CN112510057A - 芯片结构、摄像组件和电子设备 - Google Patents

芯片结构、摄像组件和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN112510057A
CN112510057A CN202011380432.1A CN202011380432A CN112510057A CN 112510057 A CN112510057 A CN 112510057A CN 202011380432 A CN202011380432 A CN 202011380432A CN 112510057 A CN112510057 A CN 112510057A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
substrate
pixel
sub
chip structure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202011380432.1A
Other languages
English (en)
Inventor
杨子东
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Vivo Mobile Communication Co Ltd
Original Assignee
Vivo Mobile Communication Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Vivo Mobile Communication Co Ltd filed Critical Vivo Mobile Communication Co Ltd
Priority to CN202011380432.1A priority Critical patent/CN112510057A/zh
Publication of CN112510057A publication Critical patent/CN112510057A/zh
Priority to PCT/CN2021/132366 priority patent/WO2022111459A1/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)

Abstract

本申请公开了一种芯片结构、摄像组件和电子设备，属于终端技术领域，芯片结构包括：基片，所述基片上具有呈阵列分布的像素单元，每个所述像素单元中具有子像素，每个所述子像素中具有至少两个谐振结构，每个所述谐振结构中具有谐振腔，每个所述子像素中的至少两个所述谐振结构沿所述基片的厚度方向间隔开设置。在本申请的芯片结构中，在每个所述子像素中具有至少两个谐振结构，每个所述谐振结构中具有谐振腔，通过多级谐振腔可以实现窄波段滤光功能，使得透过的光线波段高度集中，使得特定波段的光透过，颜色精度高，从而能够获取高精度的颜色信息，提高摄像效果。

Description

芯片结构、摄像组件和电子设备
技术领域
本申请属于终端技术领域，具体涉及一种芯片结构、摄像组件和电子设备。
背景技术
用户对移动智能终端体验的要求越来越高，摄像头的要求越来越高，摄像头所具备的功能也越来越丰富。常规摄像头芯片中，每种像素点让一种光通过，但通带较宽，颜色不够纯粹，最终还原被摄物体的颜色不够精准，不易获取高精度颜色信息，摄像效果不好。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种芯片结构、摄像组件和电子设备，用以解决现有摄像头芯片中的通带较宽，不易获取高精度颜色信息，摄像效果不好的问题。
为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
本申请实施例提供了一种芯片结构，包括：
基片，所述基片上具有呈阵列分布的像素单元，每个所述像素单元中具有子像素，每个所述子像素中具有至少两个谐振结构，每个所述谐振结构中具有谐振腔，每个所述子像素中的至少两个所述谐振结构沿所述基片的厚度方向间隔开设置。
其中，每个所述谐振腔在所述基片的厚度方向上的长度可调节。
其中，每个所述像素单元中包括至少两个所述子像素，且每个所述像素单元中的所述子像素中的谐振结构所过滤的光线的波长不同。
其中，所述谐振腔中填充有透光填充物，所述透光填充物在所述基片的厚度方向上的长度和/或所述透光填充物的折射率可调节。
其中，所述透光填充物包括电致伸缩聚合物和/或电光效应聚合物。
其中，所述谐振结构包括：
透光基板；
透光导电层，所述透光基板和所述透光导电层平行间隔开设置，所述透光基板的靠近所述透光导电层的一侧表面设有第一反射层，所述透光导电层的靠近所述透光基板的一侧表面设有第二反射层，所述第一反射层与所述第二反射层间隔开形成所述谐振腔。
其中，所述芯片结构还包括：
聚光结构，所述聚光结构设置于所述基片朝向所述像素单元的一侧。
其中，所述芯片结构还包括：
感光元件，每个所述子像素中分别具有所述感光元件，每个所述子像素中的至少两个所述谐振结构位于所述聚光结构与所述感光元件之间。
其中，所述芯片结构还包括：
走线层，所述感光元件分别与所述走线层电连接。
本申请实施例还提供一种摄像组件，包括如上述实施例中所述的芯片结构。
本申请实施例还提供一种电子设备，包括如上述实施例中所述的摄像组件。
根据本申请实施例的芯片结构，包括：基片，所述基片上具有呈阵列分布的像素单元，每个所述像素单元中具有子像素，每个所述子像素中具有至少两个谐振结构，每个所述谐振结构中具有谐振腔，每个所述子像素中的至少两个所述谐振结构沿所述基片的厚度方向间隔开设置。在本申请的芯片结构中，在每个所述子像素中具有至少两个谐振结构，每个所述谐振结构中具有谐振腔，通过多级谐振腔可以实现窄波段滤光功能，使得透过的光线波段高度集中，使得特定波段的光透过，颜色精度高，从而能够获取高精度的颜色信息，提高摄像效果。
附图说明
图1是本申请实施例中芯片结构的一个结构示意图；
图2是本申请实施例中谐振结构的一个结构示意图；
图3是本申请实施例中谐振结构的另一个结构示意图；
图4是本申请实施例中谐振结构的又一个结构示意图；
图5是不同波段光线的获取的图像形成融合图的一个示意图；
图6是传统的像素基色排列的一个示意图；
图7是本申请中芯片结构中的像素基色排列的一个示意图；
图8是常规摄像头芯片的滤光图谱；
图9是本申请中芯片结构的滤光图谱；
图10是光线在两基板之间的多束干涉原理图；
图11是法布里-珀罗腔体的分光特性示意图；
图12是本申请中芯片结构滤波过程的一个示意图。
附图标记
基片10；
谐振腔20；
透光基板30；
透光导电层40；第一反射层41；第二反射层42；
聚光结构50；
感光元件60；
走线层70；
第一透光基板81；第三反射层82；第二透光基板83；第四反射层84。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一，字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
下面结合附图1至图12，通过具体的实施例及其应用场景对本申请实施例提供的芯片结构进行详细地说明。
如图1所示，根据本申请实施例的芯片结构，包括基片10，基片10上具有呈阵列分布的像素单元，每个像素单元中具有子像素，每个子像素中具有至少两个谐振结构，每个谐振结构中具有谐振腔20，每个子像素中的至少两个谐振结构沿基片10的厚度方向间隔开设置。其中，基片10可以为透光基片，每个像素单元中可以具有一个或至少两个子像素，比如，每个像素单元中可以具有三个或四个子像素。每个像素单元中的至少两个子像素可以间隔开分布，比如，每个像素单元中具有四个子像素，四个子像素可以呈阵列分布。每个子像素中可以具有至少两个谐振结构，比如，每个子像素中具有两个谐振结构，每个谐振结构中具有一个谐振腔20，每个子像素中的两个谐振结构沿基片10的厚度方向间隔开设置，通过每个子像素中的至少两个谐振结构中的谐振腔20能够过滤不需要的光线，使得较窄波段的光线透过。在本申请的芯片结构中，在每个所述子像素中具有至少两个谐振结构，每个所述谐振结构中具有谐振腔20，通过多级谐振腔20可以实现较窄波段的滤光功能，使得透过的光线波段高度集中，使得特定波段的光透过，颜色精度高，从而能够获取高精度的颜色信息，提高摄像效果。
