参考附图，附图描述了本申请的若干实施例。应当理解，还可使用其他实施例，并且可以在不背离本公开的精神和范围的情况下进行组成以及操作上的改变。下面的详细描述不应该被认为是限制性的，并且本申请的实施例的范围仅由本申请的专利的权利要求书所限定。这里使用的术语仅是为了描述特定实施例，而并非旨在限制本申请。
虽然在一些实例中术语第一、第二等在本文中用来描述各种元件，但是这些元件不应当被这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件与另一个元件进行区分。例如，第一方向调整组件可以被称作第二方向调整组件，并且类似地，第二方向调整组件可以被称作第一方向调整组件，而不脱离各种所描述的实施例的范围。
再者，如同在本文中所使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文中有相反的指示。应当进一步理解，术语“包含”、“包括”表明存在所述的特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组，但不排除一个或多个其他特征、步骤、操作、元件、组件、项目、种类、和/或组的存在、出现或添加。此处使用的术语“或”和“和/或”被解释为包括性的，或意味着任一个或任何组合。
现有通常会在执行一道半导体工艺后，采用清洁设备对晶圆进行清洁，用于去除可能形成在晶圆表面的污染物。请参考图1，所述清洁设备包括：晶圆承载台91，所述晶圆承载台91用于承载晶圆90，晶圆承载台91中央区域设置有驱动装置，在驱动装置的驱动下转动晶圆90；设置于晶圆承载台91上方的喷嘴93，喷嘴93在清洗晶圆90时喷射清洗剂至晶圆表面的目标区域T内。
本申请的发明人发现，采用现有的清洁设备在对晶圆进行清洁时，随着清洁设备使用时间增加、清洗剂的变化、以及外界干扰(例如撞击)等一个或多个因素，使得喷嘴所喷射出的清洁剂到达晶圆表面的落点位置不在目标区域内，晶圆表面或晶圆表面的目标区域不能被清洗剂完全覆盖到，晶圆表面清洁不彻底，晶圆表面仍可能存在残留的污染物，影响产品品质及良率。
有鉴于此，本申请的发明人通过对现有晶圆清洗设备进行改造，提出一种晶圆清洗设备和晶圆清洗方法，在对晶圆清洗作业中，能检测到由喷嘴所喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置，且在落点位置产生偏差时，采取包括控制喷嘴调整机构调整喷嘴的位置和/或喷射角度、控制流速调整单元调整喷嘴喷射的清洗剂的流速等措施，使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置位于预设目标区域内，避免晶圆清洗不彻底并残留污染物等问题。
本申请公开一种晶圆清洗设备，所述晶圆清洗设备包括：晶圆承载结构、喷嘴、喷嘴调整装置、流速调整装置、以及控制单元。
所述晶圆承载结构用于承载晶圆。
所述喷嘴设于所述晶圆承载结构上方，用于喷射清洗剂至所述晶圆承载结构所承载的晶圆的表面。
所述喷嘴调整装置包括有喷嘴调整机构，所述喷嘴调整机构与所述喷嘴连接，用于调整所述喷嘴的位置和喷射角度中的至少一者。
所述流速调整装置包括有流速调整单元，所述流速调整单元用于调整所述喷嘴喷射的清洗剂的流速；
所述控制单元与所述喷嘴调整机构和流速调整单元连接，用于在判断得到所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆的表面的落点位置偏离预设目标区域时，控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆的表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
如此，利用本申请的晶圆清洗设备，能检测喷嘴所喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置，并在判断所述落点位置未在目标区域内时，控制喷嘴调整机构和流速调整单元中的至少一者，使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置位于预设目标区域内，避免晶圆清洗不彻底并残留污染物等问题。
在以下实施例中，将结合附图对晶圆清洗设备进行详细说明。
请参阅图2，显示为本申请晶圆清洗设备的简易示意图。如图2所示，本实施例中晶圆清洗设备包括：晶圆承载结构和清洗装置。
所述晶圆承载结构用于承载晶圆。如图2所示，在本实施例中，所述晶圆承载结构11适配于晶圆10的形状为圆形，其可采用圆平台或圆凸台结构，所述晶圆承载结构的内径大于或等于所述晶圆的直径。所述晶圆承载结构11还可以包括间隔设置的支撑结构111，或者一体环绕的支撑结构，所述支撑结构111的数量至少为一个。当所述支撑结构111为多个时，多个支撑结构111可均匀布设在晶圆承载结构11的外周，用于承托住晶圆10的边缘，利用所述支撑结构111，可在承载晶圆10时保持与晶圆10最小接触。所述支撑结构111设有夹持结构，用于承载晶圆10时夹住晶圆10的边缘。当将晶圆10置放于晶圆承载结构11上时，所述晶圆10的中心与所述晶圆承载结构11的中心对应一致。
所述晶圆承载结构11的中心位置还可设置有旋转驱动装置，在所述旋转驱动装置的驱动下带动晶圆承载结构11及其承载的晶圆10旋转。在某些实现方式中，所述旋转驱动装置具有转动机构，所述转动机构与所述晶圆10的圆心对应。所述驱动装置带动晶圆10转动可包括驱动晶圆绕晶圆圆心以顺时针方式或逆时针方式旋转。在一示例中，所述转动机构可包括转动轴和转动电机，所述转动轴与所述晶圆10的圆心共轴，所述驱动电机通过转动轴带动晶圆承载结构11及其承载的晶圆10旋转。
所述晶圆清洗设备还可包括设备主体和密封盖等部件，其中，所述设备主体为中空结构，具有容纳空间作为清洗腔室，所述晶圆承载结构11即设置于所述清洗腔室内，所述密封盖与所述设备主体活动连接，例如，所述密封盖与所述设备主体采用合页方式、转动轴方式、铰链方式、锁扣方式等活动连接。
所述清洗装置用于对所述晶圆承载结构所承载的晶圆进行清洗作业。所述清洗装置至少包括喷嘴，喷嘴用于喷射清洗剂至所述晶圆承载结构所承载的晶圆的表面。如图2所示，在本实施例中，所述喷嘴13设于所述晶圆10的上方，用于喷射清洗剂至所述晶圆承载结构11所承载的晶圆10的表面。
所述清洗装置还可包括清洗管路和清洗剂容器(未在图中显示)等，所述喷嘴13可通过所述清洗管路与所述清洗剂容器相连通，即，所述清洗管路的一端与所述清洗剂容器连通，所述清洗管路的另一端与所述喷嘴13连通。所述清洗装置还可包括用于控制清洗剂喷射的开关，所述喷嘴13能够在所述开关的控制下控制清洗剂喷射至所述晶圆10的表面。所述清洗剂可以为去离子水(Deionized Water，DI水)、酸性化学清洗剂、碱性化学清洗剂、或有机化学清洗剂(例如：酒精、丙酮等)。当然，根据实际所用的清洗剂，所述清洗管路仍可作其他变化，例如，在某些实施方式中，所述清洗装置可包括两个或更多个清洗剂容器。在某些实施方式中，这些清洗剂容器大小无限制，即，这些清洗剂容器大小可以是均一规格的，也可以是不同规格的。在某些实施方式中，这些清洗剂容器所容纳的清洗剂种类无限制，即，这些清洗剂容器可以容纳同一种的清洗剂、或不同种的清洗剂、或部分同种的清洗剂。另外，所述清洗装置中清洗管路为适配于清洗剂容器，在某些实施方式中，清洗管路可为多个，每一个清洗管路均有两端，其中的一端与相应的清洗剂容器连通，另一端与喷嘴连通。在某些实施方式中，清洗管路为一对一设计，即，具有一个接入端和一个输出端，其中，接入端与相应的清洗剂容器连通，输出端与喷嘴连通，以避免不同清洗剂通入同一管路发生反应造成管路污染的问题。另外，所述清洗装置还可包括通断阀门或节流阀门，所述通断阀门或节流阀门可被配置于相应的清洗管路上。
利用所述清洗装置，即，所述清洗装置可将清洗剂通过喷嘴13喷射至晶圆承载结构11所承载的晶圆的表面，在进行晶圆清洗作业中，就需要关注所述喷嘴13喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置。本申请公开的晶圆清洗设备就是在于检测所述喷嘴13喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置，并在判断所述清洗剂到达晶圆表面的落点位置出现偏差而不在预定的目标区域内时，对所述喷嘴进行相应的调整，以确保清洗剂到达晶圆表面的落点位置在预定的目标区域内。
因此，本申请晶圆清洗设备还包括：喷嘴调整装置、流速调整装置、以及控制单元。
请参阅图3，显示为本申请晶圆清洗设备在一实施例中的逻辑框图。以下结合图2和图3进行详细说明。
所述喷嘴调整装置包括喷嘴调整机构，所述喷嘴调整机构与所述喷嘴连接，用于调整所述喷嘴的位置和喷射角度中的至少一者。如图3所示，在本实施例中，所述喷嘴调整装置包括喷嘴调整机构21，所述喷嘴调整机构21与所述喷嘴13连接，用于调整所述喷嘴13，其中，对所述喷嘴的调整包括但不限于调整所述喷嘴的位置、调整所述喷嘴的喷射角度、调整所述喷嘴的位置和喷射角度。
在某些实施方式中，所述喷嘴调整机构包括喷嘴位置调整单元，所述喷嘴位置调整单元用于调整所述喷嘴在三维空间中至少一个维度上的尺度。
在实际应用中，所述喷嘴位置调整单元包括以下一个或多个的结合：水平调整组件和高度调整组件，其中，水平调整组件用于调整所述喷嘴在水平面上的位置，所述高度调整组件用于调整所述喷嘴在高度方向上的位置。其中，关于所述水平面，在晶圆10置放于承载结构11上时，晶圆10为水平方式，即，晶圆10的晶圆面与水平面平行。
在某些示例中，所述水平调整组件可包括：第一方向调整组件和第二方向调整组件，其中，所述第一方向调整组件用于调整所述喷嘴在第一方向上的位置，所述第二方向调整组件用于调整所述喷嘴在第二方向上的位置；所述第二方向垂直于第一方向并构成一水平面。
在某些示例中，由于所述晶圆呈圆形，且晶圆受控作旋转，因此，所述水平调整组件可包括径向调整组件，所述径向调整组件用于所述喷嘴在所述晶圆承载结构径向上的位置。
在某些实施方式中，所述喷嘴调整机构包括喷嘴角度调整单元，所述喷嘴角度调整单元用于调整所述喷嘴的喷射角度。
在某些应用中，所述喷嘴角度调整单元包括以下一个或多个的结合：水平面角度调整组件和竖直面角度调整组件。所述水平面角度调整组件用于调整所述喷嘴在水平面内的喷射角度，所述竖直面角度调整组件用于调整所述喷嘴在竖直面内的喷射角度，其中，所述水平面与所述竖直面相垂直。
在某些应用中，所述喷嘴角度调整单元包括万向头结构，所述喷嘴设于所述万向头结构上。
利用所述喷嘴调整装置中的喷嘴调整机构，可实现喷嘴的位置及喷射角度中至少一个的调整。
所述流速调整装置包括流速调整单元，所述流速调整单元用于调整所述喷嘴喷射的清洗剂的流速。如图3所示，在本实施例中，所述流速调整装置包括流速调整单元23，所述流速调整单元23用于调整所述喷嘴喷射的清洗剂的流速，以改变所述喷嘴13喷射的清洗剂达到晶圆表面的落点位置。
在某些实施方式中，所述流速调整单元可以通过调整所述喷嘴的开度大小来调节流量及流速。在某些实施方式中，所述流速调整单元可以通过调整清洗管路上的节流阀门来调节流量及流速。在某些实施方式中，所述流速调整单元可以通过控制所述清洗装置中的液压部件改变压力来调节流量及流速。一般地，若增大流量及流速，可使得所述喷嘴喷射的清洗剂达到晶圆表面的落点位置更远，若减小流量及流速，可使得所述喷嘴喷射的清洗剂达到晶圆表面的落点位置更近。
所述控制单元与所述喷嘴调整机构和流速调整单元连接，用于根据所述喷嘴喷射出的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置来控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元。如图3所示，在本实施例中，控制单元27与喷嘴调整机构21和流速调整单元23连接，所述控制单元27可执行的内容至少包括：根据所述喷嘴喷射出的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置信息来判断清洗剂到达晶圆表面的落点位置是否偏离预设目标区域，并在判断得到清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置偏离预设目标区域时，控制所述喷嘴调整机构21和所述流速调整单元23中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
