CN112711283A - 一种芯片加热电路 - Google Patents

Abstract

本申请公开了一种芯片加热电路，所述芯片加热电路的温度测量单元用于测量待测芯片温度，并在所述待测芯片温度小于第一预设值时，输出小于所述参考信号的测量信号，在所述待测芯片温度大于第二预设值时，输出大于所述参考信号的测量信号，以使所述比较单元根据所述测量信号输出第一控制信号或第二控制信号，所述控制模块在接收到所述第一控制信号时，控制所述加热模块对待测芯片加热，在接收到所述第二控制信号时，控制所述加热模块停止加热，从而实现了在待测芯片温度小于第一预设值时即对启动加热模块对芯片进行加热，而在待测芯片温度大于第二预设值时即停止加热的目的，进而使得商业级芯片也可以在低于零摄氏度的环境中应用。

Description

一种芯片加热电路

技术领域

本申请涉及电路设计技术领域，更具体地说，涉及一种芯片加热电路。

背景技术

芯片的工作温度等级(Operating Temperature Range)指示着芯片能够正常工作的温度范围，一般而言，商业级芯片的最低工作温度为零摄氏度，工业级芯片的最低工作温度为领下四十摄氏度。由此可见，即便是对于工业级芯片而言，在低于零下四十摄氏度的环境下，硬件电路都是无法正常启动的。

在实际的电路设计过程中，某些芯片只有商业级芯片且无法替代，而设计的电路的工作环境又要求低于零摄氏度，此时就需要一种芯片加热电路实现在需要的情况下对芯片进行加热的目的。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请提供了一种芯片加热电路，以实现在待测芯片温度小于第一预设值时即对启动加热模块对芯片进行加热的目的。

为实现上述技术目的，本申请实施例提供了如下技术方案：

一种芯片加热电路，包括：信号比较模块、控制模块和加热模块；其中，所述信号比较模块包括温度测量单元、参考信号单元和比较单元；其中，所述参考信号单元，用于产生参考信号；

所述温度测量单元，用于测量待测芯片温度，并在所述待测芯片温度小于第一预设值时，输出小于所述参考信号的测量信号，在所述待测芯片温度大于第二预设值时，输出大于所述参考信号的测量信号；

所述比较单元，用于在当所述测量信号小于所述参考信号时，输出第一控制信号，在当所述测量信号大于所述参考信号时，输出第二控制信号；

所述控制模块，用于在接收到所述第一控制信号时，控制所述加热模块对待测芯片加热，在接收到所述第二控制信号时，控制所述加热模块停止加热。

可选的，所述温度测量单元包括：热敏电阻和第一分压单元；其中，

所述热敏电阻的一端用于接收第一工作电压信号，另一端与所述第一分压单元的输出端连接；所述热敏电阻的电阻值随着所述待测芯片温度的变化而变化；

所述分压单元的输出端与所述比较单元的第一输入端连接，所述第一分压单元用于根据所述热敏电阻的电阻值输出所述测量信号。

可选的，所述比较单元包括：运算放大器芯片和第一电阻；其中，

所述运算放大器芯片的第一输入端与所述分压单元的输出端连接，用于接收所述测量信号；

所述运算放大器芯片的第二输入端与所述参考信号单元的输出端连接，用于接收所述参考信号；

所述第一电阻的一端连接于所述运算放大器芯片的输出端，另一端连接于所述运算放大器芯片的第二输入端；

所述运算放大器芯片在所述第一工作电压信号的驱动下工作，用于比较所述测量信号和所述参考信号，并在当所述测量信号小于参考信号时，通过所述运算放大器芯片的第一输出端输出低电平作为第一控制信号，在当所述测量信号大于所述参考信号时，通过所述运算放大器芯片的第一输出端输出高电平作为第二控制信号。

可选的，所述运算放大器芯片的信号为MC33078-EP，所述运算放大器芯片还包括：第二通道；所述第二通道包括第三输入端、第四输入端和第二输出端；

所述芯片加热电路还包括：第二分压单元，所述第二分压单元的输入端用于接收所述第一工作电压信号，所述第二分压单元的输出端与所述第三输入端连接，所述第二分压单元用于产生幅值为所述第一工作电压信号一半的第一输入信号；

