CN114300587B - 一种micro LED的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种micro LED的制备方法。通过将掩膜版的挡板结构取下，暴露所述掩膜版开口区域内部的贯通区域，对所述贯通区域内的光阻层进行曝光处理，在所述光阻层上形成贯通的开口，再分别对不同子像素区域进行沉积，在进行沉积时仅打开需要沉积的子像素区域对应的挡板结构，并将其他子像素区域对应的开口区域遮挡，保证在不同的子像素区域中仅有单一颜色的发光材料层形成，将所有被遮挡的开口区域的挡板结构取下，在所有发光材料层上形成P型半导体层，在所述P型半导体层上形成每个子像素区域的P型电极，在所述N型半导体层上形成不同子像素共用的N型电极。
Description
技术领域
本发明涉及半导体电子技术领域，特别是涉及一种micro LED的制备方法。
背景技术
Micro LED未来将具有极大地应用前景，但是目前micro LED制造成本问题，严重影响了其商用化的进程，原因主要就是制备micro LED需要使用多块掩膜版进行操作，这对micro LED的生产成本提出了严格要求，严重限制了生产micro LED的生产时间和成本。
在现有的micro LED结构在制备过程中会涉及到多次曝光、刻蚀和沉积步骤，在多次曝光和刻蚀步骤中，需要分别使用掩膜版，并且由于每个不同子像素需要形成的发光材料不同，比如红色子像素中需要沉积红色发光材料，绿色子像素中需要沉积绿色发光材料，蓝色子像素中需要沉积蓝色发光材料，不同的子像素沉积的发光材料分多次沉积，也是需要使用不同的掩膜版进行遮挡，这样在制备micro LED的不同颜色的子像素过程中需要使用到多个不同的掩膜版，造成生产成本的增大。
综上所述可以看出，如何降低在制备micro LED过程中使用掩膜版数量，减少使用掩膜版的成本是目前有待解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种micro LED的制备方法，以解决制备micro LED时使用掩膜版数量多，成本高的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种micro LED的制备方法。包括：
S1：提供一涂有光阻层的半导体堆叠结构；
S2：提供一掩膜版；
S3：将掩膜版设置在所述光阻层上，将所述掩膜版开口区域内部的贯通区域与所述光阻层上不同子像素区域重合；
S4：将所述掩膜版所有开口区域的挡板结构取下，对所述开口区域内的光阻层进行曝光处理，在所述光阻层上形成贯通的开口，暴露出所述半导体堆叠结构的表面；
S5：将除第一子像素区域以外的子像素区域对应开口区域的挡板结构放回，在所述第一子像素区域的光阻层贯通的开口内进行沉积，形成第一发光材料层；
S6：在剩余的子像素区域中重复步骤S5的操作，得到所有子像素区域对应的发光材料层；
S7：将所有被遮挡的开口区域的挡板结构取下，在所有发光材料层上形成P型半导体层。
优选地，所述提供一涂有光阻层的半导体衬底包括：提供一衬底层；在所述衬底层上形成N型半导体层；在所述N型半导体层上涂覆光阻材料，固化后形成光阻层。
优选地，所述衬底层为氮化镓衬底。
优选地，所述在剩余的子像素区域中重复步骤S5的操作，得到所有子像素区域对应的发光材料层包括：将第二子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第一子像素区域对应开口区域的挡板位置处，暴露出所述第二子像素区域并对所述第一子像素区域进行遮挡，在所述第二子像素区域对应开口区域内进行第二发光材料层的沉积；将第三子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第二子像素区域对应开口位置的挡板位置处，暴露出所述第三子像素区域并对所述第二子像素区域进行遮挡，在所述第三子像素区域对应开口区域内进行第三发光材料层的沉积；将第四子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第三子像素区域对应开口位置的挡板位置处，暴露出所述第四子像素区域并对所述第三子像素区域进行遮挡，在所述第四子像素区域对应开口区域内进行第四发光材料层的沉积。
优选地，所述将第二子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第一子像素区域对应开口区域的挡板位置处包括：通过机械臂控制探针结构将所述第二子像素区域对应的开口区域的挡板结构取下，将所述挡板结构放置在所述第一子像素区域对应的开口区域上；所述将第三子像素区域对应的开口区域的挡板结构放置在所述二子像素区域对应开口区域的挡板位置处包括：通过机械臂控制探针结构将所述第三子像素区域对应的开口区域的挡板结构取下，将所述挡板结构放置在所述第二子像素区域对应的开口区域上；所述将第四子像素区域对应的开口区域的挡板结构放置在所述三子像素区域对应开口区域的挡板位置处包括：通过机械臂控制探针结构将所述第四子像素区域对应的开口区域的挡板结构取下，将所述挡板结构放置在所述第三子像素区域对应的开口区域上。
优选地，所述探针结构为板状结构，在所述板状结构上具有多个凸起，所述凸起的大小为8-30um，所述凸起的中心为中空结构，每个凸起相当于探针，所述掩膜版的每个子像素对应一个凸起。
优选地，所述将所有被遮挡的开口区域的挡板结构取下，在所有发光材料层上形成P型半导体层后包括：在所述P型半导体层上形成每个子像素区域的P型电极；在所述N型半导体层上形成不同子像素共用的N型电极。
优选地，所述掩膜版主体为铜或不锈钢材料。
优选地，所述掩膜版的开口区域内部设置有台阶结构和贯通区域，所述台阶结构的台面设置有磁性材料涂层，所述掩膜版的挡板结构下表面边缘处设置有磁性材料涂层，所述掩膜版的挡板结构与所述开口区域内部的台阶结构通过磁性材料相互吸附。
优选地，所述掩膜版的挡板结构为金属不透明材料。
本发明所提供的一种micro LED的制备方法，通过将所述挡板结构从台阶结构上取下，暴露所述开口区域内部的贯通区域，对所述贯通区域内的光阻层进行曝光处理；在所述光阻层上形成贯通的开口，再分别对不同子像素区域进行沉积，在沉积时仅打开需要沉积的子像素区域对应的挡板结构，并将其他子像素区域对应的开口区域遮挡，保证在不同的子像素区域中仅有单一颜色的发光材料层形成，不会造成混光；将所有被遮挡的开口区域的挡板结构取下，在所有发光材料层上形成P型半导体层；在所述P型半导体层上形成每个子像素区域的P型电极，在所述N型半导体层上形成不同子像素共用的N型电极；通过单一的掩膜版控制所述挡板结构的取下和放回，对不同颜色的子像素区域进行曝光和沉积，降低更换掩膜版的时间和使用多种掩膜版的成本。
附图说明
为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的一种micro LED的制备方法的第一种具体实施例的流程图；
图2为本发明提供的一种micro LED的制备方法的掩膜版结构图；
图3为本发明提供的一种micro LED的制备方法的第二种具体实施例的流程图。
具体实施方式
本发明的核心是提供一种micro LED的制备方法，降低制备micro LED过程中掩膜版的使用数量，减少使用掩膜版的成本。
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参考图1，图1为本发明的一种micro LED的第一种具体实施例的流程图；具体操作步骤如下：
步骤S101：提供一涂有光阻层的半导体堆叠结构。
提供一衬底层；
其中，所述衬底层可以是蓝宝石衬底或氮化镓衬底；
在所述衬底层上形成N型半导体层；
在所述N型半导体层上涂覆光阻材料，固化后形成光阻层，得到涂有光阻层的半导体堆叠结构。
步骤S102：将掩膜版设置在所述光阻层上，将所述掩膜版开口区域内部的贯通区域与所述光阻层上不同子像素区域重合。
如图2所示，所述掩膜版包括掩膜版主体和挡板结构；
所述掩膜版主体上表面内包括多个预定规律排列的开口区域；
所述开口区域内部设置有台阶结构和贯通区域；
所述台阶结构的台面设置有磁性材料涂层，所述贯通区域的面积小于所述开口区域的面积；
所述挡板结构与所述开口区域的面积、形状相同，所述挡板结构下表面的边缘处设置有磁性材料涂层；
所述挡板结构与所述开口区域内部的台阶结构通过磁性材料相互吸附。
步骤S103：将所述掩膜版所有开口区域的挡板结构取下，对所述开口区域内的光阻层进行曝光处理，在所述光阻层上形成贯通的开口，暴露出所述半导体堆叠结构的表面。
通过机械臂控制探针结构的上下左右前后移动，到达所述掩膜版的位置，控制机械臂中的气路进行抽气，形成负压，将挡板结构进行吸取。
其中，所述探针结构为与所述掩膜版类似的板状结构，在所述板状结构上具有多个凸起，所述凸起的大小为8-30um，所述凸起的中心为中空结构，每个凸起相当于探针，所述掩膜版的每个子像素对应一个凸起，所述机械臂中具有多个气路，每个气路对应每个子像素区域的凸起。通过对不同气路控制抽气与否，来控制不同子像素区域对应的挡板结构的吸取和放下，实现不同位置的遮挡和露出。
步骤S104：将除第一子像素区域以外的子像素区域对应开口区域的挡板结构放回，在所述第一子像素区域的光阻层贯通的开口内进行沉积，形成第一发光材料层。
步骤S105：在剩余的子像素区域中重复步骤S104的操作，得到所有子像素区域对应的发光材料层。
由于每个子像素区域对应的开口区域大小相同，对应的挡板结构大小也相同，因此可以将需要暴露的开口区域的挡板结构取下放置在需要遮挡的开口区域上方。
在每次沉积发光材料层时，保证对应的子像素区域的挡板结构取下，这样能够确定在不用的子像素区域中仅有一种颜色的发光材料层形成。
步骤S106：将所有被遮挡的开口区域的挡板结构取下，在所有发光材料层上形成P型半导体层。
本实施例通过掩膜版控制挡板结构的取下和放回，将不需要暴露的子像素区域进行遮挡，将需要暴露的子像素区域进行取下，能用使用单一的掩膜版进行多次不同子像素区域的曝光和沉积，降低制备micro LED掩膜版的使用数量，减少成本。
基于上述实施例，本实施例以一个像素具有四个子像素的micro LED为例，在使用所述掩膜版对micro LED基板进行曝光、刻蚀以及沉积时，需要在不同的子像素其区域内沉积不同颜色的发光层，例如在蓝光子像素(B子像素)区域内沉积蓝光发光材料、在红光子像素(R子像素)区域内沉积红光发光材料、在绿光子像素(G子像素)区域内沉积绿光发光材料、在白光子像素(W子像素)区域内沉积白光发光材料。
请参考图3，图3为本发明的一种micro LED的第二种具体实施例的流程图；具体操作步骤如下：
步骤S301：提供一氮化镓衬底。
步骤S302：在所述氮化镓衬底上形成N型半导体层，在所述N型半导体层上涂覆光阻材料，固化后形成光阻层，得到涂有光阻层的半导体堆叠结构。
步骤S303：将掩膜版设置在所述半导体堆叠结构的光阻层上，通过机械臂控制探针结构将所述掩膜版开口区域的所有挡板结构取下，对所述开口区域内的光阻层进行曝光处理，在所述光阻层上形成贯通的开口。
步骤S304：将四种子像素区域对应的挡板结构放回，仅使需要进行处理的开口区域暴露，依次在所述四种子像素区域对应的开口区域内进行沉积相应颜色的子像素发光层。
通过机械臂控制探针结构将除第一子像素区域以外的子像素区域对应开口区域的挡板结构放回，在所述第一子像素区域的光阻层贯通的开口内进行沉积，形成第一发光材料层；
通过机械臂控制探针结构将第二子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第一子像素区域对应开口区域的挡板位置处，暴露出所述第二子像素区域并对所述第一子像素区域进行遮挡，在所述第二子像素区域对应开口区域内进行第二发光材料层的沉积。
通过机械臂控制探针结构将第三子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第二子像素区域对应开口位置的挡板位置处，暴露出所述第三子像素区域并对所述第二子像素区域进行遮挡，在所述第三子像素区域对应开口区域内进行第三发光材料层的沉积；
通过机械臂控制探针结构将第四子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第三子像素区域对应开口位置的挡板位置处，暴露出所述第四子像素区域并对所述第三子像素区域进行遮挡，在所述第四子像素区域对应开口区域内进行第四发光材料层的沉积。
步骤S305：将被遮挡的子像素区域上方的挡板结构取下，在所有子像素发光层上形成P型半导体层。
步骤S306：在所述P型半导体层上形成每个子像素区域的P型电极，在所述N型半导体层上形成不同子像素共用的N型电极。
本实施例通过单一的掩膜版控制所述挡板结构的取下和放回，对四种不同颜色的子像素区域进行曝光和沉积，降低更换掩膜版的时间和使用多种掩膜版的成本。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
以上对本发明所提供的一种micro LED的制备方法进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
Claims (10)
1.一种micro LED的制备方法，其特征在于，包括：
S1：提供一涂有光阻层的半导体堆叠结构；
S2：提供一掩膜版；
S3：将所述掩膜版设置在所述光阻层上，将所述掩膜版开口区域内部的贯通区域与所述光阻层上不同子像素区域重合；
S4：将所述掩膜版所有开口区域的挡板结构取下，对所述开口区域内的光阻层进行曝光处理，在所述光阻层上形成贯通的开口，暴露出所述半导体堆叠结构的表面；
S5：将除第一子像素区域以外的子像素区域对应开口区域的挡板结构放回，在所述第一子像素区域的光阻层贯通的开口内进行沉积，形成第一发光材料层；
S6：在剩余的子像素区域中重复步骤S5的操作，得到所有子像素区域对应的发光材料层；
S7：将所有被遮挡的开口区域的挡板结构取下，在所有发光材料层上形成P型半导体层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述提供一涂有光阻层的半导体堆叠结构包括：
提供一衬底层；
在所述衬底层上形成N型半导体层；
在所述N型半导体层上涂覆光阻材料，固化后形成光阻层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述衬底层为氮化镓衬底。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在剩余的子像素区域中重复步骤S5的操作，得到所有子像素区域对应的发光材料层包括：
将第二子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第一子像素区域对应开口区域的挡板位置处，暴露出所述第二子像素区域并对所述第一子像素区域进行遮挡，在所述第二子像素区域对应开口区域内进行第二发光材料层的沉积；
将第三子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第二子像素区域对应开口区域的挡板位置处，暴露出所述第三子像素区域并对所述第二子像素区域进行遮挡，在所述第三子像素区域对应开口区域内进行第三发光材料层的沉积；
将第四子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第三子像素区域对应开口区域的挡板位置处，暴露出所述第四子像素区域并对所述第三子像素区域进行遮挡，在所述第四子像素区域对应开口区域内进行第四发光材料层的沉积。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将第二子像素区域对应开口区域的挡板结构放置在所述第一子像素区域对应开口区域的挡板位置处包括：
通过机械臂控制探针结构将所述第二子像素区域对应的开口区域的挡板结构取下，将所述挡板结构放置在所述第一子像素区域对应的开口区域上；
所述将第三子像素区域对应的开口区域的挡板结构放置在所述二子像素区域对应开口区域的挡板位置处包括：
通过机械臂控制探针结构将所述第三子像素区域对应的开口区域的挡板结构取下，将所述挡板结构放置在所述第二子像素区域对应的开口区域上；
所述将第四子像素区域对应的开口区域的挡板结构放置在所述三子像素区域对应开口区域的挡板位置处包括：
通过机械臂控制探针结构将所述第四子像素区域对应的开口区域的挡板结构取下，将所述挡板结构放置在所述第三子像素区域对应的开口区域上。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述探针结构为板状结构，在所述板状结构上具有多个凸起，所述凸起的大小为8-30um，所述凸起的中心为中空结构，每个凸起相当于探针，所述掩膜版的每个子像素对应一个凸起。
7.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所有被遮挡的开口区域的挡板结构取下，在所有发光材料层上形成P型半导体层后包括：
在所述P型半导体层上形成每个子像素区域的P型电极；
在所述N型半导体层上形成不同子像素共用的N型电极。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜版主体为铜或不锈钢材料。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜版的开口区域内部设置有台阶结构和贯通区域，所述台阶结构的台面设置有磁性材料涂层，所述掩膜版的挡板结构下表面边缘处设置有磁性材料涂层，所述掩膜版的挡板结构与所述开口区域内部的台阶结构通过磁性材料相互吸附。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述掩膜版的挡板结构为金属不透明材料。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011019145A2 (ko) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | (주)참빛 | 마스크를 적용하여 측면 반사면을 금속 코팅한 발광 다이오드 패키지 기판 및 그 제조 방법 |
| WO2014084500A1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 서울바이오시스 주식회사 | 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법 |
| CN104465706A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-03-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制作方法 |
| KR101921111B1 (ko) * | 2017-08-29 | 2018-11-22 | 한국생산기술연구원 | 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법 |
| CN109055892A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-21 | 云谷（固安）科技有限公司 | 掩膜板及蒸镀装置 |
| CN112376015A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法 |
| WO2021165659A1 (en) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | Plessey Semiconductors Ltd | High resolution monolithic rgb arrays |
-
2021
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Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011019145A2 (ko) * | 2009-08-14 | 2011-02-17 | (주)참빛 | 마스크를 적용하여 측면 반사면을 금속 코팅한 발광 다이오드 패키지 기판 및 그 제조 방법 |
| WO2014084500A1 (ko) * | 2012-11-28 | 2014-06-05 | 서울바이오시스 주식회사 | 기판 분리 방법 및 이를 이용한 발광 다이오드 칩 제조 방법 |
| CN104465706A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-03-25 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示装置及其制作方法 |
| KR101921111B1 (ko) * | 2017-08-29 | 2018-11-22 | 한국생산기술연구원 | 마이크로 발광 다이오드의 리워크 방법 |
| CN109055892A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-21 | 云谷（固安）科技有限公司 | 掩膜板及蒸镀装置 |
| WO2021165659A1 (en) * | 2020-02-19 | 2021-08-26 | Plessey Semiconductors Ltd | High resolution monolithic rgb arrays |
| CN112376015A (zh) * | 2020-11-09 | 2021-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种掩膜版及其制作方法、显示基板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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