CN1123062C - 多层静电吸盘装置及制造陶瓷静电吸盘装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有静电吸持电极的陶瓷静电吸盘装置，适用于吸持晶片和平板显示器。该吸盘装置包括上部绝缘层、吸持电极、第2绝缘层、用于将电源分配给一个吸持电极的第1金属化层、第3绝缘层、用于将电源分配给另一吸持电极的第2金属化层、第3绝缘层、内外加热电极、第5绝缘层、用于将电源分配给加热电极的第3金属化层、及至少一个附加绝缘层。这些绝缘层包括多组用于将电极和金属化层相互连接的导电连通线。

Description

多层静电吸盘装置及制造陶瓷静电吸盘装置的方法
本发明涉及可在半导体器件和平板显示器的制造中使用的静电吸盘装置。
在下列专利中公开了用于吸持象半导体片之类的基片的各种型式的静电吸盘装置，即美国专利No.3993509、NO.4184188、No.4384918、No.4431473、No.4554611、No.4502094、No.4645218、No.4665463、No.4692836、No.4724510、No.4842683、No.4897171、No.4962441、No.5055964、No.5103367、No.5110438、No.5117121、No.5160152、No.5179498、No.5326725、及No.5350479以及英国专利No.1443215。
在美国专利No.5151845及NO.5191506中公开了一种利用陶瓷材料的多层静电吸盘装置。No.5151845专利公开的结构包括氧化铝、氮化硅、氮化铝、碳化硅等等的基板、及在其底面印制有银/钯电极膜图案的掺杂钛氧化铝的第1层和第2层，对该电极分别有选择地供给电压，从而以静电方式吸持晶片。NO.5191506专利公开的结构包括0.05mm厚的上部陶瓷层、在陶瓷层上的宽0.75mm并以0.25mm间隙分隔的带形线导电静电图案、陶瓷支承层及Kovar铁镍钴合金(29Ni/17Co/53Fe)的水冷式金属散热基底。
静电吸盘装置已在淀积、刻蚀、抛光等工艺过程中用于晶片的输送和支承。例如，这类吸盘装置已在等离子反应室中用于吸持晶片。然而，根据在晶片上进行的工艺处理的形式，吸盘装置可能会受到等离子体的腐蚀作用和/或经受对该吸盘装置可能造成有害影响的温度周期变化。
在工艺技术中已知内部装有加热器的基片保持器。例如，美国专利No.4983 254中公开的一种包括加热器的晶片支承层。在No.4983 254专利中没有公开以静电方式吸持晶片的任何结构。
提供以不同频率供给射频的电极及与直流电流和RF源连接的电极，在技术上是熟知的。例如，美国专利No.4579618公开的一种用作工件保持器并与低频电源和高频电源连接的底部电极，两种电源均通过耦合网络联接于电极，目的是通过阻抗匹配使RF传输最佳化。美国专利No.4464233公开的支承工件用的底部电极，通过匹配网络与低频AC电源连接，用于在等离子体室内建立低频电场，该底部电极还被联接于一DC电源，以便能与压力或功率无关地改变由等离子体引起的DC偏压值。
本发明提供一种多层静电吸盘装置，包括：电绝缘陶瓷材料的第1绝缘层；电绝缘陶瓷材料的第2绝缘层；位于第1和第2绝缘层之间的静电吸持电极，该吸持电极包括导电材料的第1和第2带形线；电绝缘陶瓷材料的第3绝缘层；及位于第2和第3绝缘层之间的加热电极，所述加热电极包括离散的内、外加热电极，分别供有电源以提供不同的加热作用。
本发明还提供一种制造陶瓷静电吸盘装置的方法，包括以下步骤：在第1绝缘层的上侧提供第1金属化层，该第1绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，并具有在其内部延伸通过的第1和第2组导电连通线，该第1金属化层包括导电材料的第1和第2带形线的静电吸持电极图案；在第2绝缘层的上侧提供第2金属化层，该第2绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，并具有在其内部延伸通过的第3组导电连通线，该第2金属化层包括导电材料的配电电极图案；将第2绝缘层组装在第1绝缘层底侧；将第1和第2绝缘层共同烧结，并形成带有与第1带形线电接触的第1和第3组连通线及与第2带形线电接触的第2组连通线的烧结体，所述连通线设置为将高电功率密度提供到第1和第2带形线，同时最小化吸盘的发热；在第2绝缘层的底侧形成电绝缘陶瓷材料的第3绝缘层；及在第2和第3绝缘层之间形成加热电极，所述加热电极包括离散的内、外加热电极，分别供有电源以提供不同的加热作用。
本发明还提供一种制造陶瓷静电吸盘装置的方法，它包括以下步骤：提供在其上侧具有导电材料的第1和第2带形线的静电吸持电极图案的第1绝缘层，该第1绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料并具有在其内部延伸通过的第1和第2组导电连通线，第1组电连通线与第1带形线电接触，而第2组电连通线与第2带形线电接触；在第2绝缘层的上侧提供第1金属化层，该第2绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，并具有在其内部延伸通过的第3组导电连通线，该第1金属化层包括导电材料的配电电极图案；将第2绝缘层组装在第1绝缘层底侧；及将第1和第2绝缘层共同烧结，并形成带有彼此电接触的第1和第3组连通线的烧结体，所述连通线设置为将高电功率密度提供到第1和第2带形线，同时最小化吸盘的发热；在第2绝缘层的底侧形成电绝缘陶瓷材料的第3绝缘层；及在第2和第3绝缘层之间形成加热电极，所述加热电极包括离散的内、外加热电极，分别供有电源以提供不同的加热作用。
图1示出本发明的吸盘的分解图。
图2示出图1所示各层的组合件。
图3示出本发明的另一种吸盘的顶视图。
图4示出图3所示吸盘的侧视图。
图5-10示出图3-4所示吸盘的各层的详图。
图11示出适用于本发明的加热电极的电极图案。
本发明提供一种在其性能、成本和/或结构的简易性上优于现有的吸盘装置的多层静电吸持和/或输送装置。
按照本发明的静电吸盘，可在例如CVD、PVD或刻蚀反应器等加工过程中用于半导体片或充气基片(即平板显示器)的输送、保持和/或温度控制。该吸盘可在加工过程中和/或输送过程中用来保持该晶片或平板显示器基片。作为任选规格，该吸盘还可以包括在等离子体辅助淀积中对基片施加高RF偏压的能力。按照本发明的一个最佳实施例，吸盘含有象氧化铝、氮化铝之类的陶瓷材料。另外，吸盘还可装有夹在层间的加热器，利用它可将晶片预热到恒定温度并在其加工过程中保持在该恒定温度上。
按照本发明的一个方面，在吸盘中含有与高熔点金属(如钨等金属)共同烧结的扁平状氧化铝层。这种技术与在陶瓷层中夹有多重金属层的方式相比，在设计吸盘时可提供相当大的宽容度。例如，吸盘可以包括用于吸持并提供RF的带或不带夹在陶瓷材料中的附加加热器的电极。本发明的吸盘可使RF偏压高达10瓦/cm2。此外，由于使用陶瓷层，可避免采用如阳极化处理或火焰喷敷法等方法时所产生的多孔性。这种多孔性是有害的，因为多孔性的存在将导致在吸持时需要高的电压。
按照本发明的吸盘，可在例如CVD、PVD等加工过程中用于处理硅片。采用本发明的吸盘，在施加1500V电压时可获得30乇的吸持压。此外，可在吸盘与硅片底面之间的氦漏失小于1sccm的情况下得到这样的吸持力。并且，按照本发明的吸盘，能使上绝缘层厚到可以在硅片与吸盘之间具有供氦传热介质用的槽形结构，并根据在使用本吸盘的反应室内进行的具体加工过程使其表面光洁度达到最佳程度。
本发明的吸盘尤其适用于吸持平板显示器。这类显示器一般都是玻璃的。本吸盘以5乇的吸持压吸持这种玻璃基片，并施加2000V的电压。
按照本发明的吸盘，利用多层陶瓷材料，其中，可在相邻陶瓷层之间提供金属化层。采用这种结构，可在一组的陶瓷层之间提供加热电极，而在不同组的陶瓷层之间提供吸持电极。另外，因吸盘具有陶瓷材料，所以可将吸盘暴露于氧化等离子体而不会对其造成损坏。在进行淀积的反应室中使用吸盘的情况下，淀积的附产物可对吸盘进行擦洗而不会对其造成损坏。
按照本发明的吸盘装置，可在相邻的陶瓷层之间装有一个或多个加热电极，或配置在不同组的陶瓷层之间。在进行淀积的反应室中使用吸盘的情况下，可向各加热器分别供给电源，以提供不同的加热作用。例如，如果一个加热器位于吸盘的中心部位而另一个加热器位于吸盘的周边部位，则对加热器的供电可以按这样的方式进行，即补偿等离子体的不均匀性和/或边缘效应。在金属刻蚀的应用场合，加热器也可以在晶片输送过程中用来提供温度控制。
吸盘可按各种方式制造。例如，具有高熔点金属吸持电极/RF电极/加热电极的所有陶瓷层，可在一起同时烧结。另一方面，吸盘装置也可按这样的步骤制造，即可以将带或不带吸持电极/RF电极/加热电极金属层的各种陶瓷层烧结，以形成最后的吸盘的各部分。例如，可将带或不带RF电极/加热电极的所有陶瓷层烧结，以形成不包括静电吸持电极层的吸盘。可对该组件进行研磨使其平整，然后再加上吸持电极。接着，可在加上该吸持电极后在该电极上再加上如掺杂氧化铝、纯氧化铝、单晶蓝宝石等上部绝缘层。该陶瓷吸盘可支承在散热基底上。例如，该基底可以是象氧化铝、不锈钢、钼、氮化铝之类的非磁性材料。
图1示出本发明一实施例的吸盘1的分解图。该吸盘包括：上部绝缘层2、包含相互交叉的第1和第2吸持电极的金属化层3、绝缘层4、用于将电源分配给吸持电极之一的金属化层5、绝缘层6、用于将电源分配给另一吸持电极的金属化层7、绝缘层8、包含内外加热电极的金属化层9、绝缘层10、用于将电源分配给加热电极的金属化层11、绝缘层12及绝缘层13。此外，在绝缘层4上备有连通线14，在绝缘层6上备有连通线15，在绝缘层8上备有连通线16，在绝缘层10上备有连通线17，在绝缘层12上备有连通线18，在绝缘层13上备有连通线19。可以备有通过整个组件的一个或多个孔20，使顶起销和/或温度探头、和/或氦等传热流体能够与支承在绝缘层2上的基片底面接触。
金属化层11将电源分配给内加热电极9a和外加热电极9b。具体地说，导体通路11a、11b、11c和11d的宽的一端分别与导体11e、11f、11g和11h电气连接。导体11e、11f、11g和11h填充4个连通孔18和19。导体通路11c和11d的薄的一端分别连接于形成外加热电极9b的线圈的内外部分。
图2是图1的吸盘1在组装后的状态下的横截面图。如图2所示，将金属化层5、7的径向延伸肢错开，使之彼此相隔60°。另外，吸盘1包括5个开孔20，其中3个彼此相隔120°，用于使顶起销通过，并将氦供给到晶片的底面，而另外两个开孔用于容纳温度探头。
图3-10示出本发明的吸盘的另一实施例。具体地说，图3示出吸盘21的顶视图，而图4示出图3所示吸盘的侧视图。如图4所示，吸盘21包括：上部绝缘层22及包含相互交叉的第1和第2吸持电极的金属化层23，该吸持电极用于向晶片施加静电吸持力，并向在对吸持在绝缘层22上的基片进行加工处理时使用的等离子体气体供给RF偏压。绝缘层24用于将金属化层25与金属化层23隔离开，而金属化层27位于绝缘层26和绝缘层28之间。吸盘还包括绝缘层29-33。金属化层25将电源供给构成金属层23的一个电极。金属化层27将电源供给构成金属层23的另一个电极。在图5-9中提供了各层24-29的详图。
图5示出绝缘层24的详图。具体地说，绝缘层24包括以导电材料填充的电连通孔34，用于向构成金属化层23的一个电极供给电能。备有5个开孔35，用于使顶起销和/或温度探头通过、和/或使氦等冷却介质流通到支承在绝缘层22上的基片的底面。电连通孔34按分立的孔组配置。例如，如吸持电极包含宽度约为10mm的带形线并以大约0.5mm的间隙分隔开，则电连通孔34可包含直径约为0.02英寸的孔，并且，这些孔彼此之间可相隔大约4mm的距离。因此，可在第1圆弧段上配置5个孔，在直径大的第2圆弧段上配置5个孔，在直径更大的第3圆弧段上配置5个孔，各圆沿径向相隔约4mm，并且，在每个弧段上的各孔相隔约4mm。另外，各孔组可以这样配置，即，使3个分立的孔组按照径向延伸的图案配置并沿圆周方向分隔开，各孔组沿圆周的间隔为120°。使用大量的孔能满足电极的功率要求。也就是说，当仅使用几个孔时，孔内的导电材料起着电阻的作用，因而会使吸盘发热。另一方面，通过提供大量的孔用作电连通孔，可在将吸盘的发热减小到最低限度的同时向电极供给大的功率密度。
图6示出金属化层25的详图。具体地说，金属化层25包括彼此相隔120°的3个径向延伸肢36。该金属化层25与填充在电连通孔34内的导电材料电接触。因此，金属化层25可将电源分配给构成金属化层23的一个电极。
图7示出绝缘层26的详图。绝缘层26包括参照图说明过的电连通孔34和开孔35。此外，绝缘层26还包括用于向金属化层25供给电源的电连通孔37。
图8示出金属化层27的详图。金属化层27包括彼此相隔120°的3个径向延伸肢36。该金属化层27与金属化层25的不同之处在于，金属化层27在其上没有中心孔。金属化层25的中心孔能使电连通孔34将金属化层27与位于金属化层23中央部分的电极相连接。
图9示出绝缘层28的详图。绝缘层28包括用于将电源供给金属化层25的电连通孔34及用于使顶起销和/或温度探头、和/或氦气通过的开孔35。此外，绝缘层28还包括用于向金属化层27供给电源的电连通孔39。绝缘层29-32与绝缘层28相同。
图10示出绝缘层39的详图。具体地说，绝缘层39包括开孔35和用于分别向电连通孔37、39供给电源的导电体40、41。
静电吸持电极3、23可在等离子体辅助淀积过程中用于向基片供给RF偏压。在这种情况下，可以向吸持电极供给足以将基片吸持在吸盘上的直流电压以及足以向基片提供RF偏压的射频能量。为达到上述目的所需的电源及相关的线路对熟悉本技术领域的人员是显而易见的。例如，为此特引用其主题内容作为参考的美国专利No.4464223公开了向用于支承工件的电极供给DC和RF电能的电源及线路的细节。
本发明的陶瓷吸盘可以通过将各种陶瓷和金属化层共同烧结或只将总的陶瓷吸盘的各部分共同烧结制造。例如，可以在已将吸盘的其余部分烧结并形成烧结体之后，再加上上部绝缘层22和/或金属化层23。上层22可包含氧化铝或氮化铝等适当的绝缘材料。上层22的材料可取粉末形态作为具有例如0.028英寸等任意厚度的未烧结片材提供。在上层已烧结后，为了调整静电吸持力，可对上层22进行研磨以将其减到适当的厚度。例如，可将上层磨削到提供0.008英寸的厚度。
可在未烧结的陶瓷片材上通过任何适当的处理提供金属化层。例如，可将钨之类的导电糊剂按预定图案在氧化铝片上进行丝网印刷。作为另一种方式，可将金属化层进行淀积并接着进行刻蚀，以提供预定的吸持电极图案。在金属化层23的情况下，该图案可以包含垂直于氧化铝片平面的高度为0.0008英寸、平行于氧化铝片平面的宽度为10mm的交替的圆环，而各圆环以大约0.5mm的间隙分隔开。
在绝缘层24、26和28上的电连通孔34可具有任何适当的直径，彼此可相隔任何适当的距离。例如，该孔可具有0.02英寸的直径，彼此可相隔约4mm。孔数可以调整，以满足电极的功率密度要求，同时防止因填充在连通孔内的导电材料的电阻加热而引起的不希望有的吸盘发热。
金属化层25、27可通过将钨之类的适当导电材料在氧化铝片上进行丝网印刷而形成。该金属化层25、27可具有象螺旋桨一样的形状，其在平行于氧化铝平面的方向上的径向延伸肢的宽度约为20mm，在垂直于氧化铝片方向上的厚度约为0.0008英寸。
如图1和2所示，吸盘1可以包括加热电极。例如，金属化层9可包括两组环绕供电部分的带小旁路的螺旋环以及供顶起销/温度探头用的孔。该加热电极可在对被吸持在吸盘1上的晶片进行加工处理的过程中用来补偿不均匀的热分配。例如，一个加热器可包含约占金属化层9的直径的66％的内环组。另一加热器可包含约占金属化层9的直径的33％的外环组。该加热器由独立的电源供给电能，以便能对加热器分别进行控制。例如，加热器可由金属化层11供给电能，其中，金属化层包括4条互连线，其中2条与内加热器连接，而另外2条与外加热器连接。金属化层11可按对其他金属化层所采用的同样方式在氧化铝片上通过丝网印刷形成。
为了在其操作期间保持吸盘的平滑度(例如，避免在吸盘的加热和冷却过程中弯曲成弓形)，可将层2-13重复组装，以提供图1所示结构的镜象。也就是说，层2-13构成陶瓷吸盘的一半，而另一组的层2-13从层13起按相反的顺序延伸，这样，将使绝缘层2位于吸盘装置的顶部和底部。另一方面，也可仅在吸盘的一侧提供所需的任意个数的金属化层。
在图11中示出了适当的加热电极图案的详图。图中，加热电极9包括内加热电极9a及外加热电极9b。由于在对晶片进行淀积处理之前，应使用加热器9将晶片加热到预期的温度，所以当吸盘仅用于输送基片(例如，其中，将吸盘1、21安装在可垂直动作的基座、铰接的自动操纵臂等适当的输送机构上)时，或当在刻蚀环境中使用时，本发明的吸盘装置可将加热器省去。
前面已说明了本发明的原理、最佳实施例及操作方式。但是，不应将本发明理解为仅限于所讨论的具体实施例。因此，上述实施例应看是作一种说明而不是限制，并应知道，在不脱离由如下的权利要求所限定的本发明的范围的前提下，可由熟悉本技术的工作人员对这些实施例进行各种变更。

Claims (36)

1.一种多层静电吸盘装置，包括：
电绝缘陶瓷材料的第1绝缘层；
电绝缘陶瓷材料的第2绝缘层；
位于第1和第2绝缘层之间的静电吸持电极，该吸持电极包括导电材料的第1和第2带形线；
电绝缘陶瓷材料的第3绝缘层；及
位于第2和第3绝缘层之间的加热电极，所述加热电极包括离散的内、外加热电极，分别供有电源以提供不同的加热作用。
2.根据权利要求1所述的吸盘装置，其特征在于：将第1带形线与第1直流电源电气连接，并将第2带形线与第2直流电源电气连接，第1与第2直流电源的极性相反。
3.根据权利要求1所述的吸盘装置，其特征在于：将吸持电极与直流电源及射频能源连接，在等离子体辅助淀积过程中，该直流电源向该吸持电极供给足以按静电方式将基片吸持在第1绝缘层上的能量，而该射频能源向吸持电极供给足以对被吸持在第1绝缘层上的基片提供RF偏压。
4.根据权利要求1所述的吸盘装置，其特征在于：内加热电极包括一条成螺旋形延伸的导电材料带形线。
5.根据权利要求4所述的吸盘装置，其特征在于：外加热电极包括一条成螺旋形延伸的导电材料带形线。
6.根据权利要求1所述的吸盘装置，其特征在于：还包括散热基底及位于该散热基底与该加热电极之间的第3绝缘层。
7.根据权利要求1所述的吸盘装置，其特征在于还包括：
电绝缘陶瓷材料的第4绝缘层和在该第4绝缘层上的金属化层，该金属化层包括多个与吸持电极电气连接的径向延伸肢。
8.根据权利要求1所述的吸盘装置，其特征在于：在第2绝缘层内还包括多组导电连通线，将第1组连通线与第1带形线电气连接，并将第2组连通线与第2带形线电气连接，所述连通线设置为将高电功率密度提供到第1和第2带形线，同时最小化吸盘的发热。
9.根据权利要求1所述的吸盘装置，其特征在于：还包括沿轴向通过第1、第2及第3绝缘层延伸的开孔，这些开孔应大到足以使顶起销通过吸盘装置。
10.根据权利要求1所述的吸盘装置，其特征在于还包括：
通过第2绝缘层延伸并与该第1带形线电接触的第1组导电连通线；及
通过第2绝缘层延伸并与该第2带形线电接触的第2组导电连通线，所述第1组连通线至少包括相互隔开在比第1带形线的宽度小的距离的两个连通线，而所述第2组连通线至少包括相互隔开比第2带形线的宽度小的距离的两个连通线。
11.根据权利要求10所述的吸盘装置，其特征在于：将第1带形线与第1直流电源电气连接，并将第2带形线与第2直流电源电气连接，第1与第2直流电源的极性相反。
12.根据权利要求10所述的吸盘装置，其特征在于：将吸持电极与直流电源及射频能源连接，在等离子体辅助淀积过程中，该直流电源向该吸持电极供给足以按静电方式将基片吸持在第1绝缘层上的能量，而该射频能源向吸持电极供给足以对被吸持在第1绝缘层上的基片提供RF偏压，所述连通线设置为将高电功率密度提供到第1和第2带形线，同时最小化吸盘的发热。
13.根据权利要求10所述的吸盘装置，其特征在于：在第3绝缘层和第2绝缘层之间还包括第4绝缘层及加热电极，该加热电极包括一条成螺旋形延伸的导电材料带形线。
14.根据权利要求13所述的吸盘装置，其特征在于：加热电极包括一个内加热电极，该吸盘装置还包含一个环绕该内加热电极并与其分离的外加热电极，该第2加热电极包括一条成螺旋形延伸的导电材料带形线。
15.根据权利要求10所述的吸盘装置，其特征在于：还包括散热基底及位于该散热基底与该加热电极之间的第2绝缘层。
16.根据权利要求10所述的吸盘装置，其特征在于还包括：
在该第3绝缘层上的第1金属化层，该第1金属化层包括通过在第2绝缘层内的第2组导电连通线与第2带形线电气连接的多个径向延伸肢。
17.根据权利要求16所述的吸盘装置，其特征在于：在第3绝缘层内还包括多组导电连通线，该第3绝缘层内的多组连通线与第1带形线电气连接。
18.根据权利要求10所述的吸盘装置，其特征在于：还包括沿轴向通过第1及第2绝缘层延伸的开孔，这些开孔应大到足以使顶起销通过吸盘装置。
19.根据权利要求17所述的吸盘装置，其特征在于：还包括电绝缘陶瓷材料的第4绝缘层和在该第4绝缘层上的第2金属化层，该第2金属化层包括与第1带形线电气连接的多个径向延伸肢。
20.一种制造陶瓷静电吸盘装置的方法，包括以下步骤：
在第1绝缘层的上侧提供第1金属化层，该第1绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，并具有在其内部延伸通过的第1和第2组导电连通线，该第1金属化层包括导电材料的第1和第2带形线的静电吸持电极图案；
在第2绝缘层的上侧提供第2金属化层，该第2绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，并具有在其内部延伸通过的第3组导电连通线，该第2金属化层包括导电材料的配电电极图案；
将第2绝缘层组装在第1绝缘层底侧；
将第1和第2绝缘层共同烧结，并形成带有与第1带形线电接触的第1和第3组连通线及与第2带形线电接触的第2组连通线的烧结体，所述连通线设置为将高电功率密度提供到第1和第2带形线，同时最小化吸盘的发热；
在第2绝缘层的底侧形成电绝缘陶瓷材料的第3绝缘层；及
在第2和第3绝缘层之间形成加热电极，所述加热电极包括离散的内、外加热电极，分别供有电源以提供不同的加热作用。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，还包括：
在第3绝缘层的上侧提供第3金属化层的步骤，该第3绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，该第3金属化层包括导电材料的第2配电电极图案；及
在共同烧结步骤之前将第3绝缘层组装在第2绝缘层底侧的步骤。
22.根据权利要求21所述的方法，其特征在于，还包括：
在第4绝缘层的上侧提供第4金属化层的步骤，该第4绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，该第4金属化层包括导电材料的加热电极图案；及
在共同烧结步骤之前将第4绝缘层组装在第3绝缘层底侧的步骤。
23.根据权利要求22所述的方法，其特征在于：该加热电极包括一条成螺旋形延伸的导电材料带形线。
24.根据权利要求23所述的方法，其特征在于：加热电极包括一个内加热电极，所述吸盘装置还包括一个环绕该内加热电极的外加热电极，该第2加热电极包括一条成螺旋形延伸的导电材料带形线，所述第1和第2加热电极由独立电源供电。
25.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，还包括将散热基底固定于烧结体的步骤。
26.根据权利要求21所述的方法，其特征在于还包括步骤：
将1、第2和第3绝缘层共同烧结，并形成与第1带形线电接触的第1和第3组连通线及与第2带形线电接触的第2组连接通线的烧结体。
27.根据权利要求22所述的方法，其特征在于还包括步骤：
将第1、第2、第3和第4绝缘层共同烧结，并形成与第1带形线电接触的第1和第3组连通线及与第2带形线电接触的第2组连通线的烧结体。
28.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：还包括在共同烧结步骤之前将上部绝缘层组装在呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料的第1绝缘层上部的步骤。
29.根据权利要求20所述的方法，其特征在于：还包括在共同烧结步骤之后将上部绝缘层组装在呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料的第1绝缘层上部的步骤。
30.一种制造陶瓷静电吸盘装置的方法，它包括以下步骤：
提供在其上侧具有导电材料的第1和第2带形线的静电吸持电极图案的第1绝缘层，该第1绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料并具有在其内部延伸通过的第1和第2组导电连通线，第1组电连通线与第1带形线电接触，而第2组电连通线与第2带形线电接触；
在第2绝缘层的上侧提供第1金属化层，该第2绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，并具有在其内部延伸通过的第3组导电连通线，该第1金属化层包括导电材料的配电电极图案；
将第2绝缘层组装在第1绝缘层底侧；
将第1和第2绝缘层共同烧结，并形成带有彼此电接触的第1和第3组连通线的烧结体，所述连通线设置为将高电功率密度提供到第1和第2带形线，同时最小化吸盘的发热；
在第2绝缘层的底侧形成电绝缘陶瓷材料的第3绝缘层；及
在第2和第3绝缘层之间形成加热电极，所述加热电极包括离散的内、外加热电极，分别供有电源以提供不同的加热作用。
31.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，还包括：
在第3绝缘层的上侧提供第2金属化层的步骤，该第3绝缘层包含呈未烧结状态的电绝缘陶瓷材料，该第2金属化层包括导电材料的配电电极图案；及
在共同烧结步骤之前将第3绝缘层组装在第2绝缘层底侧的步骤。
32.根据权利要求30所述的方法，其特征在于：还包括在第1绝缘层的上侧提供导电材料的第1和第2带形线的静电吸持电极图案的步骤，使第1和第2组连通线与第1带形线电接触，并使第2组连通线与第2带形线电接触。
33.根据权利要求30所述的方法，其特征在于：还包括在吸持电极上提供电绝缘陶瓷材料的上部绝缘层的步骤。
34.根据权利要求33所述的方法，其特征在于：还包括研磨该上部绝缘层的暴露表面的步骤，以便在吸持电极的上部与上部绝缘层的暴露表面之间提供预定的距离。
35.根据权利要求33所述的方法，其特征在于：上部绝缘层的陶瓷材料呈未烧结状态，并在共同烧结步骤之前进行提供上部绝缘层的步骤。
36.根据权利要求32所述的方法，其特征在于：在共同烧结步骤之后进行提供吸持电极的步骤。
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