为获得所述喷嘴喷射出的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置信息，本申请晶圆清洗设备还包括量测晶圆，所述量测晶圆的尺寸与普通的晶圆的尺寸相同。所述量测晶圆的表面预设有目标落点区域，根据所述目标落点区域，可获得所述喷嘴喷射出的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置并判断所述落点位置是否在目标落点区域内，并可通过所述控制单元对所述喷嘴位置调整单元、所述喷嘴角度调整单元、所述流速调整单元等进行调整，直至所述落点位置在所述目标落点区域内。
在某些实施方式中，在利用量测晶圆进行落点位置检测和喷嘴调试时，可直接观察所得。例如，在某些示例中，所述晶圆清洗设备的密封盖为透明结构或至少带有观察窗，如此，由测试人员可直接观察所述喷嘴喷射的清洗达到所述量测晶圆的落点位置。在观察到所述落点位置偏离所述量测晶圆的目标落点区域时，操作控制单元对所述喷嘴位置调整单元、所述喷嘴角度调整单元、所述流速调整单元等进行调整，直至所述落点位置在所述目标落点区域内。
结合图2和图3，在利用所述控制单元控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者对所述喷嘴进行调整作业中，所述控制单元根据所述落点位置信息的变化继续控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者对所述喷嘴进行调整，直至所述喷嘴所喷射的清洗剂到达量测晶圆表面的落点位置位于预定目标区域内。
在某些实施方式中，本申请晶圆清洗设备还包括落点检测单元，用于检测由所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置。
请参阅图4，显示为本申请晶圆清洗设备在另一实施例中的逻辑框图。在图4所示的另一实施例中，所述落点检测单元25用于检测由所述喷嘴13喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置，并将检测得到的落点位置信息发送至控制单元27。
仍以量测晶圆为例，在某些示例中，所述落点检测单元可包括布设于所述量测晶圆上至少一个压力传感器或压力传感器阵列，利用压力传感器获得的压力值来确定清洗剂的落点位置。所述至少一个压力传感器或压力传感器阵列可布设在所述量测晶圆的正面。
以压力传感器阵列为例，在某些应用中，所述传感器阵列为传感器点阵，在所述传感器点阵中，多个传感器以横竖间隔方式排列，如此，当所述喷嘴喷射的清洗剂达到所述量测晶圆表面的落点位置时，即可通过传感器点阵获得所述落点位置的坐标信息。
在某些应用中，所述传感器阵列为传感器环带或所述传感器阵列为沿着所述量测晶圆径向上的传感器线阵。在进行晶圆清洗工艺时，当所述喷嘴喷射的清洗剂达到所述量测晶圆表面的落点位置时，即可通过传感器环带或传感器线阵获得所述落点位置的坐标信息，在所述坐标信息中，至少包括所述落点位置与所述量测晶圆圆心的间距。
在某些示例中，所述落点检测单元可包括图像检测仪或红外检测仪，利用图像检测仪或红外检测仪获得由所述喷嘴喷射出的清洗剂的喷射轨迹以及到达所述量测晶圆的落点位置。
所述控制单元27根据所述喷嘴喷射出的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置信息来判断清洗剂到达晶圆表面的落点位置是否偏离预设目标区域，并在判断得到清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置偏离预设目标区域时，控制所述喷嘴调整机构21和所述流速调整单元23中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
其中，控制所述喷嘴调整机构包括：调整所述喷嘴的位置和喷射角度中的至少一者，即，具体包括：控制喷嘴调整机构21中的喷嘴位置调整单元211调整所述喷嘴13在三维空间中至少一个维度上的尺度；或者，控制喷嘴调整机构21中的喷嘴角度调整单元213调整所述喷嘴13的喷射角度；或者，控制喷嘴调整机构21中的喷嘴位置调整单元211调整所述喷嘴13在三维空间中至少一个维度上的尺度以及控制喷嘴调整机构21中的喷嘴角度调整单元213调整所述喷嘴13的喷射角度。
例如，仍以量测晶圆为例，在某些示例中，当检测得到清洗剂到达所述量测晶圆的表面的落点位置未到达预定目标区域时(所述落点位置与所述量测晶圆圆心的距离要大于所述预定目标区域与所述量测晶圆圆心的距离)，控制喷嘴调整机构中的喷嘴位置调整单元调整所述喷嘴在三维空间中至少一个维度上的尺度包括但不限于以下一种或多种的组合：调整所述喷嘴在水平面上的位置，将所述喷嘴朝向所述量测晶圆移动以靠近所述量测晶圆；调整所述喷嘴在高度方向上位置，将所述喷嘴上升一定高度。控制喷嘴调整机构中的喷嘴角度调整单元调整所述喷嘴的喷射角度包括但不限于以下一种或多种的组合：调整喷嘴的角度，将喷嘴的喷射方向更偏向于所述量测晶圆的圆心；调整喷嘴的角度，将喷嘴的喷射方向更偏向于水平。
在某些示例中，当检测得到清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置已越过预定目标区域时(所述落点位置与所述量测晶圆圆心的距离要小于所述预定目标区域与所述量测晶圆圆心的距离)，控制喷嘴调整机构中的喷嘴位置调整单元调整所述喷嘴在三维空间中至少一个维度上的尺度包括但不限于以下一种或多种的组合：调整所述喷嘴在水平面上的位置，将所述喷嘴背向所述晶圆承载结构移动以远离所述量测晶圆；调整所述喷嘴在高度方向上位置，将所述喷嘴下降一定高度。控制喷嘴调整机构中的喷嘴角度调整单元调整所述喷嘴的喷射角度包括但不限于以下一种或多种的组合：调整喷嘴的角度，将喷嘴的喷射方向更偏离于所述量测晶圆的圆心；调整喷嘴的角度，将喷嘴的喷射方向更偏离于水平，例如，将喷嘴的喷射方向调整为与水平呈一定角度的仰角或俯角。
另外，控制所述流速调整单元包括调整喷嘴喷射的清洗剂的流速，其实现方式包括但不限于：调整清洗管路的压力，调整清洗管路的流量阀的开度大小、调整喷嘴的开度大小等。
在某些示例中，当检测得到清洗剂到达所述量测晶圆的表面的落点位置未到达预定目标区域时(所述落点位置与所述量测晶圆圆心的距离要大于所述预定目标区域与所述量测晶圆圆心的距离)，控制所述流速调整单元增大喷嘴喷射的清洗剂的流速；在某些示例中，当检测得到清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置已越过预定目标区域时(所述落点位置与所述量测晶圆圆心的距离要小于所述预定目标区域与所述量测晶圆圆心的距离)，控制所述流速调整单元减小喷嘴喷射的清洗剂的流速。