在一些实施例中，每个谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度可调节，通过调节每个谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度调节可以通过谐振腔20的光线的波长，每个谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度可以单独调节，可以根据需要过滤的光线的波长调节谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度，使得特定波段的光透过，颜色精度高。和常规摄像头每个像素点只能捕获R-G-B(表示红色光-绿色光-蓝色光)其中一种光不同，本申请中芯片结构的每个像素单元均可通过调节谐振腔20针对捕捉全频谱内某单一波段的光，比如通过调节至少两个谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度来改变要捕获的光波段(比如可见光、红外光和紫外光)。
在实际应用过程中，根据平行基板对光束干涉原理制成可以滤光的干涉滤光结构。如图4所示，芯片结构可以由两个平行间隔开的第一透光基板81和第二透光基板83构成，第一透光基板81和第二透光基板83为玻璃或石英板，第一透光基板81和第二透光基板83上相对的表面分别具有导电电路或导电层，在第一透光基板81上与第二透光基板83相对的一侧设置第三反射层82，在第二透光基板83上与第一透光基板81相对的一侧设置第四反射层84，进而限定出谐振腔20，第三反射层82和第四反射层84可以透光，可以对谐振腔20中的光线进行反射。在谐振腔20中可以填充介质材料，填充的介质材料在厚度方向上的长度以及介质材料的折射率可以调节，比如电致伸缩聚合物。多光束干涉原理可以如图10所示，谐振腔20在基板的厚度方向上的长度可以为h，光线以角度θ0从折射率为n0的介质入射至折射率为n的介质，部分光线发生反射(如光线1)，入射至折射率为n的介质中的光线的折射角为θ2，进入折射率为n的介质中的光线出射后进入折射率为n0的介质，整个过程中的反射光束2、反射光束3、反射光束4和透射光束1′、透射光束2′、透射光束3′的光强比较接近，因此可以产生多束干涉现象。
其中，谐振腔20可以为法布里-珀罗腔体，法布里-珀罗腔体的分光特性如图11所示，存在数个波峰。谐振腔20在外加电压的作用下，谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度或者谐振腔20内的介质折射率发生变化，使得谐振腔20的透射峰的波长发生移动。每个像素单元的两个谐振腔均可以和显示屏电气连接，在外加电压的作用下，谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度或谐振腔20内的介质折射率发生变化，使得每个谐振腔20的透射峰的波长发生移动，通过控制电压可以分别控制每个谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度或谐振腔20内的介质折射率，从而使得两个谐振腔的透射峰波长发生移动。
通过设计参数使得两个谐振腔20有一个透射峰的波长位置是相同的，而其他的透射率波峰均不同，则只有和此峰值相同的光波可以通过，其它波长的光波无法通过。通过电压调节可以使各个谐振腔20的透射峰发生相同移动，就可以使系统的透射波长发生移动，实现可调谐滤光，透过率的滤波过程如图12所示。
在本申请的实施例中，每个像素单元中包括至少两个子像素，比如，每个像素单元中包括三个或四个子像素，且每个像素单元中的子像素中的谐振结构所过滤的光线的波长不同，比如，每个像素单元中的子像素中的谐振结构所过滤的光线为红光、蓝光和绿光，获得的光线的颜色纯正，精确度高。
在本申请的实施例中，谐振腔20中可以填充有透光填充物，透光填充物在基片10的厚度方向上的长度和/或透光填充物的折射率可调节，通过调节透光填充物在基片10的厚度方向上的长度和/或透光填充物的折射率可以调节谐振腔20能够过滤的光线的波长。
可选地，透光填充物可以包括电致伸缩聚合物和/或电光效应聚合物，电致伸缩聚合物在通电情况下可以沿着一定的方向伸缩，比如沿着基片10的厚度方向伸缩，从而可以调节谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度，进而调节谐振腔20能够过滤的光线的波长。
在本申请的实施例中，如图3所示，谐振结构可以包括透光基板30和透光导电层40，透光基板30可以为表面具有导电电路的平板玻璃，平板玻璃的朝向透光导电层40的一侧表面可以设有导电电路，透光导电层40可以设置在玻璃板上，透光基板30和透光导电层40平行间隔开设置，透光基板30的靠近透光导电层40的一侧表面设有第一反射层41，透光导电层40的靠近透光基板30的一侧表面设有第二反射层42，第一反射层41与第二反射层42间隔开形成谐振腔20，第一反射层41与第二反射层42在谐振腔20内起到反射光线的作用。其中，透光基板30和透光导电层40中的至少一个可以沿着基板10的厚度方向移动，通过透光基板30和透光导电层40中的至少一个沿着基板10的厚度方向移动可以调节透光基板30和透光导电层40之间的间距，实现调节谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度。在谐振腔20中可以填充电致伸缩聚合物，在通电情况下，电致伸缩聚合物可以发生伸缩，通过电致伸缩聚合物的伸缩来带动透光基板30和透光导电层40中的至少一个沿着基板10的厚度方向移动，进而调节谐振腔20在基片10的厚度方向上的长度。
在一些实施例中，如图1所示，芯片结构还可以包括聚光结构50，聚光结构50设置于基片10朝向像素单元的一侧，光线通过聚光结构50聚光后投射向像素单元中的谐振腔20，进而通过谐振腔20对不需要的光线进行过滤。聚光结构50可以为微镜头，可以位于基片的最上方，聚光结构50可以起到聚集光线，增加进光量的作用。
在另一些实施例中，如图1所示，芯片结构还可以包括感光元件60，比如感光元件60可以为光电二极管，每个子像素中分别具有感光元件60，每个子像素中的至少两个谐振结构位于聚光结构50与感光元件60之间，经过谐振腔20过滤的光线可以通过感光元件60接收，感光元件60将接收到的光信号(比如光强)转变为电信号。
可选地，如图1所示，芯片结构还可以包括走线层70，感光元件60分别与走线层70电连接，走线层70可以设置芯片的电路，通过走线层70可以将感光元件60的信号传输中处理模块，通过处理模块对信号进行处理得到所需要的图像。
在本申请的实施例中，比如，如图1和图2所示，每个子像素中具有两个谐振结构，每个谐振结构中具有一个谐振腔20，位于上方的谐振结构具有的谐振腔20为一级谐振腔，位于下方的谐振结构具有的谐振腔20为二级谐振腔，每个子像素中的两个谐振结构沿基片10的厚度方向间隔开设置，每个像素单元上的多级谐振腔均可单独调节。
其中，一级谐振腔置于二级谐振腔上方，通过控制两基板的距离可以实现不同波段的透过；二级谐振腔置于一级谐振腔的下方，通过控制两基板的距离实现不同波段的透过。光的波段和光的颜色具有对应关系，不同波段的光即为不同颜色，被摄物体发出的光线经像素单元谐振腔过滤后成为单一波段光，即为单一颜色光，摄像头像素单元通过调节电压使两个谐振腔在基片10的厚度方向上的长度(A和a)变化，从而使得经过一级谐振腔和二级谐振腔共同作用后透过的光线波段能够调整，使得被摄物体中发出光线的颜色所对应波段的光线通过，其他波段的光线被滤除，所以通过控制每个像素单元的一级谐振腔和二级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度，可以实现获取不同的颜色，从而实现高精度颜色的显示。
比如，当某像素单元要用作同常规摄像头芯片红色像素时，通过电压调节像素单元i的一级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度A，使其为A1，同时调节二级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度a，使其为a1，使仅有红色光能通过；当要用作同常规摄像头芯片绿色像素时，通过电压调节像素单元i的一级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度A，使其为A2，同时调节二级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度a，使其为a2，使仅有绿色光能通过；当要用作同常规摄像头芯片蓝色像素时，通过电压调节像素单元i的一级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度A，使其为A3，同时调节二级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度a，使其为a3，使仅有蓝色光能通过；依此类推，要接收不同颜色光时，调节一级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度A和二级谐振腔在基片10的厚度方向上的长度a，使对应颜色(波段)的光通过，其他颜色(波段)光被滤除，从而获取高精度的颜色信息，有利于提高拍摄的图像质量。
在应用过程中，被摄物体反射光线不仅仅包含可见光，也有可见光以外的光线，例如红外、紫外光等，这些光线包含了物质所独有的信息，通过分析这些信息可以对物质进行识别。在拍照时，可以通过调节二级谐振腔，使得不同波段光线可以被芯片采集成像，如图5所示，在对应不同波段光时各拍摄一张图像(比如，图像P1、P2、P3、P4和P5)，最后通过算法融合，得到一张融合图，可以实现例如物质识别的特殊功能。
通过本申请中的芯片结构可实现更多种颜色作为基色还原被摄颜色。如图6所示，传统方案颜色基于R-G-B三基色，以还原被摄物体颜色；如图7所示，本申请可以实现更丰富颜色做基色，比如，R(R1、R2、R3、R4)-G(G1、G2、G3、G4)-B(B1、B2、B3、B4)，可以更精确地还原被摄物体的颜色。
本申请中的芯片结构可实现被摄物体颜色精准还原，通过调节本申请中芯片结构的各像素单元的二级谐振腔，可以实现滤光功能，本申请滤波图谱如图9所示；常规摄像头芯片的滤光图谱如图8所示，其中，曲线R表示红色光，曲线G表示绿色光，曲线B表示蓝色光，由图8可见，传统滤光芯片可通过的光波段不够集中，R-G-B三种颜色不够纯粹；对比图8和图9可知，本申请中R-G-B三种颜色光波段高度集中，在颜色滤波精度远优于传统滤光方案，可接收精准的R-G-B三种颜色光，以精准还原被色物体颜色。
本申请实施例提供一种摄像组件，包括如上述实施例中所述的芯片结构。具有上述实施例中芯片结构的摄像组件能够精确地获取被拍摄物体的颜色信息，提高拍摄效果。
本申请实施例提供一种电子设备，包括如上述实施例中所述的摄像组件。具有上述实施例中摄像组件的电子设备拍摄效果好，图像质量高，提高用户的拍摄体验。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。

Claims (11)

1.一种芯片结构，其特征在于，包括：
基片，所述基片上具有呈阵列分布的像素单元，每个所述像素单元中具有子像素，每个所述子像素中具有至少两个谐振结构，每个所述谐振结构中具有谐振腔，每个所述子像素中的至少两个所述谐振结构沿所述基片的厚度方向间隔开设置。
2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，每个所述谐振腔在所述基片的厚度方向上的长度可调节。
3.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，每个所述像素单元中包括至少两个所述子像素，且每个所述像素单元中的所述子像素中的谐振结构所过滤的光线的波长不同。
4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述谐振腔中填充有透光填充物，所述透光填充物在所述基片的厚度方向上的长度和/或所述透光填充物的折射率可调节。
5.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述透光填充物包括电致伸缩聚合物和/或电光效应聚合物。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的芯片结构，其特征在于，所述谐振结构包括：
透光基板；
透光导电层，所述透光基板和所述透光导电层平行间隔开设置，所述透光基板的靠近所述透光导电层的一侧表面设有第一反射层，所述透光导电层的靠近所述透光基板的一侧表面设有第二反射层，所述第一反射层与所述第二反射层间隔开形成所述谐振腔。
7.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，还包括：
聚光结构，所述聚光结构设置于所述基片朝向所述像素单元的一侧。
8.根据权利要求7所述的芯片结构，其特征在于，还包括：
感光元件，每个所述子像素中分别具有所述感光元件，每个所述子像素中的至少两个所述谐振结构位于所述聚光结构与所述感光元件之间。
9.根据权利要求8所述的芯片结构，其特征在于，还包括：
走线层，所述感光元件分别与所述走线层电连接。
10.一种摄像组件，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的芯片结构。
11.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求10中所述的摄像组件。
CN202011380432.1A 2020-11-30 2020-11-30 芯片结构、摄像组件和电子设备 Pending CN112510057A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011380432.1A CN112510057A (zh) 2020-11-30 2020-11-30 芯片结构、摄像组件和电子设备
PCT/CN2021/132366 WO2022111459A1 (zh) 2020-11-30 2021-11-23 芯片结构、摄像组件和电子设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202011380432.1A CN112510057A (zh) 2020-11-30 2020-11-30 芯片结构、摄像组件和电子设备

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112510057A true CN112510057A (zh) 2021-03-16

Family

ID=74968336

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011380432.1A Pending CN112510057A (zh) 2020-11-30 2020-11-30 芯片结构、摄像组件和电子设备

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN112510057A (zh)
WO (1) WO2022111459A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022111459A1 (zh) * 2020-11-30 2022-06-02 维沃移动通信有限公司 芯片结构、摄像组件和电子设备

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218422A (en) * 1989-08-03 1993-06-08 Hartmann & Braun Interferometric analyzer for multiple substance detection
US5585847A (en) * 1992-12-23 1996-12-17 Loral Fairchild Corporation Electronic color imaging technique and structure using a very high resolution monochrome full-frame CCD imager
US20040013356A1 (en) * 2002-07-22 2004-01-22 Jen-Chih Wang Tunable filter applied in optical networks
CN101533159A (zh) * 2009-04-09 2009-09-16 浙江大学 三级法布里-珀罗腔型可调谐滤光片系统
CN105895659A (zh) * 2015-02-17 2016-08-24 三星显示有限公司 显示装置及使用该显示装置的电气装置
US20170059754A1 (en) * 2014-05-06 2017-03-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Optical filtering device including fabry-perot cavities comprising a structured layer and having different thicknesses
CN107579147A (zh) * 2017-09-14 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示装置的操作方法
US20180102390A1 (en) * 2016-10-07 2018-04-12 Trutag Technologies, Inc. Integrated imaging sensor with tunable fabry-perot interferometer

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8299554B2 (en) * 2009-08-31 2012-10-30 International Business Machines Corporation Image sensor, method and design structure including non-planar reflector
CN104280899B (zh) * 2014-10-27 2016-11-23 山东大学 基于微环谐振腔的硅基热光调制器
CN112510057A (zh) * 2020-11-30 2021-03-16 维沃移动通信有限公司 芯片结构、摄像组件和电子设备

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5218422A (en) * 1989-08-03 1993-06-08 Hartmann & Braun Interferometric analyzer for multiple substance detection
US5585847A (en) * 1992-12-23 1996-12-17 Loral Fairchild Corporation Electronic color imaging technique and structure using a very high resolution monochrome full-frame CCD imager
US20040013356A1 (en) * 2002-07-22 2004-01-22 Jen-Chih Wang Tunable filter applied in optical networks
CN101533159A (zh) * 2009-04-09 2009-09-16 浙江大学 三级法布里-珀罗腔型可调谐滤光片系统
US20170059754A1 (en) * 2014-05-06 2017-03-02 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Optical filtering device including fabry-perot cavities comprising a structured layer and having different thicknesses
CN105895659A (zh) * 2015-02-17 2016-08-24 三星显示有限公司 显示装置及使用该显示装置的电气装置
US20180102390A1 (en) * 2016-10-07 2018-04-12 Trutag Technologies, Inc. Integrated imaging sensor with tunable fabry-perot interferometer
CN107579147A (zh) * 2017-09-14 2018-01-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置及显示装置的操作方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
邱昆: "光纤通信导论", 电子科技大学出版社, pages: 158 - 159 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022111459A1 (zh) * 2020-11-30 2022-06-02 维沃移动通信有限公司 芯片结构、摄像组件和电子设备

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022111459A1 (zh) 2022-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102714738B (zh) 固体摄像元件和摄像装置
JP3580826B2 (ja) 出射効率制御素子、投射型ディスプレイ装置、赤外線センサおよび非接触温度計
US20040032523A1 (en) CMOS image sensor using gradient index chip scale lenses
WO2001077745A1 (en) A color separation optical plate for use with display and sensor panels
US20070053037A1 (en) Image sensor and method for fabricating the same
CN102484723B (zh) 固体摄像元件、摄像装置以及信号处理方法
WO2005081020A1 (ja) 光学機器およびビームスプリッター
CN211481355U (zh) 一种多光谱传感结构、传感器及相机
WO2008085385A2 (en) Plasmonic fabry-perot filter
CN107561684B (zh) 滤光片、镜头模组和成像模组
EP0824829A1 (en) Projection device
CN105319703A (zh) 分光图像拍摄装置、分光图像拍摄方法
KR20210020469A (ko) 분광 카메라
US8199231B2 (en) Image pickup element unit with an image pickup element on a substrate for picking up an image and an optical low pass filter spaced from the image pickup element
US20230170363A1 (en) Optical filter array, mobile terminal, and device
KR940002287B1 (ko) 액정 투사형 칼라표시장치
CN111739900A (zh) 图像传感器、图像感光的方法、芯片及电子设备
CN112510057A (zh) 芯片结构、摄像组件和电子设备
CN114927536A (zh) 多光谱成像芯片、组件、制备方法及移动终端
CN103503144B (zh) 固体摄像装置
KR20220061175A (ko) 분광소자 어레이, 촬상소자 및 촬상장치
EP4037299A1 (en) Image capture element and image capture device
CN114666469B (zh) 图像处理装置、方法及具有该图像处理装置的镜头模组
CN113759636B (zh) 滤光组件、摄像模组和电子设备
CN115000107A (zh) 多光谱成像芯片、多光谱成像组件、制备方法及移动终端

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20210316