CN112002700A - 显示面板、显示装置以及显示系统 - Google Patents

显示面板、显示装置以及显示系统 Download PDF

Info

Publication number
CN112002700A
CN112002700A CN202010777670.XA CN202010777670A CN112002700A CN 112002700 A CN112002700 A CN 112002700A CN 202010777670 A CN202010777670 A CN 202010777670A CN 112002700 A CN112002700 A CN 112002700A
Authority
CN
China
Prior art keywords
conducted
metal layers
display panel
layer
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202010777670.XA
Other languages
English (en)
Inventor
吴瑞习
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202010777670.XA priority Critical patent/CN112002700A/zh
Priority to US17/049,350 priority patent/US11532646B2/en
Priority to PCT/CN2020/113366 priority patent/WO2022027759A1/zh
Publication of CN112002700A publication Critical patent/CN112002700A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本申请涉及一种显示面板、显示装置以及显示系统,所述显示面板包括多个导通部;各导通部分别设置在显示面板中对应的待导通的金属层之间,用于导通待导通的金属层;任意两层待导通的金属层之间至少设置有两个导通部,本申请在不同的金属层进行转换时,采用至少两个导通部进行导通,实现不同的金属层多点连接,提高了不同的金属层转换的可靠性,即使一处导通部烧坏,还有其它导通部保证不同的金属层之间的导通,避免显示面板失效。

Description

显示面板、显示装置以及显示系统
技术领域
本申请涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示面板、显示装置以及显示系统。
背景技术
TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)基板是TFT-LCD(Thin filmtransistor liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)产品中能控制液晶偏转,进而影响画面显示的Array(阵列)侧基板,但是TFT基板与CF(Color Filter,彩色滤光片)基板合板前,需要进行电性能的综合检测。在综合检测过程中需要将面内线路连接到总线上,利用Shorting bar(短路条)的方式进行加电控制,AA(Active Area,显示区)区外围的Fanout(金属扇区)区内线路较多,交叉点也比较多,为了防止同层金属线路交叉短路,需要进行不同金属导电层的转换。
不同层金属线间的转换,主要通过蚀刻非金属层,漏出空洞,再利用导电薄膜填洞,将不同层金属连接起来,但是导电层薄膜较薄,当对总线路进行加电时最易被电流烧坏,因此,在实现过程中,发明人发现传统技术中至少存在如下问题:传统显示面板的不同金属层之间的连接处易烧坏,导致显示面板显示失效。
发明内容
基于此,有必要针对传统显示面板的不同金属层之间的连接处易烧坏,导致显示面板显示失效的问题,提供一种显示面板、显示装置以及显示系统。
为了实现上述目的,一方面,本申请实施例提供了一种显示面板,包括多个导通部;
各导通部分别设置在显示面板中对应的待导通的金属层之间,用于导通待导通的金属层;
任意两层待导通的金属层之间至少设置有两个导通部;且任意两层待导通的金属层之间的导通部相互间隔设置。
在其中一个实施例中,待导通的金属层为相邻的金属层时,导通部穿透待导通的金属层之间的非导电层。
在其中一个实施例中,非导电层包括栅极绝缘层和/或钝化层。
在其中一个实施例中,待导通的金属层之间至少夹设有一层中间金属层;导通部穿透待导通的金属层之间的非导电层和中间金属层,且导通部与中间金属层之间不导通。
在其中一个实施例中,非导电层包括栅极绝缘层和钝化层。
在其中一个实施例中,导通部为导电薄膜。
在其中一个实施例中,导电薄膜为金属导电膜、氧化物导电膜、化合物导电膜、高分子导电膜或复合导电膜。
在其中一个实施例中,待导通的金属层包括栅极金属层、源漏极金属层和像素电极金属层。
另一方面,本申请实施例还提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
又一方面,本申请实施例还提供了一种显示系统,包括处理设备以及上述显示装置;处理设备连接显示装置。
上述技术方案中的一个技术方案具有如下优点和有益效果:
本申请各实施例提供的显示面板,包括多个导通部;各导通部分别设置在显示面板中对应的待导通的金属层之间,用于导通待导通的金属层;任意两层待导通的金属层之间至少设置有两个导通部,本申请在不同的金属层进行转换时,采用至少两个导通部进行导通,实现不同的金属层多点连接,提高了不同的金属层转换的可靠性,即使一处导通部烧坏,还有其它导通部保证不同的金属层之间的导通,避免显示面板失效。
附图说明
图1为一个实施例中显示面板的结构示意图;
图2为另一个实施例中显示面板的结构示意图。
具体实施方式
为了便于理解本申请,下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是,本申请可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。
需要说明的是,当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件并与之结合为一体,或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“夹设”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
为了解决传统显示面板的不同金属层之间的连接处易烧坏,导致显示面板显示失效的问题,在一个实施例中,如图1和2所示,提供了一种显示面板,包括多个导通部11;
各导通部11分别设置在显示面板中对应的待导通的金属层13之间,用于导通待导通的金属层13;
任意两层待导通的金属层13之间至少设置有两个导通部11;且任意两层待导通的金属层13之间的导通部11相互间隔设置。
需要说明的是,导通部连接在显示面板中的两层不同待导通的金属层之间,用于导通两层不同的待导通的金属层。所述待导通的金属层包括栅极金属层、源漏极金属层和像素电极金属层。
导通部的数量根据实际需要而定,但是在待导通的两层金属层之间至少需要设置两个导通部,以备在其中一个损坏时,另一个仍然可以保证金属层之间的导通。待导通的两层金属层之间的导通部的数量越多,金属层连接导通的可靠性越高,但是导通部的具体数量受到金属层尺寸的制约,导通部的数量可根据金属层的尺寸来确定。
导通部用于导电,导通部采用导电材料制成,在一个示例中,导通部为导电薄膜,例如,在两层金属层之间的非导电层上制作通孔,将导电薄膜穿设于该通孔,从而连接通孔两层的金属层。进一步的,在一个示例中,导电薄膜为金属导电膜、氧化物导电膜、化合物导电膜、高分子导电膜或复合导电膜。
根据显示面板的结构不同,导通部可能存在不同的设置方式,在一个示例中,如图1所示,待导通的金属层13为相邻的金属层时,导通部11穿透待导通的金属层13之间的非导电层15。在该示例中,导通的是两层紧邻的金属层,在该两层紧邻的金属层之间的非导电层可能是栅极绝缘层、也能是钝化层,还可能同时是栅极绝缘层和钝化层。为了使两层紧邻的金属层导通,采用刻蚀工艺在非导电层上形成通孔,然后通孔内形成导通部,从而导通两层紧邻的金属层。
在一个示例中,如图2所示,待导通的金属层之间至少夹设有一层中间金属层;导通部穿透待导通的金属层之间的非导电层和中间金属层,且导通部与中间金属层之间不导通。在该示例中,需要待导通的金属层之间还存在其他金属层(中间金属层),待导通的金属层需要跨过中间金属层进行导通,采用刻蚀工艺在非导电层和中间金属层上形成通孔,然后通孔内形成导通部,从而导通待导通的金属层。导通部与金属层不导通,在一个示例中,需要在中间金属层的通孔侧壁上镀一层非导电膜,然后再形成导通部。其中,非导电层包括栅极绝缘层和钝化层。
导通部可全部设置AA(Active Area,显示区)区,也可全部设置在AA区外周围的Fanout(金属扇区)区,还可以部分设置AA区部分设置在Fanout区,具体的设置方式可根据实际需求而定,在一个优选的示例中,由于传统技术中Fanout区内金属线路较多,金属线路的交叉点也比较多,线路容易出现交叉短路,为了防止Fanout区内出现同层金属线路交叉短路,需要对不同层金属层的进行转换,将导通部全部设置在Fanout区,且任意两层待导通的金属层之间包括两个导通部。
本申请显示面板的各实施例中,包括多个导通部;各导通部分别设置在显示面板中对应的待导通的金属层之间,用于导通待导通的金属层;任意两层待导通的金属层之间至少设置有两个导通部,本申请在不同的金属层进行转换时,采用至少两个导通部进行导通,实现不同的金属层多点连接,提高了不同的金属层转换的可靠性,即使一处导通部烧坏,还有其它导通部保证不同的金属层之间的导通,避免显示面板失效。
在一个实施例中,提供了一种显示装置,包括上述显示面板。
需要说明的是,所述显示面板包括多个导通部;各导通部分别设置在显示面板中对应的待导通的金属层之间,用于导通待导通的金属层;任意两层待导通的金属层之间至少设置有两个导通部。
具体的,导通部连接在显示面板中的两层不同待导通的金属层之间,用于导通两层不同的待导通的金属层。所述待导通的金属层包括栅极金属层、源漏极金属层和像素电极金属层。
导通部的数量根据实际需要而定,但是在待导通的两层金属层之间至少需要设置两个导通部,以备在其中一个损坏时,另一个仍然可以保证金属层之间的导通。待导通的两层金属层之间的导通部的数量越多,金属层连接导通的可靠性越高,但是导通部的具体数量受到金属层尺寸的制约,导通部的数量可根据金属层的尺寸来确定。
导通部用于导电,导通部采用导电材料制成,在一个示例中,导通部为导电薄膜,例如,在两层金属层之间的非导电层上制作通孔,将导电薄膜穿设于该通孔,从而连接通孔两层的金属层。进一步的,在一个示例中,导电薄膜为金属导电膜、氧化物导电膜、化合物导电膜、高分子导电膜或复合导电膜。
根据显示面板的结构不同,导通部可能存在不同的设置方式,在一个示例中,如图1所示,待导通的金属层为相邻的金属层时,导通部穿透待导通的金属层之间的非导电层。在该示例中,导通的是两层紧邻的金属层,在该两层紧邻的金属层之间的非导电层可能是栅极绝缘层、也能是钝化层,还可能同时是栅极绝缘层和钝化层。为了使两层紧邻的金属层导通,采用刻蚀工艺在非导电层上形成通孔,然后通孔内形成导通部,从而导通两层紧邻的金属层。
在一个示例中,如图2所示,待导通的金属层之间至少夹设有一层中间金属层;导通部穿透待导通的金属层之间的非导电层和中间金属层,且导通部与中间金属层之间不导通。在该示例中,需要待导通的金属层之间还存在其他金属层(中间金属层),待导通的金属层需要跨过中间金属层进行导通,采用刻蚀工艺在非导电层和中间金属层上形成通孔,然后通孔内形成导通部,从而导通待导通的金属层。导通部与金属层不导通,在一个示例中,需要在中间金属层的通孔侧壁上镀一层非导电膜,然后再形成导通部。其中,非导电层包括栅极绝缘层和钝化层。
本申请显示装置的各实施例中,显示装置的显示面板中的金属层采用多点连接,提高了连接导通的可靠性,从而提高了显示装置的可靠性,延长了显示装置的寿命。
在一个示例中,还提供了一种显示系统,包括处理设备以及本申请显示装置各实施例所述的显示装置;处理设备连接显示装置。
需要说明的是,该实施例中的显示装置与本申请显示装置各实施例所述的显示装置相同,详细描述请参照本申请显示装置各实施例的描述,此处不再赘述。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本申请构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本申请的保护范围。因此,本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,包括多个导通部;
各所述导通部分别设置在所述显示面板中对应的待导通的金属层之间,用于导通所述待导通的金属层;
任意两层所述待导通的金属层之间至少设置有两个所述导通部;且任意两层所述待导通的金属层之间的所述导通部相互间隔设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述待导通的金属层为相邻的金属层时,所述导通部穿透所述待导通的金属层之间的非导电层。
3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述非导电层包括栅极绝缘层和/或钝化层。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
所述待导通的金属层之间至少夹设有一层中间金属层;所述导通部穿透所述待导通的金属层之间的非导电层和所述中间金属层,且所述导通部与所述中间金属层之间不导通。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述非导电层包括栅极绝缘层和钝化层。
6.根据权利要求1至5任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述导通部为导电薄膜。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述导电薄膜为金属导电膜、氧化物导电膜、化合物导电膜、高分子导电膜或复合导电膜。
8.根据权利要求1至5任意一项所述的显示面板,其特征在于,所述待导通的金属层包括栅极金属层、源漏极金属层和像素电极金属层。
9.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至8任意一项的显示面板。
10.一种显示系统,其特征在于,包括处理设备以及权利要求9所述的显示装置;
所述处理设备连接所述显示装置。
CN202010777670.XA 2020-08-05 2020-08-05 显示面板、显示装置以及显示系统 Pending CN112002700A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010777670.XA CN112002700A (zh) 2020-08-05 2020-08-05 显示面板、显示装置以及显示系统
US17/049,350 US11532646B2 (en) 2020-08-05 2020-09-04 Display panel, display device, and display system
PCT/CN2020/113366 WO2022027759A1 (zh) 2020-08-05 2020-09-04 显示面板、显示装置以及显示系统

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010777670.XA CN112002700A (zh) 2020-08-05 2020-08-05 显示面板、显示装置以及显示系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN112002700A true CN112002700A (zh) 2020-11-27

Family

ID=73463477

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010777670.XA Pending CN112002700A (zh) 2020-08-05 2020-08-05 显示面板、显示装置以及显示系统

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN112002700A (zh)
WO (1) WO2022027759A1 (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103913869A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 上海天马微电子有限公司 一种内嵌触控装置的液晶显示器及其形成方法
CN104362153A (zh) * 2014-09-17 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104576581A (zh) * 2013-10-10 2015-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种接合焊盘结构
CN110473882A (zh) * 2019-08-15 2019-11-19 昆山国显光电有限公司 显示模组及其制备方法、显示面板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009267053A (ja) * 2008-04-24 2009-11-12 Sharp Corp 配線構造の製造方法、並びに表示装置及びその製造方法
CN101847628B (zh) * 2009-03-27 2013-11-06 上海天马微电子有限公司 显示装置
JP5518879B2 (ja) * 2009-09-21 2014-06-11 株式会社東芝 3次元集積回路製造方法、及び装置
CN103149713B (zh) * 2013-03-05 2016-03-09 深圳市华星光电技术有限公司 阵列面板检测电路结构
CN104133333A (zh) * 2014-07-22 2014-11-05 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及制作方法
CN108535928A (zh) * 2018-04-13 2018-09-14 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置
CN109461403B (zh) * 2018-11-05 2022-01-11 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种显示器件及其制备方法和显示装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103913869A (zh) * 2012-12-31 2014-07-09 上海天马微电子有限公司 一种内嵌触控装置的液晶显示器及其形成方法
CN104576581A (zh) * 2013-10-10 2015-04-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种接合焊盘结构
CN104362153A (zh) * 2014-09-17 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
CN110473882A (zh) * 2019-08-15 2019-11-19 昆山国显光电有限公司 显示模组及其制备方法、显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022027759A1 (zh) 2022-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10126604B2 (en) Liquid crystal display panel, sealing performance testing method thereof and display device
CN107085333B (zh) 一种阵列基板及显示面板
US10186464B2 (en) Array substrate motherboard, array substrate and method of manufacturing the same, and display device
CN111736398B (zh) 一种显示面板及显示装置
US9508751B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same and display device
CN116610231A (zh) 触控显示面板及触控显示装置
US10102783B2 (en) Array substrate and detecting method for an array substrate
DE102010042473A1 (de) Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit integrierter berührungsempfindlicher Tafel
CN110416270B (zh) Oled显示面板及其检测方法、显示装置
US10761357B2 (en) Liquid crystal display panel and display device
WO2014153854A1 (zh) 触控显示屏及触控显示装置
CN100456091C (zh) 液晶显示装置及其阵列基板
CN103698948A (zh) 一种液晶面板及液晶显示器
CN108776551B (zh) 一种阵列基板及触控屏
US8830412B2 (en) Substrate and manufacturing method of panel display device and corresponding liquid crystal display panel
CN203217211U (zh) 一种显示面板和显示装置
CN106098709B (zh) 阵列基板、显示装置
US9007556B2 (en) Susbtrate with PSVA mode pad set and cell switch for array process of panel display device, manufacturing method and corresponding liquid crystal display device
CN112002700A (zh) 显示面板、显示装置以及显示系统
CN101846828A (zh) 主动组件阵列基板与液晶显示面板
US11011554B2 (en) Array substrate, method for fabricating the same, and display panel
US10396100B2 (en) Array substrate, display panel and pixel patching method
CN102692776B (zh) 平板显示装置的基板、制作方法及相应的液晶显示面板
US20220045104A1 (en) Display panel, display device, and display system
WO2019056521A1 (zh) 阵列基板、显示面板及像素修补方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination