CN112556653A - 测量方法、电子设备和计算机可读存储介质 - Google Patents

测量方法、电子设备和计算机可读存储介质 Download PDF

Info

Publication number
CN112556653A
CN112556653A CN202011486843.9A CN202011486843A CN112556653A CN 112556653 A CN112556653 A CN 112556653A CN 202011486843 A CN202011486843 A CN 202011486843A CN 112556653 A CN112556653 A CN 112556653A
Authority
CN
China
Prior art keywords
measured
length
scale
image
grids
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN202011486843.9A
Other languages
English (en)
Other versions
CN112556653B (zh
Inventor
不公告发明人
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Manufacturing EDA Co Ltd
Original Assignee
Advanced Manufacturing EDA Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Manufacturing EDA Co Ltd filed Critical Advanced Manufacturing EDA Co Ltd
Priority to CN202011486843.9A priority Critical patent/CN112556653B/zh
Publication of CN112556653A publication Critical patent/CN112556653A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN112556653B publication Critical patent/CN112556653B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C11/00Photogrammetry or videogrammetry, e.g. stereogrammetry; Photographic surveying
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本文描述了测量方法、电子设备和计算机可读存储介质。在此描述的测量方法包括:基于待测对象的特征生成多个网格和多个第一标尺,多个第一标尺一一对应地设置于多个网格中并且各自第一待测区域;确定由每一个第一标尺指示的第一待测区域的第一长度;确定由第二标尺指示的第二待测区域的第二长度;基于多个网格,从多个第一标尺中确定与第二标尺相对应的第一标尺;以及用由所确定的第一标尺指示的第一待测区域的第一长度校正第二长度,以获得经校正的第二长度。以此方式,可以改进测试精度,提高测试结果的可靠性。

Description

测量方法、电子设备和计算机可读存储介质
技术领域
本公开的实施例总体涉及半导体技术领域,并且更具体地涉及测量方法、电子设备和计算机可读存储介质。
背景技术
在半导体制造工艺的各个阶段,需要对相关的器件、工艺特征进行测量。扫描电子显微镜(SEM)经常用于在半导体制造工艺中对相关的器件、工艺特征的参数进行测量。SEM是一种大型分析仪器,它广泛应用于观察各种固态物质的表面超微结构的形态和组成。在利用SEM测量的过程中,通常需要借助标尺(gauge)。标尺用于指示执行测量的准确位置。换言之,标尺是用于测量的位置标记。
半导体制造工艺的几个不同阶段的测量都需要应用标尺。例如,对显影后图像(ADI)、蚀刻后图像(AEI)、抛光后图像(API)的SEM照片和光学邻近校正(OPC)模拟轮廓的测量都需要标尺。然而,在各个不同的工艺阶段,对同一待测对象的测量,所放置的标尺的位置可能各不相同,因为在各个阶段的标尺的放置并不参考之前阶段所放置的标尺的位置。
发明内容
本公开的实施例提供了测量方法、电子设备和计算机可读存储介质,其能够减小或者甚至避免由于各个不同阶段放置的标尺的位置的不同而导致的测量结果的不一致。以此方式,可以改进测试精度,提高测试结果的可靠性。
在第一方面,提供了一种测量方法。该方法包括:基于待测对象的特征生成多个网格和多个第一标尺,多个第一标尺一一对应地设置于多个网格中并且各自指示第一待测区域;确定由每一个第一标尺指示的第一待测区域的第一长度;确定由第二标尺指示的第二待测区域的第二长度;基于多个网格,从多个第一标尺中确定与第二标尺相对应的第一标尺;以及用由所确定的第一标尺指示的第一待测区域的第一长度校正第二长度,以获得经校正的第二长度。
在第二方面,提供了一种电子设备。该电子设备包括:处理单元;存储器,耦合至处理单元并且包括存储于其上的程序,程序在由处理单元执行时使电子设备执行动作,所述动作包括基于待测对象的特征生成多个网格和与多个网格相对应的多个第一标尺。多个第一标尺各自设置于多个网格中并且各自指示待测对象的第一图像中的第一待测区域。动作还包括确定第一图像中由多个第一标尺中的每个第一标尺指示的第一待测区域的第一长度。动作还包括确定待测对象的第二图像中由第二标尺指示的第二待测区域的第二长度。动作还包括基于多个网格,从多个第一标尺中确定与第二标尺相对应的第一标尺。动作进一步包括用由所确定的第一标尺指示的第一待测区域的第一长度校正第二长度,以获得经校正的第二长度。
在一些实施例中,基于待测对象的特征生成多个网格和多个第一标尺包括:基于待测对象的形状、尺寸、位置中的至少一项生成多个网格;以及通过在每一个网格中设置相应的标尺,以生成多个第一标尺。
在一些实施例中,第一待测区域位于第一图像中,第一图像是待测对象的仿真图,基于待测对象的特征生成多个网格和多个第一标尺包括:基于第一图像所呈现的仿真特征,确定第一图像中的待测范围;在待测范围内生成多个网格,多个网格中的每个网格具有与第一图像的仿真精细度对应的尺度;以及通过在多个网格中的每个网格中设置相应的第一标尺,以生成多个第一标尺。
在一些实施例中,基于待测对象的特征生成多个网格和多个第一标尺包括:基于待测对象的待测参数,确定待测范围;在待测范围内生成多个网格;以及通过在多个网格中的每个网格中设置相应的第一标尺,来生成多个第一标尺。
在一些实施例中,确定由每一个第一标尺指示的第一待测区域的第一长度包括:确定每一个第一标尺与第一图像的边缘的两个相交点,其中,所述第一待测区域位于所述第一图像中;以及将两个相交点之间的距离确定为第一长度。
在一些实施例中,用由所确定的第一标尺指示的第一待测区域的第一长度校正第二长度包括:基于与待测对象的第二图像相对应的工艺阶段,执行以下至少一项操作,其中,所述第二待测区域位于所述第二图像中:计算第一长度与第二长度的平均值,将平均值确定为经校正的第二长度;将第一长度减去预定值获得修正后的第一长度,将修正后的第一长度与第二长度的平均值确定为经校正的第二长度;或计算第二长度与第一长度的差值,基于差值,将第二长度乘以预定系数,以获得经校正的第二长度。
在一些实施例中,动作还可以包括:确定第一长度和第二长度的差值;以及利用差值对第一图像进行校正,其中所述第一待测区域位于所述第一图像中。
在第三方面,提供了一种计算机可读存储介质。该计算机可读存储介质上存储有机器可执行指令,当所述机器可执行指令在被处理器执行时,使得所述处理器实现上述方法。
根据本公开的实施例,用于测量的方案能够减小或避免由于各个不同阶段放置的标尺的位置的不同而导致的测量结果的不一致,从而改进测试精度,提高测试结果的可靠性。
附图说明
通过结合附图对本公开示例性实施例进行更详细的描述,本公开的上述以及其他目的、特征和优势将变得更加明显。在本公开的示例性实施例中,相同的参考标号通常代表相同部件。在附图中:
图1示出了利用标尺测量图案的一种已知方案的示意图;
图2是示出了利用标尺测量图案的一种已知方案的示意图;
图3示出了根据本公开的实施例的测量方法的流程图;
图4是示出了根据本公开的实施例的设置有多个网格的待测对象的图案的示意图;
图5示出了根据本公开的实施例的测试方法的示意图;
图6示出了根据本公开的实施例的设置有多个网格的待测对象的图案的示意图;
图7示出了根据本公开的实施例的在图6所示的网格中设置有多个第一标尺的待测对象的图案的示意图;
图8示出了根据本公开的另一个实施例的设置有多个标尺的待测对象的图案示意图;以及
图9示出了用于实施本公开的实施例的电子设备的示意性框图。
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本公开的优选实施例。虽然附图中示出了本公开的优选实施例,然而应该理解,本公开可以以各种形式实现而不应被这里阐述的实施例限制。相反,提供这些实施例是为了使本公开更加透彻和完整,并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。
在本文中使用的术语“包括”及其变形表示开放性包括,即“包括但不限于”。除非特别申明,术语“或”表示“和/或”。术语“基于”表示“至少部分地基于”。术语“一个示例实施例”和“一个实施例”表示“至少一个示例实施例”。术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”。术语“第一”、“第二”等等可以指代不同的或相同的对象。下文还可能包括其他明确的和隐含的定义。
图1示出了利用标尺测量图案的一种已知方案的示意图。如图1所示,图案100表示的是半导体制造工艺中的一块光刻胶。线段120被定义为“标尺”,是用于测量的位置标记。该示例中,标尺120与该图案100相交,从而指示图案100与标尺120相交的两点之间的区域为待测区域。在图1中,G1为关注的长度,即标尺120所指示的位置处图案100的长度。在该示例中,G1的测量长度为50.1nm。
图2示出了利用标尺测量图案的一种已知方案示意图。如图2所示,图中左侧的图案100为半导体制造工艺中的一片光刻胶的ADI图像。在标尺120所指示的位置处测得的该图案100的尺寸为50.1nm。如图2所示,图中右侧的图案200为该光刻胶的仿真轮廓图。标尺120所设置的位置处测得的该图案200的尺寸为49.5nm。
通过比较图2中图案100和图案200的各自标尺120的放置位置可知,左侧图案100中标尺120所放置的位置与右侧图案200中标尺120所放置的位置不同,二者之间在纵向方向上有一定距离(图中两条水平虚线之间的距离)。由此所测得由左侧标尺120所指示的图案100的区域的长度与所测得的由右侧标尺120所指示的图案200的区域的长度不同。也就是说,对于旨在获取左侧的ADI图像以及右侧的仿真轮廓图像中对应位置的尺寸的测量来说,由于标尺120所放置的位置的差异,导致所测得的对象的具体区域不同,从而并未真实反映该待测对象的两个图像中相对应的区域的尺寸。当然所测得的二者尺寸的差异既与标尺所放置的位置有关,也与二者图像自身的差异有关。例如,仿真图像与ADI图像自身也会有一定的差异。对于AEI图像来说,由于其是经过蚀刻后的对象的图像,所以该图像与仿真图像相比必定会存在差异,因为通常蚀刻后尺寸会减小。
由于各个阶段标尺所指示的位置的不统一,待测对象同一区域或者说同一部位所测量的结果会不一致。因此,一旦需要分析各个阶段所测量的数据,就不容易使用和比较这些数据。
因此期望提供用于测量的改进方案,以减小或甚至避免由于各个不同阶段放置的标尺的位置的不同而导致的测量结果的不一致,从而改进测试精度,提高测试结果的可靠性。
至少为了解决上述问题,本公开的实施例提供了用于测量的改进方案。根据实施例,基于待测对象的特征生成多个网格和多个第一标尺。多个第一标尺一一对应地设置于多个网格中并且各自指示第一待测区域。确定由每一个第一标尺指示的第一待测区域的第一长度。确定由第二标尺指示的第二待测区域的第二长度。基于多个网格,从多个第一标尺中确定与第二标尺相对应的第一标尺。用由所确定的第一标尺指示的第一待测区域的第一长度校正第二长度,以获得经校正的第二长度。
这样,在先前阶段设置网格,每个网格具有预定的尺寸。每个网格中设置有一一对应的第一标尺。由此使得后续阶段所放置的标尺的位置能够与先前放置的某个标尺相对应,从而使得后续的测量值能够参照先前的测量值进行修正。以此方式,可以减小或甚至避免由于标尺所放置的位置的差异所导致的同一待测对象的测量数据不一致。因此,能够提供更准确、可靠的测量数据,以利于工艺过程的分析和改进。
下文中将结合附图参考各种实施例来详细描述本公开的各种示例实施例。
图3示出了根据本公开的实施例的测量方法的流程图。在框302,基于待测对象的特征生成多个网格和多个第一标尺。多个第一标尺一一对应地设置于多个网格中并且各自指示第一待测区域。
在一些实施例中,可以基于待测对象的形状、尺寸、位置中的至少一项生成多个网格。例如,待测对象可以为各种不同的形状,如矩形,圆形、三角形、线形、不规则形状等等。对于矩形图案可以生成相应的矩形的网格。对于圆形的图案,可以生成通过圆心的扇形的网格,或者长条状矩形网格。即可以针对具体待对象的形状不同而生成不同形状的网格。不同的待测对象所处的位置不同,为了测量的便利,可以生成与其位置相应的网格以便于测量。此外,根据待测对象尺寸的不同,可以生成相应尺寸的网格。此外,与每个网格相对应地,在各个网格中生成相应的第一标尺。在一些实施例中,第一标尺可以和网格一起生成。在一些实施例中,可以先生成网格,之后生成第一标尺,然后将第一标尺一一对应地设置于相应的各个网格中。本发明并不以此为限,而是可以有各种变化。
在一些实施例中,所述第一待测区域可以位于第一图像中,第一图像可以是待测对象的仿真图。在这种实施例中,可以基于第一图像所呈现的仿真特征,确定第一图像中的待测范围。然后,可以在待测范围内生成多个网格,多个网格中的每个网格具有与第一图像的仿真精细度对应的尺度。进而可以通过在多个网格中的每个网格中设置相应的第一标尺,来生成多个第一标尺。
根据第一图像所呈现的仿真特征,可以发现待制造的半导体元器件的薄弱区域,即容易出现问题的区域。因此可以针对容易出现问题的区域设置网格,从而对其进行测量。以此方式,通过将每个网格设置为具有与第一图像的仿真精细度对应的尺度,并且在每个网格中设置一个标尺,可以确保网格覆盖范围内的待测对象的任意位置的区域都能够被测量。
在一些实施例中,可以基于待测对象的待测参数,确定第一图像中的待测范围。其中待测参数可以是,例如,待测对象的某预定区域的尺寸、待测对象的边缘光滑度、待测对象的形状均匀度等等。根据所确定的待测参数,可以确定待测范围。比如要测量边缘光滑度,可将待测范围选定为包含整个边缘区域。比如要测量某直线型对象的均匀度,则待测范围可选定为一狭长的矩形区域,该区域包含该直线型元件的整个或大部分区域。即,根据不同的待测参数,可以选定不同的待测范围。然后,可以在待测范围内生成多个网格。进而可以通过在多个网格中的每个网格中设置一个第一标尺,来生成多个第一标尺。针对不同的待测参数,可以设置不同形状和尺寸的网格。例如,要测量器件某边缘的整体弯曲度,则与选择待测范围类似,可以设置与边缘具有对应的长度和形状的网格。若要测量器件某局部位置的长度,则可仅设置与局部位置的形状相应的网格。
下面参考图4至图7描述网格和第一标尺的一些示例。图4示出了根据本公开的实施例的设置有多个网格22的待测对象的图案的示意图。如图4所示,待测对象的图案20的部分区域中设置有多个网格22。各个网格22可以为长条状的矩形,并且并排设置。各个网格22均覆盖待测对象的图案20的部分区域。然而,本公开实施例的网格22的形状和设置方式并不限于如图4的实施例所示的形状和设置方式。
应当理解,图4中所示的网格22的形状仅是示例性,而无意限制本公开的范围。网格22也可以为其他形状,例如,方形、扇形、环形等等。网格22的排列方式也不限于彼此平行的布置。在一些实施例中,网格22可以交叉设置,也可以环形方式嵌套设置。如前面所提到的,基于待测对象的形状、尺寸、位置中的至少一项生成多个网格22。由于待测对象形状、尺寸、位置各不相同,所以可以相应地生成各种不同形状、尺寸、位置的网格22。
图5示出了根据本公开的实施例的测试方法的示意图。如图5所示,待测对象的图案20的部分区域中设置有多个第一标尺12,这些第一标尺12与图4中所示的多个网格22是一一对应的。只是在图5中为了清楚起见未示出网格22。如前面所提到的,可以基于待测对象的形状、尺寸、位置中的至少一项生成多个网格。可以在生成网格22的同时生成相应的多个第一标尺12,也可以在生成网格22之后再在相应的网格中生成一一对应的第一标尺12。所示的第一标尺的生成方式仅仅是示意性的,而无意限制本公开的范围。
图6示出了根据本公开的实施例的设置有多个网格的待测对象的图案的示意图。图7示出根据本公开的实施例的在图6所示的网格中设置有多个第一标尺12的待测对象的图案的示意图。在一些实施例中,如图6所示,待测对象的图案60呈现直线型的形状,该待测对象的图案60可以是该待测对象的仿真图像也可以是电路版图。在一些实施例中,如果希望测试该直线型对象的均匀度,则可以将该图案60的整个区域选定为待测范围,在该待测范围内生成多个网格22。若仅需要测试该直线型对象的中间部分区域的尺寸,则可以如图6所示,仅将中间部分区域选定为待测范围。在一些实施例中,如图7所示,在多个网格22中设置有多个第一标尺12。以此方式,能够基于需要测量的参数,确定待测范围,从而生成相应的网格和第一标尺。
参照图8。图8示出了根据本公开的另一个实施例的设置有多个第一标尺12的待测对象的图案80的示意图。在一些实施例中,如图8所示,待测对象的图案80呈圆形。第一标尺12通过圆心以辐射状设置在图案80上。为了清楚起见,图中未示出相应的网格。网格可以是以圆心为顶点的小扇形,每个小扇形覆盖一个第一标尺12。在一些实施例中,网格可以是穿过圆心的多个长条状矩形。每个标尺12设置在每个矩形中。以此方式,通过穿过圆心来设置多个网格和相应的第一标尺12,能够测量该图案80在任意位置的径向长度变化,从而能够为后续阶段的测量提供参考基准。
在一些实施例中,有些待测对象在蚀刻前为方形,在蚀刻后可能为圆形。在这种情况下,也可以生成辐射状的网格22和第一标尺12并设置在版图或者仿真图的方形图案上。此处仅以圆形图案为例进行了说明,本公开的实施方式并不限于此,而是可以根据需要在其他的各种形状上设置辐射状的网格和第一标尺。
继续参考图3。在框304,确定由每一个第一标尺指示的第一待测区域的第一长度。
在一些实施例中,可以确定每个第一标尺与第一图像的边缘的两个相交点。然后可以将两个相交点之间的距离确定为第一长度。通过测量网格中所有第一标尺指示的待测区域的相应位置的长度,并保留所有测量的数据。可以为后续阶段的测量提供参考。也就是说,后续针对一个第二标尺所指示的某个位置的测量值可以从先前测量的所有第一标尺指示的位置的测量值中找到相应的值作为参照。由此可以用先前值对后续的测量值进行校对。反过来,在先前测量值是对仿真图像中的图案的测量值的话,后续的测量值也可以用于对仿真结果进行改进。例如,仿真模型可以根据后续的测量值进行优化。以此方式,能够为后续测量值的校准提供参考数据。
在框306,确定由第二标尺指示的第二待测区域的第二长度。例如,在图5的示例中,待测对象的图案10上设置有一个第二标尺14,该第二标尺14与待测测对象的图案10相交。该第二标尺14所指示的待测量的区域即为该第二标尺14与图案10重叠的区域,亦即第二标尺14与图案的边缘的两个交点之间的区域。如图5所示,该区域的长度为G1,数值为50.1nm。
