CN113904656B

CN113904656B - 一种等效电容模块、等效电容电路及芯片

Info

Publication number: CN113904656B
Application number: CN202111495577.0A
Authority: CN
Inventors: 吕战辉; 李瑞平; 池伟
Original assignee: Shanghai Xinlong Semiconductor Technology Co ltd
Current assignee: Shanghai Xinlong Semiconductor Technology Co ltd
Priority date: 2021-12-09
Filing date: 2021-12-09
Publication date: 2022-03-11
Anticipated expiration: 2041-12-09
Also published as: CN113904656A

Abstract

本发明提供了一种等效电容模块、等效电容电路及芯片，涉及模拟集成电路技术领域，等效电容电路由依次连接的启动模块、复合开关模块、等效电容模块组成，启动模块提供所需的基准电压、内部工作电压VDD，复合开关模块通过接收到的第一开关电压V1、第二开关电压V2来使等效电容模块正相输入端电压缓慢上升或下降，使正相输入端对gnd端表现为与电容相同的阻抗特性，从而等效电容模块可等效为一个纳法级电容，解决了集成电路无法集成超过几百皮法电容的技术问题，相比现有技术采用片外连接方式具有结构简单、功耗低、成本低的优点。

Description

一种等效电容模块、等效电容电路及芯片

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种等效电容模块、等效电容电路及芯片。

背景技术

在集成电路中电容是不可或缺的元器件，它具有耦合交流信号、构建延迟和相移网络、滤波等作用，一般集成电路中的电容都是平行板电容器，它由称为电极的两块导电平板及一层称为电介质的绝缘材料组成，上下两块电极板分别位于电介质的两侧。

平行板电容器的电容值可通过公式C=A*ε_r*ε₀/t近似算出，其中A为极板面积，ε₀=8.85*10^-18F/um，ε_r是电介质的相对介电常数，t为电介质层厚度。以电介质层厚度为0.1um的SiO₂为例，其相对介电常数为4，可以算出1nf的电容需要的极板面积为2.825*10⁶um²，而一颗完整芯片的尺寸通常就在2*10⁶um²-4*10⁶um²，可以看出在集成电路中制造1nf的电容所需的面积是非常大的，故基于成本考虑，片上集成电容不会超过几百皮法。

在集成电路中很难集成超过几百皮法的电容，所以大电容均采用片外连接的方式实现。但采用片外连接的方式，即意味着需要额外增加芯片的封装管脚，不利于系统的小型化，且增加了成本。

发明内容

本发明为了克服背景技术中提到的集成电路无法集成大电容的问题，提供一种等效电容模块、等效电容电路及芯片。

为了实现上述目的，本发明实施例首先提供了一种等效电容模块，包括：偏置级、第一输入级、第二输入级、输出级，所述偏置级由PNP管Q25、Q31、Q34组成，Q25、Q31、Q34的基极互连，Q25、Q31、Q34的发射极都与VDD端相连，Q25集电极为第一输入级提供偏置电流I9，Q34集电极、Q31集电极分别为第二输入级提供偏置电流I10、I11；所述第一输入级由NPN管Q26、Q27、Q28、Q29、电阻R4组成，Q26、Q29的集电极与Q25集电极相连并接收偏置电流I9，Q26基极作为等效电容模块的正相输入端与R4第一端相连，Q29基极作为等效电容模块的反相输入端与R4第二端相连，Q26发射极与Q27集电极相连，Q27集电极作为第一输入级输出端与第二输入级相连，Q29发射极与Q28集电极相连，Q27基极与Q28基极、Q28集电极相连，Q27、Q28的发射极与gnd端相连；所述第二输入级由NPN管Q30、PNP管Q32、电容C2组成，Q30基极与Q27集电极相连，Q30集电极与Q34集电极相连并接收偏置电流I10，Q32发射极与Q31集电极相连并接收偏置电流I11，Q32基极与Q30集电极相连，Q30发射极、Q32集电极与gnd端相连，C2第一端与Q30基极相连，C2第二端与Q32发射极相连；所述输出极由NPN管Q33、电阻R5、R6组成，Q33集电极与VDD端相连，Q33基极与Q31集电极相连，Q33发射极与R5第一端相连，R5第二端与R4第二端、R6第一端相连，R6第二端与gnd端相连。

可选的，所述等效电容模块的等效电容C=

，其中，I_A为第一输入级的偏置电流I9的电流值，V_T=26mV，C_C为电容C2的电容值，R4为电阻R4的电阻值。

可选的，当所述偏置电流I9=1uA，C2=25pf，R4=100Ω，等效电容模块的等效电容为13nf。

可选的，还包括NPN管Q35，Q35基极与gnd端相连，Q35发射极与Q30基极相连，Q35集电极与Q32发射极相连。

本发明实施例提供了一种等效电容电路，包括：

启动模块，接收外部输入电压以及使能引脚EN的控制电压，并根据所述控制电压来产生内部供电电压VDD、基准电压VREF；

复合开关模块，接收第一开关电压V1、第二开关电压V2，当第二开关电压V2高于第一开关电压V1时，等效电容模块正相输入端与VDD端形成通路；当第二开关电压V2低于第一开关电压V1时，所述等效电容模块正相输入端与gnd端形成通路；

和上述的等效电容模块，当内部供电电压VDD端与等效电容模块的正相输入端形成通路时，正相输入端电压缓慢上升，当正相输入端与gnd端形成通路时，正相输入端电压缓慢下降，使正相输入端对gnd端表现为与电容相同的阻抗特性。

可选的，所述启动模块由基准模块，NPN管Q2、Q3、Q6，PNP管Q1、Q4、Q5、Q7，电阻R0、R1，电容C1，稳压管DZ，二极管D1，NMOS管NJ1组成，NJ1漏极、Q4发射极、R1第一端、Q5发射极、Q6集电极、Q7发射极与外部输入电压VCC端相连，NJ1栅极与gnd端相连，NJ1源极分别与Q1发射极、Q2集电极、Q3基极相连，Q1基极与使能引脚EN相连，Q1集电极与gnd端相连，Q2发射极与gnd端相连，Q2基极与R0第一端、D1负极相连，R0第二端与gnd端相连，D1正极与Q3发射极相连，Q3集电极与Q4集电极、Q4基极、Q5基极、Q7基极、R1第二端相连，Q5集电极与Q6基极、DZ负极相连，DZ正极与gnd端相连，Q6发射极与基准模块第一端相连，基准模块第二端与Q7集电极相连，基准模块第三端作为基准电压输出端输出基准电压VREF，电容C1第一端与Q6发射极相连，电容C1第二端与gnd端相连。

可选的，所述Q1为SPNP三极管。

可选的，所述复合开关模块由NPN管Q8、Q11、Q12、Q16、Q17、Q19、Q22，PNP管Q9、Q10、Q13、Q14、Q15、Q18、Q20、Q21、Q23、Q24、Q36，电阻R2、R3组成，Q8基极与启动模块相连，Q8集电极与Q9集电极、Q36基极相连，Q8发射极与R2第一端相连，R2第二端与gnd端相连，Q36发射极与Q9基极相连，Q36集电极与gnd端相连，Q9、Q10、Q14、Q24的发射极都与VDD端相连，Q9、Q10、Q14、Q24的基极互连；Q11集电极与Q10集电极、Q11基极、Q12基极相连，Q11、Q12的发射极都与gnd端相连；Q13基极接收第一开关电压V1，Q13发射极与Q14集电极、Q16基极相连，Q13集电极与gnd端相连，Q16集电极与Q15集电极、Q15基极、Q18基极相连，Q16发射极与Q12集电极、Q22发射极相连，Q15、Q18、Q20、Q21的发射极与VDD端相连，Q18集电极与Q17集电极、Q17基极、Q19基极相连，Q17、Q19的发射极与gnd端相连，Q19集电极与Q20集电极、R3第一端相连，R3第二端与正相输入端相连，Q20基极与Q21基极、Q21集电极、Q22集电极相连，Q22基极与Q24集电极、Q23发射极相连，Q23集电极与gnd端相连，Q23基极接收第二开关电压V2。

本发明实施例还提供了一种芯片，包括上述所述等效电容模块或等效电容电路。

综上所述，本发明的有益效果在于：

本发明实施例提供一种等效电容电路，由依次连接的启动模块、复合开关模块、等效电容模块组成，启动模块提供所需的基准电压、内部工作电压VDD，复合开关模块通过接收到的第一开关电压V1、第二开关电压V2来使等效电容模块正相输入端电压缓慢上升或下降，使正相输入端对gnd端表现为与电容相同的阻抗特性，从而等效电容模块可等效为一个纳法级电容，解决了集成电路无法集成超过几百皮法电容的技术问题，相比现有技术采用片外连接方式具有结构简单、功耗低、成本低的优点。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种等效电容电路的电路结构示意图；

图2为本发明实施例等效电容电路中启动模块的电路结构示意图；

图3为本发明实施例等效电容电路中复合开关模块的电路结构示意图；

图4为本发明实施例等效电容电路中等效电容模块的电路结构示意图；

图5为本发明实施例使能引脚EN施加的高电平2V，低电平0V方波的仿真图；

图6为本发明实施例一种等效电容电路的等效结构框图；

图7为本发明实施例一种等效电容电路充放电仿真图。

具体实施方式

为了便于本领域技术人员的理解，下面将结合具体实施例对本发明作进一步详细描述。

本发明首先提供了一种等效电容电路，请参考图1，包括：启动模块STAGE1、复合开关模块STAGE2、等效电容模块STAGE3。

启动模块STAGE1，接收外部输入电压以及使能引脚EN的控制电压，并根据所述控制电压来产生内部供电电压VDD、基准电压VREF，具体的，当控制电压为低电平时，不产生内部供电电压VDD、基准电压VREF，从而使整个等效电容电路处于关闭状态；当控制电压为高电平时，正常产生内部供电电压VDD、基准电压VREF，从而使整个等效电容电路处于正常工作状态。

复合开关模块STAGE2，接收第一开关电压V1、第二开关电压V2，当第二开关电压V2高于第一开关电压V1时，VDD端与等效电容模块正相输入端形成通路；当第二开关电压V2低于第一开关电压V1时，所述正相输入端与gnd端形成通路。

等效电容模块STAGE3，将其输出信号输送至与所述正相输入端通过电阻相连的反相输入端，并作为反相输入端电压的一部分，使VDD端与等效电容模块的正相输入端形成通路时，正相输入端电压缓慢上升，正相输入端与gnd端形成通路时，正相输入端电压缓慢下降，从而所述正相输入端对gnd端的阻抗等效为纳法级电容。

请参考图2，启动模块STAGE1由基准模块、NPN管Q2、Q3、Q6、PNP管Q1、Q4、Q5、Q7、电阻R0、R1、电容C1、稳压管DZ、二极管D1，NMOS管NJ1组成。

NJ1漏极与外部输入电压VCC端相连，NJ1栅极与gnd端相连，NJ1源极分别与Q1发射极、Q2集电极、Q3基极相连，Q1基极使能引脚EN相连，Q1集电极与gnd端相连，其中NJ1主要作用为提供一个启动电流I1，当使能引脚EN为高电平时，晶体管Q1关断，电流I1流进节点A不经过Q1，后续电路正常工作，启动模块开启；当使能引脚EN为低电平时，Q1导通，由于Q1集电极与gnd端相连，电流I1会迅速经Q1流向gnd端而无法流进A节点，此时后续电路因没有启动电流而无法正常工作，启动模块STAGE1关闭。

优选地，启动模块STAGE1中三极管Q1采用SPNP三极管，SPNP三极管的电流放大倍数β比常规PNP三极管大，使能引脚EN处只需提供一个很小的电流，即可以确保启动电流I1全部经Q1流向gnd端。

Q3发射极与D1正极相连，D1负极与R0第一端相连，R0第二端与gnd端相连，上述高电平、低电平是由Q3发射结、D1导通电压、R0两端电压V_R0决定，这里Q3发射结以及D1导通电压为0.7V，故使能引脚EN处电压要比A点低0.7V时，Q1才导通，即使能引脚EN处电压小于0.7V+V_R0时，关闭启动模块STAGE1。

同理，使能引脚EN处电压大于0.7V+V_R0时，开启启动模块STAGE1，此时V_R0=(0.7V/R1)*R0，可以根据这个公式设置V_R0的值，又因为Q2发射极与gnd端相连，Q2基极与R0第一端、D1负极相连，从而Q3、Q2及二极管D1形成了反馈环路，故V_R0不会超过0.7V，即使能引脚的电压大于1.4V时，启动模块STAGE1正常工作。本实施例中，在使能引脚EN处施加0V和2V分别作为关闭电压、开启电压，在其他实施例中，关闭电压、开启电压的数值可根据需要进行选择，在此不再赘述。

当启动模块STAGE1正常工作后，I2=0.7V/R0。Q3集电极与Q4集电极、Q4基极、Q5基极、Q7基极、R1第二端相连，Q5集电极与DZ负极相连，DZ正极与gnd端相连，Q4、Q5和Q7构成了电流镜，故I3、I4可以成比例的复制I2的电流，其中I3、I4分别为电流镜Q5、Q7支路上的电流。

Q5集电极与Q6基极、DZ负极相连，Q6集电极与外部输入电压VCC端相连，Q6发射极作为内部供电电压VDD的输出端，I3的存在使稳压管DZ以及三极管Q6正常工作，从而产生内部供电电压VDD，其中VDD=V_DZ-0.7V，这里的稳压管DZ两端电压V_DZ仅由工艺中所提供的器件决定，可以根据所需进行选择，电容C1第一端与Q6发射极相连，电容C1第二端与gnd端相连，电容C1起到储能滤波的作用。

基准模块为根据外部输入来产生基准电压VREF的模块，本发明仅利用了现有基准模块的功能，并未对其内部结构进行改进，故这里仅提供了框图，其中基准模块第一端与Q6发射极相连来接收内部供电电压VDD，基准模块第二端与Q7集电极相连来接收电流I4，基准模块根据内部供电电压VDD以及电流I4来产生基准电压VREF，并通过基准模块第三端输出基准电压VREF。

请参考图5，为使能引脚EN施加高电平2V，低电平0V方波的仿真图，当使能引脚EN处电压为0V时，不产生内部工作供电电压VDD以及基准电压VREF，即关闭整个电路；当使能引脚EN处电压为2V时，正常产生供电电压VDD及基准电压VREF，即整个电路可以正常工作，且当启动模块STAGE1关闭时，仅NJ1和Q1中存在电流I1，所以启动模块STAGE1待机损耗是非常低的。启动模块STAGE1具有低功耗、结构简单的优点，还具有很好的移植性可应用于其他芯片中。

请参考图3，复合开关模块STAGE2由NPN管Q8、Q11、Q12、Q16、Q17、Q19、Q22，PNP管Q9、Q10、Q13、Q14、Q15、Q18、Q20、Q21、Q23、Q24、Q36，电阻R2、R3组成。

Q8基极与启动模块中的基准模块第三端相连来接收基准电压VREF，Q8集电极与Q9集电极相连，Q8发射极与R2第一端相连，R2第二端与gnd端相连，从而在由Q8、Q9构成的支路上，产生基准电流I5=(VREF-0.7V)/R2，Q9、Q10、Q14、Q24的发射极都与VDD端相连，Q9、Q10、Q14、Q24的基极互连，从而Q9、Q10、Q14、Q24构成电流镜，故I6、I7、I8可以成比例的复制I5的电流，其中I6为Q10所在支路上的电流，I7为Q14所在支路上的电流，I8为Q24所在支路上的电流。

Q11集电极与Q10集电极、Q11基极、Q12基极相连，Q11、Q12的发射极都与gnd端相连，Q11、Q12构成第二电流镜，故I12会成比例的复制I6的电流，其中I12为Q12所在支路上的电流。

Q13基极接收第一开关电压V1，Q13发射极与Q14集电极、Q16基极相连，Q16集电极与Q15集电极、Q15基极、Q18基极相连，Q16发射极与Q12集电极、Q22发射极相连，Q18集电极与Q17集电极、Q17基极、Q19基极相连，Q19集电极与Q20集电极、R3第一端相连，R3第二端与正相输入端相连，Q20基极与Q21基极、Q21集电极、Q22集电极相连，Q22基极与Q24集电极、Q23发射极相连，Q23基极接收第二开关电压V2，Q15、Q18、Q20、Q21的发射极与VDD端相连，Q17、Q19的发射极，Q13、Q23的集电极与gnd端相连。

请参考图1、图3，当第二开关电压V2高于第一开关电压V1时，Q23关闭、Q22导通，Q21有电流流过，Q20与Q21组成电流镜，且此时Q13导通，Q16、Q15、Q18、Q17、Q19均关闭，VDD端、Q20发射极、Q20集电极、R3、等效电容模块正相输入端形成通路，电流镜Q20处电流经上述通路流入等效电容模块STAGE3。

请参考图6、图7，当第二开关电压V2高于第一开关电压V1时，复合开关模块STAGE2与等效电容模块STAGE3的关系相当于开关K1闭合，K2断开，恒流源经电阻R3给电容充电，电容上极板电压V+逐渐升高，这里电阻R3可以在电路工作异常时起到限流的作用。

请参考图1、图3，当第二开关电压V2低于第一开关电压V1时，Q13关闭、Q16导通，Q15有电流流过，Q18与Q15组成电流镜，Q18有电流流出，Q17与Q19组成电流镜，此时Q23导通，Q22、Q21、Q20均关闭，从而等效电容模块正相输入端、R3、Q19集电极、Q19发射极、gnd端形成通路。

请参考图6、图7，此时复合开关模块STAGE2与等效电容模块STAGE3的关系相当于开关K2闭合、K1断开，电容经电阻R3对gnd端放电，电容上极板电压V+逐渐降低。

请参考图4，等效电容模块STAGE3为一种由偏置级、第一输入级、第二输入级、输出级组成的运算放大电路。

所述偏置级由PNP管Q25、Q31、Q34组成，Q25、Q31、Q34的基极互连，Q25、Q31、Q34的发射极都与VDD端相连，Q25、Q34、Q31与复合开关模块STAGE2中的电流镜相连，可以成比例复制I5的电流，Q25集电极为第一输入级提供偏置电流I9，Q34集电极、Q31集电极分别为第二输入级提供偏置电流I10、I11。

所述第一输入级由NPN管Q26、Q27、Q28、Q29、电阻R4组成，Q26、Q29的集电极与Q25集电极相连并接收偏置电流I9，Q26基极作为正相输入端与R4第一端相连，Q29基极作为反相输入端分别与R4第二端相连，根据等效电容模块STAGE3的运算放大特性可得出：

其中I为充电电流，R₄为电阻R4阻值，V₊为正相输入端电压，V_-为反相输入端电压。Q26发射极与Q27集电极相连，Q27集电极作为第一输入级输出端与第二输入级相连，Q29发射极与Q28集电极相连，Q27基极与Q28基极、Q28集电极相连，Q27、Q28的发射极与gnd端相连。

所述第二输入级由NPN管Q30、PNP管Q32、电容C2组成，Q30基极与Q27集电极相连，Q30集电极与Q34集电极相连并接收偏置电流I10，Q32发射极与Q31集电极相连并接收偏置电流I11，Q32基极与Q30集电极相连，Q30发射极、Q32集电极与gnd端相连，C2第一端与Q30基极相连，C2第二端与Q32发射极相连。

所述输出级由NPN管Q33、电阻R5、R6组成，Q33集电极与VDD端相连，Q33基极与Q31集电极相连，Q33发射极作为等效电容模块STAGE3的输出端与R5第一端相连，根据等效电容模块STAGE3的运算放大特性，从而满足如下公式：

其中a(jf)为开环响应，Vo为输出端电压，j为虚数，f为频率，fb为开环带宽，A为开环直流增益，f_t为单位增益频率，ω为角频率。又因为R5第二端与R4第二端、R6第一端相连，R6第二端与gnd端相连，故等效电容模块STAGE3输出端电压与反相输入端电压满足如下关系：

其中R5、R6分别为电阻R5、电阻R6的阻值，当R6阻值较大、R5阻值较小时，可认为反相输入端电压V-与输出端电压V_o相等。

将上述公式代入至等效电容模块STAGE3正相输入端的阻抗表达式中：

化简可得等效电容模块STAGE3正相输入端对gnd端阻抗表达式：

由于电容阻抗公式为

，可以看出等效电容模块STAGE3正相输入端对gnd端的等效阻抗与电容阻抗有相同的格式，从而等效电容模块STAGE3的等效电容C=1/(2πf_tR₄)，因为电阻R4的阻值已知，可根据单位增益频率f_t的公式：

计算出等效电容模块STAGE3的等效电容的大小C=

本实施例中I9=1uA，C2=25pf，R4=100Ω，等效电容模块STAGE3的等效电容C=13nf。在其他实施例中，任何对偏置电流I9、电容C2、电阻R4的数值大小进行相应调整，从而改变等效电容模块STAGE3等效电容大小的技术方案都属于本发明的保护范围。

优选地，等效电容模块STAGE3还包括NPN管Q35，Q35基极与gnd端相连，Q35发射极与Q30基极相连，Q35集电极与Q32发射极相连，Q35起到为电容C2放电的作用，若等效电容模块STAGE3中不存在Q35，当电路在工作过程中突然断电，C2会存储一定电荷，再次上电时，整个等效电容电路不是从初始状态开始，这导致等效电容上的初始电荷不为零；而等效电容模块STAGE3中存在Q35，当电路在工作过程中突然断电，C2上存储的电荷会经Q35管进行释放，使C2两端电压差为零。

综上所述，本发明实施例提供了一种等效电容电路，由依次连接的启动模块、复合开关模块、等效电容模块组成，启动模块提供所需的基准电压、内部工作电压VDD，复合开关模块通过接收到的第一开关电压V1、第二开关电压V2来使等效电容模块正相输入端电压缓慢上升或下降，使正相输入端对gnd端表现为与电容相同的阻抗特性，从而等效电容模块可等效为一个纳法级电容，解决了集成电路无法集成超过几百皮法电容的技术问题，相比现有技术采用片外连接方式具有结构简单、功耗低、成本低的优点。

此外，本发明实施例还提供了一种模拟芯片，包括上述的等效电容电路或等效电容模块。

以上所述仅是本发明的优选实施方式，本发明的保护范围并不仅局限于上述实施例，凡属于本发明思路下的技术方案均属于本发明的保护范围。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理前提下的若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims

1.一种等效电容电路，其特征在于，包括：

所述复合开关模块由NPN管Q8、Q11、Q12、Q16、Q17、Q19、Q22，PNP管Q9、Q10、Q13、Q14、Q15、Q18、Q20、Q21、Q23、Q24、Q36，电阻R2、R3组成，Q8基极与启动模块相连，Q8集电极与Q9集电极、Q36基极相连，Q8发射极与R2第一端相连，R2第二端与gnd端相连，Q36发射极与Q9基极相连，Q36集电极与gnd端相连，Q9、Q10、Q14、Q24的发射极都与VDD端相连，Q9、Q10、Q14、Q24的基极互连；Q11集电极与Q10集电极、Q11基极、Q12基极相连，Q11、Q12的发射极都与gnd端相连；Q13基极接收第一开关电压V1，Q13发射极与Q14集电极、Q16基极相连，Q13集电极与gnd端相连，Q16集电极与Q15集电极、Q15基极、Q18基极相连，Q16发射极与Q12集电极、Q22发射极相连，Q15、Q18、Q20、Q21的发射极与VDD端相连，Q18集电极与Q17集电极、Q17基极、Q19基极相连，Q17、Q19的发射极与gnd端相连，Q19集电极与Q20集电极、R3第一端相连，R3第二端与正相输入端相连，Q20基极与Q21基极、Q21集电极、Q22集电极相连，Q22基极与Q24集电极、Q23发射极相连，Q23集电极与gnd端相连，Q23基极接收第二开关电压V2；

等效电容模块，当内部供电电压VDD端与等效电容模块的正相输入端形成通路时，正相输入端电压缓慢上升，当正相输入端与gnd端形成通路时，正相输入端电压缓慢下降，使正相输入端对gnd端表现为与电容相同的阻抗特性；

所述等效电容模块，包括：偏置级、第一输入级、第二输入级、输出级，所述偏置级由PNP管Q25、Q31、Q34组成，Q25、Q31、Q34的基极互连，Q25、Q31、Q34的发射极都与VDD端相连，Q25集电极为第一输入级提供偏置电流I9，Q34集电极、Q31集电极分别为第二输入级提供偏置电流I10、I11；所述第一输入级由NPN管Q26、Q27、Q28、Q29、电阻R4组成，Q26、Q29的集电极与Q25集电极相连并接收偏置电流I9，Q26基极作为等效电容模块的正相输入端与R4第一端相连，Q29基极作为等效电容模块的反相输入端与R4第二端相连，Q26发射极与Q27集电极相连，Q27集电极作为第一输入级输出端与第二输入级相连，Q29发射极与Q28集电极相连，Q27基极与Q28基极、Q28集电极相连，Q27、Q28的发射极与gnd端相连；所述第二输入级由NPN管Q30、PNP管Q32、电容C2组成，Q30基极与Q27集电极相连，Q30集电极与Q34集电极相连并接收偏置电流I10，Q32发射极与Q31集电极相连并接收偏置电流I11，Q32基极与Q30集电极相连，Q30发射极、Q32集电极与gnd端相连，C2第一端与Q30基极相连，C2第二端与Q32发射极相连；所述输出级由NPN管Q33、电阻R5、R6组成，Q33集电极与VDD端相连，Q33基极与Q31集电极相连，Q33发射极与R5第一端相连，R5第二端与R4第二端、R6第一端相连，R6第二端与gnd端相连。

2.根据权利要求1所述的等效电容电路，其特征在于，所述等效电容模块的等效电容

3.根据权利要求1所述的等效电容电路，其特征在于，当所述偏置电流I9=1uA，C2=25pf，R4=100Ω，等效电容模块的等效电容为13nf。

4.根据权利要求1所述的等效电容电路，其特征在于，还包括NPN管Q35，Q35基极与gnd端相连，Q35发射极与Q30基极相连，Q35集电极与Q32发射极相连。

5.根据权利要求1所述的等效电容电路，其特征在于，所述启动模块由基准模块，NPN管Q2、Q3、Q6，PNP管Q1、Q4、Q5、Q7，电阻R0、R1，电容C1，稳压管DZ，二极管D1，NMOS管NJ1组成，NJ1漏极、Q4发射极、R1第一端、Q5发射极、Q6集电极、Q7发射极与外部输入电压VCC端相连，NJ1栅极与gnd端相连，NJ1源极分别与Q1发射极、Q2集电极、Q3基极相连，Q1基极与使能引脚EN相连，Q1集电极与gnd端相连，Q2发射极与gnd端相连，Q2基极与R0第一端、D1负极相连，R0第二端与gnd端相连，D1正极与Q3发射极相连，Q3集电极与Q4集电极、Q4基极、Q5基极、Q7基极、R1第二端相连，Q5集电极与Q6基极、DZ负极相连，DZ正极与gnd端相连，Q6发射极与基准模块第一端相连，基准模块第二端与Q7集电极相连，基准模块第三端作为基准电压输出端输出基准电压VREF，电容C1第一端与Q6发射极相连，电容C1第二端与gnd端相连。

6.根据权利要求5所述的等效电容电路，其特征在于，所述Q1为SPNP三极管。

7.一种芯片，其特征在于，包括如权利要求1~6任意一项所述的等效电容电路。