CN114023845A - X射线装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本揭示提供一种X射线装置，其包括阵列基板、闪烁体层、第一黏着层、功能膜以及第二黏着层。闪烁体层设置在阵列基板上。第一黏着层设置在闪烁体层与阵列基板之间。功能膜设置在阵列基板上。第二黏着层设置在功能膜与阵列基板之间。功能膜覆盖闪烁体层。
Description
技术领域
本揭示涉及一种电子装置及其制造方法，尤其涉及一种X射线装置及其制造方法。
背景技术
X射线装置中的闪烁体层容易受潮而裂化。因此，降低外部水气侵入闪烁体层的机率是很重要的。
发明内容
本揭示提供一种X射线装置及其制造方法，可有效降低外部水气侵入闪烁体层的机率。
根据本揭示的实施例，X射线装置包括阵列基板、闪烁体层、第一黏着层、功能膜以及第二黏着层。闪烁体层设置在阵列基板上。第一黏着层设置在闪烁体层与阵列基板之间。功能膜设置在阵列基板上。第二黏着层设置在功能膜与阵列基板之间。功能膜覆盖闪烁体层。
根据本揭示的实施例，X射线装置的制造方法包括以下步骤。通过第一黏着层将闪烁体层贴附至阵列基板。通过第二黏着层将功能膜贴附至阵列基板，其中功能膜覆盖闪烁体层。
为让本揭示的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1是根据本揭示的第一实施例的X射线装置的俯视示意图；
图2是图1的剖线I-I’的剖面示意图；
图3是根据本揭示的第二实施例的X射线装置的剖面示意图；
图4及图5分别是根据本揭示的第三实施例的X射线装置的俯视示意图及剖面示意图；
图6及图7分别是根据本揭示的多个实施例的闪烁体层的俯视示意图；
图8是根据本揭示的一实施例的X射线装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭示。须注意的是，为了使读者能容易了解及附图的简洁，本揭示中的多张附图只绘出电子装置/显示装置的一部分，且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本揭示的范围。举例来说，为了清楚起见，各膜层、区域或结构的相对尺寸、厚度及位置可能缩小或放大。
本揭示通篇说明书与后附的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求中，“具有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“包括但不限定为…”之意。
本文中所提到的方向用语，例如：“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”等，仅是参考附图的方向。因此，使用的方向用语是用来说明，而并非用来限制本揭示。应了解到，当元件或膜层被称为设置在另一个元件或膜层“上”或“连接”另一个元件或膜层时，所述元件或膜层可以直接在所述另一元件或膜层上或直接连接到所述另一元件或膜层，或者两者之间存在有插入的元件或膜层(非直接情况)。相反地，当元件或膜层被称为“直接”在另一个元件或膜层“上”或“直接连接”另一个元件或膜层时，两者之间不存在有插入的元件或膜层。
本文中所提到的术语“大约”、“等于”、“相等”、“相同”、“实质上”或“大致上”通常代表落在给定数值或范围的10％范围内，或代表落在给定数值或范围的5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。此外，用语“给定范围为第一数值至第二数值”、“给定范围落在第一数值至第二数值的范围内”表示所述给定范围包含第一数值、第二数值以及它们之间的其它数值。
在本揭示一些实施例中，关于接合、连接的用语例如“连接”、“互连”等，除非特别定义，否则可指两个结构系直接接触，或者亦可指两个结构并非直接接触，其中有其它结构设于此两个结构之间。关于接合、连接的用语亦可包括两个结构都可移动，或者两个结构都固定的情况。此外，用语“电性连接”、“耦接”包含任何直接及间接的电性连接手段。
在下述实施例中，相同或相似的元件将采用相同或相似的标号，且将省略其赘述。此外，不同实施例中的特征只要不违背发明精神或相冲突，均可任意混合搭配使用，且依本说明书或权利要求所作的简单的等效变化与修饰，皆仍属本揭示涵盖的范围内。另外，本说明书或权利要求中提及的“第一”、“第二”等用语仅用以命名不同的元件或区别不同实施例或范围，而并非用来限制元件数量上的上限或下限，也并非用以限定元件的制造顺序或设置顺序。
图1是根据本揭示的第一实施例的X射线装置的俯视示意图。图2是图1的剖线I-I’的剖面示意图。请参照图1及图2，X射线装置1可包括阵列基板10、闪烁体层11、第一黏着层12、功能膜13以及第二黏着层14。
如图2所示，阵列基板10可包括基板100以及感测阵列102。基板100适于承载感测阵列102。依据不同的需求，基板100可为硬质基板、软性基板、弯曲式基板(curvedsubstrate)、可挠性基板或任何型式的基板。此外，基板100的透光率不加以限制，也就是说，基板100可为透光基板、半透光基板或不透光基板。举例来说，基板100的材质可包括玻璃、石英、蓝宝石、塑胶、陶瓷、不锈钢、聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚碳酸(polycarbonate，PC)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、或前述的组合，但不限于此。
感测阵列102设置在基板100上且位于闪烁体层11与基板100之间。感测阵列102可包括多个感测单元(未示出)以及与这些感测单元电连接的线路(未示出)。这些感测单元排列成阵列，以产生图像。每一个感测单元可包括一个或多个开关元件以及与所述一个或多个开关元件电连接的一个或多个感光元件。开关元件例如可包括薄膜电晶体。感光元件例如可包括光电二极体(photodiode)。然而，感测单元的排列方式、每一个感测单元所包括的开关元件的数量、每一个感测单元所包括的感光元件的数量、开关元件的种类或感光元件的种类可依需求改变，而不以上述为限。
闪烁体层11设置在阵列基板10上。举例来说，可通过第一黏着层12将闪烁体层11贴附至阵列基板10，即第一黏着层12设置在闪烁体层11与阵列基板10之间。第一黏着层12的材质可包括光学透明胶(Optical Clear Adhesive，OCA)或光学透明树脂(OpticalClear Resin，OCR)，但不以此为限。
闪烁体层11适于将入射X射线装置1的X射线转换成可见光。阵列基板10的感测阵列102适于感测可见光并产生对应于可见光的光强度分布的图像。
请再参照图1及图2，功能膜13设置在阵列基板10上且覆盖闪烁体层11。举例来说，可通过第二黏着层14将功能膜13贴附至阵列基板10上，即第二黏着层14设置在功能膜13与阵列基板10之间。第二黏着层14的材质可包括光学透明胶(Optical Clear Adhesive，OCA)或光学透明树脂(Optical Clear Resin，OCR)，但不以此为限。本揭示所称的覆盖系指功能膜13与闪烁体层11之间可包含其他层别，也可不包含其他层别。
依据不同的需求，功能膜13可为单层或复合层。举例来说，功能膜13的材质可包括金属箔(metal foil)、塑胶、金属、有机材料、无机材料或其组合。塑胶可包括PET、PEN、聚对二甲苯(parylene)，但不以此为限。
在一些实施例中，功能膜13可包括沿着阵列基板10的法线方向D1依序堆叠的反射层(未示出)以及阻水层(未示出)，但不以此为限。反射层适于让X射线通过且将可见光反射。例如图2所示，通过反射层将外界环境光中的可见光反射V1，可降低外界环境光中的可见光对感测结果的干扰。此外，通过反射层将朝向外部传递的可见光(例如可见光V2)回收，详细来说，可见光V2打到反射层时，可被反射层反射，并朝向感测阵列102的方向前进，如此，有助于提升感测阵列102所撷取到的闪烁体层11所产生的可见光。阻水层适于阻挡水气渗入闪烁体层11，从而降低水气对于闪烁体层11的负面影响或延长闪烁体层11的使用寿命。在一些实施例中，可调整阻水层的阻水性，以符合不同产品的需求。举例来说，可调整功能膜13的各叠层材质、厚度或结构，或调整第二黏着层14的材质或其与阵列基板10的黏着距离，以达到不同产品的需求。
如图2所示，功能膜13、第二黏着层14以及阵列基板10可形成气密空间(airtightspace)S，且第一黏着层12以及闪烁体层11位于气密空间S中。在一些实施例中，气密空间S可呈真空状态，例如，可在真空环境或大气压力接近0的环境中进行封膜制程，但不以此为限。在另一实施例中，气密空间S的压力小于外界环境压力或一大气压力(1atm)。在一些实施例中，功能膜13可包括顶部130以及底部131。请参考图1，功能膜13的底部131为气密空间S的边界S1至功能膜13的外缘131A之间的区域，其余的部分为顶部130。
通过功能膜13以及第二黏着层14将闪烁体层11密封于阵列基板10上，可有效降低外部水气侵入闪烁体层11的机率。请参考图1，在一些实施例中，于俯视方向上，宽度W可通过量测底部131在延伸方向AR上的最大宽度，来调整侧边阻水能力。举例来说，底部131在延伸方向上的宽度W可大于或等于0.2mm，以提升侧边阻水能力。在一些实施例中，宽度W可大于或等于2mm，但不限于此。宽度W的上限值可视阵列基板10的尺寸而定。在其他实施例中，底部131的外缘(例如外缘131A)也可与阵列基板10的边缘(例如边缘10A)切齐。
图3是根据本揭示的第二实施例的X射线装置的剖面示意图。请参照图3，X射线装置1A与图2的X射线装置1的主要差异如下所述。在图2的X射线装置1中，从X射线装置1的俯视图(如图1所示)观之，第二黏着层14的形状例如为框形(frame shape)，其中第二黏着层14设置在底部131以及阵列基板10之间，且在基板100的法线方向(例如方向D1)上，第二黏着层14与闪烁体层11未重叠。在图3的X射线装置1A中，第二黏着层14A在方向D1上与顶部130、底部131至少部分重叠。从X射线装置1A的俯视图(未示出)观之，第二黏着层14A的形状例如为四边形。如图3所示，第二黏着层14A除了设置在底部131以及阵列基板10之间之外，还可设置在功能膜13与闪烁体层11之间，以提升功能膜13与闪烁体层11之间的附着力。
图4及图5分别是根据本揭示的第三实施例的X射线装置的俯视示意图及剖面示意图。清楚起见，未于图4中标示出第二黏着层14，关于第二黏着层14与其他元件的相对设置关系请参照图5。
请参照图4及图5，X射线装置1B与图1及图2的X射线装置1的主要差异在于X射线装置1B还包括密封层15。密封层15设置在功能膜13以及阵列基板10上，以进一步提升侧边阻水能力。在一些实施例中，密封层15设置在阵列基板10上，且于方向D1上，密封层15与底部131至少部分重叠，但不以此为限。在一些实施例中，密封层15的材质可包括UV解胶、热解胶或冷解胶，但不以此为限。在其他实施例中，X射线装置1B中的第二黏着层14可替换成图3的第二黏着层14A。
图6及图7分别是根据本揭示的多个实施例的闪烁体层的俯视示意图。请参照图6，闪烁体层11的四个角落可以是圆角R。详细来说，闪烁体层11可包括基底层(base layer)110以及闪烁体材料层112。在一些实施例中，闪烁体材料层112的面积可小于基底层110的面积(如图6所示)，则基底层110的四个角落可为圆角R。在其他实施例中，闪烁体材料层112的面积可实质等于基底层110的面积(图未示)，则闪烁体材料层112与基底层110的四个角落可为圆角R。基底层110适于承载闪烁体材料层112。依据不同的需求，基底层110可为硬质基板、软性基板、弯曲式基板或任何型式的基底层。在一些实施例中，基底层110的材质可包括聚酰亚胺(Polyimide，PI)、玻璃、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate，PEN)或其他合适的材质，但不限于此。
闪烁体材料层112设置在基底层110上。在一些实施例中，闪烁体材料层112可位于基底层110与第一黏着层12(参见图2)之间。在一些实施例中，闪烁体材料层112的材质可包括碘化铯(CsI)，但不以此为限。在其他实施例中，闪烁体材料层112的材质可包括其他种类的无机闪烁体或有机闪烁体。在一些实施例中，闪烁体材料层112可通过沉积制程而形成在基底层110上。沉积制程可包括蒸镀制程，但不以此为限。
请参考图7，在另一个实施例中，闪烁体层11的四个角落可为斜角RA。详细来说，若闪烁体材料层112的面积小于基底层110的面积(如图7所示)，则基底层110的四个角落可为斜角RA。若闪烁体材料层112的面积实质等于基底层110的面积(图未示)，则闪烁体材料层112与基底层110的四个角落可为斜角RA。
通过圆角R或斜角RA的设计，可降低封膜制程的难度，或减少在封膜制程中产生的气泡，从而提升边缘密合度或气密性。然而，在又一些实施例中，闪烁体层11的四个角落也可为直角或为不规则形状的切角(notch)。值得注意的是，闪烁体层11不一定只有单一种类的圆角R、斜角RA或者不规则形状的切角，可以是上述三者(或更多者)的组合。
图8是根据本揭示的一实施例的X射线装置的制造方法的流程图。请同时参照图2及图8，X射线装置的制造方法可包括以下步骤：通过第一黏着层12将闪烁体层11贴附至阵列基板10(步骤S800)；以及通过第二黏着层14将功能膜13贴附至阵列基板10，其中功能膜13覆盖闪烁体层11。在一些实施例中，如图5所示，X射线装置的制造方法还可包括将密封层15设置在功能膜13以及阵列基板10上。
综上所述，在本揭示的实施例中，通过功能膜以及第二黏着层将闪烁体层密封于阵列基板上，可有效降低外部水气侵入闪烁体层的机率。在一些实施例中，闪烁体层的四个角落可为圆角或斜角，以降低封膜制程的难度，或减少在封膜制程中产生的气泡，从而提升边缘密合度或气密性。在一些实施例中，功能膜的底部在延伸方向上的宽度可大于或等于0.2mm，以提升侧边阻水能力。在一些实施例中，第二黏着层可进一步设置在功能膜与闪烁体层之间，以提升两者之间的附着力。在一些实施例中，X射线装置可进一步包括密封层，以进一步提升侧边阻水能力。
以上各实施例仅用以说明本揭示的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭示进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭示各实施例技术方案的范围。
虽然本揭示的实施例及其优点已揭示如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中技术人员，在不脱离本揭示的精神和范围内，当可作更动、替代与润饰，且各实施例间的特征可任意互相混合替换而成其他新实施例。此外，本揭示的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中技术人员可从本揭示揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本揭示使用。因此，本揭示的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本揭示的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本揭示的保护范围当视随附的权利要求所界定者为准。
Claims (10)
1.一种X射线装置，其特征在于，包括：
阵列基板；
闪烁体层，设置在所述阵列基板上；
第一黏着层，设置在所述闪烁体层与所述阵列基板之间；
功能膜，设置在所述阵列基板上；以及
第二黏着层，设置在所述功能膜与所述阵列基板之间，
其中所述功能膜覆盖所述闪烁体层。
2.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，所述功能膜、所述第二黏着层以及所述阵列基板形成气密空间，且所述第一黏着层以及所述闪烁体层位于所述气密空间中。
3.根据权利要求2所述的X射线装置，其特征在于，所述气密空间呈真空状态。
4.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，所述第二黏着层还设置在所述功能膜与所述闪烁体层之间。
5.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，所述闪烁体层的四个角落为斜角。
6.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，所述闪烁体层的四个角落为圆角。
7.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，还包括：
密封层，设置在所述功能膜以及所述阵列基板上。
8.根据权利要求1所述的X射线装置，其特征在于，所述功能膜包括：
顶部；以及
底部，其中所述底部在延伸方向上的宽度大于或等于0.2mm。
9.一种X射线装置的制造方法，其特征在于，包括：
通过第一黏着层将闪烁体层贴附至阵列基板；以及
通过第二黏着层将功能膜贴附至所述阵列基板，
其中所述功能膜覆盖所述闪烁体层。
10.根据权利要求9所述的X射线装置的制造方法，其特征在于，还包括：
将密封层设置在所述功能膜以及所述阵列基板上。
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Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080035852A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Yasushi Nagata | Flat panel detector |
| US20100193691A1 (en) * | 2007-11-05 | 2010-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus and radiation imaging system |
| CN102354696A (zh) * | 2011-07-22 | 2012-02-15 | 上海奕瑞光电子科技有限公司 | X射线探测器 |
| KR20190066707A (ko) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디지털 엑스레이 검출기용 기판 및 이를 제조하는 방법 |
Family Cites Families (9)
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|---|---|---|---|---|
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| JP5343970B2 (ja) | 2008-07-25 | 2013-11-13 | コニカミノルタ株式会社 | 放射線画像検出装置 |
| JP5422055B2 (ja) | 2010-09-07 | 2014-02-19 | リンテック株式会社 | 粘着シート、及び電子デバイス |
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| JP2017090340A (ja) | 2015-11-13 | 2017-05-25 | キヤノン株式会社 | 放射線検出装置及びその製造方法、並びに、放射線検出システム |
| WO2017171387A1 (ko) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 주식회사 아비즈알 | 신틸레이터 패널 및 그 제조 방법 |
| JPWO2017212877A1 (ja) | 2016-06-09 | 2019-04-04 | 東レ株式会社 | 離型シート付きシンチレータパネル |
| US9812510B1 (en) | 2016-12-14 | 2017-11-07 | General Electric Company | Packaging organic photodetectors |
-
2020
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-
2021
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-
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Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080035852A1 (en) * | 2006-08-08 | 2008-02-14 | Yasushi Nagata | Flat panel detector |
| US20100193691A1 (en) * | 2007-11-05 | 2010-08-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Manufacturing method of radiation detecting apparatus, and radiation detecting apparatus and radiation imaging system |
| CN102354696A (zh) * | 2011-07-22 | 2012-02-15 | 上海奕瑞光电子科技有限公司 | X射线探测器 |
| KR20190066707A (ko) * | 2017-12-06 | 2019-06-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 디지털 엑스레이 검출기용 기판 및 이를 제조하는 방법 |
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