在一些实施例中,可以对第二图像进行测量。第二图像可以是ADI图像、AEI图像、API图像。在这些测量中,通常针对某一参数测量时,通过设置一个第二标尺来指示待测量的位置。然后对标尺指示的待测对象的区域进行测量。在一些实施例中,该测量结果可用与之前测量的结果进行校对。也可以用于对之前的测量数据进行反馈。例如,对于先前获取的电路版图、仿真图数据,可以通过与后续的测量数据的比较,来对版图设计以及仿真模型进行优化。电路版图是从设计并模拟优化后的电路所转化成的一系列几何图形,其包含了集成电路尺寸、各层拓扑定义等器件相关的物理信息数据,可根据这些数据来制造掩模。掩模上的图形决定着芯片上器件或连接物理层的尺寸。由此对版图设计的优化能够改善半导体器件的性能。
以此方式,不仅能够获得更准确的数据,而且能够对版图设计、仿真模型进行改善,从而改进半导体器件的性能。
在框308,基于多个网格,从多个第一标尺中确定与第二标尺相对应的第一标尺。例如,在图5的示例中,右侧的图案10中的第二标尺14的放置位置与左侧的多个第一标尺12中的某个第一标尺相对应。也就是说,在后续阶段的测量中,第二标尺14的放置位置可以参照之前相应第一标尺12的放置位置,从而测试数据也可以参照之前的测试数据。在一些实施例中,后续阶段第二标尺14放置时,先不考虑与先前的多个第一标尺12中哪一个对应。在测量了后续的第二标尺14所指示的图案的区域的尺寸后,再确定多个第一标尺12中哪个第一标尺12与该第二标尺14相对应,从而用该先前的第一标尺12对应的测试数据校正该后续的第二标尺14对应的测试数据。以此方式,能够改进测试精度,提高测试结果的可靠性。
在一些实施例中,可以测量各个网格22的尺寸。然后可以基于各个网格22的尺寸确定各个第一标尺12的位置。进而可以基于确定的各个所述第一标尺12的位置以及所述第二标尺14的位置,从所述多个第一标尺12中选择匹配的第一标尺12。在一些实施例中,可以将所生成的各个网格22设置为有规律地排列,例如,对于各个矩形网格,其分别具有相同的尺寸,可将其并行排列。在确定每个网格22的尺寸以及网格22的数量的情况下,则可以确定设置在每个网格22中的第一标尺12在该图像中所处的位置。在一些实施例中,对于第二个图像中的第二标尺14,该第二标尺14在第二图像中的位置是在放置该第二标尺14时就能够直接确定的。因此,可以从多个第一标尺12中确定与第二标尺14相对应的第一标尺12。也就是说,可以从多个第一标尺12中确定一个标尺12,该第一标尺12所指示的待测对象的区域或者部位与第二标尺14所指示的待测对象的区域或者部位是一致的。例如,该第一标尺12指示的是待测对象的中间部位,第二标尺14指的也是该待测对象的中间部位。又例如,该第一标尺12指示的是待测对象中一蚀刻后的凹槽的一个边缘,第二标尺14指的也是该待测对象中一蚀刻后的凹槽的一个边缘。简言之,二者指示的是同一待测对象的同一部位,只是该同一部位分别显示在不同的图像中。
以此方式,能够确定第二标尺14与第一标尺12的对应关系。使得无论在后续测量中第二标尺14设置在什么位置,都能够在多个第一标尺12中找到对应的第一标尺12,从而可以用对应的第一标尺12指示的待测对象的区域的数据校正第二标尺14指示的待测对象的区域的数据。
在框310,用由所确定的第一标尺指示的第一待测区域的第一长度校正第二长度,以获得经校正的第二长度。
在一些实施例中,可以基于与第二图像相对应的工艺阶段,执行以下至少一项操作以对第二长度进行校正:(1)计算所述第一长度与所述第二长度的平均值,将所述平均值确定为所述经校正的第二长度。以此方式,通过将后续阶段的测量值(第二长度)与先前阶段的测量值的平均值确定为校正后的值,能够降低后续阶段测量的误差。(2)将所述第一长度减去预定值获得修正后的第一长度,将所述修正后的第一长度与所述第二长度的平均值确定为所述经校正的第二长度。在半导体工艺中,要经过多重工序才能获得最终的半导体元器件。在各个工序中,待测对象的某些尺寸可能会发生变化。所以在后续的测量时,针对某些尺寸的测量值需要考虑该测量所处的工艺阶段。例如,对经过蚀刻后的对象的测量,需要考虑到其尺寸经过蚀刻而减小。所以在用先前的测量数据校正后续的测量数据时,可以根据预定的规则(预定的表格或其他对应关系图)将先前测量值减去预定值,再与后续的测量值(第二长度)取均值,将该均值作为校正后的测量值。例如(3)计算所述第二长度与所述第一长度的差值,基于所述差值,将所述第二长度乘以预定系数,以获得所述经校正的第二长度。如前面所提到的,不同的半导体工艺中,半导体元器件经历不同的处理。通过先前的计算或者仿真,可以预期待测对象后续尺寸的变化。基于预先确定的尺寸变化关系,可以基于待测对象尺寸的变化的差异,而用不同的系数进行校正。
在一些实施例中,方法300可以进一步包括:确定第一长度和第二长度的差值,以及利用差值对第一图像进行校正。如前面所提到的,可以利用后续测量的数据对仿真模型、电路版图进行优化。在一些实施例中,待测对象为半导体器件。在一些实施例中,第一待测区域位于第一图像中,第二待测区域位于第二图像中。第一图像为半导体器件的电路版图或者仿真图,并且第二图像为半导体器件的显影后图像(ADI)、蚀刻后图像(AEI)或抛光后(API)图像。在第一图像是仿真图像的情况下,可以通过将后续对ADI图像、AEI图像、API图像的测量结果反馈给仿真模型从而对仿真图像进行校正或者优化。在第一图像是电路版图的情况下,可以通过将后续对ADI图像、AEI图像、API图像的测量结果与版图数据进行比较,从而对电路版图进行优化。
在一些实施例中,以第一图像和第二图像为例,说明了本公开的测量方法。显然,本领域技术人员应该理解,本公开实施例的测量方法并不限于对第一图像和/或第二图像进行测量。而是可以用于任何待测对象,例如任何元器件。也就是说,无需先对待测对象成像,然后再对成像后的图像进行测量。而是可以直接对实体对象进行测量。相应地,所述网格和标尺也不限于设置于第一图像和/或第二图像上。例如,可以设置在测试仪器中,比如测试仪器的成像范围内的预定位置,只要能够在测试过程中用于确定、指示待测对象的位置即可。
从电路版图或轮廓仿真中生成标尺是一种成本低廉的方法,而电路版图或轮廓仿真与图像之间匹配的标尺对于研究和分析具有重要的价值。以此方式,能够获得最精确的对标(head-to-head)数据集,以改进OPC模型拟合、热点预测、缺陷选通(defect gating)等。
根据本公开的实施例,基于待测对象的特征生成多个网格和与多个网格相对应的多个第一标尺。确定由各个第一标尺指示的待测区域的长度。确定由第二标尺指示的待测区域的长度。基于多个网格,从多个第一标尺中选择与第二标尺相对应的第一标尺。用所选的第一标尺对应的测量值校正第二标尺对应的测量值。以此方式,能够减小或甚至避免由于各个不同阶段标尺放置的位置的不同而导致的同一待测对象的同一区域的测量结果的不一致。从而能够改进测试精度,提高测试结果的可靠性,以利于工艺过程的分析和改进。
图9示出了用于实施本公开的实施例的电子设备的示意性框图。如图9所示,电子设备900包括中央处理单元(CPU)901,其可以根据存储在只读存储器(ROM)902中的计算机程序指令或者从存储单元908加载到随机访问存储器(RAM)903中的计算机程序指令,来执行各种适当的动作和处理。在RAM 903中,还可存储有电子设备900操作所需的各种程序和数据。CPU 901、ROM 902以及RAM 903通过总线904彼此相连。输入/输出(I/O)接口907也连接至总线904。
设备900中的多个部件连接至I/O接口907,包括:输入单元906,例如键盘、鼠标等;输出单元907,例如各种类型的显示器、扬声器等;存储单元908,例如磁盘、光盘等;以及通信单元909,例如网卡、调制解调器、无线通信收发机等。通信单元909允许设备900通过诸如因特网的计算机网络和/或各种电信网络与其他设备交换信息/数据。
上文所描述的各个过程和处理,例如方法300,可以由处理单元901执行。例如,在一些实施例中,方法300可以被实现为计算机软件程序,其被有形地包含于机器可读介质,例如存储单元908。在一些实施例中,计算机程序的部分或者全部可以经由ROM 902和/或通信单元909而被载入和/或安装到设备900上。当计算机程序被加载到RAM 903并由CPU 901执行时,可以执行上文描述的方法300中的一个或多个步骤。
根据本公开的实施例的方案可以是方法、装置、系统和/或计算机程序产品。计算机程序产品可以包括计算机可读存储介质,其上载有用于执行本公开的各个方面的计算机可读程序指令。计算机可读存储介质可以是可以保持和存储由指令执行设备使用的指令的有形设备。计算机可读程序指令可以从计算机可读存储介质下载到各个计算/处理设备,或者通过网络、例如因特网、局域网、广域网和/或无线网下载到外部计算机或外部存储设备。
以上已经描述了本公开的各实施例,上述说明是示例性的,并非穷尽性的,并且也不限于所披露的各实施例。在不偏离所说明的各实施例的范围和精神的情况下,对于本技术领域的普通技术人员来说许多修改和变更都是显而易见的。本文中所用术语的选择,旨在最好地解释各实施例的原理、实际应用或对市场中的技术改进,或者使本技术领域的其它普通技术人员能理解本文披露的各实施例。

Claims (10)

1.一种测量方法,包括:
基于待测对象的特征生成多个网格和多个第一标尺,所述多个第一标尺一一对应地设置于所述多个网格中并且各自指示第一待测区域;
确定由每一个第一标尺指示的所述第一待测区域的第一长度;
确定由第二标尺指示的第二待测区域的第二长度;
基于所述多个网格,从所述多个第一标尺中确定与所述第二标尺相对应的第一标尺;以及
用由所确定的第一标尺指示的所述第一待测区域的第一长度校正所述第二长度,以获得经校正的第二长度。
2.根据权利要求1所述的测量方法,其中基于所述待测对象的特征生成所述多个网格和所述多个第一标尺包括:
基于所述待测对象的形状、尺寸、位置中的至少一项生成所述多个网格;以及
在每一个网格中设置相应的标尺,以生成多个第一标尺。
3.根据权利要求1所述的测量方法,其中,所述第一待测区域位于第一图像中,所述第一图像是所述待测对象的仿真图,并且基于所述待测对象的特征生成所述多个网格和所述多个第一标尺包括:
基于所述第一图像所呈现的仿真特征,确定所述第一图像中的待测范围;
在所述待测范围内生成所述多个网格,所述多个网格中的每个网格具有与所述第一图像的仿真精细度对应的尺度;以及
通过在所述多个网格中的每个网格中设置相应的第一标尺,以生成所述多个第一标尺。
