CN112195505A - 一种高效控温单晶硅铸锭炉 - Google Patents
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- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 10
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 claims description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 3
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000011031 large-scale manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/06—Silicon
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- Materials Engineering (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及铸锭炉技术领域，且公开了一种高效控温单晶硅铸锭炉，包括底板，所述底板的顶部固定安装有支撑架，所述支撑架的内部固定安装有铸锭炉本体，所述铸锭炉本体的底部固定安装有限位框，所述限位框的底部开设有限位槽，所述限位槽的内部活动安装有密封框。该高效控温单晶硅铸锭炉，通过对铸锭炉本体安装了限位框，以及对限位框开设了限位槽，可对密封框进行限位，通过对密封框安装了底盖，可对铸锭炉本体进行密封，通过对限位框开设了固定槽，以及对卡簧安装了延伸至固定槽内部的固定头，可对密封框和底盖进行固定，通过对限位框安装了气动推杆，并且对气动推杆安装了挤压杆，气动推杆可通过伸展将固定头推出固定槽。
Description
技术领域
本发明涉及铸锭炉技术领域，具体为一种高效控温单晶硅铸锭炉。
背景技术
半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，硅、锗、砷化镓和硫化镉都是半导体材料，半导体材料的电阻率随着温度升高和辐射强度的增大而减小，在半导体中加入微量的杂质，对其导电性有决定性影响，这是半导体材料的重要特性，硅是最常见应用最广的半导体材料，当熔融的单质硅凝固时，硅原子以金刚石晶格排列成晶核，其晶核长成晶面取向相同的晶粒，形成单晶硅。
硅铸锭炉主要用于太阳能级单晶硅锭的大生产，它采用先进的单晶硅定向凝固技术，将硅料高温熔融后通过特殊工艺定向冷凝结晶，从而达到太阳能电池生产用单晶硅品质的要求，是一种适用于长时间连续工作，高精度、高可靠性和自动化程度高的智能化大生产设备，但是由于目前的铸锭炉结构较为密封，导致出现故障后检修非常不便，同时控制主机都是通过螺丝固定，维护的非常麻烦，故而提出一种高效控温单晶硅铸锭炉来解决上述所提到的问题。
发明内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足，本发明提供了一种高效控温单晶硅铸锭炉，具备铸锭炉便于检修和控制主机便于维护的优点，解决了由于目前的铸锭炉结构较为密封，导致出现故障后检修非常不便，同时控制主机都是通过螺丝固定，维护的非常麻烦的问题。
(二)技术方案
为实现上述铸锭炉便于检修和控制主机便于维护的目的，本发明提供如下技术方案：一种高效控温单晶硅铸锭炉，包括底板，所述底板的顶部固定安装有支撑架，所述支撑架的内部固定安装有铸锭炉本体，所述铸锭炉本体的底部固定安装有限位框，所述限位框的底部开设有限位槽，所述限位槽的内部活动安装有密封框，所述密封框的底部固定安装有底盖，所述限位槽的左右两侧内壁均开设有位于限位框内部的固定槽，所述密封框的左右两侧均开设有凹槽，两个所述凹槽的内部均固定安装有卡簧，两个所述卡簧相背的一侧均固定安装有延伸至固定槽内部的固定头，所述限位框的左右两侧均固定安装有气动推杆，两个所述气动推杆相对的一侧均固定安装有延伸至固定槽内部的挤压杆，所述支撑架的内部固定安装有动力座，所述动力座的内部开设有活动腔，所述活动腔的内部活动安装有活动块，所述支撑架的顶部固定安装有动力电机，所述动力电机的输出轴上固定安装有延伸至活动腔的内部且贯穿活动块的螺杆，所述活动块的左侧固定安装有与底盖固定连接的底架，所述支撑架的内部正面固定安装有控制主机本体，所述控制主机本体的左侧固定安装有密封座，所述密封座的左侧开设有延伸至控制主机本体内部的检修口，所述密封座的左侧开设有延伸至检修口内部的稳定槽，所述稳定槽的内顶壁和内底壁均开设有位于密封座内部的卡槽，所述稳定槽的内部活动安装有密封板，所述密封板的顶部和底部均开设有伸缩槽，两个所述伸缩槽的内部均固定安装有伸缩簧，两个所述伸缩簧相背的一侧均固定安装有延伸至卡槽内部的卡头，所述密封座的顶部和底部均开设有延伸至卡槽内部的通口。
优选的，所述限位槽与密封框均呈圆形，所述密封框与限位槽的内壁贴合。
优选的，两个所述固定头的顶部均为斜面，所述斜面的倾斜角度为四十五度。
优选的，两个所述挤压杆相对的一侧均固定安装有推块，所述推块与固定槽的内壁贴合。
优选的，所述活动腔与活动块均呈矩形，所述活动块的内部填充有润滑油。
优选的，所述活动块的内部开设有位于螺杆外部的螺孔，所述动力座的左侧开设有延伸至活动腔内部的滑口。
优选的，所述伸缩簧的伸展长度小于伸缩槽的深度，所述活动腔的内底壁固定安装有滚珠轴承，所述螺杆的底部与滚珠轴承的轴心固定连接。
优选的，所述动力电机的底部固定安装有矩形板，所述矩形板通过螺丝与支撑架的顶部固定连接。
优选的，两个所述卡头的右侧均为斜面，所述动力座的左侧固定安装有把手。
(三)有益效果
与现有技术相比，本发明提供了一种高效控温单晶硅铸锭炉，具备以下有益效果：
1、该高效控温单晶硅铸锭炉，通过对铸锭炉本体安装了限位框，以及对限位框开设了限位槽，可对密封框进行限位，通过对密封框安装了底盖，可对铸锭炉本体进行密封，通过对限位框开设了固定槽，以及对卡簧安装了延伸至固定槽内部的固定头，可对密封框和底盖进行固定，通过对限位框安装了气动推杆，并且对气动推杆安装了挤压杆，气动推杆可通过伸展将固定头推出固定槽，通过对动力座开设了活动腔，以及对活动腔安装了活动块，并且对动力电机安装了贯穿活动块的螺杆，以及对活动块安装了与底盖连接的底架，可对底盖进行承载，动力电机会带动螺杆转动，螺杆会通过丝杠原理带动活动块向下移动，活动块会通过底架带动底盖向下移动，即可打开铸锭炉本体对内部进行检修，达到了铸锭炉便于检修的目的。
2、该高效控温单晶硅铸锭炉，通过对密封座开设了检修口和稳定槽，并且可对密封板进行限位，通过对密封座开设了卡槽，以及对伸缩簧安装了延伸至卡槽内部的卡头，可对密封板进行固定，同时对控制主机本体进行密封，通过对密封座开设了通口，可使用工具通过通口将卡头推出卡槽，即可将密封板拆卸下来，同时将检修口打开对控制主机本体的内部进行维护，达到了控制主机便于维护的目的。
附图说明
图1为本发明提出的一种高效控温单晶硅铸锭炉结构正视图；
图2为本发明提出的一种高效控温单晶硅铸锭炉结构剖视图；
图3为本发明提出的一种高效控温单晶硅铸锭炉结构图2中A的放大图；
图4为本发明提出的一种高效控温单晶硅铸锭炉结构图2中B的放大图；
图5为本发明提出的一种高效控温单晶硅铸锭炉结构图2中C的放大图。
图中：1底板、2支撑架、3铸锭炉本体、4限位框、5限位槽、6通口、7密封框、8底盖、9固定槽、10凹槽、11卡簧、12固定头、13气动推杆、14挤压杆、15动力座、16活动腔、17活动块、18动力电机、19底架、20控制主机本体、21密封座、22检修口、23稳定槽、24卡槽、25密封板、26伸缩槽、27伸缩簧、28卡头、29螺杆。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5，一种高效控温单晶硅铸锭炉，包括底板1，底板1的顶部固定安装有支撑架2，支撑架2的内部固定安装有铸锭炉本体3，铸锭炉本体3的底部固定安装有限位框4，限位框4的底部开设有限位槽5，限位槽5的内部活动安装有密封框7，限位槽5与密封框7均呈圆形，密封框7与限位槽5的内壁贴合，密封框7的底部固定安装有底盖8，限位槽5的左右两侧内壁均开设有位于限位框4内部的固定槽9，密封框7的左右两侧均开设有凹槽10，两个凹槽10的内部均固定安装有卡簧11，两个卡簧11相背的一侧均固定安装有延伸至固定槽9内部的固定头12，两个固定头12的顶部均为斜面，斜面的倾斜角度为四十五度，限位框4的左右两侧均固定安装有气动推杆13，两个气动推杆13相对的一侧均固定安装有延伸至固定槽9内部的挤压杆14，两个挤压杆14相对的一侧均固定安装有推块，推块与固定槽9的内壁贴合，支撑架2的内部固定安装有动力座15，动力座15的内部开设有活动腔16，活动腔16的内部活动安装有活动块17，活动腔16与活动块17均呈矩形，活动块17的内部填充有润滑油，支撑架2的顶部固定安装有动力电机18，动力电机18的底部固定安装有矩形板，矩形板通过螺丝与支撑架2的顶部固定连接，动力电机18的输出轴上固定安装有延伸至活动腔16的内部且贯穿活动块17的螺杆29，活动块17的内部开设有位于螺杆29外部的螺孔，动力座15的左侧开设有延伸至活动腔16内部的滑口，活动块17的左侧固定安装有与底盖8固定连接的底架19，支撑架2的内部正面固定安装有控制主机本体20，控制主机本体20的左侧固定安装有密封座21，密封座21的左侧开设有延伸至控制主机本体20内部的检修口22，密封座21的左侧开设有延伸至检修口22内部的稳定槽23，稳定槽23的内顶壁和内底壁均开设有位于密封座21内部的卡槽24，稳定槽23的内部活动安装有密封板25，密封板25的顶部和底部均开设有伸缩槽26，两个伸缩槽26的内部均固定安装有伸缩簧27，伸缩簧27的伸展长度小于伸缩槽26的深度，活动腔16的内底壁固定安装有滚珠轴承，螺杆29的底部与滚珠轴承的轴心固定连接，两个伸缩簧27相背的一侧均固定安装有延伸至卡槽24内部的卡头28，两个卡头28的右侧均为斜面，动力座15的左侧固定安装有把手，密封座21的顶部和底部均开设有延伸至卡槽24内部的通口6。
综上所述，该高效控温单晶硅铸锭炉，通过对铸锭炉本体3安装了限位框4，以及对限位框4开设了限位槽5，可对密封框7进行限位，通过对密封框7安装了底盖8，可对铸锭炉本体3进行密封，通过对限位框4开设了固定槽9，以及对卡簧11安装了延伸至固定槽9内部的固定头12，可对密封框7和底盖8进行固定，通过对限位框4安装了气动推杆13，并且对气动推杆13安装了挤压杆14，气动推杆13可通过伸展将固定头12推出固定槽9，通过对动力座15开设了活动腔16，以及对活动腔16安装了活动块17，并且对动力电机8安装了贯穿活动块17的螺杆29，以及对活动块17安装了与底盖8连接的底架19，可对底盖8进行承载，动力电机18会带动螺杆29转动，螺杆29会通过丝杠原理带动活动块17向下移动，活动块17会通过底架19带动底盖8向下移动，即可打开铸锭炉本体3对内部进行检修，达到了铸锭炉便于检修的目的。
并且，通过对密封座21开设了检修口22和稳定槽23，并且可对密封板25进行限位，通过对密封座21开设了卡槽24，以及对伸缩簧27安装了延伸至卡槽24内部的卡头28，可对密封板25进行固定，同时对控制主机本体20进行密封，通过对密封座21开设了通口6，可使用工具通过通口6将卡头28推出卡槽24，即可将密封板25拆卸下来，同时将检修口22打开对控制主机本体20的内部进行维护，达到了控制主机便于维护的目的。
需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (9)
1.一种高效控温单晶硅铸锭炉，包括底板(1)，其特征在于：所述底板(1)的顶部固定安装有支撑架(2)，所述支撑架(2)的内部固定安装有铸锭炉本体(3)，所述铸锭炉本体(3)的底部固定安装有限位框(4)，所述限位框(4)的底部开设有限位槽(5)，所述限位槽(5)的内部活动安装有密封框(7)，所述密封框(7)的底部固定安装有底盖(8)，所述限位槽(5)的左右两侧内壁均开设有位于限位框(4)内部的固定槽(9)，所述密封框(7)的左右两侧均开设有凹槽(10)，两个所述凹槽(10)的内部均固定安装有卡簧(11)，两个所述卡簧(11)相背的一侧均固定安装有延伸至固定槽(9)内部的固定头(12)，所述限位框(4)的左右两侧均固定安装有气动推杆(13)，两个所述气动推杆(13)相对的一侧均固定安装有延伸至固定槽(9)内部的挤压杆(14)，所述支撑架(2)的内部固定安装有动力座(15)，所述动力座(15)的内部开设有活动腔(16)，所述活动腔(16)的内部活动安装有活动块(17)，所述支撑架(2)的顶部固定安装有动力电机(18)，所述动力电机(18)的输出轴上固定安装有延伸至活动腔(16)的内部且贯穿活动块(17)的螺杆(29)，所述活动块(17)的左侧固定安装有与底盖(8)固定连接的底架(19)，所述支撑架(2)的内部正面固定安装有控制主机本体(20)，所述控制主机本体(20)的左侧固定安装有密封座(21)，所述密封座(21)的左侧开设有延伸至控制主机本体(20)内部的检修口(22)，所述密封座(21)的左侧开设有延伸至检修口(22)内部的稳定槽(23)，所述稳定槽(23)的内顶壁和内底壁均开设有位于密封座(21)内部的卡槽(24)，所述稳定槽(23)的内部活动安装有密封板(25)，所述密封板(25)的顶部和底部均开设有伸缩槽(26)，两个所述伸缩槽(26)的内部均固定安装有伸缩簧(27)，两个所述伸缩簧(27)相背的一侧均固定安装有延伸至卡槽(24)内部的卡头(28)，所述密封座(21)的顶部和底部均开设有延伸至卡槽(24)内部的通口(6)。
2.根据权利要求1所述的一种高效控温单晶硅铸锭炉，其特征在于：所述限位槽(5)与密封框(7)均呈圆形，所述密封框(7)与限位槽(5)的内壁贴合。
3.根据权利要求1所述的一种高效控温单晶硅铸锭炉，其特征在于：两个所述固定头(12)的顶部均为斜面，所述斜面的倾斜角度为四十五度。
4.根据权利要求1所述的一种高效控温单晶硅铸锭炉，其特征在于：两个所述挤压杆(14)相对的一侧均固定安装有推块，所述推块与固定槽(9)的内壁贴合。
5.根据权利要求1所述的一种高效控温单晶硅铸锭炉，其特征在于：所述活动腔(16)与活动块(17)均呈矩形，所述活动块(17)的内部填充有润滑油。
6.根据权利要求1所述的一种高效控温单晶硅铸锭炉，其特征在于：所述活动块(17)的内部开设有位于螺杆(29)外部的螺孔，所述动力座(15)的左侧开设有延伸至活动腔(16)内部的滑口。
7.根据权利要求1所述的一种高效控温单晶硅铸锭炉，其特征在于：所述伸缩簧(27)的伸展长度小于伸缩槽(26)的深度，所述活动腔(16)的内底壁固定安装有滚珠轴承，所述螺杆(29)的底部与滚珠轴承的轴心固定连接。
8.根据权利要求1所述的一种高效控温单晶硅铸锭炉，其特征在于：所述动力电机(18)的底部固定安装有矩形板，所述矩形板通过螺丝与支撑架(2)的顶部固定连接。
9.根据权利要求1所述的一种高效控温单晶硅铸锭炉，其特征在于：两个所述卡头(28)的右侧均为斜面，所述动力座(15)的左侧固定安装有把手。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010896492.2A CN112195505A (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种高效控温单晶硅铸锭炉 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010896492.2A CN112195505A (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种高效控温单晶硅铸锭炉 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112195505A true CN112195505A (zh) | 2021-01-08 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202010896492.2A Pending CN112195505A (zh) | 2020-08-31 | 2020-08-31 | 一种高效控温单晶硅铸锭炉 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112195505A (zh) |
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