所述第四输入端与所述第二输出端连接。

可选的，所述控制模块还用于获取所述加热模块的工作状态，并在当所述加热模块处于加热状态时，生成第一状态信号并进行显示，在当所述加热模块处于停止工作状态时，生成第二状态信号并进行显示。

可选的，所述控制模块包括：状态回读单元、控制单元和开关单元；其中，

所述状态回读单元，用于获取所述加热模块的工作状态；

所述控制单元，用于在当所述加热模块处于加热状态时，生成第一状态信号并进行显示，并将所述第一状态信号发送给所述开关单元；在当所述加热模块处于停止工作状态时，生成第二状态信号并进行显示，并将所述第二状态信号发送给所述开关单元；和用于在接收到用户关闭指令时，向所述开关单元传输关闭信号；

所述开关单元，包括控制端、输入端和输出端，所述控制端用于在接收到控制端电压时，控制所述开关单元导通，在接收到所述关闭信号时，控制所述开关单元关断；所述开关单元的输入端用于接收所述第一控制信号或第二控制信号；所述开关单元的输出端，用于在所述开关单元导通时，将所述第一控制信号或第二控制信号输出给所述加热模块。

可选的，所述开关单元包括：第一MOS管、第二电阻、第三电阻和第十九电阻；其中，

所述第一MOS管的源极作为所述开关单元的输入端，所述第一MOS管的漏极作为所述开关单元的输出端；

所述第一MOS管的栅极同时与所述第二电阻的一端以及第三电阻的一端连接；

所述第二电阻远离所述第一MOS管的一端用于接收所述关闭信号，所述第三电阻远离所述第一MOS管的一端用于接收所述控制端电压，所述第二电阻的阻值小于所述第三电阻的阻值；

所述第十九电阻的一端与所述第一MOS管的源极连接，另一端与所述第一MOS管的漏极连接。

可选的，所述控制单元为FPGA或微控制单元。

可选的，所述状态回读单元包括：第一三极管、第四电阻、第六电阻和第七电阻；其中，

所述第一三极管的基极与所述第四电阻的一端均连接，所述第一三极管的发射极接地；

所述第一三极管的集电极与所述第六电阻和第七电阻的一端均连接，所述第六电阻远离所述第一三极管的一端用于接收所述控制端电压，所述第七电阻远离所述第一三极管的一端作为所述状态回读单元的输出端；

所述第四电阻远离所述第一三极管的一端用于接收所述第一控制信号或第二控制信号；

所述第一三极管在所述第四电阻接收到第二控制信号时关断，所述状态回读单元的输出端输出低电平；

所述第一三极管在所述第四电阻接收到第一控制信号时导通，所述状态回读单元的输出端输出高电平。

可选的，所述第一预设值为0℃，所述第二预设值为10℃。

从上述技术方案可以看出，本申请实施例提供了一种芯片加热电路，所述芯片加热电路由信号比较模块、控制模块和加热模块构成，其中，所述信号比较模块的温度测量单元用于测量待测芯片温度，并在所述待测芯片温度小于第一预设值时，输出小于所述参考信号的测量信号，在所述待测芯片温度大于第二预设值时，输出大于所述参考信号的测量信号，以使所述比较单元根据所述测量信号输出第一控制信号或第二控制信号，所述控制模块在接收到所述第一控制信号时，控制所述加热模块对待测芯片加热，在接收到所述第二控制信号时，控制所述加热模块停止加热，从而实现了在待测芯片温度小于第一预设值时即对启动加热模块对芯片进行加热，而在待测芯片温度大于第二预设值时即停止加热的目的，进而使得商业级芯片也可以在低于零摄氏度的环境中应用。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请的一个实施例提供的一种芯片加热电路的结构示意图；

图2为本申请的一个实施例提供的一种温度测量单元的电路结构示意图；

图3为本申请的一个实施例提供的一种参考信号单元的电路结构示意图；

图4为本申请的一个实施例提供的一种比较单元的电路结构示意图；

图5为本申请的一个实施例提供的一种运算放大器的第二通道的连接关系示意图；

图6为本申请的另一个实施例提供的一种芯片加热电路的结构示意图；

图7为本申请的一个实施例提供的一种开关单元的电路结构示意图；

图8为本申请的一个实施例提供的一种信号回读单元的电路结构示意图；

图9为本申请的一个实施例提供的一种加热模块的电路结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请实施例提供了一种芯片加热电路，如图1所示，包括：信号比较模块100、控制模块200和加热模块300；其中，

所述信号比较模块100包括温度测量单元101、参考信号单元102和比较单元103；其中，

所述参考信号单元102，用于产生参考信号；

所述温度测量单元101，用于测量待测芯片温度，并在所述待测芯片温度小于第一预设值时，输出小于所述参考信号的测量信号，在所述待测芯片温度大于第二预设值时，输出大于所述参考信号的测量信号；

所述比较单元103，用于在当所述测量信号小于所述参考信号时，输出第一控制信号，在当所述测量信号大于所述参考信号时，输出第二控制信号；

所述控制模块200，用于在接收到所述第一控制信号时，控制所述加热模块300对待测芯片加热，在接收到所述第二控制信号时，控制所述加热模块300停止加热。

正如背景技术所述，在实际的电路设计过程中，某些芯片只有商业级芯片且无法替代(例如IntelCPU)，而设计的电路的工作环境又要求低于零摄氏度，此时就需要一种芯片加热电路实现在需要的情况下对芯片进行加热的目的。此外在某些应用场景下，一些满足零下四十摄氏度以下环境工作要求的工业级芯片价格昂贵，也需要采取商业级芯片以及芯片加热电路结合的方式满足场景要求。

在本实施例中，所述芯片加热电路由信号比较模块100、控制模块200和加热模块300构成，其中，所述信号比较模块100的温度测量单元101用于测量待测芯片温度，并在所述待测芯片温度小于第一预设值时，输出小于所述参考信号的测量信号，在所述待测芯片温度大于第二预设值时，输出大于所述参考信号的测量信号，以使所述比较单元103根据所述测量信号输出第一控制信号或第二控制信号，所述控制模块200在接收到所述第一控制信号时，控制所述加热模块300对待测芯片加热，在接收到所述第二控制信号时，控制所述加热模块300停止加热，从而实现了在待测芯片温度小于第一预设值时即对启动加热模块300对芯片进行加热，而在待测芯片温度大于第二预设值时即停止加热的目的，进而使得商业级芯片也可以在低于零摄氏度的环境中应用。

可选的，所述第一预设值为0℃，以使所述芯片加热电路在所述待测芯片温度小于0℃时，开始加热；所述第二预设值为10℃，以使所述芯片加热电路在所述待测芯片温度超过10℃时，停止加热。

下面对本申请实施例提供的芯片加热电路中各个模块、单元的可行构成进行说明。

参考图2，图2示出了一种可行的温度测量单元101的构成，所述温度测量单元101包括：热敏电阻NTC和第一分压单元F1；其中，

所述热敏电阻NTC的一端用于接收第一工作电压信号，另一端与所述第一分压单元F1的输出端连接；所述热敏电阻NTC的电阻值随着所述待测芯片温度的变化而变化；

所述分压单元的输出端与所述比较单元103的第一输入端连接，所述第一分压单元F1用于根据所述热敏电阻NTC的电阻值输出所述测量信号。

参考图3，图3示出了一种可行的参考信号单元102，所述参考信号单元102包括第九电阻R9、第十电阻R10和第十一电阻，其连接关系如图3所示，所述第九电阻R9的一端用于接收第一工作电压信号，所述第十电阻R10的一端作为所述参考信号单元102的输出端。

结合参考图2和图3，所述第一分压单元F1可由如图2所示的第十二电阻R12、第十三电阻R13和第十四电阻R14构成，所述第十二电阻R12的阻值为2kΩ±1％，所述第十三电阻R13的阻值为1kΩ±0.5％，所述第十四电阻R14的阻值为10kΩ±1％，所述热敏电阻NTC的电阻值随着所述待测芯片温度的变化而变化。

在图2中，IN+表示与所述比较单元103的第一输入端连接。图3中，IN-表示与所述比较单元103的第二输入端连接。

在图3中，所述第九电阻R9的阻值为22.1kΩ±1％，所述第十电阻R10的阻值为1kΩ±0.5％，所述第十一电阻的阻值为10kΩ±1％。

可选的，所述热敏电阻NTC的型号为NTCG163JF103FTV3，当其所处环境温度低于零摄氏度时，其电阻值为27.28kΩ，此时所述温度测量单元101输出的测量信号小于所述参考信号单元102输出的参考信号，所述比较单元103输出低电平作为第一控制信号，以使所述控制模块200控制所述加热模块300进行加热。

而当所述热敏电阻NTC的所处环境温度由零下上升至大于10℃时，所述温度测量单元101输出的测量信号大于所述参考信号单元102输出的参考信号，使得所述比较单元103输出的第一控制信号反转为高电平的第二控制信号，以使所述控制模块200控制所述加热模块300停止加热。

参考图4，图4示出了一种可行的比较单元103的电路构成示意图，所述比较单元103包括：运算放大器芯片B1和第一电阻R1；其中，

所述运算放大器芯片B1的第一输入端与所述分压单元的输出端连接，用于接收所述测量信号；

所述运算放大器芯片B1的第二输入端与所述参考信号单元102的输出端连接，用于接收所述参考信号；

所述第一电阻R1的一端连接于所述运算放大器芯片B1的输出端，另一端连接于所述运算放大器芯片B1的第二输入端；

所述运算放大器芯片B1在所述第一工作电压信号的驱动下工作，用于比较所述测量信号和所述参考信号，并在当所述测量信号小于参考信号时，通过所述运算放大器芯片B1的第一输出端输出低电平作为第一控制信号，在当所述测量信号大于所述参考信号时，通过所述运算放大器芯片B1的第一输出端输出高电平作为第二控制信号。

可选的，所述运算放大器芯片B1的信号为MC33078-EP。

在图4中，IN1表示所述运算放大器芯片的第一输入端，IN2表示所述运算放大器的第二输入端，此外，图4中还示出了由第一电容C1和第二电容C2构成的滤波模块，用于滤除输入给运算放大器芯片B1的杂散信号。

在本申请的一些实施例中，所述第一预设值和第二预设值的具体取值与第一电阻R1、第十二电阻R12和第十四电阻R14的阻值有关，即可以通过调节第一电阻R1、第十二电阻R12和第十四电阻R14的阻值实现对第一预设值和第二预设值的调节。

参考图5，在本申请的一个可选实施例中，所述运算放大器芯片B1还包括：第二通道；所述第二通道包括第三输入端、第四输入端和第二输出端；

所述芯片加热电路还包括：第二分压单元，所述第二分压单元的输入端用于接收所述第一工作电压信号，所述第二分压单元的输出端与所述第三输入端连接，所述第二分压单元用于产生幅值为所述第一工作电压信号一半的第一输入信号；

所述第四输入端与所述第二输出端连接。

在图5中，IN3表示所述第三输入端，IN4表示所述第四输入端。

由于MC33078-EP为双通道，为了提高电路的稳定性，需要对所述运算放大器芯片B1做如图5所示的处理，在图5所示的电路结构中，避免了运算放大器的输入端空置，从而避免了杂散静电电场引起输入超出电源轨从而导致闭锁，甚至损坏整个芯片的问题；避免了放大器放大交流电场的情况，而且如果存在过驱动的话，它本身的电源电流将受到大幅度的调制，并在片上其它放大器中引起串扰。

如果把一个输入连接到正电源，另一个输入连接到负电源，这同样会使输入饱和并浪费功率，也可能超过差分输入额定值并损坏器件。即使器件没有损坏，在这些条件下，一些输入级会汲取几十毫安的电流，以致被浪费的功率甚至会更多。因此，将所述第二通道的正输入端(即第三输入端)拉到第一工作电压信号的一半，负输入端(即第四输入端)拉到输出，以避免上述问题。

可选的，仍然参考图5，所述第二分压单元由两个相同阻值的第十五电阻R15和第十六电阻R16构成，其阻值均为10kΩ±1％。所述第一工作电压信号可选为12V。

在上述实施例的基础上，在本申请的另一个实施例中，所述控制模块200还用于获取所述加热模块300的工作状态，并在当所述加热模块300处于加热状态时，生成第一状态信号并进行显示，在当所述加热模块300处于停止工作状态时，生成第二状态信号并进行显示。

参考图6，所述控制模块200包括：状态回读单元203、控制单元201和开关单元202；其中，

所述状态回读单元203，用于获取所述加热模块300的工作状态；

所述控制单元201，用于在当所述加热模块300处于加热状态时，生成第一状态信号并进行显示，并将所述第一状态信号发送给所述开关单元202；在当所述加热模块300处于停止工作状态时，生成第二状态信号并进行显示，并将所述第二状态信号发送给所述开关单元202；和用于在接收到用户关闭指令时，向所述开关单元202传输关闭信号；

所述开关单元202，包括控制端、输入端和输出端，所述控制端用于在接收到控制端电压时，控制所述开关单元202导通，在接收到所述关闭信号时，控制所述开关单元202关断；所述开关单元202的输入端用于接收所述第一控制信号或第二控制信号；所述开关单元202的输出端，用于在所述开关单元202导通时，将所述第一控制信号或第二控制信号输出给所述加热模块300。

可选的，参考图7，所述开关单元202包括：第一MOS管M1、第二电阻R2、第三电阻R3和第十九电阻R19；其中，

所述第一MOS管M1的源极作为所述开关单元202的输入端，所述第一MOS管M1的漏极作为所述开关单元202的输出端；

所述第一MOS管M1的栅极同时与所述第二电阻R2的一端以及第三电阻R3的一端连接；

所述第二电阻R2远离所述第一MOS管M1的一端用于接收所述关闭信号，所述第三电阻R3远离所述第一MOS管M1的一端用于接收所述控制端电压，所述第二电阻R2的阻值小于所述第三电阻R3的阻值；

所述第十九电阻R19的一端与所述第一MOS管M1的源极连接，另一端与所述第一MOS管M1的漏极连接。

图7中，OUT1表示所述比较单元输出信号的输入单，OUT2表示所述控制模块输出信号的输出端，CTRL表示所述关闭信号的输入端，STBY表示所述控制端电压的输入端。

在图7所示的开关单元202中，还示出了所述第一MOS管M1的体二极管，当处于低温环境时(即所述第一MOS管M1的源极接收低电平信号(第一控制信号)所述第一MOS管M1的栅极接收到所述控制端电压)，且未接收到所述关闭信号时，所述第一MOS管M1在所述控制端电压的上拉作用下，默认导通，此时第一控制信号的电平传到所述开关单元202的输出端，此时所述开关单元202的输出端也输出低电平(即第一控制信号)。

当用户通过所述控制单元201输入用户关闭指令时，所述控制单元201传输关闭信号给开关单元202，以视情况关闭所述加热模块300。

可选的，所述控制单元201为FPGA(Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列)或微控制单元201(Microcontroller Unit，MCU)。

可选的，参考图8，所述状态回读单元203包括：第一三极管Q1、第四电阻R4、第六电阻R6和第七电阻R7；其中，

所述第一三极管Q1的基极与所述第四电阻R4的一端均连接，所述第一三极管Q1的发射极接地；

所述第一三极管Q1的集电极与所述第六电阻R6和第七电阻R7的一端均连接，所述第六电阻R6远离所述第一三极管Q1的一端用于接收所述控制端电压，所述第七电阻R7远离所述第一三极管Q1的一端作为所述状态回读单元203的输出端；

所述第四电阻R4远离所述第一三极管Q1的一端用于接收所述第一控制信号或第二控制信号；

所述第一三极管Q1在所述第四电阻R4接收到第二控制信号时关断，所述状态回读单元203的输出端输出低电平；

所述第一三极管Q1在所述第四电阻R4接收到第一控制信号时导通，所述状态回读单元203的输出端输出高电平。

在图8所示的电路结构中，当所述第一三极管Q1的基极接收到低电平(即第一控制信号)时，第一三极管Q1关断，所述状态回读单元203的输出端输出高电平，当所述第一三极管Q1的基极接收到高电平(即第二控制信号)时，第一三极管Q1导通，所述状态回读信号的输出端输出低电平。

可选的，所述第四电阻R4的阻值为100Ω±1％，所述第六电阻R6的阻值为4.7kΩ±1％，所述第七电阻R7的阻值为100Ω±1％。

可选的，参考图9，图9示出了一种可行的加热模块300的电路结构示意图，所述加热模块300包括两个型号为IRF7416的MOS管(D1和D2)、第十七电阻R17、第十八电阻R18、第三电容C3和三个加热平面(V1、V2和V3)构成，其连接关系参考图9，其中，型号为IRF7416的MOS管的最大通流量为7A，第十七电阻R17的阻值为10Ω±1％，第十八电阻R18的阻值为3.01kΩ±1％，所述第三电容C3的容值为2.2nF。

在图9中，G表示型号为IRF7416的MOS管的栅极，S1、S2和S3表示IRF7416的MOS管的源极，D1、D2、D3和D4表示IRF7416的MOS管的漏极。当控制模块输出的信号为第一控制信号，即为低电平时，型号为IRF7416的MOS管导通，+12V_HEAT0才有电，加热平面开始加热，当所述控制模块输出的信号为第二控制信号，即为高电平时，型号为IRF7416的MOS管关断，加热平面停止加热。

可选的，所述加热平面包括多根均匀密布在PCB里层的铜皮，需要加热的芯片则可以设计焊接在加热平面所在区域的表层，从而达到加热层阻抗可控的目的。

综上所述，本申请实施例提供了一种芯片加热电路，所述芯片加热电路由信号比较模块、控制模块和加热模块构成，其中，所述信号比较模块的温度测量单元用于测量待测芯片温度，并在所述待测芯片温度小于第一预设值时，输出小于所述参考信号的测量信号，在所述待测芯片温度大于第二预设值时，输出大于所述参考信号的测量信号，以使所述比较单元根据所述测量信号输出第一控制信号或第二控制信号，所述控制模块在接收到所述第一控制信号时，控制所述加热模块对待测芯片加热，在接收到所述第二控制信号时，控制所述加热模块停止加热，从而实现了在待测芯片温度小于第一预设值时即对启动加热模块对芯片进行加热，而在待测芯片温度大于第二预设值时即停止加热的目的，进而使得商业级芯片也可以在低于零摄氏度的环境中应用。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种芯片加热电路，其特征在于，包括：信号比较模块、控制模块和加热模块；其中，

所述信号比较模块包括温度测量单元、参考信号单元和比较单元；其中，

所述参考信号单元，用于产生参考信号；

所述温度测量单元，用于测量待测芯片温度，并在所述待测芯片温度小于第一预设值时，输出小于所述参考信号的测量信号，在所述待测芯片温度大于第二预设值时，输出大于所述参考信号的测量信号；

所述比较单元，用于在当所述测量信号小于所述参考信号时，输出第一控制信号，在当所述测量信号大于所述参考信号时，输出第二控制信号；

所述控制模块，用于在接收到所述第一控制信号时，控制所述加热模块对待测芯片加热，在接收到所述第二控制信号时，控制所述加热模块停止加热。

2.根据权利要求1所述的芯片加热电路，其特征在于，所述温度测量单元包括：热敏电阻和第一分压单元；其中，

所述热敏电阻的一端用于接收第一工作电压信号，另一端与所述第一分压单元的输出端连接；所述热敏电阻的电阻值随着所述待测芯片温度的变化而变化；

所述分压单元的输出端与所述比较单元的第一输入端连接，所述第一分压单元用于根据所述热敏电阻的电阻值输出所述测量信号。

3.根据权利要求2所述的芯片加热电路，其特征在于，所述比较单元包括：运算放大器芯片和第一电阻；其中，

所述运算放大器芯片的第一输入端与所述分压单元的输出端连接，用于接收所述测量信号；

所述运算放大器芯片的第二输入端与所述参考信号单元的输出端连接，用于接收所述参考信号；

所述第一电阻的一端连接于所述运算放大器芯片的输出端，另一端连接于所述运算放大器芯片的第二输入端；

所述运算放大器芯片在所述第一工作电压信号的驱动下工作，用于比较所述测量信号和所述参考信号，并在当所述测量信号小于参考信号时，通过所述运算放大器芯片的第一输出端输出低电平作为第一控制信号，在当所述测量信号大于所述参考信号时，通过所述运算放大器芯片的第一输出端输出高电平作为第二控制信号。

4.根据权利要求3所述的芯片加热电路，其特征在于，所述运算放大器芯片的信号为MC33078-EP，所述运算放大器芯片还包括：第二通道；所述第二通道包括第三输入端、第四输入端和第二输出端；

所述芯片加热电路还包括：第二分压单元，所述第二分压单元的输入端用于接收所述第一工作电压信号，所述第二分压单元的输出端与所述第三输入端连接，所述第二分压单元用于产生幅值为所述第一工作电压信号一半的第一输入信号；

所述第四输入端与所述第二输出端连接。

5.根据权利要求1所述的芯片加热电路，其特征在于，所述控制模块还用于获取所述加热模块的工作状态，并在当所述加热模块处于加热状态时，生成第一状态信号并进行显示，在当所述加热模块处于停止工作状态时，生成第二状态信号并进行显示。

6.根据权利要求5所述的芯片加热电路，其特征在于，所述控制模块包括：状态回读单元、控制单元和开关单元；其中，

所述状态回读单元，用于获取所述加热模块的工作状态；

所述控制单元，用于在当所述加热模块处于加热状态时，生成第一状态信号并进行显示，并将所述第一状态信号发送给所述开关单元；在当所述加热模块处于停止工作状态时，生成第二状态信号并进行显示，并将所述第二状态信号发送给所述开关单元；和用于在接收到用户关闭指令时，向所述开关单元传输关闭信号；

所述开关单元，包括控制端、输入端和输出端，所述控制端用于在接收到控制端电压时，控制所述开关单元导通，在接收到所述关闭信号时，控制所述开关单元关断；所述开关单元的输入端用于接收所述第一控制信号或第二控制信号；所述开关单元的输出端，用于在所述开关单元导通时，将所述第一控制信号或第二控制信号输出给所述加热模块。

7.根据权利要求6所述的芯片加热电路，其特征在于，所述开关单元包括：第一MOS管、第二电阻、第三电阻和第十九电阻；其中，

所述第一MOS管的源极作为所述开关单元的输入端，所述第一MOS管的漏极作为所述开关单元的输出端；

所述第一MOS管的栅极同时与所述第二电阻的一端以及第三电阻的一端连接；

所述第二电阻远离所述第一MOS管的一端用于接收所述关闭信号，所述第三电阻远离所述第一MOS管的一端用于接收所述控制端电压，所述第二电阻的阻值小于所述第三电阻的阻值；

所述第十九电阻的一端与所述第一MOS管的源极连接，另一端与所述第一MOS管的漏极连接。

8.根据权利要求6所述的芯片加热电路，其特征在于，所述控制单元为FPGA或微控制单元。

9.根据权利要求6所述的芯片加热电路，其特征在于，所述状态回读单元包括：第一三极管、第四电阻、第六电阻和第七电阻；其中，

所述第一三极管的基极与所述第四电阻的一端均连接，所述第一三极管的发射极接地；

所述第一三极管的集电极与所述第六电阻和第七电阻的一端均连接，所述第六电阻远离所述第一三极管的一端用于接收所述控制端电压，所述第七电阻远离所述第一三极管的一端作为所述状态回读单元的输出端；

所述第四电阻远离所述第一三极管的一端用于接收所述第一控制信号或第二控制信号；

所述第一三极管在所述第四电阻接收到第二控制信号时关断，所述状态回读单元的输出端输出低电平；

所述第一三极管在所述第四电阻接收到第一控制信号时导通，所述状态回读单元的输出端输出高电平。

10.根据权利要求1所述的芯片加热电路，其特征在于，所述第一预设值为0℃，所述第二预设值为10℃。

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