CN112034649B - 显示面板和电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供一种显示面板和电子设备，涉及电子设备技术领域。其中，显示面板包括彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置；彩膜基板包括上偏光片和黑矩阵，所述上偏光片位于所述黑矩阵远离所述阵列基板的一侧，所述上偏光片内边缘与所述黑矩阵内边缘对齐，所述黑矩阵上设置有挖槽，所述挖槽距所述黑矩阵内边缘具有预设距离，所述挖槽内填充有出光块；在预设条件下，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵投射光，所述出光块与所述黑矩阵除出光块其余区域形成亮度差。本申请将上偏光片的边缘能够与黑矩阵的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔内延伸，从而避免孔漏光问题的发生。

Description

显示面板和电子设备

技术领域

本申请涉及电子设备技术领域，尤其涉及一种显示面板和电子设备。

背景技术

目前，随着手机产品发展的需求，带孔的LCD显示屏产品逐渐成为主流产品，其中盲孔产品由于其边框更窄，孔尺寸更小而备受青睐。但由于设计的限制，孔边会发生漏光的问题。

现有技术中，主要通过主观检查的检测产品是否漏光，但这种方式过于繁琐，且浪费人力。

因此，如何避免孔边漏光成为亟待解决的问题。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种显示面板和电子设备，主要目的是避免孔边漏光。

为解决上述技术问题，本申请实施例提供如下技术方案：

本申请第一方面提供一种显示面板，包括：

彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置；

彩膜基板包括上偏光片和黑矩阵，所述上偏光片位于所述黑矩阵远离所述阵列基板的一侧，所述上偏光片内边缘与所述黑矩阵内边缘对齐，所述黑矩阵上设置有挖槽，所述挖槽距所述黑矩阵内边缘具有预设距离，所述挖槽内填充有出光块；

在预设条件下，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵投射光，所述出光块与所述黑矩阵除出光块其余区域形成亮度差。

在该技术方案中，还包括：

液晶，所述液晶设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，在预设条件下，所述液晶发生偏转，所述液晶形成高透状态，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵投射光，透过高透状态下的所述液晶，所述出光块与所述黑矩阵除出光块其余区域形成亮度差。

在该技术方案中，所述阵列基板包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述第二电极层的位置与所述挖槽的位置对应，响应于所述第一电极层与所述第二电极层形成压差，与所述第一电极层和所述第二电极层位置对应的液晶发生偏转，所述液晶形成高透状态，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵投射光，透过高透状态下的所述液晶，所述出光块与所述黑矩阵除出光块其余区域形成亮度差。

在该技术方案中，还包括：

测试用电极，所述测试用电极上设置有STV连接点，CLK连接点和Tch连接点；

所述阵列基板还包括接触电极，所述接触电极与所述第二电极层连接；

所述阵列基板还包括TFT开关，所述TFT开关具有源极、栅极和漏极，所述漏极与所述第一电极层连接，所述栅极与STV连接点连接，所述源极与CLK连接点连接，所述第二电极层与所述Tch连接点连接。

在该技术方案中，对所述STV连接点施加第一高电压，所述TFT开关的栅极开启；对所述CLK连接点施加第二高电压，所述TFT开关的源极开启，所述TFT开关的栅极与源极连通，所述第一电极层为第二高电压，对所述接触电极施加基准电压，所述第二电极层为基准电压，所述第一电极层和所述第二电极层形成压差。

在该技术方案中，所述第一高电压为12V，所述第二高电压为5V，所述基准电压为0V。

在该技术方案中，所述栅极通过STV走线与所述STV连接点连接；

所述源极通过位于GOA区域的CLK走线与所述CLK连接点连接。

在该技术方案中，所述第一电极层由多个块状结构组成；

所述第二电池层为条状结构。

在该技术方案中，所述出光块为蓝色树脂块。

本申请第二方面提供一种电子设备，包括如前所述的显示面板。

本申请提供了一种显示面板和电子设备，显示面板包括彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板相对设置，彩膜基板包括上偏光层和黑矩阵，上偏光层位于黑矩阵远离阵列基板的一侧，此时，黑矩阵上设置有挖槽，挖槽与黑矩阵内边缘具有预设距离，从而可以确认挖槽的具体位置，挖槽内填充有出光块，在预设条件下，当从阵列基板方向向黑矩阵投射光时，光会透过出光块发出光，而黑矩阵的其余区域并不会将光线透过，从而在进行显示面板后续的一道胶涂覆工艺时，可以在预设条件下，从阵列基板方向向黑矩阵投射光，就可以通过出光块和其余区域的亮度不同来进行对位，从而不需要通过黑矩阵的内边缘进行对位，将上偏光片的边缘和黑矩阵的内边缘对齐，此时参数B变为0，原参数A即是边框，则根据之前计算A＝0.34，只考虑像素漏光问题可以将边框压缩到0.34，增加一些容错空间，则达到0.4的水平没有问题，明显窄于目前量产0.5的水平，从而本申请提供的显示面板，通过在预设条件下，自阵列基板方向向黑矩阵投射光，出光块与黑矩阵除出光块其余区域形成亮度差，使得出光块能够代替黑矩阵边缘进行对位，本申请将上偏光片的边缘能够与黑矩阵的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔内延伸，从而避免孔漏光问题的发生。

附图说明

通过参考附图阅读下文的详细描述，本申请示例性实施方式的上述以及其他目的、特征和优点将变得易于理解。在附图中，以示例性而非限制性的方式示出了本申请的若干实施方式，相同或对应的标号表示相同或对应的部分，其中：

图1示意性地示出了现有技术中显示面板的结构示意图；

图2示意性地示出了本申请中显示面板的结构示意图；

图3示意性地示出了本申请中黑矩阵的俯视图；

图4示意性地示出了本申请中显示面板孔处的截面图；

图5示意性地示出了本申请中第二电极层与测试用电极的连接示意图；

图6示意性地示出了本申请中第一电极层与测试用电极的连接示意图；

图7示意性地示出了本申请中显示面板正常工作时的时序图；

现有技术附图标号如下：显示面板1'，上偏光片12'，panel14'，黑矩阵16'，孔18'；

本申请附图标号说明：

显示面板1，上偏光片12，panel14，黑矩阵16，出光块162，孔18，光学胶19，液晶20，第一电极层32，第二电极层34，测试用电极4，STV连接点42，CLK连接点44，Tch连接点46。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本公开的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本公开，并且能够将本公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

需要注意的是，除非另有说明，本申请使用的技术术语或者科学术语应当为本申请所属领域技术人员所理解的通常意义。

现有技术中，带孔18'的LCD产品如图1所示，包括上偏光片12'、panel14'和黑矩阵16'，孔18'边设置有边框，A尺寸是从像素区边缘到上偏光片12'边缘的距离，B尺寸是上偏光片12'边的边缘到黑矩阵16'边缘的距离，A和B之和是孔18'边框的宽度，由于显示面板1'后续的一道胶涂覆工艺中需要使用黑矩阵16'的边缘进行对位，因此上偏光片12'不能超出黑矩阵16'的边缘，因此B值理论上要求≥0，考虑上偏光片12'和panel14'贴合时的工艺对位公差0.1，上偏光片12'挖孔18'时裁切公差0.05，则实际上要求B≥0.15才能确保上偏光片12'不超出BM。

以玻璃厚度为L，tanα＝A/L，A＝L*tanα，光线在玻璃表面发生折射，折射率为n，则n*sinα＝sinβ,α＝arcsin(sinβ/n)，则A＝L*tan(arcsin(sinβ/n))。如果确保光线不会被看到，则β＝90°，玻璃折射率n＝1.52，L一般为0.16，则理论上计算A＝0.14，而考虑上偏光片12'和panel14'贴合时的工艺对位公差0.1，上偏光片12'挖孔18'时裁切公差0.05，则实际要求A≥0.34时，100％不会出现孔18'漏光。

根据以上要求，A≥0.34，B≥0.15，则A+B≥0.49，盲孔18'边框不能小于0.49，否则即会出现孔18'漏光，但从产品需求角度，盲孔18'边框较宽不利于产品形态和全面屏占比。

在本申请实施例中，本申请第一方面提供的显示面板1，包括彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置；

彩膜基板包括上偏光片12和黑矩阵16，所述上偏光片12位于所述黑矩阵16远离所述阵列基板的一侧，所述上偏光片12内边缘与所述黑矩阵16内边缘对齐，所述黑矩阵16上设置有挖槽，所述挖槽距所述黑矩阵16内边缘具有预设距离，所述挖槽内填充有出光块162；

在预设条件下，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵16投射光，所述出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差。

如图2和图3所示，本申请提供的显示面板1，显示面板1包括彩膜基板和阵列基板，彩膜基板和阵列基板相对设置，彩膜基板包括上偏光层和黑矩阵16，上偏光层位于黑矩阵16远离阵列基板的一侧，此时，黑矩阵16上设置有挖槽，挖槽与黑矩阵16内边缘具有预设距离，从而可以确认挖槽的具体位置，挖槽内填充有出光块162，在预设条件下，当从阵列基板方向向黑矩阵16投射光时，光会透过出光块162发出光，而黑矩阵16的其余区域并不会将光线透过，从而在进行显示面板1后续的一道胶涂覆工艺时，可以在预设条件下，从阵列基板方向向黑矩阵16投射光，就可以通过出光块162和其余区域的亮度不同来进行对位，从而不需要通过黑矩阵16的内边缘进行对位，将上偏光片12的边缘和黑矩阵16的内边缘对齐，此时参数B变为0，原参数A即是边框，则根据之前计算A＝0.34，只考虑像素漏光问题可以将边框压缩到0.34，增加一些容错空间，则达到0.4的水平没有问题，明显窄于目前量产0.5的水平，从而本申请提供的显示面板1，通过在预设条件下，自阵列基板方向向黑矩阵16投射光，出光块162与黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差，使得出光块162能够代替黑矩阵16边缘进行对位，本申请将上偏光片12的边缘能够与黑矩阵16的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔18内延伸，从而避免孔18漏光问题的发生。

在本申请的一个实施例中，还包括：

液晶20，所述液晶20设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，在预设条件下，所述液晶20发生偏转，所述液晶20形成高透状态，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵16投射光，透过高透状态下的所述液晶20，所述出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差。

如图4所示，在该实施例中，显示面板1还包括液晶20，液晶20位于彩膜基板和阵列基板之间，在预设条件下，液晶20会发生偏转，从而使得液晶20变成高透状态，此时自阵列基板方向向黑矩阵16投射的光，能够透过高透状态下的液晶20传递至出光块162上，从而使得出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差，使得出光块162能够代替黑矩阵16边缘进行对位，本申请将上偏光片12的边缘能够与黑矩阵16的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔18内延伸，从而避免孔18漏光问题的发生。

在本申请的一个实施例中，所述阵列基板包括第一电极层32和第二电极层34，所述第一电极层32与所述第二电极层34的位置与所述挖槽的位置对应，响应于所述第一电极层32与所述第二电极层34形成压差，与所述第一电极层32和所述第二电极层34位置对应的液晶20发生偏转，所述液晶20形成高透状态，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵16投射光，透过高透状态下的所述液晶20，所述出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差。

在该实施例中，阵列基板包括第一电极层32和第二电极层34，第一电极层32与第二电极层34的位置与挖槽的位置对应，当第一电极层32与第二电极层34形成压差时，与第一电极层32和第二电极层34的位置对应的液晶20发生偏转，发生偏转后的液晶20处于高透状态，当自阵列基板方向向黑矩阵16投射光后，由于第一电极层32与第二电极层34具有压差，液晶20发生偏转，形成高透状态，从而光能够透过液晶20射向出光块162，从而出光块162发光，使得出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差，使得出光块162能够代替黑矩阵16边缘进行对位，本申请将上偏光片12的边缘能够与黑矩阵16的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔18内延伸，从而避免孔18漏光问题的发生。

如图5和图6所示，在该实施例中，还包括：

测试用电极4，所述测试用电极4上设置有STV连接点42，CLK连接点44和Tch连接点46；

所述阵列基板还包括接触电极，所述接触电极与所述第二电极层34连接；

所述阵列基板还包括TFT开关，所述TFT开关具有源极、栅极和漏极，所述漏极与所述第一电极层32连接，所述栅极与STV连接点42连接，所述源极与CLK连接点44连接，所述第二电极层34与所述Tch连接点46连接。

在本申请的一个实施例中，还包括测试用电极4，测试用电极4上设置有STV连接点42，CLK连接点44和Tch连接点46。阵列基板还包括TFT开关和接触电极，TFT开关包括源极、栅极和漏极，其中，漏极与第一电极层32连接，栅极与测试用电极4的STV连接点42连接，源极与CLK连接点44连接，第二电极层34与接触电极连接，且第二电极层34还与Tch连接点46连接，从而通过对STV连接点42，CLK连接点44和接触电极施加不同的电压，能够使得第一电极层32与第二电极层34形成压差，从而使得设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶20发生偏转，变成高透状态，从而光能够透过液晶20射向出光块162，从而出光块162发光，使得出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差，使得出光块162能够代替黑矩阵16边缘进行对位，本申请将上偏光片12的边缘能够与黑矩阵16的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔18内延伸，从而避免孔18漏光问题的发生。

在本申请的一个实施例中，对所述STV连接点42施加第一高电压，所述TFT开关的栅极开启；对所述CLK连接点44施加第二高电压，所述TFT开关的源极开启，所述TFT开关的栅极与源极连通，所述第一电极层32为第二高电压，对所述接触电极施加基准电压，所述第二电极层34为基准电压，所述第一电极层32和所述第二电极层34形成压差。

在该实施例中，在进行对位时，在测试用电极4使用简单的治具给CLK和STV施加电信号，例如，对STV连接点42施加第一高电压，则此时与STV连接点42连接的TFT基板的栅极开启，对CLK连接点44施加第二高电压，则此时与CLK连接点44连接的饿TFT基板的源极开关开启，由此TFT开关的栅极和源极连通，ITO走线上的电压也为第二高电压，而TFT开关的漏极与第一电极层32连接，从而第一电极层32的电压为第二高电压，对接触电极施加基准电压，则与接触电极连接第二电极层34的电压变为基准电压，从而在挖槽处对应的第一电极层32和第二电极层34形成具有压差的平行电场，从而使得设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶20发生偏转，变成高透状态，从而光能够透过液晶20射向出光块162，从而出光块162发光，使得出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差，即形成了一个在黑矩阵16中的亮圈，使得出光块162能够代替黑矩阵16边缘进行对位，使得设备对位不再依赖黑矩阵16的内边缘，本申请将上偏光片12的边缘能够与黑矩阵16的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔18内延伸，从而避免孔18漏光问题的发生。

如图7所示，另外，在正常显示的时间，由于测试用电极4处连接点都不加电，接触电极也不会施加额外电压，CLK和STV信号和原有方案的设计保持一致，一般地两个信号会错开，例如CLK1和STV1一起选用，或CLK2和STV2一起选用，则在正常驱动时，不会出现同一组CLK和STV同时为高的状态，因此本发明新增的TFT不会打开，而挖槽处的第一电极层32和第二电极层34不存在电压差，显示面板1不透光保持常黑状态，即正常工作时不会造成任何影响，同时避免漏光出现。

在本申请的一个实施例中，所述第一高电压为12V，所述第二高电压为5V，所述基准电压为0V。

在该实施例中，在进行对位时，在测试用电极4使用简单的治具给CLK和STV施加电信号，例如，对STV连接点42施加12V的电压，则此时与STV连接点42连接的TFT基板的栅极开启，对CLK连接点44施加5V的电压，则此时与CLK连接点44连接的饿TFT基板的源极开关开启，由此TFT开关的栅极和源极连通，ITO走线上的电压也为5V，而TFT开关的漏极与第一电极层32连接，从而第一电极层32的电压为5V，对接触电极施加0V的基准电压，则与接触电极连接第二电极层34的电压变为0V，从而在挖槽处对应的第一电极层32和第二电极层34形成具有压差的平行电场，从而使得设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶20发生偏转，变成高透状态，从而光能够透过液晶20射向出光块162，从而出光块162发光，使得出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差，即形成了一个在黑矩阵16中的亮圈，使得出光块162能够代替黑矩阵16边缘进行对位，使得设备对位不再依赖黑矩阵16的内边缘，本申请将上偏光片12的边缘能够与黑矩阵16的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔18内延伸，从而避免孔18漏光问题的发生。

在本申请的一个实施例中所述栅极通过STV走线与所述STV连接点42连接；

所述源极通过位于GOA区域的CLK走线与所述CLK连接点44连接。

在该实施例中，TFT开关设置在上边框处，由于只有一个TFT开关，从而空占用的间可以忽略不计，TFT开关的栅极通过STV走线与STV连接点42连接，TFT开关的源极通过位于GOA区域的CLK走线与CLK连接点44连接，从而实现TFT开关上的栅极和源极与测试用电极4上STV连接点42和CLK连接点44的连接，第二电极层与Tch连接点通过ITO走线连接，第一电极层与TFT开关的漏极通过ITO走线连接。

在本申请的一个实施例中，所述第一电极层32由多个块状结构组成；

所述第二电池层为条状结构。

在该实施例中，第一电极层32由多个块状结构组成，多个块状结构组成了第一电极层32。第二电极层34为条状结构，类似于像素区，第二电极层34与接触电极连接。

在本申请的一个实施例中，所述出光块162为蓝色树脂块。

在该实施例中，出光块162为蓝色树脂块，从而当光通过液晶20传递至出光块162后，蓝色树脂块会吸收蓝光，而红光和黄光会从蓝色树脂块射出，从而使得出光块162与所述黑矩阵16除出光块162其余区域形成亮度差，即形成了一个在黑矩阵16中的亮圈，使得出光块162能够代替黑矩阵16边缘进行对位，使得设备对位不再依赖黑矩阵16的内边缘，本申请将上偏光片12的边缘能够与黑矩阵16的边缘对齐，将偏光片的设计尽量往孔18内延伸，从而避免孔18漏光问题的发生。

另一方面，本申请还提供一种电子设备，包括如前所述的显示面板，从而包括如前所述的显示面板的全部技术特征和有益技术效果，在此不再赘述。

在该实施例中，显示面板上还设置有盖板17，上偏光层12与盖板17通过光学胶19连接。

以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (10)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

彩膜基板和阵列基板，所述彩膜基板和所述阵列基板相对设置；

彩膜基板包括上偏光片和黑矩阵，所述上偏光片位于所述黑矩阵远离所述阵列基板的一侧，所述上偏光片具有孔，所述上偏光片靠近所述孔的边缘与所述黑矩阵内边缘对齐，所述黑矩阵上设置有挖槽，所述挖槽距所述黑矩阵内边缘具有预设距离，所述挖槽内填充有出光块；

在预设条件下，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵投射光，所述出光块与所述黑矩阵除出光块其余区域形成亮度差。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，还包括：

液晶，所述液晶设置于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，在预设条件下，所述液晶发生偏转，所述液晶形成高透状态，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵投射光，透过高透状态下的所述液晶，所述出光块与所述黑矩阵除出光块其余区域形成亮度差。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，

所述阵列基板包括第一电极层和第二电极层，所述第一电极层与所述第二电极层的位置与所述挖槽的位置对应，响应于所述第一电极层与所述第二电极层形成压差，与所述第一电极层和所述第二电极层位置对应的液晶发生偏转，所述液晶形成高透状态，自所述阵列基板方向向所述黑矩阵投射光，透过高透状态下的所述液晶，所述出光块与所述黑矩阵除出光块其余区域形成亮度差。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括：

测试用电极，所述测试用电极上设置有STV连接点，CLK连接点和Tch连接点；

所述阵列基板还包括接触电极，所述接触电极与所述第二电极层连接；

所述阵列基板还包括TFT开关，所述TFT开关具有源极、栅极和漏极，所述漏极与所述第一电极层连接，所述栅极与STV连接点连接，所述源极与CLK连接点连接，所述第二电极层与所述Tch连接点连接。

5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，

对所述STV连接点施加第一高电压，所述TFT开关的栅极开启；对所述CLK连接点施加第二高电压，所述TFT开关的源极开启，所述TFT开关的栅极与源极连通，所述第一电极层为第二高电压，对所述接触电极施加基准电压，所述第二电极层为基准电压，所述第一电极层和所述第二电极层形成压差。

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述第一高电压为12V，所述第二高电压为5V，所述基准电压为0V。

7.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，

所述栅极通过STV走线与所述STV连接点连接；

所述源极通过位于GOA区域的CLK走线与所述CLK连接点连接。

8.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，

所述第一电极层由多个块状结构组成；

所述第二电极层为条状结构。

9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，

所述出光块为蓝色树脂块。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求9所述的显示面板。

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