CN113260141A - 液晶高分子基板及其制备方法 - Google Patents

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    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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Abstract

本发明提供一种液晶高分子基板及其制备方法,该液晶高分子基板包括两层铜箔层以及设于两层铜箔层之间的中间芯层;中间芯层包括至少一层低介电胶层和至少两层LCP层,各低介电胶层贴合连接设于至少两层LCP层之间,位于外侧的低介电胶层与LCP层贴合连接,LCP层背离低介电胶层的表面与铜箔层贴合连接;每层LCP层的厚度为3‑50μm,每层低介电胶层的厚度为5‑125μm,每层铜箔层的厚度为1‑35μm。本发明通过将低介电胶层设置在至少两层LCP层之间构成中间芯层,再将铜箔层设置在LCP层上,使制备得到的液晶高分子基板于高频高速传输时不易造成讯号损失,有利于高频高速传输,且具有较高的接着强度和抗张强度。

Description

液晶高分子基板及其制备方法
技术领域
本发明涉及柔性线路板及其制备技术领域,具体涉及一种液晶高分子基板及其制备方法。
背景技术
在高频领域,无线基础设施需要提供足够低的插损,才能有效提高能源利用率。随着5G通讯、毫米波、航天军工的加速发展,高频高速FPC(柔性电路板)/PCB(印刷电路板)需求业务来临,随着大数据、物联网等新兴行业兴起以及移动互连终端的普及,快速地处理、传送信息成为通讯行业重点。
一般而言,FPC/PCB是整个传输过程中主要的瓶颈,若是欠缺良好的设计与电性佳的相关材料,将严重延迟传输速度或造成讯号损失,这就对电路板材料提出了很高的要求。当前业界所使用的高频基板主要为液晶高分子(Liquid Crystal Polymer,缩写为LCP)板、聚四氟乙烯(PTFE)纤维板,然而现有的液晶高分子基板的结构及加工技术,导致生产出的液晶高分子基板面临高频高速传输时易造成讯号损失的问题。
发明内容
本发明的目的在于提出一种液晶高分子基板及其制备方法,解决现有的液晶高分子基板的高频高速传输时易造成讯号损失的问题。
本发明提供一种液晶高分子基板,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层;
所述中间芯层包括至少一层低介电胶层和至少两层LCP层,各所述低介电胶层贴合连接,且各所述低介电胶层均设于至少两层所述LCP层之间,位于外侧的所述低介电胶层与所述LCP层贴合连接,所述LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述铜箔层贴合连接;
每层所述LCP层的厚度为3-50μm,每层所述低介电胶层的厚度为5-125μm,每层所述铜箔层的厚度为1-35μm。
另外,根据本发明提供的液晶高分子基板,还可以具有如下附加的技术特征:
进一步地,所述低介电胶层设有一层,所述LCP层设有两层,所述液晶高分子基板的总厚度为14-220μm;
或者,所述低介电胶层设有两层,所述LCP层设有两层,所述液晶高分子基板的总厚度为18-270μm。
进一步地,每一所述低介电胶层的Dk值为1.5-2.8且Df值为0.001-0.007的胶层。
进一步地,每一所述铜箔层的Rz值为0.1-1μm的低轮廓铜箔层,所述铜箔层与所述LCP层连接的表面的Rz值为0.1-0.8μm,所述铜箔层的外表面的Rz值为0.1-0.3μm,以及每一所述铜箔层皆为压延铜箔层或电解铜箔层。
进一步地,所述LCP层的吸水率为0.01-0.04%;所述低介电胶层的吸水率为0.01-0.3%;所述液晶高分子基板的整体吸水率为0.01-0.3%,且所述低介电胶层的接着强度大于0.8kgf/cm。
进一步地,所述低介电胶层的树脂材料为氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂、聚酰亚胺系树脂和碳氢树脂中的至少一种。
进一步地,所述低介电胶层包括烧结二氧化硅、陶瓷粉、碳氢树脂、磷系耐燃剂和碳氢树脂,所述烧结二氧化硅、所述陶瓷粉、所述碳氢树脂和所述磷系耐燃剂的比例之和为总固含量的8-30%,所述碳氢树脂含量的比例为总固含量的30%-80%。
进一步地,所述烧结二氧化硅的比例为总固含量的3-12%,所述碳氢树脂的比例为总固含量的5-15%,所述磷系耐燃剂的比例为总固含量的5-17%。
进一步地,所述LCP层与所述低介电胶层的抗张强度为200mpa~350mpa,伸长率为30%~55%。
本发明还提供上述的液晶高分子基板的制备方法,包括以下步骤:
将一所述LCP层涂布于一所述铜箔层的表面,将另一所述LCP层涂布于另一所述铜箔层的表面,于60-180℃去除溶剂,在300-330℃黄化反应9~11h,得到第一LCP芯层和第二LCP芯层;
将所述低介电胶层涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干,在所述低介电胶层背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;
收卷熟化,即得液晶高分子基板。
根据本发明提出的液晶高分子基板及其制备方法,具有以下有益效果:本发明将低介电胶层设置在至少两层LCP层之间构成中间芯层,再将铜箔层设置在LCP层上,使制备得到的液晶高分子基板于高频高速传输时不易造成讯号损失,有利于高频高速传输,且具有较高的接着强度和抗张强度。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1是本发明实施例1的液晶高分子基板的结构示意图;
图2是本发明实施例7的液晶高分子基板的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。附图中给出了本发明的若干实施例。但是,本发明可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本发明的公开内容更加透彻全面。
本发明提供一种液晶高分子基板,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层;
所述中间芯层包括至少一层低介电胶层和至少两层LCP层,各所述低介电胶层贴合连接,且各所述低介电胶层均设于至少两层所述LCP层之间,位于外侧的所述低介电胶层与所述LCP层贴合连接,所述LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述铜箔层贴合连接;
每层所述LCP层的厚度为3-50μm,每层所述低介电胶层的厚度为5-125μm,每层所述铜箔层的厚度为1-35μm。
从上述描述可知,本发明提出的液晶高分子基板,具有以下有益效果:本发明将低介电胶层设置在至少两层LCP层之间构成中间芯层,再将铜箔层设置在LCP层上,使制备得到的液晶高分子基板于高频高速传输时不易造成讯号损失,有利于高频高速传输,且具有较高的接着强度和抗张强度。
本发明的液晶高分子基板不易造成讯号损失的原理为:信号传输达到5G在线路中传输形成趋肤效应,因此与线路接触的LCP层保障讯号损失不受影响;同时内层低介电层维持整体介电常数稳定。所以可以满足讯号传输不受影响。
进一步地,所述低介电胶层设有一层,所述LCP层设有两层,所述液晶高分子基板的总厚度为14-220μm;
或者,所述低介电胶层设有两层,所述LCP层设有两层,所述液晶高分子基板的总厚度为18-270μm。
进一步地,每一所述低介电胶层的Dk值为1.5-2.8且Df值为0.001-0.007的胶层。
进一步地,每一所述铜箔层的Rz值为0.1-1μm的低轮廓铜箔层,所述铜箔层与所述LCP层连接的表面的Rz值为0.1-0.8μm,所述铜箔层的外表面的Rz值为0.1-0.3μm,以及每一所述铜箔层皆为压延铜箔层或电解铜箔层。
进一步地,所述LCP层的吸水率为0.01-0.04%;所述低介电胶层的吸水率为0.01-0.3%;所述液晶高分子基板的整体吸水率为0.01-0.3%,且所述低介电胶层的接着强度大于0.8kgf/cm。
进一步地,所述LCP层的吸水率为0.01-0.03%;所述低介电胶层的吸水率为0.01-0.08%;所述液晶高分子基板的整体吸水率为0.01-0.1%。
进一步地,所述低介电胶层的树脂材料为氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂、聚酰亚胺系树脂和碳氢树脂中的至少一种。
进一步地,所述低介电胶层包括烧结二氧化硅、陶瓷粉、碳氢树脂、磷系耐燃剂和碳氢树脂,所述烧结二氧化硅、所述陶瓷粉、所述碳氢树脂和所述磷系耐燃剂的比例之和为总固含量的8-30%,所述碳氢树脂含量的比例为总固含量的30%-80%。
进一步地,所述烧结二氧化硅的比例为总固含量的3-12%,所述碳氢树脂的比例为总固含量的5-15%,所述磷系耐燃剂的比例为总固含量的5-17%。
进一步地,所述LCP层与所述低介电胶层的抗张强度为200mpa~350mpa,伸长率为30%~55%。
本发明还提供上述的液晶高分子基板的制备方法,包括以下步骤:
将一所述LCP层涂布于一所述铜箔层的表面,将另一所述LCP层涂布于另一所述铜箔层的表面,于60-180℃去除溶剂,在300-330℃黄化反应9~11h,得到第一LCP芯层和第二LCP芯层;
将所述低介电胶层涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干,在所述低介电胶层背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;
收卷熟化,即得液晶高分子基板。
实施例1
请参照图1所示,本发明的实施例提供一种液晶高分子基板100,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层,两层铜箔层分别为第一铜箔层10和第二铜箔层20;
所述中间芯层包括一层低介电胶层,也称为第一低介电胶层50,以及两层LCP层,两层LCP层分别为第一LCP层30和第二LCP层40,所述第一低介电胶层50均设于所述第一LCP层30和第二LCP层40之间,所述第一LCP层30背离所述第一低介电胶层50的表面与所述第一铜箔层10贴合连接,所述第二LCP层40背离所述低介电胶层的表面与所述第二铜箔层20贴合连接;
每层LCP层的厚度为3μm,所述低介电胶层的厚度为5μm,每层铜箔层的厚度为1μm,所述低介电胶层的Dk值为2.78(10GHz)且Df值为0.005(10GHz)的胶层,每层铜箔层的Rz值为0.4μm。
所述液晶高分子基板100的制备方法为:
步骤一、将第一LCP层30涂布于第一铜箔层10的一面,将第二LCP层40涂布于第二铜箔层20的一面,先于60℃去除溶剂,然后在300℃下9h使其黄化反应,即生成第一LCP芯层和第二LCP芯层;
步骤二、将所述第一低介电胶层50涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干;
步骤三、在所述第一低介电胶层50背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;
步骤四、收卷熟化,即得成品。
实施例2
本发明的实施例提供一种液晶高分子基板,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层,两层铜箔层分别为第一铜箔层和第二铜箔层;
所述中间芯层包括一层低介电胶层和两层LCP层,两层LCP层分别为第一LCP层和第二LCP层,所述低介电胶层均设于所述第一LCP层和第二LCP层之间,所述第一LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第一铜箔层贴合连接,所述第二LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第二铜箔层贴合连接;
每层铜箔层的厚度为6μm,每层LCP层的厚度为5μm,所述低介电胶层的厚度为10μm,每层铜箔层的Rz值为0.5μm,所述低介电胶层的Dk值为2.78(10GHz)且Df值为0.005(10GHz)的胶层。
所述液晶高分子基板的制备方法为:
步骤一、将第一LCP层涂布于第一铜箔层的一面,将第二LCP层涂布于第二铜箔层的一面,先于120℃去除溶剂,然后在310℃下10h使其黄化反应,即生成第一LCP芯层和第二LCP芯层;
步骤二、将所述低介电胶层涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干;
步骤三、在所述低介电胶层背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;
步骤四、收卷熟化,即得成品。
实施例3
本发明的实施例提供一种液晶高分子基板,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层,两层铜箔层分别为第一铜箔层和第二铜箔层;
所述中间芯层包括一层低介电胶层和两层LCP层,两层LCP层分别为第一LCP层和第二LCP层,所述低介电胶层均设于所述第一LCP层和第二LCP层之间,所述第一LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第一铜箔层贴合连接,所述第二LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第二铜箔层贴合连接;
每层铜箔层的厚度为12μm,每层LCP层的厚度为12.5μm,所述低介电胶层的厚度为12.5μm,每层铜箔层的Rz值为0.6μm,所述低介电胶层的Dk值为2.78(10GHz)且Df值为0.003(10GHz)的胶层。
所述液晶高分子基板的制备方法为:
步骤一、将第一LCP层涂布于第一铜箔层的一面,将第二LCP层涂布于第二铜箔层的一面,先于180℃去除溶剂,然后在330℃下11hr使其黄化反应,即生成第一LCP芯层和第二LCP芯层;
步骤二、将所述低介电胶层涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干;
步骤三、在所述低介电胶层背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;
步骤四、收卷熟化,即得成品。
实施例4
本发明的实施例提供一种液晶高分子基板,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层,两层铜箔层分别为第一铜箔层和第二铜箔层;
所述中间芯层包括一层低介电胶层和两层LCP层,两层LCP层分别为第一LCP层和第二LCP层,所述低介电胶层均设于所述第一LCP层和第二LCP层之间,所述第一LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第一铜箔层贴合连接,所述第二LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第二铜箔层贴合连接;
每层铜箔层的厚度为18μm,每层LCP层的厚度为25μm,所述低介电胶层的厚度为25μm,每层铜箔层的Rz值为0.7μm,所述低介电胶层的Dk值为2.78(10GHz)且Df值为0.002(10GHz)的胶层。
所述液晶高分子基板的制备方法为:
步骤一、将第一LCP层涂布于第一铜箔层的一面,将第二LCP层涂布于第二铜箔层的一面,先于100℃去除溶剂,然后在330℃下10hr使其黄化反应,即生成第一LCP芯层和第二LCP芯层;
步骤二、将所述低介电胶层涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干;
步骤三、在所述低介电胶层背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;
步骤四、收卷熟化,即得成品。
实施例5
本发明的实施例提供一种液晶高分子基板,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层,两层铜箔层分别为第一铜箔层和第二铜箔层;
所述中间芯层包括一层低介电胶层和两层LCP层,两层LCP层分别为第一LCP层和第二LCP层,所述低介电胶层均设于所述第一LCP层和第二LCP层之间,所述第一LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第一铜箔层贴合连接,所述第二LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第二铜箔层贴合连接;
每层铜箔层的厚度为35μm,每层LCP层的厚度为50μm,所述低介电胶层的厚度为50μm,每层铜箔层的Rz值为1μm,所述低介电胶层的Dk值为2.78(10GHz)且Df值为0.002(10GHz)的胶层。
所述液晶高分子基板的制备方法为:
步骤一、将第一LCP层涂布于第一铜箔层的一面,将第二LCP层涂布于第二铜箔层的一面,先于60℃去除溶剂,然后在330℃下10hr使其黄化反应,即生成第一LCP芯层和第二LCP芯层;
步骤二、将所述低介电胶层涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干;
步骤三、在所述低介电胶层背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;
步骤四、收卷熟化,即得成品。
实施例6
本发明的实施例提供一种液晶高分子基板,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层,两层铜箔层分别为第一铜箔层和第二铜箔层;
所述中间芯层包括一层低介电胶层和两层LCP层,两层LCP层分别为第一LCP层和第二LCP层,所述低介电胶层均设于所述第一LCP层和第二LCP层之间,所述第一LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第一铜箔层贴合连接,所述第二LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述第二铜箔层贴合连接;
每层铜箔层的厚度为35μm,每层LCP层的厚度为50μm,所述低介电胶层的厚度为125μm,每层铜箔层的Rz值为1μm,所述低介电胶层的Dk值为1.5(10GHz)且Df值为0.007(10GHz)的胶层。
所述液晶高分子基板的制备方法为:
步骤一、将第一LCP层涂布于第一铜箔层的一面,将第二LCP层涂布于第二铜箔层的一面,先于150℃去除溶剂,然后在310℃下10hr使其黄化反应,即生成第一LCP芯层和第二LCP芯层;
步骤二、将所述低介电胶层涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干;
步骤三、在所述低介电胶层背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;或者,在其他的实施例中,将低介电胶层为清漆,涂布在第二LCP芯层上;
步骤四、收卷熟化,即得成品。
实施例7
请参照图2所示,本发明的实施例提供一种液晶高分子基板100,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层,两层铜箔层分别为第一铜箔层10和第二铜箔层20;
所述中间芯层包括两层低介电胶层和两层LCP层,两层低介电胶层分别为第一低介电胶层50和第二低介电胶层60,两层LCP层分别为第一LCP层30和第二LCP层40,两层低介电胶层贴合连接后设于所述第一LCP层30和第二LCP层40之间,所述第一LCP层30背离所述低介电胶层的表面与所述第一铜箔层10贴合连接,所述第二LCP层40背离所述低介电胶层的表面与所述第二铜箔层20贴合连接;
每层铜箔层的厚度为1μm,每层LCP层的厚度为3μm,每层低介电胶层的厚度为5μm。
对比例
对比例1~对比例2为普通的PI基板,按照顺序依次包括第一铜箔层、PI层和第二铜箔层,制造方法为:低介电PI层经高温压合设备压合温度330~380℃将两面铜箔热压合同时贴合PI表面制程双面板。
对比例3~对比例4为普通的LCP板,按照顺序依次包括第一铜箔层、LCP层和第二铜箔层,制造方法为:LCP薄膜经高温压合设备使用280~360℃的高温将两面铜箔同时压合贴合LCP薄膜两面。
为了方便理解本发明方案的优越性,表1是本发明实施例1~5、对比例1~4各性能的比较结果。
表1:
Figure 611843DEST_PATH_IMAGE002
从上述可知,相比于市面上一般IP基板和普通的LCP板,本发明的液晶高分子基板的高速传输性讯号损失为5.06~5.9dB(10GHz),远小于普通IP基板和普通的LCP板的6.44~11.46,更有利于高速传输,且本发明的接着强度、抗张强度都能够得到保证。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种液晶高分子基板,其特征在于,包括两层铜箔层以及设于所述两层铜箔层之间的中间芯层;
所述中间芯层包括至少一层低介电胶层和至少两层LCP层,各所述低介电胶层贴合连接,且各所述低介电胶层均设于至少两层所述LCP层之间,位于外侧的所述低介电胶层与所述LCP层贴合连接,所述LCP层背离所述低介电胶层的表面与所述铜箔层贴合连接;
每层所述LCP层的厚度为3-50μm,每层所述低介电胶层的厚度为5-125μm,每层所述铜箔层的厚度为1-35μm。
2.根据权利要求1所述的液晶高分子基板,其特征在于,所述低介电胶层设有一层,所述LCP层设有两层,所述液晶高分子基板的总厚度为14-220μm;
或者,所述低介电胶层设有两层,所述LCP层设有两层,所述液晶高分子基板的总厚度为18-270μm。
3.根据权利要求1-2任一所述的液晶高分子基板,其特征在于,每一所述低介电胶层的Dk值为1.5-2.8且Df值为0.001-0.007的胶层。
4.根据权利要求3所述的液晶高分子基板,其特征在于,每一所述铜箔层的Rz值为0.1-1μm的低轮廓铜箔层,所述铜箔层与所述LCP层连接的表面的Rz值为0.1-0.8μm,所述铜箔层的外表面的Rz值为0.1-0.3μm,以及每一所述铜箔层皆为压延铜箔层或电解铜箔层。
5.根据权利要求4所述的液晶高分子基板,其特征在于,所述LCP层的吸水率为0.01-0.04%;所述低介电胶层的吸水率为0.01-0.3%;所述液晶高分子基板的整体吸水率为0.01-0.3%,且所述低介电胶层的接着强度大于0.8kgf/cm。
6.根据权利要求5所述的液晶高分子基板,其特征在于,所述低介电胶层的树脂材料为氟系树脂、环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂、聚酰亚胺系树脂和碳氢树脂中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的液晶高分子基板,其特征在于,所述低介电胶层包括烧结二氧化硅、陶瓷粉、碳氢树脂、磷系耐燃剂和碳氢树脂,所述烧结二氧化硅、所述陶瓷粉、所述碳氢树脂和所述磷系耐燃剂的比例之和为总固含量的8-30%,所述碳氢树脂含量的比例为总固含量的30%-80%。
8.根据权利要求7所述的液晶高分子基板,其特征在于,所述烧结二氧化硅的比例为总固含量的3-12%,所述碳氢树脂的比例为总固含量的5-15%,所述磷系耐燃剂的比例为总固含量的5-17%。
9.根据权利要求7所述的液晶高分子基板,其特征在于,所述LCP层与所述低介电胶层的抗张强度为200mpa~350mpa,伸长率为30%~55%。
10.一种根据权利要求1-9任一所述的液晶高分子基板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将一所述LCP层涂布于一所述铜箔层的表面,将另一所述LCP层涂布于另一所述铜箔层的表面,于60-180℃去除溶剂,在300-330℃黄化反应9~11h,得到第一LCP芯层和第二LCP芯层;
将所述低介电胶层涂布于所述第一LCP芯层的表面,烘干,在所述低介电胶层背离所述第一LCP芯层的表面压合所述第二LCP芯层;
收卷熟化,即得液晶高分子基板。
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