如此，结合图2和图4，在利用所述控制单元控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者对所述喷嘴进行调整作业中，所述落点检测单元检测到由喷嘴所喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置并将获得的落点位置信息发送至所述控制单元，以令所述控制单元根据所述落点位置信息的变化继续控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者对所述喷嘴进行调整，直至所述喷嘴所喷射的清洗剂到达量测晶圆表面的落点位置位于预定目标区域内。
此外，本申请晶圆清洗设备仍可有其他变化，请参阅图5，显示为本申请晶圆清洗设备在再一实施例中的逻辑框图。在图5所示的再一实施例中，本申请晶圆清洗设备包括前述的晶圆承载结构、清洗装置、喷嘴调整装置、流速调整装置、以及控制单元(也可包括落点检测单元)，还包括以下至少一种或多种的组合：喷嘴位置检测单元、喷嘴角度检测单元、以及流速检测单元。
所述喷嘴位置检测单元用于检测所述喷嘴的位置信息。如图5所示，所述喷嘴位置检测单元212是与所述喷嘴位置调整单元211对应，所述喷嘴位置检测单元212与所述控制单元27连接，用于检测所述喷嘴13的位置信息并将检测得到的位置信息发送至所述控制单元27。
所述喷嘴角度检测单元用于检测所述喷嘴的喷射角度信息。如图5所示，所述喷嘴角度检测单元214是与所述喷嘴角度调整单元213对应，所述喷嘴角度检测单元214与所述控制单元27连接，用于检测所述喷嘴13的角度信息并将检测得到的角度信息发送至所述控制单元27。
所述流速检测单元用于检测所述喷嘴的流速信息。如图5所示，所述流速检测单元24是与所述流速调整单元23对应，所述流速检测单元24与所述控制单元27连接，用于检测所述喷嘴13的流速信息并将检测得到的流速信息发送至所述控制单元27。
所述控制单元用于根据所述喷嘴所喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置来控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元。如图5所示，控制单元27与落点检测单元25、喷嘴位置检测单元212、喷嘴位置调整单元211、喷嘴角度检测单元214、喷嘴角度调整单元213、流速检测单元24、以及流速调整单元23连接，所述控制单元27可执行的内容至少包括：接收所述落点检测单元25所检测的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置信息，根据接收的所述落点位置信息来判断清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置是否偏离预设目标区域，并在判断得到清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置偏离预设目标区域时，根据喷嘴位置检测单元212检测得到的所述喷嘴13的位置信息、喷嘴角度检测单元214检测得到的所述喷嘴13的喷射角度信息、流速检测单元24检测得到的所述喷嘴13的流速信息，控制所述喷嘴调整机构21(包括喷嘴位置调整单元211和喷嘴角度调整单元213)和所述流速调整单元23中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
其中，控制所述喷嘴调整机构包括：调整所述喷嘴的位置和喷射角度中的至少一者，即，具体包括：控制喷嘴调整机构21中的喷嘴位置调整单元211调整所述喷嘴13在三维空间中至少一个维度上的尺度；或者，控制喷嘴调整机构21中的喷嘴角度调整单元213调整所述喷嘴13的喷射角度；或者，控制喷嘴调整机构21中的喷嘴位置调整单元211调整所述喷嘴13在三维空间中至少一个维度上的尺度以及控制喷嘴调整机构21中的喷嘴角度调整单元213调整所述喷嘴13的喷射角度。
在某些实施方式中，所述控制单元27和所述喷嘴位置检测单元212构成反馈调节机制，所述控制单元27基于接收到的自所述喷嘴位置检测单元212发送的洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置信息，控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元，并在控制过程中，获得所述喷嘴位置检测单元212实时反馈的洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置信息，直至当所述落点位置信息表明洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置已位于量测晶圆预的目标落点区域内时停止操作。
在某些实施方式中，所述控制单元27可配置至少一对照表，所述对照表中存储有喷嘴的位置、喷嘴的角度、喷嘴喷射的清洗剂流速与喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置的映射关系的相关信息，如此，当所述控制单元27在判断得到所述喷嘴13喷射的清洁剂到达晶圆表面的落点位置不在目标区域内时，参照对照表中落点位置处于目标区域内时所对应的喷嘴的位置信息、喷嘴的角度信息、喷嘴喷射的清洗剂流速信息(所述喷嘴的位置信息、喷嘴的角度信息、喷嘴喷射的清洗剂流速信息可以是离散的数值、连续的数值、或是数值范围区段等)以及接收到的检测的喷嘴的位置信息、喷嘴的角度信息、喷嘴喷射的清洗剂流速信息，控制所述喷嘴调整机构21(包括喷嘴位置调整单元211和喷嘴角度调整单元213)和所述流速调整单元23中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
本申请公开的晶圆清洗设备，在对晶圆清洗作业中，能利用落点检测单元检测到由喷嘴所喷射的清洗剂到达量测晶圆表面的落点位置，在落点位置产生偏差时，通过控制单元采取包括控制喷嘴调整机构调整喷嘴的位置和/或喷射角度、控制流速调整单元调整喷嘴喷射的清洗剂的流速等措施，使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置位于预设目标区域内，提高晶圆清洗效果，提高产品性能及产品良率。
请参阅图6和图7，显示为本申请晶圆清洗设备在一应用示例中的结构示意图，其中，图6为该应用示例中晶圆清洗设备的侧视图，图7为该应用示例中晶圆清洗设备的俯视图。
在某些实施方式中，如图所示，在所述晶圆清洗设备中，包括有晶圆承载结构11，晶圆承载结构11上承载有量测晶圆10，所述量测晶圆10的中心与所述晶圆承载结构11的中心对应一致。所述晶圆清洗设备还包括清洗装置，所述清洗装置具有喷嘴13，所述喷嘴13设于晶圆10的上方，用于向晶圆承载结构11上所承载的量测晶圆10表面喷射清洗剂。
在本应用示例中，所述晶圆清洗设备还设有喷嘴位置调整单元和喷嘴角度调整单元。
所述喷嘴调整单元更包括径向调整组件31和高度调整组件33，其中，所述径向调整组件31用于调整所述喷嘴13在晶圆10径向上的位置，所述高度调整组件33用于调整所述喷嘴13在高度方向上的位置。
与之对应地，本应用示例中的晶圆清洗设备还设有与径向调整组件31配合的径向位置传感器32和与高度调整组件33配合的高度传感器34，所述径向位置传感器32用于检测所述喷嘴13在径向上的位置信息，所述高度传感器34用于检测所述喷嘴13在高度上的位置信息。
所述喷嘴角度调整单元更包括水平面角度调整组件35和竖直面角度调整组件37。所述水平面角度调整组件用于调整所述喷嘴在水平面内的喷射角度，所述水平面角度调整组件35调整所述喷嘴13在水平面内的喷射角度的范围为-90°至90°，参见图7中的角度α。所述竖直面角度调整组件37用于调整所述喷嘴13在竖直面内的喷射角度，所述竖直面角度调整组件37调整所述喷嘴13在竖直面内的喷射角度的范围为-90°至90°，参见图6中的角度β。
与之对应地，本应用示例中的晶圆清洗设备还设有与水平面角度调整组件35配合的水平面角度传感器36和与竖直面角度调整组件37配合的竖直面角度传感器38，所述水平面角度传感器36用于检测所述喷嘴13在水平面上的角度信息，所述竖直面角度传感器38用于检测所述喷嘴13在竖直面上的角度信息。
在本应用示例中，所述晶圆清洗设备还包括流速调整单元(未在图中显示)和与所述流速调整单元配合的流速侦测仪39，所述流速侦测仪39用于检测所述喷嘴的流速信息。
在本应用示例中，所述晶圆清洗设备还包括控制单元(未在图中显示)，所述控制单元与前述的径向调整组件31、高度调整组件33、水平面角度调整组件35、竖直面角度调整组件37、流速调整单元、以及径向位置传感器32、高度传感器34、水平面角度传感器36、竖直面角度传感器38、流速侦测仪39等连接。
在对晶圆清洗作业中，所述控制单元能在获得喷嘴13所喷射的清洗剂到达量测晶圆10表面的落点位置产生偏差时，控制径向调整组件31、高度调整组件33、水平面角度调整组件35、竖直面角度调整组件37以及流速调整单元中的至少一者，以使得所述喷嘴13喷射的清洗剂到达所述量测晶圆10的表面的落点位置位于所述预设目标区域T内。
在某些实施方式中，所述晶圆清洗设备还包括落点检测单元，所述落点检测单元用于检测由所述喷嘴13喷射的清洗剂到达所述量测晶圆10表面的落点位置。如此，在对晶圆清洗作业中，所述控制单元能利用落点检测单元检测到由喷嘴13所喷射的清洗剂到达量测晶圆10表面的落点位置，在落点位置产生偏差时，能控制径向调整组件31、高度调整组件33、水平面角度调整组件35、竖直面角度调整组件37以及流速调整单元中的至少一者，以使得所述喷嘴13喷射的清洗剂到达所述量测晶圆10的表面的落点位置位于所述预设目标区域T内。
例如，在某些示例中，在落点位置产生偏差时，可通过控制径向调整组件31来调整喷嘴13在水平面上，更具体地，是在所述晶圆承载结构径向上的位置。例如，当喷嘴13喷射的清洗剂到达量测晶圆10表面的落点位置未到达目标落点区域内时，控制径向调整组件31将所述喷嘴13在所述晶圆承载结构径向上朝向所述晶圆承载结构移动相应的距离，具体可参阅图8所示的状态示意图；当喷嘴13喷射的清洗剂到达量测晶圆10表面的落点位置越过目标落点区域内时，控制径向调整组件31将所述喷嘴13在所述晶圆承载结构径向上背向所述晶圆承载结构移动相应的距离，具体可参阅图9所示的状态示意图。
例如，在某些示例中，在落点位置产生偏差时，可通过高度调整组件33来调整喷嘴13在高度方向上的位置。例如，当喷嘴13喷射的清洗剂到达量测晶圆10表面的落点位置未到达目标落点区域内时，控制高度调整组件33将所述喷嘴13升高相应的高度，具体可参阅图10所示的状态示意图；当喷嘴13喷射的清洗剂到达量测晶圆10表面的落点位置越过目标落点区域内时，控制高度调整组件33将所述喷嘴13降低相应的高度，具体可参阅图11所示的状态示意图。
例如，在某些示例中，在落点位置产生偏差时，可通过流速调整单元来调整喷嘴13喷射的清洗剂的流速。例如，当喷嘴13喷射的清洗剂到达量测晶圆10表面的落点位置未到达目标落点区域内时，控制流速调整单元增大所述喷嘴13喷射的清洗剂的流速，具体可参阅图12所示的状态示意图，其中，喷嘴13喷射的清洗剂的流速v2大于清洗剂的流速v1；当喷嘴13喷射的清洗剂到达量测晶圆10表面的落点位置越过目标落点区域内时，控制流速调整单元减小所述喷嘴13喷射的清洗剂的流速，具体可参阅图13所示的状态示意图，其中，喷嘴13喷射的清洗剂的流速v3小于清洗剂的流速v1。
实际上，上述仅为示例性说明，所述控制单元并不仅限于控制径向调整组件31、高度调整组件33、水平面角度调整组件35、竖直面角度调整组件37以及流速调整单元中的一种，上述各个调整组件更可组合使用，例如，径向调整组件31和高度调整组件33配合使用，径向调整组件31和流速调整单元的配合使用，高度调整组件33和流速调整单元的配合使用，径向调整组件31、高度调整组件33以及和流速调整单元的配合使用，水平面角度调整组件35的使用，竖直面角度调整组件37的使用，水平面角度调整组件35和竖直面角度调整组件37的配合使用，径向调整组件31、高度调整组件33以及流速调整单元中的至少一者与水平面角度调整组件35和竖直面角度调整组件37中至少一者的配合使用，等等。综上，本领域技术人员可据此获悉本申请晶圆清洗设备中的控制单元能控制径向调整组件31、高度调整组件33、水平面角度调整组件35、竖直面角度调整组件37以及流速调整单元中的一种或多种组合，以使得所述喷嘴13喷射的清洗剂到达所述量测晶圆10的表面的落点位置位于所述预设目标区域T内。
本申请另公开一种晶圆清洗方法，所述晶圆清洗方法应用于如前所述的晶圆清洗设备。请参阅图14，显示为本申请晶圆清洗方法在一实施例中的流程示意图。
如图14所示，本申请晶圆清洗方法包括如下步骤：
步骤S81，将晶圆置放于晶圆承载结构上。
步骤S83，在晶圆清洗作业中，检测由喷嘴喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置。
步骤S85，在判断得到所检测的清洗剂到达晶圆表面的落点位置偏离预设目标区域时，调整喷嘴的位置、喷射角度、以及所述喷射的清洗剂的流速中的至少一者，以使得喷嘴喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置位于预设目标区域内。
在某些实施例中，本申请晶圆清洗方法可通过一量测晶圆来完成，具体地，利用一量测晶圆来对晶圆清洗设备进行测试并进行相应调整，以使得晶圆清洗设备中喷嘴所喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置位于所述预设目标区域内，后续即可批量对晶圆产品进行清洗作业。
以下以某一量测晶圆为例进行说明。
将量测晶圆置放于晶圆承载结构上。其中，当将量测晶圆置放于晶圆承载结构上时，所述晶圆的中心与所述晶圆承载结构的中心对应一致。
驱动晶圆承载结构以带动量测晶圆旋转，由喷嘴向量测晶圆表面喷射清洗剂。
其中，在将清洗剂喷射至量测晶圆表面的过程中，检测由喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置。如前所述，所述量测晶圆预设有目标落点区域。在某些实施方式中，在利用量测晶圆进行落点位置检测和喷嘴调试时，可直接通过观察所得喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置。在某些实施方式中，可利用配置的落点检测单元检测由所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置。
当判断得到清洗剂到达量测晶圆的表面的落点位置偏离目标落点区域时，调整喷嘴的位置、喷射角度、以及喷射的清洗剂的流速中的至少一者，以使得喷嘴喷射的清洗剂到达量测晶圆的表面的落点位置位于预设目标区域内。在某些实施方式中，可通过观察所得喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置是否在目标落点区域内。在某些实施方式中，可通过落点检测单元检测由所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置并根据检测到的落点位置判断其是否在目标落点区域内。
如此，通过对喷嘴的位置、喷射角度、以及喷射的清洗剂的流速中的一个或多个进行调整，直至喷嘴喷射的清洗剂到达量测晶圆的表面的落点位置位于预设目标区域内，完成喷嘴的调试，后续，即可批量对晶圆产品进行清洗作业。
本申请公开的晶圆清洗方法，在对晶圆清洗作业中，能检测到由喷嘴所喷射的清洗剂到达晶圆表面的落点位置，且在落点位置产生偏差时，采取包括控制喷嘴调整机构调整喷嘴的位置和/或喷射角度、控制流速调整单元调整喷嘴喷射的清洗剂的流速等措施，使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达表面的落点位置位于预设目标区域内，提高晶圆清洗效果，提高产品性能及产品良率。
上述实施例仅例示性说明本申请的原理及其功效，而非用于限制本申请。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本申请的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本申请所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本申请的权利要求所涵盖。

Claims (19)

1.一种晶圆清洗设备，其特征在于，包括：
晶圆承载结构，用于承载晶圆；所述晶圆的中心与所述晶圆承载结构的中心一致；
清洗装置，包括喷嘴，所述喷嘴设于所述晶圆承载结构上方，用于喷射清洗剂至所述晶圆承载结构所承载的晶圆的表面；
喷嘴调整装置，包括：喷嘴调整机构，与所述喷嘴连接，用于调整所述喷嘴的位置和喷射角度中的至少一者；
流速调整装置，包括：流速调整单元，用于调整所述喷嘴喷射的清洗剂的流速；以及
控制单元，与所述喷嘴调整机构和流速调整单元连接，用于在判断得到所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆的表面的落点位置偏离预设目标区域时，控制所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆的表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
2.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述喷嘴调整机构包括：喷嘴位置调整单元，用于调整所述喷嘴在三维空间中至少一个维度上的尺度。
3.根据权利要求2所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述喷嘴位置调整单元包括以下一个或多个的结合：
水平调整组件，用于调整所述喷嘴在水平面上的位置；以及
高度调整组件，用于调整所述喷嘴在高度方向上的位置。
4.根据权利要求3所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述水平调整组件包括：
第一方向调整组件，用于调整所述喷嘴在第一方向上的位置；以及
第二方向调整组件，用于调整所述喷嘴在第二方向上的位置；所述第二方向垂直于第一方向并构成一水平面。
5.根据权利要求3所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述水平调整组件包括：
径向调整组件，用于调整所述喷嘴在所述晶圆承载结构径向上的位置。
6.根据权利要求2所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述喷嘴调整装置还包括：喷嘴位置检测单元，与所述控制单元连接，用于检测所述喷嘴的位置信息。
7.根据权利要求1或2所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述喷嘴调整机构包括：喷嘴角度调整单元，用于调整所述喷嘴的喷射角度。
8.根据权利要求7所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述喷嘴角度调整单元包括以下一个或多个的结合：
水平面角度调整组件，用于调整所述喷嘴在水平面内的喷射角度；以及
竖直面角度调整组件，用于调整所述喷嘴在竖直面内的喷射角度。
9.根据权利要求8所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述水平面角度调整组件调整所述喷嘴在水平面内的喷射角度的范围为-90°至90°。
10.根据权利要求8所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述竖直面角度调整组件调整所述喷嘴在竖直面内的喷射角度的范围为-90°至90°。
11.根据权利要求7所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述喷嘴角度调整单元包括万向头结构，所述喷嘴设于所述万向头结构上。
12.根据权利要求7所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述喷嘴调整装置还包括：喷嘴角度检测单元，与所述控制单元连接，用于检测所述喷嘴的喷射角度信息。
13.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述流速调整装置还包括流速检测单元，与所述控制单元连接，用于检测所述喷嘴的流速信息。
14.根据权利要求1所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述晶圆清洗设备还包括量测晶圆，所述量测晶圆的尺寸与所述晶圆的尺寸相同。
15.根据权利要求14所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述量测晶圆预设有目标落点区域，所述控制单元根据所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆的落点位置，通过对所述喷嘴调整机构和所述流速调整单元中的至少一者进行调整，直至所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆的落点位置位于所述目标落点区域内。
16.根据权利要求14所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述晶圆清洗设备还包括落点检测单元，用于检测由所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述量测晶圆表面的落点位置。
17.根据权利要求16所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述落点检测单元包括至少一个压力传感器或压力传感器阵列。
18.根据权利要求16所述的晶圆清洗设备，其特征在于，所述落点检测单元包括图像检测仪或红外检测仪。
19.一种晶圆清洗方法，其特征在于，应用于如权利要求1至18中任一项所述的晶圆清洗设备，所述晶圆清洗方法包括如下步骤：
将晶圆置放于晶圆承载结构上，其中，所述晶圆的中心与所述晶圆承载结构的中心一致；
在晶圆清洗作业中，检测由喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置；以及
在判断得到所检测的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置偏离预设目标区域时，调整所述喷嘴的位置、喷射角度、以及所述喷射的清洗剂的流速中的至少一者，以使得所述喷嘴喷射的清洗剂到达所述晶圆表面的落点位置位于所述预设目标区域内。
CN202011087901.0A 2020-10-13 2020-10-13 晶圆清洗设备和清洗方法 Pending CN114361059A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011087901.0A CN114361059A (zh) 2020-10-13 2020-10-13 晶圆清洗设备和清洗方法
PCT/CN2021/103806 WO2022077960A1 (zh) 2020-10-13 2021-06-30 晶圆清洗设备和清洗方法
US17/441,215 US11869779B2 (en) 2020-10-13 2021-06-30 Wafer cleaning equipment and cleaning method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011087901.0A CN114361059A (zh) 2020-10-13 2020-10-13 晶圆清洗设备和清洗方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN114361059A true CN114361059A (zh) 2022-04-15

Family

ID=81089671

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011087901.0A Pending CN114361059A (zh) 2020-10-13 2020-10-13 晶圆清洗设备和清洗方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11869779B2 (zh)
CN (1) CN114361059A (zh)
WO (1) WO2022077960A1 (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20230010693A (ko) * 2020-05-15 2023-01-19 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 세정 장치 및 세정 방법
CN117690826B (zh) * 2023-12-12 2024-06-21 苏州恩腾半导体科技有限公司 一种晶圆处理系统和方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080072230A (ko) * 2007-02-01 2008-08-06 세메스 주식회사 스캔 분사형 노즐 구동부를 가진 기판 처리 장치
KR100987795B1 (ko) * 2008-10-24 2010-10-13 세메스 주식회사 매엽식 기판 처리 장치 및 방법
CN102319686B (zh) 2011-08-26 2015-04-08 上海华虹宏力半导体制造有限公司 晶圆清洗装置及晶圆清洗方法
JP5941023B2 (ja) * 2013-08-21 2016-06-29 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN107359107B (zh) 2014-11-18 2020-07-14 通富微电子股份有限公司 一种圆片清洗机用的喷头及圆片清洗机
US10770316B2 (en) * 2015-11-24 2020-09-08 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method and recording medium
JP6815799B2 (ja) * 2016-09-13 2021-01-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN108172533A (zh) * 2017-12-25 2018-06-15 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 控制系统、方法及晶圆清洗装置
CN208806225U (zh) 2018-09-12 2019-04-30 长鑫存储技术有限公司 晶圆晶边清洗装置
CN110164795A (zh) * 2019-05-22 2019-08-23 德淮半导体有限公司 湿法处理装置及晶圆湿法处理方法
JP7232710B2 (ja) * 2019-05-29 2023-03-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN210523204U (zh) * 2019-07-10 2020-05-15 德淮半导体有限公司 一种晶圆清洗装置
CN210837677U (zh) * 2019-11-28 2020-06-23 长鑫存储技术有限公司 晶圆清洗装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230098666A1 (en) 2023-03-30
US11869779B2 (en) 2024-01-09
WO2022077960A1 (zh) 2022-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20230405762A1 (en) Substrate processing apparatus
CN114361059A (zh) 晶圆清洗设备和清洗方法
US6705331B2 (en) Substrate cleaning apparatus
US8104488B2 (en) Single side workpiece processing
US20030084925A1 (en) Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method
CN110034055A (zh) 一种用于冲洗与干燥晶圆的系统
JP2013004705A (ja) 基板処理方法及び基板処理ユニット
KR20010071804A (ko) 웨이퍼 세정장치
WO2007101018A2 (en) Single side workpiece processing
US12020964B2 (en) Contamination control in semiconductor manufacturing systems
CN110871187B (zh) 晶圆清洁系统及方法
US20180261474A1 (en) Substrate processing method and substrate processing apparatus
JPH11163094A (ja) 基板チャッキング装置および基板洗浄装置
US20080060683A1 (en) Apparatus and methods for cleaning a wafer edge
US11823915B2 (en) Method of cleaning an apparatus that processes a substrate
US20210066099A1 (en) Apparatus and method for processing substrate
KR20140086846A (ko) 기판 세정 장치 및 기판 세정 방법
JP2018142678A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2018142675A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
US9349602B2 (en) Semiconductor wafer chuck and method
CN211629049U (zh) 一种用于晶圆与环形玻璃载板的蚀刻装置
US7144459B2 (en) Centrifugal swing arm spray processor
US11779967B2 (en) Particle removing assembly and method of servicing assembly
US20240001414A1 (en) Particle removing assembly and method of servicing assembly
US20240304481A1 (en) Contamination Control In Semiconductor Manufacturing Systems

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination