CN113388392B - 一种荧光材料的制备方法 - Google Patents

一种荧光材料的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN113388392B
CN113388392B CN202110593627.2A CN202110593627A CN113388392B CN 113388392 B CN113388392 B CN 113388392B CN 202110593627 A CN202110593627 A CN 202110593627A CN 113388392 B CN113388392 B CN 113388392B
Authority
CN
China
Prior art keywords
cuprous
corundum
copper foil
phosphide
product
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202110593627.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN113388392A (zh
Inventor
彭雪
吕燕飞
蔡庆锋
赵士超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Dianzi University
Original Assignee
Hangzhou Dianzi University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Dianzi University filed Critical Hangzhou Dianzi University
Priority to CN202110593627.2A priority Critical patent/CN113388392B/zh
Publication of CN113388392A publication Critical patent/CN113388392A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN113388392B publication Critical patent/CN113388392B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B25/00Phosphorus; Compounds thereof
    • C01B25/08Other phosphides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G3/00Compounds of copper
    • C01G3/02Oxides; Hydroxides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种荧光材料的制备方法,本发明采用次磷酸钠作为磷源,表面生长有氧化铜的铜箔作为铜源,通过在惰性气氛中加热,铜被磷化生成磷化亚铜,氧化铜生成氧化亚铜,获得氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料。本发明以铜箔表面生长的氧化亚铜‑磷化亚铜复合材料,后经退火处理,获得高结晶质量磷化亚铜,磷化亚铜与氧化亚铜晶界缺陷少。复合材料制备方法简单,成本低,所制备复合材料,发光峰位于红光与近红外光的交界处,荧光峰中心位置750nm,半高宽70nm,单色性较好好,光致发光效率较高。

Description

一种荧光材料的制备方法
技术领域
本发明属于材料技术领域,具体涉及一种氧化亚铜-磷化亚铜(Cu2O-Cu3P)复合材料的制备方法。
背景技术
磷化亚铜(Cu3P)可用于铜合金焊接、电解水制氢、锂电池的制备等。磷化亚铜作为半导体材料,其光致发光和应用研究的相对较少。磷化亚铜在紫外和短波长的可见光激发下,能发射出波长位于红光与近红外交界处的荧光。磷化亚铜荧光发射效率比较低,为了提高光致发光效率,本发明通过p型氧化亚铜与p型磷化亚铜复合,制备了氧化亚铜与磷化亚铜的复合材料,该复合材料表现出较高的光致发光效率。
本发明通过高温磷化铜与氧化铜的复合材料,获得氧化亚铜与磷化亚铜的复合材料,制备的氧化亚铜-磷化亚铜复合材料,组成分布均匀,磷化亚铜晶体质量好的优点,复合材料的光致发光波长介于红光与近红外光交界处。
发明内容
本发明针对现有技术的不足,提出了一种荧光材料的制备方法。
本发明采用次磷酸钠作为磷源,表面生长有氧化铜的铜箔作为铜源,通过在惰性气氛中加热,铜被磷化生成磷化亚铜,氧化铜生成氧化亚铜,获得氧化亚铜-磷化亚铜复合材料。
一种氧化亚铜-磷化亚铜复合材料的制备方法,具体包括以下步骤:
步骤(1).厚度为250-500微米的铜箔,空气中加热至200-250摄氏度,通过空气中热氧化法,获得表面有50-100纳米厚度的氧化铜的铜箔;
步骤(2).将次磷酸钠,放入刚玉舟中,在刚玉舟表面覆盖步骤(1)产物,放入刚玉管中,抽真空后,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(3).将步骤(2)产物通过管式炉加热至280-300℃,升温速率为10℃/min;温度升至280-300℃后保温,保温时间为30~60min;然后自然冷却至室温,刚玉管抽真空去除管内残留气体,然后取出产物:铜箔表面生长有磷化亚铜和氧化亚铜的复合材料层;
步骤(4).将步骤(3)制备的产物通过机械剥离法,分离获得铜箔与铜箔表面生长的磷化亚铜和氧化亚铜复合材料层,铜箔表面生长的磷化亚铜和氧化亚铜复合材料层另放入新的刚玉舟中,然后转入刚玉管中,抽真空,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(5).将步骤(4)产物通过管式炉加热至380-420℃,升温速率为10℃/min;温度升至380-420℃后保温,保温时间为30~60min;然后自然冷却至室温,之后取出产物,获得高结晶质量的氧化亚铜-磷化亚铜复合材料。
作为优选,所述的刚玉舟尺寸为:0.8厘米×0.6厘米×6厘米。
作为优选,在刚玉舟表面覆盖步骤(1)产物的面积为1-5平方厘米。
作为优选,刚玉管抽真空的装置带尾气净化设备。
作为优选,所述的刚玉管直径为2cm。
本发明的优点是:以铜箔表面生长的氧化亚铜-磷化亚铜复合材料,后经退火处理,获得高结晶质量磷化亚铜,磷化亚铜与氧化亚铜晶界缺陷少。复合材料制备方法简单,成本低,所制备复合材料,发光峰位于红光与近红外光的交界处,荧光峰中心位置750nm,半高宽70nm,单色性较好好,光致发光效率较高。
附图说明
图1为氧化亚铜-磷化亚铜复合材料的荧光光谱。
具体实施方式
实施例一;
步骤(1).厚度为250微米的铜箔,空气中加热至200摄氏度,通过空气中热氧化法,获得表面有55纳米厚度的氧化铜的铜箔。
步骤(2).将次磷酸钠3g,放入刚玉舟(0.8厘米×0.6厘米×6厘米)中,然后刚玉舟表面覆盖1平方厘米表面生长有厚度为50-100纳米厚度氧化铜薄膜层的铜箔,放入刚玉管中,抽真空后,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(3).将步骤(2)产物通过管式炉加热至280℃,升温速率为10℃/min;温度升至280℃后保温,保温时间为30min;然后自然冷却至室温,刚玉管抽真空(带尾气净化设备)去除管内残留气体,然后取出产物:铜箔表面生长有磷化亚铜和氧化亚铜的复合材料层;
步骤(4).将步骤(3)制备的产物通过机械玻璃法,分离获得铜箔与铜箔表面生长的磷化亚铜和氧化亚铜复合材料层,另放入新的刚玉舟(0.8厘米×0.6厘米×6厘米)中,然后转入刚玉管中,抽真空,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(5).将步骤(4)产物通过管式炉加热至380℃,升温速率为10℃/min;温度升至380℃后保温,保温时间为30min;然后自然冷却至室温,之后取出产物,获得高结晶质量的氧化亚铜-磷化亚铜复合材料;
实施例二:
步骤(1).厚度为400微米的铜箔,空气中加热至220摄氏度,通过空气中热氧化法,获得表面有80纳米厚度的氧化铜的铜箔。
步骤(2).将次磷酸钠5g,放入刚玉舟(0.8厘米×0.6厘米×6厘米)中,然后刚玉舟表面覆盖3平方厘米表面生长有厚度为50-100纳米厚度氧化铜薄膜层的铜箔,放入刚玉管中,抽真空后,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(3).将步骤(2)产物通过管式炉加热至290℃,升温速率为10℃/min;温度升至290℃后保温,保温时间为50min;然后自然冷却至室温,刚玉管抽真空(带尾气净化设备)去除管内残留气体,然后取出产物:铜箔表面生长有磷化亚铜和氧化亚铜的复合材料层;
步骤(4).将步骤(3)制备的产物通过机械玻璃法,分离获得铜箔与铜箔表面生长的磷化亚铜和氧化亚铜复合材料层,另放入新的刚玉舟(0.8厘米×0.6厘米×6厘米)中,然后转入刚玉管中,抽真空,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(5).将步骤(4)产物通过管式炉加热至400℃,升温速率为10℃/min;温度升至400℃后保温,保温时间为45min;然后自然冷却至室温,之后取出产物,获得高结晶质量的氧化亚铜-磷化亚铜复合材料;
实施例三:
步骤(1).厚度为500微米的铜箔,空气中加热至250摄氏度,通过空气中热氧化法,获得表面有100纳米厚度的氧化铜的铜箔。
步骤(2).将次磷酸钠6g,放入刚玉舟(0.8厘米×0.6厘米×6厘米)中,然后刚玉舟表面覆盖5平方厘米表面生长有厚度为50-100纳米厚度氧化铜薄膜层的铜箔,放入刚玉管中,抽真空后,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(3).将步骤(2)产物通过管式炉加热至300℃,升温速率为10℃/min;温度升至300℃后保温,保温时间为60min;然后自然冷却至室温,刚玉管抽真空(带尾气净化设备)去除管内残留气体,然后取出产物:铜箔表面生长有磷化亚铜和氧化亚铜的复合材料层;
步骤(4).将步骤(3)制备的产物通过机械玻璃法,分离获得铜箔与铜箔表面生长的磷化亚铜和氧化亚铜复合材料层,另放入新的刚玉舟(0.8厘米×0.6厘米×6厘米)中,然后转入刚玉管中,抽真空,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(5).将步骤(4)产物通过管式炉加热至420℃,升温速率为10℃/min;温度升至420℃后保温,保温时间为60min;然后自然冷却至室温,之后取出产物,获得高结晶质量的氧化亚铜-磷化亚铜复合材料;
实施例二中的氧化亚铜-磷化亚铜复合材料的荧光光谱(激发波长532nm)。从图1中可看出,复合材料具有单一的近红外发射峰,中心峰位位于750nm。

Claims (5)

1.一种荧光材料的制备方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:
步骤(1).厚度为250-500微米的铜箔,空气中加热至200-250摄氏度,通过空气中热氧化法,获得表面有50-100纳米厚度的氧化铜的铜箔;
步骤(2).将次磷酸钠,放入刚玉舟中,在刚玉舟表面覆盖步骤(1)产物,放入刚玉管中,抽真空后,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(3).将步骤(2)产物通过管式炉加热至280-300℃,升温速率为10℃/min;温度升至280-300℃后保温,保温时间为30~60min;然后自然冷却至室温,刚玉管抽真空去除管内残留气体,然后取出产物:铜箔表面生长有磷化亚铜和氧化亚铜的复合材料层;
步骤(4).将步骤(3)制备的产物通过机械剥离法,分离获得铜箔与铜箔表面生长的磷化亚铜和氧化亚铜复合材料层,铜箔表面生长的磷化亚铜和氧化亚铜复合材料层另放入新的刚玉舟中,然后转入刚玉管中,抽真空,充入1个大气压的氩气,然后刚玉管两端密封;
步骤(5).将步骤(4)产物通过管式炉加热至380-420℃,升温速率为10℃/min;温度升至380-420℃后保温,保温时间为30~60min;然后自然冷却至室温,之后取出产物,获得高结晶质量的氧化亚铜-磷化亚铜复合材料。
2.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法,其特征在于:所述的刚玉舟尺寸为:0.8厘米×0.6厘米×6厘米。
3.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法,其特征在于:在刚玉舟表面覆盖步骤(1)产物的面积为1-5平方厘米。
4.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法,其特征在于:刚玉管抽真空的装置带尾气净化设备。
5.根据权利要求1所述的一种荧光材料的制备方法,其特征在于:所述的刚玉管直径为2cm。
CN202110593627.2A 2021-05-28 2021-05-28 一种荧光材料的制备方法 Active CN113388392B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110593627.2A CN113388392B (zh) 2021-05-28 2021-05-28 一种荧光材料的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202110593627.2A CN113388392B (zh) 2021-05-28 2021-05-28 一种荧光材料的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN113388392A CN113388392A (zh) 2021-09-14
CN113388392B true CN113388392B (zh) 2022-07-19

Family

ID=77619485

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202110593627.2A Active CN113388392B (zh) 2021-05-28 2021-05-28 一种荧光材料的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN113388392B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114188425B (zh) * 2021-12-08 2024-01-30 杭州电子科技大学 一种光探测器件的制备方法
CN114284384B (zh) * 2021-12-27 2024-01-30 杭州电子科技大学 一种基于氧化锌-磷化亚铜光电探测器的制备方法
CN114229811B (zh) * 2021-12-27 2023-06-02 杭州电子科技大学 一种含铜、磷、硫的材料的制备方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8920688B2 (en) * 2008-06-18 2014-12-30 Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Microwave-assisted synthesis of transition metal phosphide
CN101671010B (zh) * 2009-09-30 2012-02-29 南开大学 氧化铜前体还原法制备负载型和非负载型Cu3P
CN107630227A (zh) * 2017-08-04 2018-01-26 天津理工大学 一种基于金属编织网制备三维纳米多孔铜网电催化剂的方法
CN109395752A (zh) * 2018-06-20 2019-03-01 长沙理工大学 一种自支撑双金属磷化物Ni2P-Cu3P复合材料及其制备方法
CN110880595B (zh) * 2019-11-08 2022-11-08 重庆市加鼎盛科技有限公司 一种Cu3P-CuO复合柔性锂离子电池负极材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN113388392A (zh) 2021-09-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN113388392B (zh) 一种荧光材料的制备方法
Chen et al. Highly Efficient and Stable Luminescence from Microbeans Integrated with Cd-Free Quantum Dots for White-Light-Emitting Diodes.
TWI309092B (en) Compound semiconductor light-emitting diode and method for fabrication thereof
CN103814160A (zh) 复合基板、其制造方法、13族元素氮化物构成的功能层的制造方法以及功能元件
CN102828239B (zh) 一种通过缺陷应力去除技术自分离氮化镓单晶材料制备自支撑衬底的方法
CN106783948A (zh) 生长在Si衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法
CN103820859A (zh) 掺杂钇铝石榴石陶瓷转变为单晶的制备方法
CN110982523A (zh) 铜掺杂准二维全无机钙钛矿材料及其制备方法
CN103114332A (zh) 一种通过表面改性自分离制备氮化镓单晶衬底的方法
CN109607470B (zh) 锑烯纳米片的制备方法
CN108048091A (zh) 一种利用热分解法制备NaYF4核壳纳米晶的方法
CN108231545A (zh) 生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片及其制备方法
CN113247943B (zh) 一种磷化亚铜-氧化亚铜复合材料的制备方法
WO2020173012A1 (zh) 一种克隆生长单晶金属的方法
CN114229811A (zh) 一种含铜、磷、硫的材料的制备方法
CN113322393A (zh) 一种铜-磷化亚铜低共熔混合物的制备方法
CN202214439U (zh) 高效率蓝宝石晶体长晶炉
CN111170311A (zh) 一种石墨烯量子点荧光薄膜及其制备方法
TW201209232A (en) Silicon ribbon, spherical silicon, solar cell, solar cell module, method for producing silicon ribbon, and method for producing spherical silicon
CN207834252U (zh) 生长在铜箔衬底上的InN纳米柱外延片
CN115477945B (zh) 一种核壳结构量子点及其制备方法
JP2001339099A (ja) 赤外発光ダイオード用エピタキシャルウェハ、およびこれを用いた発光ダイオード
JP4570728B2 (ja) 半導体発光素子用エピタキシャルウェハ
JPH01264990A (ja) 2−6族化合物半導体の精製方法,2−6族化合物半導体単結晶の製造方法およびこの方法で得られた半導体単結晶を基板として用いた半導体発光素子の製造方法
CN117926399A (zh) 一种导模法氧化镓晶体的无损回熔方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant