CN111975507A - 用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置及其操作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，包括底座，在底座顶面两侧的中部均设有立柱；在底座的顶面设有设备箱，在设备箱的顶面设有承载台；在固定块的顶端设有橡胶托板，在固定块两侧的承载台顶面上均设有T型导轨；在每个滑板的顶面均设有弧形夹板；在橡胶托板的顶面放置有晶圆板；在套管的底部设有驱动箱，在驱动箱的内底面设有转动轴，在转动轴的底端套设有打磨轮；本发明便于操作，通过驱动组件和调节组件，解决了夹持时易对晶圆板造成损伤的问题，解决了不便于对不同尺寸的晶圆板进行夹持和夹持效率较低的问题；通过移动组件和升降组件，解决了现有晶粒打磨装置在对晶圆板上的晶粒进行打磨时操作不便的问题。

Description

用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置及其操作方法

技术领域

本发明涉及半导体石墨晶圆加工的技术领域，尤其涉及用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置及其操作方法。

背景技术

晶圆精加工设备，是对于晶圆和晶粒进行打磨，用于提高晶圆表面的光滑程度，传统的在晶圆精加工时，由于晶圆固定方式复杂，不便于对不同尺寸的晶圆板进行夹持，同时在夹持时易对晶圆板造成损伤；在对晶圆板上的晶粒进行打磨时，较多采用人工打磨操作的方法，易导致在对于晶粒打磨时，由于长时间的打磨操作，使工作人员的体力和精力大幅降低，导致影响对于晶圆板上的晶粒打磨的质量，不便于工作人员的打磨操作。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，包括底座，所述底座为水平该设置的矩形板状，在所述底座顶面两侧的中部均竖向固定设有立柱，在两个所述立柱内侧面的上部均竖向活动设有移动板，在两个所述移动板之间的上部横向固定设有横梁，在所述横梁的顶面一端中部固定设有电机箱，在所述电机箱内竖向固定设有第一电机；在所述底座的顶面中部固定设有矩形的设备箱，在所述设备箱的顶面水平固定设有矩形的承载台，在所述承载台的顶面中部固定设有矩形的固定块，在所述固定块的顶端水平固定设有圆形的橡胶托板，在所述固定块两侧的承载台顶面上均横向固定设有T型导轨，在每个所述T型导轨上均水平活动设有滑板，在每个所述滑板的底面均配合T型导轨横向开设有T型滑槽；在每个所述滑板的顶面均竖向固定设有弧形夹板，且两个弧形夹板的内弧面相对设置；在所述橡胶托板的顶面水平放置有晶圆板；

在两个所述移动板的底部之间横向固定设有导向杆，在所述导向杆上活动套设有套管，在所述套管的底部固定设有驱动箱，在所述驱动箱内竖向设置有第二电机，在所述驱动箱的内底面中部固定设有第一轴承，在所述第一轴承的内圈中竖向固定设有转动轴，所述转动轴的顶端通过联轴器与第二电机的电机轴同轴固接，且所述转动轴的底端贯穿出驱动箱的底部，在所述转动轴的底端水平固定套设有打磨轮。

优选地，在每个所述立柱内均沿高度方向竖向开设有圆形的升降腔，在每个所述升降腔内均设有升降组件；在所述横梁内的中部横向开设有矩形的移动腔，在所述移动腔内设有移动组件；在所述移动腔一侧的横梁内开设有矩形的传动腔；在所述设备箱内设有驱动组件；在所述承载板内的中部横向开设有矩形的调节腔，在所述调节腔内设有调节组件。

优选地，所述升降组件包括电推缸、圆柱块和连接板，在每个所述升降腔内的底部均竖向固定设有电推缸，在每个所述升降腔内的顶部均竖向活动设有圆柱块，且每个所述电推缸的伸缩端顶部均与圆柱块的底面固接；在每个所述圆柱块的一侧中部均横向固接有连接板，在每个所述立柱内侧面的上部均竖向开设有条形开口，且每个所述连接板的一端均从条形开口内延伸出与移动板的外侧面固接。

优选地，所述移动组件包括丝杠、螺纹筒、连接杆、主动锥齿和被动锥齿，在所述移动腔的两侧内壁上均固定设有第二轴承，所述丝杠横向设置在移动腔内，且所述丝杠的两端均固接在第一轴承的内圈中；在所述丝杠的杆体上活动套设有螺纹筒，在所述螺纹筒的底部两侧均竖向固接有连接杆，在所述移动腔的内底面横向开设有条状开口，且每个所述连接杆的底端均从条状开口内延伸出与套管的顶部管体固接；所述丝杠的一端贯穿进传动腔内，在所述丝杠的端固定套设有被动锥齿，所述第一电机的电机轴底端贯穿进传动腔内，在所述第一电机的电机轴底端固定套设有主动锥齿，所述主动锥齿与被动锥齿啮合传动。

优选地，所述调节组件包括转动杆、挡环、螺纹套管和连接柱，在所述调节腔的两侧内壁上均固定设有第三轴承，所述转动杆横向设置在调节腔内，且所述转动杆的两端均固接在第三轴承的内圈中；在所述转动杆的杆体中部两侧均固定套设有挡环，在每个挡环外侧的转动杆杆体上分别设有正向螺纹和反向螺纹；在所述转动杆的杆体两侧均活动套设有螺纹套管，在每个所述螺纹套管的顶部均竖向固定设有连接柱，在所述调节腔的内顶面上沿长度方向开设有条状的矩形开口，且所述矩形开口位于T型导轨的前端；每个所述连接柱的顶端均从矩形开口内延伸出与滑板的底面固接。

优选地，所述驱动组件包括第三电机、传动轴、主动锥齿轮和从动锥齿轮，在所述设备箱内的中部竖向固定设有第三电机，在所述设备箱内的两侧均设有蓄电池；在所述设备箱的内顶面中部固定设有第四轴承，在所述第四轴承的内圈中竖向固定设有传动轴，所述传动轴的底端通过联轴器与第三电机的电机轴同轴固接，且所述传动轴的顶端贯穿进调节腔内，在所述传动轴的顶端固定套设有主动锥齿轮，在两个所述挡环之间的转动杆的杆体上固定套设有从动锥齿轮，且所述主动锥齿轮与从动锥齿轮啮合传动。

优选地，在每个所述弧形夹板的内弧面上均竖向活动设有弧形橡胶垫，在每个所述弧形橡胶垫的外弧面顶部和底部均等距横向固定设有夹力弹簧，且每个所述夹力弹簧的外端均与弧形夹板的内弧面固接。

优选地，在每个所述立柱内侧面的中部均固定设有矩形的缓冲盒，在每个所述缓冲盒内均开设有矩形的缓冲腔，在每个所述缓冲腔内均设有缓冲组件；所述缓冲组件包括缓冲板、缓冲弹簧、稳定杆、缓冲杆和缓冲垫板，在每个所述缓冲腔内均水平活动设有缓冲板，在每个所述缓冲板的底面中部均竖向固定设有缓冲弹簧，且每个所述缓冲昂弹簧的底端均与缓冲腔的内底面固接；在每个所述缓冲板的底面四角均竖向固定设有稳定杆，且每个所述稳定杆的底端均活动贯穿出缓冲腔外；在每个所述缓冲板的顶面中部局竖向固定设有缓冲杆，且每个所述缓冲杆的顶端均贯穿出缓冲盒的顶部，在每个所述缓冲杆的顶端均水平固定设有缓冲垫板。

本发明还提出了用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置的操作方法，包括以下步骤：

步骤一，首先将第一电机、电推缸、第二电机和第三电机分别通过导线与蓄电池电性连接，将晶圆板放置在橡胶托板的顶面上，然后根据晶圆板的尺寸进行调节两侧弧形夹板之间的间距；

步骤二，通过控制驱动组件带动调节组件，通过调节组件带动滑板在T型导轨上朝内滑动，通过滑板的朝内滑动带动弧形夹板朝内移动，通过弧形夹板的朝内移动使弧形橡胶垫夹持在晶圆板的两侧；

步骤三，通过根据晶圆板的位置进行调节打磨轮的位置，通过控制第一电机带动移动组件，通过移动组件带动套管在导向杆上进行横移，通过套管的横移带动驱动箱底端的转动轴和打磨轮进行横向移动调节；

步骤四，通过控制第二电机带动转动轴底端的打磨轮进行转动，通过控制升降组件带动移动板在立柱的内侧面上进行升降，通过移动板的升降带动横梁和底部的打磨轮进行下降，通过打磨轮的下降对晶圆板表面的晶粒进行打磨工作；

步骤五，在打磨工作结束后，将装置进行复位，并将电源关闭。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、通过驱动组件带动调节调节组件，通过调节组件带动滑板上弧形夹板朝内移动，通过弧形夹板的朝内移动便于使弧形橡胶垫对不同尺寸的晶圆板进行夹持固定，通过弧形橡胶垫和夹力弹簧，便于有效降低在对晶圆板进行夹持固定时所产生的磨损和挤压的情况发生通过可移动的弧形夹板有效增加了装置的夹持使用的范围，便于对不同尺寸大小的晶圆板进行快速固定夹持，并有效提高了对于晶圆板的夹持效率，解决了现有晶圆板夹持机构在夹持时易对晶圆板造成损伤的问题，以及解决了现有夹持机构不便于对不同尺寸大小的晶圆板进行快速夹持和夹持效率较低的问题；

2、通过第一电机带动移动组件，通过移动组件便于带动驱动腔下方的打磨轮进行横向移动调节，通过打磨轮的可移动调节便于根据晶圆板所固定的位置和待打磨晶粒的位置进行移动调节，通过升降组件带动打磨轮的升降便于对晶圆板上的晶粒进行打磨工作，有效降低了工作人员在打磨时的劳动强度，并有效提高了对于晶粒的打磨效率；解决了现有晶粒打磨装置在对晶圆板上的晶粒进行打磨时操作不便的问题；通过缓冲组件有效降低横梁带动打磨轮在下降时，对于晶圆板所产生的从冲击力，便于有效提高对于晶圆板的保护性能。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为本发明的主视结构示意图；

图2为本发明的主视剖面意图；

图3为本发明的图2中A部位结构放大示意图；

图4为本发明的图1中B部位剖面结构放大示意图；

图5为本发明的操作方法示意图；

图中序号：底座1、立柱2、移动板3、横梁4、电机箱5、第一电机6、设备箱7、承载台8、橡胶托板9、T型导轨10、滑板11、弧形夹板12、导向杆13、套管14、驱动箱15、转动轴16、打磨轮17、电推缸18、圆柱块19、连接板20、丝杠21、螺纹筒22、连接杆23、主动锥齿24、被动锥齿25、第二电机26、转动杆27、挡环28、螺纹套管29、连接柱30、第三电机31、传动轴32、主动锥齿轮33、从动锥齿轮34、弧形橡胶垫35、夹力弹簧36、缓冲盒37、缓冲板38、缓冲弹簧39、稳定杆40、缓冲杆41、缓冲垫板42。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。

实施例1：参见图1-4，用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，包括底座1，在所述底座1顶面两侧的中部均竖向固定设有立柱2，在两个所述立柱2内侧面的上部均竖向活动设有移动板3，在两个所述移动板3之间的上部横向固定设有横梁4，在所述横梁4的顶面一端中部固定设有电机箱5，在所述电机箱5内竖向固定设有第一电机6，第一电机6的型号为T63B4；在所述底座1的顶面中部固定设有矩形的设备箱7，在所述设备箱7的顶面水平固定设有矩形的承载台8，在所述承载台8的顶面中部固定设有矩形的固定块，在所述固定块的顶端水平固定设有圆形的橡胶托板9，在所述固定块两侧的承载台8顶面上均横向固定设有T型导轨10，在每个所述T型导轨10上均水平活动设有滑板11，在每个所述滑板11的底面均配合T型导轨10横向开设有T型滑槽；在每个所述滑板11的顶面均竖向固定设有弧形夹板12，且两个弧形夹板12的内弧面相对设置；在所述橡胶托板9的顶面水平放置有晶圆板；在两个所述移动板3的底部之间横向固定设有导向杆13，在所述导向杆13上活动套设有套管14，在所述套管14的底部固定设有驱动箱15，在所述驱动箱15内竖向设置有第二电机26，第二电机26的型号为WKBL2232S-1213；在所述驱动箱15的内底面中部固定设有第一轴承，在所述第一轴承的内圈中竖向固定设有转动轴16，所述转动轴16的顶端通过联轴器与第二电机26的电机轴同轴固接，且所述转动轴16的底端贯穿出驱动箱15的底部，在所述转动轴16的底端水平固定套设有打磨轮17。

在本发明中，在每个所述立柱2内均沿高度方向竖向开设有圆形的升降腔，在每个所述升降腔内均设有升降组件；在所述横梁4内的中部横向开设有矩形的移动腔，在所述移动腔内设有移动组件；在所述移动腔一侧的横梁4内开设有矩形的传动腔；在所述设备箱7内设有驱动组件；在所述承载板8内的中部横向开设有矩形的调节腔，在所述调节腔内设有调节组件。

在本发明中，所述升降组件包括电推缸18、圆柱块19和连接板20，电推缸18的型号为HH110-S300-T-R10-M1-C1-P2；在每个所述升降腔内的底部均竖向固定设有电推缸18，在每个所述升降腔内的顶部均竖向活动设有圆柱块19，且每个所述电推缸18的伸缩端顶部均与圆柱块19的底面固接；在每个所述圆柱块19的一侧中部均横向固接有连接板20，在每个所述立柱2内侧面的上部均竖向开设有条形开口，且每个所述连接板20的一端均从条形开口内延伸出与移动板3的外侧面固接。

在本发明中，所述移动组件包括丝杠21、螺纹筒22、连接杆23、主动锥齿24和被动锥齿25，在所述移动腔的两侧内壁上均固定设有第二轴承，所述丝杠21横向设置在移动腔内，且所述丝杠21的两端均固接在第一轴承的内圈中；在所述丝杠21的杆体上活动套设有螺纹筒22，在所述螺纹筒22的底部两侧均竖向固接有连接杆23，在所述移动腔的内底面横向开设有条状开口，且每个所述连接杆23的底端均从条状开口内延伸出与套管14的顶部管体固接；所述丝杠21的一端贯穿进传动腔内，在所述丝杠21的端固定套设有被动锥齿25，所述第一电机6的电机轴底端贯穿进传动腔内，在所述第一电机6的电机轴底端固定套设有主动锥齿24，所述主动锥齿24与被动锥齿25啮合传动；通过第一电机带动移动组件，通过移动组件便于带动驱动腔下方的打磨轮进行横向移动调节，通过打磨轮的可移动调节便于根据晶圆板所固定的位置和待打磨晶粒的位置进行移动调节，通过升降组件带动打磨轮的升降便于对晶圆板上的晶粒进行打磨工作，有效降低了工作人员在打磨时的劳动强度。

在本发明中，所述调节组件包括转动杆27、挡环28、螺纹套管29和连接柱30，在所述调节腔的两侧内壁上均固定设有第三轴承，所述转动杆27横向设置在调节腔内，且所述转动杆27的两端均固接在第三轴承的内圈中；在所述转动杆27的杆体中部两侧均固定套设有挡环28，在每个挡环28外侧的转动杆28杆体上分别设有正向螺纹和反向螺纹；在所述转动杆27的杆体两侧均活动套设有螺纹套管29，在每个所述螺纹套管29的顶部均竖向固定设有连接柱30，在所述调节腔的内顶面上沿长度方向开设有条状的矩形开口，且所述矩形开口位于T型导轨10的前端；每个所述连接柱30的顶端均从矩形开口内延伸出与滑板11的底面固接；所述驱动组件包括第三电机31、传动轴32、主动锥齿轮33和从动锥齿轮34，第三电机31的型号为CH28-750-15S，在所述设备箱7内的中部竖向固定设有第三电机31，在所述设备箱7内的两侧均设有蓄电池；在所述设备箱7的内顶面中部固定设有第四轴承，在所述第四轴承的内圈中竖向固定设有传动轴32，所述传动轴32的底端通过联轴器与第三电机31的电机轴同轴固接，且所述传动轴32的顶端贯穿进调节腔内，在所述传动轴32的顶端固定套设有主动锥齿轮33，在两个所述挡环28之间的转动杆27的杆体上固定套设有从动锥齿轮34，且所述主动锥齿轮33与从动锥齿轮34啮合传动；通过弧形夹板的朝内移动便于使弧形橡胶垫对不同尺寸的晶圆板进行夹持固定，通过弧形橡胶垫和夹力弹簧，便于有效降低在对晶圆板进行夹持固定时所产生的磨损和挤压的情况发生通过可移动的弧形夹板有效增加了装置的夹持使用的范围，便于对不同尺寸大小的晶圆板进行快速固定夹持，并有效提高了对于晶圆板的夹持效率。

在本发明中，在每个所述弧形夹板12的内弧面上均竖向活动设有弧形橡胶垫35，在每个所述弧形橡胶垫35的外弧面顶部和底部均等距横向固定设有夹力弹簧36，且每个所述夹力弹簧36的外端均与弧形夹板12的内弧面固接；在每个所述立柱2内侧面的中部均固定设有矩形的缓冲盒37，在每个所述缓冲盒37内均开设有矩形的缓冲腔，在每个所述缓冲腔内均设有缓冲组件；所述缓冲组件包括缓冲板38、缓冲弹簧39、稳定杆40、缓冲杆41和缓冲垫板42，在每个所述缓冲腔内均水平活动设有缓冲板38，在每个所述缓冲板38的底面中部均竖向固定设有缓冲弹簧39，且每个所述缓冲昂弹簧39的底端均与缓冲腔的内底面固接；在每个所述缓冲板38的底面四角均竖向固定设有稳定杆40，且每个所述稳定杆40的底端均活动贯穿出缓冲腔外；在每个所述缓冲板38的顶面中部局竖向固定设有缓冲杆41，且每个所述缓冲杆41的顶端均贯穿出缓冲盒37的顶部，在每个所述缓冲杆41的顶端均水平固定设有缓冲垫板42；通过缓冲组件有效降低横梁带动打磨轮在下降时，对于晶圆板所产生的从冲击力，便于有效提高对于晶圆板的保护性能。

实施例2：参见图5，在本实施例中，本发明还提出了用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置的操作方法，包括以下步骤：

步骤一，首先将第一电机6、电推缸18、第二电机26和第三电机31分别通过导线与蓄电池电性连接，将晶圆板放置在橡胶托板9的顶面上，然后根据晶圆板的尺寸进行调节两侧弧形夹板之间的间距；

步骤二，通过控制第三电机31带动传动轴32顶端的主动锥齿轮33进行转动，通过主动锥齿轮33与从动锥齿轮34的啮合传动带动转动杆27进行转动，通过转动杆27杆体上的正向螺纹和反向螺纹带动两个螺纹套管29进行同时朝内移动，通过螺纹套管29的朝内横移带动连接柱30顶端的滑板11在T型导轨10上朝内滑动，通过滑板11的朝内滑动带动弧形夹板12朝内移动，通过弧形夹板12的朝内移动使弧形橡胶垫35夹持在晶圆板的两侧；

步骤三，通过根据晶圆板的位置进行调节打磨轮17的位置，通过控制第一电机6带动主动锥齿24进行转动，通过主动锥齿24与被动锥齿25的啮合传动带动丝杠21进行转动，通过丝杠21的转动带动螺纹筒22在杆体上进行横移，通过螺纹筒22的横移带动连接杆底端的套管14在导向杆13上进行横移，通过套管14的横移带动驱动箱15底端的转动轴16和打磨轮17进行横向移动调节；

步骤四，通过控制第二电机26带动转动轴16底端的打磨轮17进行转动，然后通过控制电推缸18的伸缩带动顶端的圆柱块19在升降腔内进行下降，通过圆柱块19的下降带动连接板20外端的移动板3在立柱2的内侧面上进行升降，通过移动板3的升降带动横梁4和底部的打磨轮17进行下降，通过打磨轮17的下降，便于对晶圆板表面的晶粒进行打磨工作；

步骤五，在打磨工作结束后，将装置进行复位，并将电源关闭。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，包括底座（1），其特征在于：所述底座（1）为水平该设置的矩形板状，在所述底座（1）顶面两侧的中部均竖向固定设有立柱（2），在两个所述立柱（2）内侧面的上部均竖向活动设有移动板（3），在两个所述移动板（3）之间的上部横向固定设有横梁（4），在所述横梁（4）的顶面一端中部固定设有电机箱（5），在所述电机箱（5）内竖向固定设有第一电机（6）；在所述底座（1）的顶面中部固定设有矩形的设备箱（7），在所述设备箱（7）的顶面水平固定设有矩形的承载台（8），在所述承载台（8）的顶面中部固定设有矩形的固定块，在所述固定块的顶端水平固定设有圆形的橡胶托板（9），在所述固定块两侧的承载台（8）顶面上均横向固定设有T型导轨（10），在每个所述T型导轨（10）上均水平活动设有滑板（11），在每个所述滑板（11）的底面均配合T型导轨（10）横向开设有T型滑槽；在每个所述滑板（11）的顶面均竖向固定设有弧形夹板（12），且两个弧形夹板（12）的内弧面相对设置；在所述橡胶托板（9）的顶面水平放置有晶圆板；

在两个所述移动板（3）的底部之间横向固定设有导向杆（13），在所述导向杆（13）上活动套设有套管（14），在所述套管（14）的底部固定设有驱动箱（15），在所述驱动箱（15）内竖向设置有第二电机（26），在所述驱动箱（15）的内底面中部固定设有第一轴承，在所述第一轴承的内圈中竖向固定设有转动轴（16），所述转动轴（16）的顶端通过联轴器与第二电机（26）的电机轴同轴固接，且所述转动轴（16）的底端贯穿出驱动箱（15）的底部，在所述转动轴（16）的底端水平固定套设有打磨轮（17）；

在每个所述立柱（2）内均沿高度方向竖向开设有圆形的升降腔，在每个所述升降腔内均设有升降组件；在所述横梁（4）内的中部横向开设有矩形的移动腔，在所述移动腔内设有移动组件；在所述移动腔一侧的横梁（4）内开设有矩形的传动腔；在所述设备箱（7）内设有驱动组件；在所述承载板（8）内的中部横向开设有矩形的调节腔，在所述调节腔内设有调节组件。

2.根据权利要求1所述的用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，其特征在于：所述升降组件包括电推缸（18）、圆柱块（19）和连接板（20），在每个所述升降腔内的底部均竖向固定设有电推缸（18），在每个所述升降腔内的顶部均竖向活动设有圆柱块（19），且每个所述电推缸（18）的伸缩端顶部均与圆柱块（19）的底面固接；在每个所述圆柱块（19）的一侧中部均横向固接有连接板（20），在每个所述立柱（2）内侧面的上部均竖向开设有条形开口，且每个所述连接板（20）的一端均从条形开口内延伸出与移动板（3）的外侧面固接。

3.根据权利要求1所述的用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，其特征在于：所述移动组件包括丝杠（21）、螺纹筒（22）、连接杆（23）、主动锥齿（24）和被动锥齿（25），在所述移动腔的两侧内壁上均固定设有第二轴承，所述丝杠（21）横向设置在移动腔内，且所述丝杠（21）的两端均固接在第一轴承的内圈中；在所述丝杠（21）的杆体上活动套设有螺纹筒（22），在所述螺纹筒（22）的底部两侧均竖向固接有连接杆（23），在所述移动腔的内底面横向开设有条状开口，且每个所述连接杆（23）的底端均从条状开口内延伸出与套管（14）的顶部管体固接；所述丝杠（21）的一端贯穿进传动腔内，在所述丝杠（21）的端固定套设有被动锥齿（25），所述第一电机（6）的电机轴底端贯穿进传动腔内，在所述第一电机（6）的电机轴底端固定套设有主动锥齿（24），所述主动锥齿（24）与被动锥齿（25）啮合传动。

4.根据权利要求1所述的用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，其特征在于：所述调节组件包括转动杆（27）、挡环（28）、螺纹套管（29）和连接柱（30），在所述调节腔的两侧内壁上均固定设有第三轴承，所述转动杆（27）横向设置在调节腔内，且所述转动杆（27）的两端均固接在第三轴承的内圈中；在所述转动杆（27）的杆体中部两侧均固定套设有挡环（28），在每个挡环（28）外侧的转动杆（28）杆体上分别设有正向螺纹和反向螺纹；在所述转动杆（27）的杆体两侧均活动套设有螺纹套管（29），在每个所述螺纹套管（29）的顶部均竖向固定设有连接柱（30），在所述调节腔的内顶面上沿长度方向开设有条状的矩形开口，且所述矩形开口位于T型导轨（10）的前端；每个所述连接柱（30）的顶端均从矩形开口内延伸出与滑板（11）的底面固接。

5.根据权利要求4所述的用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，其特征在于：所述驱动组件包括第三电机（31）、传动轴（32）、主动锥齿轮（33）和从动锥齿轮（34），在所述设备箱（7）内的中部竖向固定设有第三电机（31），在所述设备箱（7）内的两侧均设有蓄电池；在所述设备箱（7）的内顶面中部固定设有第四轴承，在所述第四轴承的内圈中竖向固定设有传动轴（32），所述传动轴（32）的底端通过联轴器与第三电机（31）的电机轴同轴固接，且所述传动轴（32）的顶端贯穿进调节腔内，在所述传动轴（32）的顶端固定套设有主动锥齿轮（33），在两个所述挡环（28）之间的转动杆（27）的杆体上固定套设有从动锥齿轮（34），且所述主动锥齿轮（33）与从动锥齿轮（34）啮合传动。

6.根据权利要求1所述的用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，其特征在于：在每个所述弧形夹板（12）的内弧面上均竖向活动设有弧形橡胶垫（35），在每个所述弧形橡胶垫（35）的外弧面顶部和底部均等距横向固定设有夹力弹簧（36），且每个所述夹力弹簧（36）的外端均与弧形夹板（12）的内弧面固接。

7.根据权利要求1所述的用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置，其特征在于：在每个所述立柱（2）内侧面的中部均固定设有矩形的缓冲盒（37），在每个所述缓冲盒（37）内均开设有矩形的缓冲腔，在每个所述缓冲腔内均设有缓冲组件；所述缓冲组件包括缓冲板（38）、缓冲弹簧（39）、稳定杆（40）、缓冲杆（41）和缓冲垫板（42），在每个所述缓冲腔内均水平活动设有缓冲板（38），在每个所述缓冲板（38）的底面中部均竖向固定设有缓冲弹簧（39），且每个所述缓冲昂弹簧（39）的底端均与缓冲腔的内底面固接；在每个所述缓冲板（38）的底面四角均竖向固定设有稳定杆（40），且每个所述稳定杆（40）的底端均活动贯穿出缓冲腔外；在每个所述缓冲板（38）的顶面中部局竖向固定设有缓冲杆（41），且每个所述缓冲杆（41）的顶端均贯穿出缓冲盒（37）的顶部，在每个所述缓冲杆（41）的顶端均水平固定设有缓冲垫板（42）。

8.根据权利要求1-7任一所述的用于半导体石墨晶圆的晶粒加工装置的操作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一，首先将第一电机（6）、电推缸（18）、第二电机（26）和第三电机（31）分别通过导线与蓄电池电性连接，将晶圆板放置在橡胶托板（9）的顶面上，然后根据晶圆板的尺寸进行调节两侧弧形夹板之间的间距；

步骤二，通过控制驱动组件带动调节组件，通过调节组件带动滑板（11）在T型导轨（10）上朝内滑动，通过滑板（11）的朝内滑动带动弧形夹板（12）朝内移动，通过弧形夹板（12）的朝内移动使弧形橡胶垫（35）夹持在晶圆板的两侧；

步骤三，通过根据晶圆板的位置进行调节打磨轮（17）的位置，通过控制第一电机（6）带动移动组件，通过移动组件带动套管（14）在导向杆（13）上进行横移，通过套管（14）的横移带动驱动箱（15）底端的转动轴（16）和打磨轮（17）进行横向移动调节；

步骤四，通过控制第二电机（26）带动转动轴（16）底端的打磨轮（17）进行转动，通过控制升降组件带动移动板3在立柱2的内侧面上进行升降，通过移动板3的升降带动横梁4和底部的打磨轮（17）进行下降，通过打磨轮（17）的下降对晶圆板表面的晶粒进行打磨工作；

步骤五，在打磨工作结束后，将装置进行复位，并将电源关闭。

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