CN114026968A - 布线基板 - Google Patents

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Abstract

布线基板(90)包含：绝缘体层(11、12)，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层(21～23)，设置在绝缘体层(11、12)上。导电层(21～23)包含：多个芯部(71)，分散于导电层中，并含有钼；以及包覆部(72)，包覆多个芯部(71)各自的表面，并含有钨。包覆部(72)与芯部(71)相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。

Description

布线基板
技术领域
本发明涉及布线基板，特别涉及具有由陶瓷构成的绝缘体层以及设置在绝缘体层上的导电层的布线基板。
背景技术
根据日本特开昭51-107306号公报(专利文献1)，关于对集成电路用封装体或电子电路基板的、形成于含有氧化铝的陶瓷表面的布线图案(金属化面)实施非电解镀金的技术进行了研究。具体而言，主张的主旨是，在陶瓷表面涂敷含有W以及Mo的金属化糊剂，并将其在例如1500℃下进行烧成。在由此形成的金属化面上，能够在短时间内形成较厚的非电解镀金层。
根据国际公开第2018/155434号(专利文献2)，在布线基板具有的外部电极以及布线导体的表面实施电镀法或非电解镀敷法。例如，依次形成镀镍层和镀金层。
根据日本特开2015-88642号公报(专利文献3)，公开了在多层陶瓷结构体上接合了密封环的结构。多层陶瓷结构体具有陶瓷绝缘层以及布线。例如，陶瓷绝缘层由氧化铝构成，布线由钨构成。通过将盖焊接于密封环，能够得到气密密封的空腔。密封环例如由含有铁、镍以及钴的合金构成。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开昭51-107306号公报
专利文献2：国际公开第2018/155434号
专利文献3：日本特开2015-88642号公报
发明内容
(发明所要解决的课题)
根据上述日本特开昭51-107306号公报的技术，公开了含有W以及Mo的金属化糊剂在1500℃的高温下进行烧成。在这样烧成温度高的情况下，根据本发明者的研究，即使金属化糊剂的金属成分仅为钨，也容易充分地进行烧结，因此能够容易地确保机械强度。并且，如果金属成分仅为钨，与含有钼的情况相比，能得到高耐水性(对湿度以及水分的耐腐蚀性)。因此，只要不是以在金属化面上在短时间内直接形成厚的非电解镀金层为目的，上述日本特开昭51-107306号公报的有用性看起来就很低。特别是在如上述国际公开第2018/155434号记载的那样隔着镀镍层形成镀金层的情况下，上述日本特开昭51-107306号公报的技术看起来没有意义。
近年来，出于提高构成布线基板的陶瓷绝缘体层的机械强度的目的，有时使构成陶瓷绝缘体层的氧化铝晶粒的大小变小。在该情况下，作为陶瓷绝缘体层的材料的氧化铝粉体的粒径也变小，因此与其相适合的烧成温度降低。因此，通过与绝缘体层层叠而构成布线基板的导电层的材料也需要为适于低温烧结的材料。从低温烧结的观点出发，如上述日本特开2015/88642号公报中记载的那样，导电层的金属成分优选为(相比于钨)钼。倘若作为导电层的材料的金属化糊剂的金属成分单纯地为钨，则在低烧成温度下烧结难以充分地进行。其结果，导电层的机械强度降低。另一方面，根据本发明者的研究，在金属成分单纯地为钼的情况下，有时导电层的耐水性(对湿度以及水分的耐腐蚀性)会变得不充分。
本发明为了解决以上那样的课题而做出，其目的在于提供一种包含具有高机械强度和高耐水性(对湿度以及水分的耐腐蚀性)的导电层的布线基板。
(用于解决课题的手段)
本发明的布线基板包含：绝缘体层，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及导电层，设置在绝缘体层上。导电层包含：多个芯部，分散在导电层中，并含有钼；以及包覆部，包覆多个芯部各自的表面，并含有钨。包覆部与芯部相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。
芯部优选具有80wt％(重量百分比)以上且95wt％以下的钼浓度。
当将导电层所含有的钼原子视为金属钼的情况下的钼体积定义为VM，将导电层所含有的钨原子视为金属钨的情况下的钨体积定义为VW，并将VM及VW之和定义为100％(百分比)时，VW优选为20％以上且50％以下。
布线基板可以包含：基底层，直接设置在导电层上，由与金不同的导体构成；以及金层，至少隔着基底层设置在导电层上。
基底层优选含有镍。
布线基板可以包含与基底层接合且被金层覆盖的金属框体。
(发明效果)
根据本发明，通过导电层具有相对高浓度地含有钼的芯部，从而即使在布线基板的制造中的烧成温度较低的情况下，导电层也容易充分地进行烧结。由此容易确保导电层的充分的机械强度。此外，通过相对高浓度地含有钨的包覆部覆盖芯部各自的表面，从而抑制芯部的腐蚀。根据以上，即使在烧成温度较低的情况下，也能够得到具有高机械强度和对湿度以及水分的高耐腐蚀性的导电层。
本发明的目的、特征、方面以及优点通过以下的详细说明和附图而变得更加清楚。
附图说明
图1是概略性地示出本发明的实施方式中的布线基板的结构的俯视图。
图2是沿着图1的线II－II的概略性的局部剖视图。
图3是示意性地示出图2中的导电层的微细构造的剖视图。
图4是示出初始状态下的、由绝缘体层、具有钨的换算体积0vol％且钼的换算体积100vol％的金属成分的导电层和镀镍层构成的层叠体的剖面的背散射电子图像的电子显微镜照片。
图5是初始状态下的、由绝缘体层和具有钨的换算体积0vol％且钼的换算体积100vol％的金属成分的导电层构成的层叠体的基于20倍率的光学显微镜的表面照片。
图6是高温高湿试验后的、由绝缘体层和具有钨的换算体积0vol％且钼的换算体积100vol％的金属成分的导电层构成的层叠体的基于20倍率的光学显微镜的表面照片。
图7是示出压力锅试验后的、由绝缘体层、具有钨的换算体积0vol％且钼的换算体积100vol％的金属成分的导电层、形成在导电层上的镀镍层、和形成在镀镍层上的镀金层构成的层叠体的、导电层的端缘附近的剖面的背散射电子图像的电子显微镜照片。
图8是高温高湿试验后的、由绝缘体层和具有钨的换算体积100vol％且钼的换算体积0vol％的金属成分的导电层构成的层叠体的基于20倍率的光学显微镜的表面照片。
图9是示出初始状态下的、由绝缘体层、具有钨的换算体积35vol％且钼的换算体积65vol％的金属成分的导电层和镀镍层构成的层叠体的剖面的背散射电子图像的电子显微镜照片。
图10是高温高湿试验后的、由绝缘体层和具有钨的换算体积35vol％且钼的换算体积65vol％的金属成分的导电层构成的层叠体的基于20倍率的光学显微镜的表面照片。
图11是示出初始状态下的、由绝缘体层、具有钨的换算体积50vol％且钼的换算体积50vol％的金属成分的导电层和镀镍层构成的层叠体的剖面的背散射电子图像的电子显微镜照片。
图12是高温高湿试验后的、由绝缘体层和具有钨的换算体积50vol％且钼的换算体积50vol％的金属成分的导电层构成的层叠体的基于20倍率的光学显微镜的表面照片。
图13是示出初始状态下的、由绝缘体层、具有钨的换算体积20vol％且钼的换算体积80vol％的金属成分的导电层和镀镍层构成的层叠体的剖面的背散射电子图像的电子显微镜照片。
图14是高温高湿试验后的、由绝缘体层和具有钨的换算体积20vol％且钼的换算体积80vol％的金属成分的导电层构成的层叠体的基于20倍率的光学显微镜的表面照片。
图15是示出初始状态下的、由绝缘体层和具有钨的换算体积35vol％且钼的换算体积65vol％的金属成分的导电层构成的层叠体即与图9所示的层叠体分开准备的层叠体的剖面的背散射电子图像的电子显微镜照片。
图16是以与图15相同的视野示出图15所示的剖面的用EDX测定的钼的浓度分布的分布图。
图17是以与图15相同的视野示出图15所示的剖面的用EDX测定的钨的浓度分布的分布图。
具体实施方式
以下，基于附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在以下的附图中对相同或相当的部分标注相同的参照编号，不重复其说明。
＜结构＞
图1是概略性地示出本实施方式中的布线基板90的结构的俯视图。图2是沿着图1的线II－II的概略性的局部剖视图。
布线基板90是用于制造模块的封装体。如图2所示，通过在封装体搭载电子部件81，之后在封装体安装盖82，从而得到在密封的空间中具有电子部件81的模块。
布线基板90具有：绝缘体层11、12，由含有氧化铝作为主成分的陶瓷构成；以及导电层21～23，设置在绝缘体层11、12上。该陶瓷的氧化铝含量可以为70wt％以上。此外，该陶瓷出于提高其强度的目的，也可以包含10～30wt％的氧化锆。此外，该陶瓷出于提高绝缘体层11、12与导电层21～23的密接强度的目的，也可以含有数％的玻璃成分。进而，布线基板90可以具有通孔电极26。在图2所示的结构中，在绝缘体层11的下表面上层叠有导电层21，在绝缘体层11的上表面上层叠有导电层22以及绝缘体层12，在绝缘体层12的上表面上层叠有导电层23。绝缘体层12具有框形状，在绝缘体层11上被该框形状包围的区域构成了用于收纳电子部件81的空腔。通孔电极26通过贯通绝缘体层11而将导电层21与导电层22相互连接。
上述层叠体能够通过多个生片的形成、金属化糊剂向各生片上的印刷、这些生片的层叠以及烧成来形成。通过生片烧结而形成绝缘体层11、12，通过金属化糊剂烧结而形成导电层21～23以及通孔电极26。金属化糊剂具有溶剂和分散于其中的粉体。该粉体包含金属钼的粉体和金属钨的粉体。金属化糊剂还可以包含添加材料的粉体，其组成优选为与绝缘体层11、12的组成类似。
在本实施方式中，布线基板90还具有：基底镀敷层31～33(基底层)、中间镀敷层41～43以及Au镀敷层51～53(金层)。中间镀敷层41～43也可以省略。此外，在本实施方式中，布线基板90还具有通过钎料部61焊接的金属框体62。
基底镀敷层31～33分别直接设置在导电层21～23上。基底镀敷层31～33由与金不同的导体构成，优选为含有镍，例如，由镍或镍钴合金构成。中间镀敷层41～43由与金不同的导体构成，优选为含有镍，例如，由镍或镍钴合金构成。
Au镀敷层51至少隔着基底镀敷层31设置在导电层21上，Au镀敷层52至少隔着基底镀敷层32设置在导电层22上，Au镀敷层53至少隔着基底镀敷层33设置在导电层23上。具体而言，Au镀敷层51隔着中间镀敷层41设置在基底镀敷层31上。Au镀敷层52隔着中间镀敷层42设置在基底镀敷层32上。Au镀敷层53隔着中间镀敷层43设置在基底镀敷层33上，更具体而言，Au镀敷层53隔着钎料部61、金属框体62以及中间镀敷层43设置在基底镀敷层33上。
金属框体62通过钎料部61与基底镀敷层33接合。金属框体62隔着中间镀敷层43被Au镀敷层53覆盖。在镀敷处理后的金属框体62上会焊接盖82。另外金属框体62由金属构成，该金属可以为合金。
图3是示意性地示出导电层21～23(图2)的微细构造的剖视图。另外，在图3中，为了容易观察附图，包覆部72以无阴影的方式用空白表示。
作为能够用显微镜观察的微细构造，导电层21～23包含：分散在导电层21～23中的多个芯部71、以及包覆这些多个芯部71各自的表面的包覆部72。作为能够用显微镜观察的微细构造，导电层21～23各自优选还包含含有氧化铝的添加材料部73，在该情况下，能够提高均含有氧化铝的导电层21～23与绝缘体层11、12之间的接合强度。添加材料部73也可以含有玻璃成分，由此能促进导电层21～23的烧结。另外，包覆部72优选完全包覆多个芯部71各自的表面，但并不限定于此，多个芯部71的一部分也可以不被包覆部72包覆而露出。即，只要多个芯部71当中的大部分的芯部71的表面被包覆部72包覆即可。在如图3所示包含数十个左右的芯部71的视野内的观察例中，相对于各芯部71的外形线的长度的合计值，各芯部71的外形线中的形成与包覆部72的边界线的部分的长度的合计值为80％以上。
芯部71含有钼原子，优选为具有80wt％以上且95wt％以下的钼浓度，实质上可以由钼构成。包覆部72含有钨原子，与芯部71相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。
将导电层21～23所含有的钼原子视为金属钼的情况下的钼的换算体积定义为VM，将导电层21～23所含有的钨原子视为金属钨的情况下的钨的换算体积定义为VW，将这些换算体积VM及VW之和定义为100％。在这些定义下，换算体积VW优选处于20％以上且50％以下的范围。为了得到这样的组成，在作为导电层21～23的材料的金属化糊剂中，金属钼的粉体和金属钨的粉体只要按满足上述范围的体积比VM：VW混合即可。在图3所示的构造中，优选钼与钨之间的合金化不怎么进行，若无视合金化的影响，则在导电层21～23中，换算体积VM对应于芯部71的体积，换算体积VW对应于包覆部72的体积。另外，导电层21～23中的金属成分实质上可以仅为钼以及钨。
＜效果＞
根据本实施方式，通过导电层21～23具有相对高浓度地含有钼的芯部71，即使在布线基板90的制造中的烧成温度较低的情况下，导电层21～23也容易充分地烧结。由此容易确保导电层21～23的充分的机械强度。此外，通过相对高浓度地含有钨的包覆部72覆盖芯部71各自的表面，从而能够抑制芯部71的腐蚀。根据以上，即使在烧成温度较低的情况下，也能够得到具有高机械强度和对湿度以及水分的高耐腐蚀性的导电层21～23。
芯部71优选具有80wt％以上且95wt％以下的钼浓度。由此，导电层21～23更容易进行烧结。若该浓度小于80wt％，则包覆部72的钼浓度相对提高。在该情况下，包覆部72自身的耐湿性降低。另一方面，若该浓度超过95wt％，则芯部71的耐湿性降低。在该情况下，芯部71的表面中的未被包覆部72包覆的部分特别容易被腐蚀。
在钨的换算体积VW为20％以上的情况下，含有钨的包覆部72能够更充分地包覆芯部71各自的表面。在换算体积VW为50％以下的情况下，能够进一步确保钼的换算体积VM，因此能够使导电层21～23的烧结更充分地进行。
若Au镀敷层51～53与导电层21～23直接接合，则Au镀敷层51～53容易剥离。因此，Au镀敷层51～53优选隔着直接设置在导电层21～23上的基底镀敷层31～33而设置。
基底镀敷层31～33优选含有镍。在该情况下，通过基底镀敷层31～33中的镍与导电层21～23中的钨或钼合金化，从而基底镀敷层31～33牢固地接合于导电层21～23。
布线基板90可以包含与基底镀敷层31～33接合且被Au镀敷层51～53覆盖的金属框体62(图2)。金属框体62是比较厚的构件，所以由于某些原因，从图2中的横向受到较大外力的可能性比较高。此外，金属框体62容易大致直接受到由于某些原因而对作为较大构件的盖82施加的力。因此，有可能对支承金属框体62的导电层23施加较大的力。即使在这样的情况下，通过基底镀敷层33与导电层23牢固地接合，也能够防止导电层23上的剥离的发生。由此，能够防止因剥离引起的导电层23上的泄漏路径的产生。进而，通过导电层23的机械强度较高，也能够防止因上述的较大的力引起的导电层23的破坏。由此，能够更可靠地防止泄漏路径的产生。
＜实验＞
参照示出背散射电子图像的基于电子显微镜的剖面照片(图4、图7、图9、图11以及图13)和基于20倍率的光学显微镜的表面照片(图5、图6、图8、图10、图12以及图14)，在与绝缘体层11、12对应的氧化铝层(绝缘体层)10上，形成换算体积VM以及VW的比率不同的导电层20，由此形成了多个种类的层叠体(样品)。然后，对于其对湿度以及水分的耐腐蚀性，具体而言对于耐氧化性进行了研究。
首先，参照图4～图7，以下对VW：VM＝0：100的样品的实验结果进行说明。
图4示出初始状态(换言之，暴露于容易促进氧化的环境之前的状态)下的、为了便于观察而带有Ni镀敷层40的样品的剖面。在该样品中，与前述的实施方式不同，并未添加钨，因此芯部71以及添加材料部73无包覆部72(图3)地分布。
图5示出初始状态下的无镀敷层的样品的表面。基于20倍率的光学显微镜的导电层20的表面像呈大致白色，这表示导电层20尚未被氧化。图6表示上述样品的高温高湿试验后的表面。另外，本说明书中记载的高温高湿试验在温度85℃、相对湿度85％、期间96小时的条件下进行。基于20倍率的光学显微镜的导电层20的表面像呈大致黑色，这表示导电层20被大幅氧化。
图7在导电层20的端缘(由虚线ED所示的位置)附近示出带有Ni镀敷层40以及Au镀敷层50的样品的压力锅试验(PCT)后的剖面。PCT在温度121℃、相对湿度100％、压力2atm、期间1000小时的条件下进行。在虚线ED(图7)的紧左侧，在导电层20的端部与Ni镀敷层40的界面观察到异常。这表示发生了腐蚀。
以上，根据图4～图7的结果可知，VW：VM＝0：100的样品的对湿度以及水分的耐腐蚀性较低。
接着，参照图8，对VW：VM＝100：0的样品的实验结果进行说明。该图8示出无镀敷层的样品的高温高湿试验后的表面。基于20倍率的光学显微镜的导电层20的表面像呈大致白色，这表示导电层20几乎未被氧化。由此可知，在VW：VM＝100：0的情况下，对湿度以及水分的耐腐蚀性较高。另一方面，该样品的导电层20由于不含有钼，因此仅具有较低的机械强度。
接着，参照图9以及图10，以下对VW：VM＝35：65的样品的实验结果进行说明。图9示出初始状态下的、为了便于观察而带有Ni镀敷层40的样品的剖面。在该样品中，如在前述的实施方式中参照图3所说明的那样，分布有芯部71(图9中的导电层20的灰色部)和包覆部72(图9中的导电层20的白色部)以及添加材料部73(图9中的导电层20的黑色部)，包覆部72几乎完全包覆了芯部71各自的表面。图10示出无镀敷层的样品的高温高湿试验后的表面。基于20倍率的光学显微镜的导电层20的表面像与图6相比，呈更接近白色的明亮的颜色。这表示与VW：VM＝0：100的情况相比，在VW：VM＝35：65的情况下，导电层20的氧化得到了抑制。
接着，参照图11以及图12，以下对VW：VM＝50：50的样品的实验结果进行说明。图11示出初始状态下的、为了便于观察而带有Ni镀敷层40的样品的剖面。在该样品中，包覆部72也几乎完全包覆了芯部71各自的表面。图12示出无镀敷层的样品的高温高湿试验后的表面。基于20倍率的光学显微镜的导电层20的表面像与图6相比，呈更接近白色的明亮的颜色。这表示与VW：VM＝0：100的情况相比，在VW：VM＝50：50的情况下，导电层20的氧化得到了抑制。
接着，参照图13以及图14，以下对VW：VM＝20：80的样品的实验结果进行说明。图13示出初始状态下的、为了便于观察而带有Ni镀敷层40的样品的剖面。在该样品中，包覆部72几乎包覆了芯部71各自的表面。但是若与图9以及图11各自的样品相比，则存在芯部71的表面看起来快要露出的部分。使用图像解析软件ImageJ进行图13的图像解析的结果是，相对于各芯部71的外形线的长度的合计值，各芯部71的外形线中的形成与包覆部72的边界线的部分的长度的合计值为80％以上。图14示出无镀敷层的样品的高温高湿试验后的表面。基于20倍率的光学显微镜的该样品的导电层20的表面像与图10以及图12各自的样品相比稍微接近于黑色而较暗，但与图6相比，呈更接近白色的明亮的颜色。这表示与VW：VM＝0：100的情况相比，在VW：VM＝20：80的情况下，导电层20的氧化得到了抑制。
一般地，原子序数越大则反射电子的信号强度越大，因此背散射电子图像的白色度升高。由此，在图13中，可以推定为作为灰色部的芯部71的钼浓度较高，作为白色部的包覆部72的钨浓度较高。
为了验证上述推定，与背散射电子图像的观察一起进行了EDX(Energy-Dispersive X-Ray Spectrometry：能量色散X射线光谱)。观察样品的剖面通过离子铣削来制作，在其上进行了碳蒸镀。为了观察背散射电子图像而使用了日立High-Technologies制造的S-3400N。在EDX中使用了EDAX制造的GenesisMX4。EDX中的加速电压为10kV，通过测定视野范围中的150秒期间的扫描来测量了信号强度。
图15～图17是对于与图9同样地具有VW：VM＝35：65的组成比的样品的分析结果。但是，该样品为了便于观察，与图9的样品分开准备。图15示出初始状态下的、未带有Ni镀敷层40(参照图9)的该样品的剖面的背散射电子图像。图16示出通过EDX来测定与图15相同的视野中的钼浓度的分布的结果。图17示出通过EDX来测定与图15相同的视野中的钨浓度的分布的结果。导电层的视野范围为约24μm×约12μm。图15～图17中的箭头1示出了芯部71的位置。同样地，箭头2示出了包覆部72的位置。
在图16所示的EDX测定中，白色度越高则钼浓度越高。由箭头2所示的包覆部72的白色度低于由箭头1所示的芯部71的白色度，因此可以说包覆部72的钼浓度低于芯部71的钼浓度。
在图17所示的EDX测定中，白色度越高则钨浓度越高。由箭头2所示的包覆部72的白色度高于由箭头1所示的芯部71的白色度，因此可以说包覆部72的钨浓度高于芯部71的钨浓度。
接着，通过向芯部71的中心部附近照射电子射束，通过EDX来测量芯部71的元素浓度。具体而言，任意选择3个位置不同的芯部，在其各自的中心部附近的位置A～C处进行了测量。将其结果在以下的表1中示出。
[表1]
位置A 位置B 位置C
钨(W) 20wt％ 11wt％ 5wt％
钼(Mo) 80wt％ 89wt％ 95wt％
根据该测量结果可知，芯部中的钼浓度为80wt％～95wt％。此外，针对与图11的样品相同地具有Vw∶VM＝50∶50的比率的样品和与图13的样品相同地具有Vw∶VM＝20∶80的比率的样品也进行了与该测量相同的测量，其结果与表1相同。
在芯部71的钼浓度小于80wt％的情况下，包覆部72的钼浓度相对提高。在该情况下，包覆部72自身的耐湿性降低，如图6所示，在高温高湿试验后氧化腐蚀有可能进展。另一方面，在芯部71的钼浓度超过95wt％的情况下，芯部71的耐湿性降低。在该情况下，在芯部71的表面中的未被包覆部72包覆的部分在高温高湿试验后，如图6所示，氧化腐蚀特别有可能进展。
接着，在向图15的导体层20的整个面照射电子射束的同时，通过EDX来测量了元素浓度。其结果，钨与钼的重量百分比的比率和作为导体层20的材料的金属化糊剂中的金属钼与金属钨的重量百分比的比率大致一致。
对本发明详细进行了说明，但上述的说明在所有的方式中均为例示，本发明并不限定于此。应当理解，在不脱离本发明的范围的前提下能够想到未例示的无数的变形例。
符号说明
10：氧化铝层(绝缘体层)
11、12：绝缘体层
20～23：导电层
26：通孔电极
31～33：基底镀敷层(基底层)
40：Ni镀敷层
41～43：中间镀敷层
50～53：Au镀敷层(金层)
61：钎料部
62：金属框体
71：芯部
72：包覆部
73：添加材料部
81：电子部件
82：盖
90：布线基板。

Claims (6)

1.一种布线基板，其具备：
绝缘体层，由含有氧化铝的陶瓷构成；以及
导电层，设置在所述绝缘体层上，
所述导电层包含：
多个芯部，分散于所述导电层中，并含有钼；以及
包覆部，包覆所述多个芯部各自的表面，并含有钨，
所述包覆部与所述芯部相比，具有更低的钼浓度和更高的钨浓度。
2.根据权利要求1所述的布线基板，其中，
所述芯部具有80重量％以上且95重量％以下的钼浓度。
3.根据权利要求1或2所述的布线基板，其中，
当将所述导电层所含有的钼原子视为金属钼的情况下的钼体积定义为VM，将所述导电层所含有的钨原子视为金属钨的情况下的钨体积定义为VW，并将VM及VW之和定义为100％时，VW为20％以上且50％以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的布线基板，其中，
所述布线基板还具备：
基底层，直接设置在所述导电层上，由与金不同的导体构成；以及
金层，至少隔着所述基底层设置在所述导电层上。
5.根据权利要求4所述的布线基板，其中，
所述基底层含有镍。
6.根据权利要求4或5所述的布线基板，其中，
所述布线基板还具备金属框体，该金属框体与所述基底层接合，并被所述金层覆盖。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6252962A (ja) * 1985-09-02 1987-03-07 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2002193691A (ja) * 2000-12-26 2002-07-10 Kyocera Corp 低誘電率セラミック焼結体及びその製造方法、並びにそれを用いた配線基板
JP2003338578A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Kyocera Corp 半導体素子搭載用基板
CN101256202A (zh) * 2006-12-08 2008-09-03 日本特殊陶业株式会社 电子器件检查布线板及其制造方法
CN109511213A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 日本特殊陶业株式会社 布线基板和平面变压器

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5392465A (en) * 1977-01-24 1978-08-14 Nippon Electric Co Electronic circuit element board
JPS5478084A (en) * 1977-12-05 1979-06-21 Hitachi Ltd Electrode lead wire
JP3645744B2 (ja) 1999-05-14 2005-05-11 京セラ株式会社 セラミック配線基板
JP4885089B2 (ja) * 2007-08-08 2012-02-29 リバーエレテック株式会社 電子部品パッケージ及びその製造方法
JP5392465B2 (ja) 2008-11-25 2014-01-22 住友電気工業株式会社 マグネシウム合金部材
JP5478084B2 (ja) 2009-01-23 2014-04-23 オリンパス株式会社 画像処理システム、画像処理装置および画像処理端末
CN103718288B (zh) * 2012-03-14 2016-08-17 日本特殊陶业株式会社 陶瓷基板及其制造方法
EP3588548A4 (en) * 2017-02-21 2021-01-06 Kyocera Corporation WIRING SUBSTRATE, ELECTRONIC DEVICE AND ELECTRONIC MODULE
JP6795441B2 (ja) * 2017-03-30 2020-12-02 日本特殊陶業株式会社 セラミック配線基板及びその製造方法
JP6252962B1 (ja) 2017-06-13 2017-12-27 上質空間株式会社 スタンド

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6252962A (ja) * 1985-09-02 1987-03-07 Hitachi Ltd 半導体装置
JP2002193691A (ja) * 2000-12-26 2002-07-10 Kyocera Corp 低誘電率セラミック焼結体及びその製造方法、並びにそれを用いた配線基板
JP2003338578A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Kyocera Corp 半導体素子搭載用基板
CN101256202A (zh) * 2006-12-08 2008-09-03 日本特殊陶业株式会社 电子器件检查布线板及其制造方法
CN109511213A (zh) * 2017-09-15 2019-03-22 日本特殊陶业株式会社 布线基板和平面变压器

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