4.根据权利要求1所述的测量方法,其中基于所述待测对象的特征生成所述多个网格和所述多个第一标尺包括:
基于所述待测对象的待测参数,确定待测范围;
在所述待测范围内生成所述多个网格;以及
通过在所述多个网格中的每个网格中设置相应的第一标尺,来生成所述多个第一标尺。
5.根据权利要求1所述的测量方法,其中确定由每一个第一标尺指示的所述第一待测区域的第一长度包括:
确定每一个第一标尺与第一图像的边缘的两个相交点,其中,所述第一待测区域位于所述第一图像中;以及
将所述两个相交点之间的距离确定为所述第一长度。
6.根据权利要求1所述的测量方法,其中用由所确定的第一标尺指示的所述第一待测区域的第一长度校正所述第二长度包括:
基于与所述待测对象的第二图像相对应的工艺阶段,执行以下至少一项操作,其中,所述第二待测区域位于所述第二图像中:
计算所述第一长度与所述第二长度的平均值,将所述平均值确定为所述经校正的第二长度;
将所述第一长度减去预定值获得修正后的第一长度,将所述修正后的第一长度与所述第二长度的平均值确定为所述经校正的第二长度;或
计算所述第二长度与所述第一长度的差值,基于所述差值,将所述第二长度乘以预定系数,以获得所述经校正的第二长度。
7.根据权利要求1所述的测量方法,进一步包括:
确定所述第一长度和所述第二长度的差值;以及
利用所述差值对第一图像进行校正,其中,所述第一待测区域位于所述第一图像中。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的测量方法,其中所述待测对象为半导体器件,所述第一待测区域位于第一图像中,所述第二待测区域位于第二图像中,所述第一图像为所述半导体器件的电路版图或者仿真图,并且所述第二图像为所述半导体器件的显影后图像、蚀刻后图像或抛光后图像。
9.一种电子设备,包括:
处理单元;
存储器,耦合至所述处理单元并且包括存储于其上的程序,所述程序在由所述处理单元执行时使所述电子设备执行根据权利要求1至8中任一项所述的方法。
10.一种计算机可读存储介质,所述计算机可读存储介质上存储有机器可执行指令,当所述机器可执行指令在被处理器执行时,使得所述处理器实现根据权利要求1至8中任一项所述的方法。
CN202011486843.9A 2020-12-16 2020-12-16 半导体制造工艺中的图案量测方法、电子设备和存储介质 Active CN112556653B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011486843.9A CN112556653B (zh) 2020-12-16 2020-12-16 半导体制造工艺中的图案量测方法、电子设备和存储介质

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011486843.9A CN112556653B (zh) 2020-12-16 2020-12-16 半导体制造工艺中的图案量测方法、电子设备和存储介质

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN112556653A true CN112556653A (zh) 2021-03-26
CN112556653B CN112556653B (zh) 2022-07-26

Family

ID=75064858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011486843.9A Active CN112556653B (zh) 2020-12-16 2020-12-16 半导体制造工艺中的图案量测方法、电子设备和存储介质

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN112556653B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080010033A1 (en) * 2006-07-05 2008-01-10 Michael Ian Gitter Measurement correction device and method
JP2016008903A (ja) * 2014-06-25 2016-01-18 日本電波株式会社 ディジタルスケールの表示制御装置
US20170257557A1 (en) * 2016-03-02 2017-09-07 Qualcomm Incorporated Irregular-region based automatic image correction
CN108695184A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 Imec 非营利协会 用于半导体制造工艺的度量方法
CN109148433A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 睿励科学仪器(上海)有限公司 用于确定集成电路器件的尺寸的方法和设备
CN109443480A (zh) * 2018-11-02 2019-03-08 南京邮电大学 基于图像处理的水位标尺定位及水位测量方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080010033A1 (en) * 2006-07-05 2008-01-10 Michael Ian Gitter Measurement correction device and method
JP2016008903A (ja) * 2014-06-25 2016-01-18 日本電波株式会社 ディジタルスケールの表示制御装置
US20170257557A1 (en) * 2016-03-02 2017-09-07 Qualcomm Incorporated Irregular-region based automatic image correction
CN108695184A (zh) * 2017-03-31 2018-10-23 Imec 非营利协会 用于半导体制造工艺的度量方法
CN109148433A (zh) * 2017-06-16 2019-01-04 睿励科学仪器(上海)有限公司 用于确定集成电路器件的尺寸的方法和设备
CN109443480A (zh) * 2018-11-02 2019-03-08 南京邮电大学 基于图像处理的水位标尺定位及水位测量方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112556653B (zh) 2022-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6215330B2 (ja) 位置ずれ対象の不正確性を概算および補正するための方法
KR20200014938A (ko) 반도체 제조 프로세스에서 딥 러닝을 사용하여 결함 및 임계 치수를 예측하기 위한 시스템 및 방법
WO2012117997A1 (ja) 画像処理装置、及び画像処理を行うためのコンピュータープログラム
JP2010034402A (ja) パターン形状予測方法
CN112082491A (zh) 基于点云的高度检测方法
JP4476733B2 (ja) パターン評価方法、プログラムおよびパターン評価装置
CN100377304C (zh) 改善晶圆图案化结构临界尺寸均匀性方法及用于光刻系统
CN1695040B (zh) 用于计量仪器的评估和优化方法
CN116165847A (zh) 自动测量方法
US20150213172A1 (en) Method for measuring and analyzing surface structure of chip or wafer
CN113990770B (zh) 一种晶圆检测方法及检测装置
CN103376644B (zh) 一种掩模图形修正方法
TW202211075A (zh) 校正在精簡模型中的隨機訊號
JP4778685B2 (ja) 半導体デバイスのパターン形状評価方法及びその装置
CN112099309A (zh) 光学邻近修正模型的校正方法
CN112556653B (zh) 半导体制造工艺中的图案量测方法、电子设备和存储介质
TW201632998A (zh) 資料修正裝置、描繪裝置、檢查裝置、資料修正方法、描繪方法、檢查方法及記錄媒體
Gąska et al. Analysis of changes in coordinate measuring machines accuracy made by different nodes density in geometrical errors correction matrix
US20120192125A1 (en) Correcting and Optimizing Contours for Optical Proximity Correction Modeling
US20100021040A1 (en) Pattern evaluation apparatus and pattern evaluation method
CN105717740A (zh) 一种基于meef的opc验证方法
CN115047722A (zh) 线宽的测量方法
US10303839B2 (en) Electrically relevant placement of metrology targets using design analysis
US20040191648A1 (en) Method of testing mask pattern and program for doing the same
JP2015220379A (ja) 集積回路デバイスの潜在不良検査装置、方法およびプログラム

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant