CN113410912A - 一种硬件ct取电电路 - Google Patents

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夏旭华
黄亚东
仲从杰
于承法
商少锋
杜军军
李炜
赵海春
楼晓晨
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Fuyang Rongda Whole Set Electrical Manufacturing Branch Of Hangzhou Electric Power Equipment Manufacturing Co ltd
Hangzhou Power Equipment Manufacturing Co Ltd
Hangzhou Power Supply Co of State Grid Zhejiang Electric Power Co Ltd
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Fuyang Rongda Whole Set Electrical Manufacturing Branch Of Hangzhou Electric Power Equipment Manufacturing Co ltd
Hangzhou Power Equipment Manufacturing Co Ltd
Hangzhou Power Supply Co of State Grid Zhejiang Electric Power Co Ltd
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    • H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage

Abstract

本发明公开了一种硬件CT取电电路，及取电电路。目前，采用的取电电路，电路繁杂，器件多，发热多，可靠性不佳。本发明包括取电主电路，主电路包括瞬态二极管T1、双向晶闸管Q1、桥式整流器，瞬态二极管T1的一端与电流互感器CT的输出端相连；瞬态二极管T1的另一端与双向晶闸管Q1的控制极相连；双向晶闸管Q1的两电极与电流互感器CT的两输出端对应相连；桥式整流器的两输入端与双向晶闸管Q1的两电极电连接；桥式整流器的两输出端为取电主电路输出端；本技术方案通过双向器件TVS和可控硅组合，实现极简电路，交流电正负半周都可以对称工作，电路简洁，成本低，工作可靠。器件少，成本低，通用性强，只有可控硅一个发热元件，可靠性高。

Description

一种硬件CT取电电路
技术领域
本发明涉及取电电路，尤其涉及一种硬件CT取电电路。
背景技术
高压线路监控智能化，通过电力电缆套接电流互感器取电需求非常强烈，目前，采用的取电电路，电路繁杂，大都整流后通过开关管短路CT方法，器件多，发热多，可靠性不佳。
发明内容
本发明要解决的技术问题和提出的技术任务是对现有技术方案进行完善与改进，提供一种硬件CT取电电路，以达到简化结构，提高工作可靠性的目的。为此，本发明采取以下技术方案。
一种硬件CT取电电路，包括取电主电路，所述的主电路包括瞬态二极管T1、双向晶闸管Q1、桥式整流器，所述的瞬态二极管T1的一端与电流互感器CT的输出端相连；瞬态二极管T1的另一端与双向晶闸管Q1的控制极相连；双向晶闸管Q1的两电极与电流互感器CT的两输出端对应相连；桥式整流器的两输入端与双向晶闸管Q1的两电极电连接；桥式整流器的两输出端为取电主电路输出端；
当电流互感器CT的输出电压小于瞬态二极管T1击穿电压时，双向晶闸管Q1处于断开状态，电流互感器CT的输出经桥式整流后给负载供电；当电流互感器CT的输出电压高于瞬态二极管T1击穿电压时，瞬态二极管导通，进而触发双向晶闸管Q1导通，电流互感器CT的两输出端相通，电流互感器CT线圈短路，限制负载侧电压。有效防止负载侧电压过高，提高工作的可靠性。
本技术方案通过双向器件TVS和可控硅组合，实现极简电路，双向可控硅控制可控硅导通，并且交流电正负半周都可以对称工作，电路简洁，成本低，工作可靠。核心器件为TVS和可控硅，器件少，成本低，通用性强，只有可控硅一个发热元件，可靠性高。且取电部分对整流桥没有过高要求。
作为优选技术手段：还包括保护电路，所述的保护电路包括继电器RL1；所述的继电器RL1的主触点串接在双向晶闸管Q1与电流互感器CT之间；当检测到交流电流过高时，控制继电器线圈，使继电器RL1的主触点动作，断开双向晶闸管Q1与电流互感器CT之间的通路，以保护双向晶闸管Q1。采用继电器辅助切断电路，进一步提高工作的可靠性。
作为优选技术手段：保护电路还包括与继电器线圈相连的三极管Q2，通过控制三极管Q2的基极电压，控制继电器线圈的得失电。
作为优选技术手段：所述的三极管Q2为NPN型晶体三极管，三极管Q2的基极通过电阻与控制器相连，三极管Q2的发射极接地，与继电器线圈的接地端与三极管Q2的集电极相连，继电器线圈电源端经二极管D5与三极管Q2的集电极相接，二极管D5的正极与三极管Q2的集电极相连，二极管D5的负极与继电器线圈电源端相连。电路简单、工作可靠，有效地实现对主电路的保护。
有益效果：本技术方案通过双向器件TVS和可控硅组合，实现极简电路，双向可控硅控制可控硅导通，并且交流电正负半周都可以对称工作，电路简洁，成本低，工作可靠。核心器件为TVS和可控硅，器件少，成本低，通用性强，只有可控硅一个发热元件，可靠性高。且取电部分对整流桥没有过高要求。
附图说明
图1是本发明的一种结构示意图。
图2是本发明的另一种结构示意图。
具体实施方式
以下结合说明书附图对本发明的技术方案做进一步的详细说明。
实施例一：
如图1所示，本发明包括取电主电路，主电路包括瞬态二极管T1、双向晶闸管Q1、桥式整流器D1-D4，瞬态二极管T1的一端与电流互感器CT的输出端相连；瞬态二极管T1的另一端与双向晶闸管Q1的控制极相连；双向晶闸管Q1的两电极与电流互感器CT的两输出端对应相连；桥式整流器的两输入端与双向晶闸管Q1的两电极电连接；桥式整流器的两输出端为取电主电路输出端；
当电流互感器CT的输出电压小于瞬态二极管T1击穿电压时，双向晶闸管Q1处于断开状态，电流互感器CT的输出经桥式整流后给负载供电；当电流互感器CT的输出电压高于瞬态二极管T1击穿电压时，瞬态二极管导通，进而触发双向晶闸管Q1导通，电流互感器CT的两输出端相通，电流互感器CT线圈短路，限制负载侧电压。
通过双向器件TVS和可控硅组合，实现极简电路，双向可控硅控制可控硅导通，并且交流电正负半周都可以对称工作，电路简洁，成本低，工作可靠。核心器件为TVS和可控硅，器件少，成本低，通用性强，只有可控硅一个发热元件，可靠性高。且取电部分对整流桥没有过高要求。
实施例二：
与实施例一相同之不再赘述，不同之处在于：
如图2所示，本发明还包括保护电路，保护电路包括继电器RL1、三极管Q2、二极管D5和电阻R1；继电器RL1的主触点串接在双向晶闸管Q1与电流互感器CT之间。
其中，三极管Q2为NPN型晶体三极管，三极管Q2的基极通过电阻R1与控制器相连，三极管Q2的发射极接地，与继电器线圈的接地端与三极管Q2的集电极相连，继电器线圈电源端经二极管D5与三极管Q2的集电极相接，二极管D5的正极与三极管Q2的集电极相连，二极管D5的负极与继电器线圈电源端相连。电路简单、工作可靠，有效地实现对主电路的保护。
当检测到交流电流过高时，控制器输出高电压，使得三极管Q2处于导通状态，继电器线圈得电，继电器RL1的主触点动作，断开双向晶闸管Q1与电流互感器CT之间的通路，以保护双向晶闸管Q1；采用继电器辅助切断电路，进一步提高工作的可靠性。
以上图1、2所示的一种硬件CT取电电路是本发明的具体实施例，已经体现出本发明实质性特点和进步，可根据实际的使用需要，在本发明的启示下，对其进行形状、结构等方面的等同修改，均在本方案的保护范围之列。

Claims (4)

1.一种硬件CT取电电路，包括取电主电路，其特征在于：所述的主电路包括瞬态二极管T1、双向晶闸管Q1、桥式整流器，所述的瞬态二极管T1的一端与电流互感器CT的输出端相连；瞬态二极管T1的另一端与双向晶闸管Q1的控制极相连；双向晶闸管Q1的两电极与电流互感器CT的两输出端对应相连；桥式整流器的两输入端与双向晶闸管Q1的两电极电连接；桥式整流器的两输出端为取电主电路输出端；
当电流互感器CT的输出电压小于瞬态二极管T1击穿电压时，双向晶闸管Q1处于断开状态，电流互感器CT的输出经桥式整流后给负载供电；当电流互感器CT的输出电压高于瞬态二极管T1击穿电压时，瞬态二极管导通，进而触发双向晶闸管Q1导通，电流互感器CT的两输出端相通，电流互感器CT线圈短路，限制负载侧电压。
2.根据权利要求1所述的一种硬件CT取电电路，其特征在于：还包括保护电路，所述的保护电路包括继电器RL1；所述的继电器RL1的主触点串接在双向晶闸管Q1与电流互感器CT之间；当检测到交流电流过高时，控制继电器线圈，使继电器RL1的主触点动作，断开双向晶闸管Q1与电流互感器CT之间的通路，以保护双向晶闸管Q1。
3.根据权利要求2所述的一种硬件CT取电电路，其特征在于：保护电路还包括与继电器线圈相连的三极管Q2，通过控制三极管Q2的基极电压，控制继电器线圈的得失电。
4.根据权利要求3所述的一种硬件CT取电电路，其特征在于：所述的三极管Q2为NPN型晶体三极管，三极管Q2的基极通过电阻与控制器相连，三极管Q2的发射极接地，与继电器线圈的接地端与三极管Q2的集电极相连，继电器线圈电源端经二极管D5与三极管Q2的集电极相接，二极管D5的正极与三极管Q2的集电极相连，二极管D5的负极与继电器线圈电源端相连。
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