CN111970856B - 一种防止金属化半孔毛刺的加工方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种防止金属化半孔毛刺的加工方法，包括以下步骤：前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。所述锣半孔加工中，锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定，以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点，以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点，两点之间的距离为长槽长度。本发明可以有效防止金属化半孔毛刺的产生，且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。
Description
技术领域
本发明属于线路板加工技术领域，具体涉及一种防止金属化半孔毛刺的加工方法。
背景技术
PCB（Printed Circuit Board），中文名称为印制电路板，又称印刷线路板，是重要的电子部件，是电子元器件的支撑体，是电子元器件电气连接的载体。由于它采用电子印刷术制作的，故被称为“印刷”电路板。其中，金属化半孔PCB是指一钻孔经孔化后，再二钻、外形工艺，最终保留金属化孔一半。金属化半孔PCB具体工艺流程为：一钻孔、板面电镀、外光成像、图形电镀、烘干、半孔处理、退膜、蚀刻、退锡、其他流程、外形。现有的金属化PCB金属毛刺通常需要通过蚀刻的方式除去毛刺，存在以下两个问题：
1、锣金属化半孔时，孔铜因锣刀的高速旋转的拉扯，形成铜毛刺，绝大部分铜毛刺存在向半孔内壁延伸的部分，使用化学药水蚀刻除去毛刺时，仍有部分毛刺残留后镀锡、镀铜，当毛刺附着于板面时，毛刺的锡面朝上，若蚀刻不净会存留残铜，并形成微短，且由于金属毛刺相当细致，难以被AOI光学检测机检测，或者在检测时，毛刺脱落并反沾到板面上，形成内短进一步影响PCB良品率；
2、使用化学药水蚀刻除去毛刺，存在金属化半孔内壁部分孔铜被蚀刻的风险。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种防止金属化半孔毛刺的加工方法，本发明可以有效防止金属化半孔毛刺的产生，且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。
本发明的技术方案为：
一种防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。
特别的，本发明中，所述锣半孔加工设置在钻孔加工后，沉铜加工前。
进一步的，所述锣半孔加工中，选择直径为0.6-1.0mm铣刀，在需要制作金属化半孔的位置锣槽。所述锣槽的设计结构如图1所示。
进一步的，所述锣半孔加工中，锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定，以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点，以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点，两点之间的距离为长槽长度。
进一步的，所述贴蓝胶加工中，在锣半孔后，整板双面贴蓝胶，将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。
进一步的，所述蓝胶开窗加工中，采用CO2激光切割机，将上述半孔及锣半孔时形成的长槽切割开窗，开窗大小上述半孔及锣半孔时形成的长槽预大1mil。
进一步的，所述印湿膜加工中，采用整板印湿膜将，选择耐电镀药水的湿膜，使得整板、半孔及锣半孔时形成的长槽内壁形成一层感光薄膜。
进一步的，所述图形转型加工中，选择激光直接成像机，将锣半孔所形成的长槽曝光，使得长槽内壁的感光薄膜发生光聚合反应，形成新的抗显影液的薄膜。
进一步的，所述湿膜显影加工中，正常显影后，长槽内壁有抗显影液的薄膜。
进一步的，在经过正常沉铜、一铜加工后，长槽内壁有一层薄膜，使得长槽内壁无法形成铜层。
进一步的，所述外层蚀刻加工中，褪膜段采用1m/min-2m/min褪膜速度，使得长槽内壁褪膜干净。
现有技术中，一般的加工工艺为：前处理→钻孔→沉铜→一铜→外形图层→外层AOI→图形电镀→锣半孔→化学蚀刻→阻焊→后流程。
与现有技术相比较，本申请发明人通过大量的创造性试验，对以下工艺进行改进，达到了本发明的技术效果，具体为：钻孔后沉铜前锣半孔；印湿膜前，采用贴蓝胶封孔的方式，防止PCB板中的金属化小孔湿膜入孔，因显影药水交换缓慢，小孔孔壁湿膜因显影不尽，而残留在孔壁，导致无法沉铜电镀，影响产品电性导通；印湿膜保护长槽内壁，使其孔壁无法形成铜层。
本发明可以有效防止金属化半孔毛刺的产生，且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。
附图说明
图1为本发明加工锣半孔的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合具体实施方式，对本发明进行进一步的详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用以解释本发明，并不限定本发明的保护范围。
实施例1
一种防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。
特别的，本发明中，所述锣半孔加工设置在钻孔加工后，沉铜加工前。
进一步的，所述锣半孔加工中，选择直径为0.8mm铣刀，在需要制作金属化半孔的位置锣槽。所述锣槽的设计结构如图1所示。
进一步的，所述锣半孔加工中，锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定，以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点，以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点，两点之间的距离为长槽长度。
进一步的，所述贴蓝胶加工中，在锣半孔后，整板双面贴蓝胶，将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。
进一步的，所述蓝胶开窗加工中，采用CO2激光切割机，将上述半孔及锣半孔时形成的长槽切割开窗，开窗大小上述半孔及锣半孔时形成的长槽预大1mil。
进一步的，所述印湿膜加工中，采用整板印湿膜将，选择耐电镀药水的湿膜，使得整板、半孔及锣半孔时形成的长槽内壁形成一层感光薄膜。
进一步的，所述图形转型加工中，选择激光直接成像机，将锣半孔所形成的长槽曝光，使得长槽内壁的感光薄膜发生光聚合反应，形成新的抗显影液的薄膜。
进一步的，所述湿膜显影加工中，正常显影后，长槽内壁有抗显影液的薄膜。
进一步的，在经过正常沉铜、一铜加工后，长槽内壁有一层薄膜，使得长槽内壁无法形成铜层。
进一步的，所述外层蚀刻加工中，褪膜段采用1.5m/min褪膜速度，使得长槽内壁褪膜干净。
本发明可以有效防止金属化半孔毛刺的产生，且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。
实施例2
一种防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。
特别的，本发明中，所述锣半孔加工设置在钻孔加工后，沉铜加工前。
进一步的，所述锣半孔加工中，选择直径为0.6mm铣刀，在需要制作金属化半孔的位置锣槽。
进一步的，所述锣半孔加工中，锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定，以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点，以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点，两点之间的距离为长槽长度。
进一步的，所述贴蓝胶加工中，在锣半孔后，整板双面贴蓝胶，将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。
进一步的，所述蓝胶开窗加工中，采用CO2激光切割机，将上述半孔及锣半孔时形成的长槽切割开窗，开窗大小上述半孔及锣半孔时形成的长槽预大1mil。
进一步的，所述印湿膜加工中，采用整板印湿膜将，选择耐电镀药水的湿膜，使得整板、半孔及锣半孔时形成的长槽内壁形成一层感光薄膜。
进一步的，所述图形转型加工中，选择激光直接成像机，将锣半孔所形成的长槽曝光，使得长槽内壁的感光薄膜发生光聚合反应，形成新的抗显影液的薄膜。
进一步的，所述湿膜显影加工中，正常显影后，长槽内壁有抗显影液的薄膜。
进一步的，在经过正常沉铜、一铜加工后，长槽内壁有一层薄膜，使得长槽内壁无法形成铜层。
进一步的，所述外层蚀刻加工中，褪膜段采用1m/min褪膜速度，使得长槽内壁褪膜干净。
本发明可以有效防止金属化半孔毛刺的产生，且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。
实施例3
一种防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程。
特别的，本发明中，所述锣半孔加工设置在钻孔加工后，沉铜加工前。
进一步的，所述锣半孔加工中，选择直径为1.0mm铣刀，在需要制作金属化半孔的位置锣槽。
进一步的，所述锣半孔加工中，锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定，以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点，以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点，两点之间的距离为长槽长度。
进一步的，所述贴蓝胶加工中，在锣半孔后，整板双面贴蓝胶，将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。
进一步的，所述蓝胶开窗加工中，采用CO2激光切割机，将上述半孔及锣半孔时形成的长槽切割开窗，开窗大小上述半孔及锣半孔时形成的长槽预大1mil。
进一步的，所述印湿膜加工中，采用整板印湿膜将，选择耐电镀药水的湿膜，使得整板、半孔及锣半孔时形成的长槽内壁形成一层感光薄膜。
进一步的，所述图形转型加工中，选择激光直接成像机，将锣半孔所形成的长槽曝光，使得长槽内壁的感光薄膜发生光聚合反应，形成新的抗显影液的薄膜。
进一步的，所述湿膜显影加工中，正常显影后，长槽内壁有抗显影液的薄膜。
进一步的，在经过正常沉铜、一铜加工后，长槽内壁有一层薄膜，使得长槽内壁无法形成铜层。
进一步的，所述外层蚀刻加工中，褪膜段采用2m/min褪膜速度，使得长槽内壁褪膜干净。
本发明可以有效防止金属化半孔毛刺的产生，且无需采用化学药水蚀刻除去毛刺而造成环境污染。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。需注意的是，本发明中所未详细描述的技术特征，均可以通过本领域任一现有技术实现。
Claims (7)
1.一种防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：前处理→钻孔→锣半孔→贴蓝胶→蓝胶开窗→印湿膜→图形转型→湿膜显影→撕蓝胶→沉铜→一铜→外形图层→图形电镀→外层蚀刻→外层AOI→后流程；
所述锣半孔的 加工中，选择直径为0.6-1.0mm铣刀，在需要制作金属化半孔的位置锣槽；
锣槽的长度视所需成排的半孔长度而确定，以第一个半孔外边沿向外延伸后流程成型所选铣刀直径等长的长度为起点，以最后一个半孔外边沿向外延伸流程成型所选铣刀直径等长的长度为终点，两点之间的距离为长槽长度；
所述贴蓝胶的 加工中，在锣半孔后，整板双面贴蓝胶，将线路板两面一个短边预留蓝胶宽度2cm,将预留蓝胶对折紧贴。
2.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，所述蓝胶开窗的 加工中，采用CO2激光切割机，将上述半孔及锣半孔时形成的长槽切割开窗，开窗大小上述半孔及锣半孔时形成的长槽预大1mil。
3.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，所述印湿膜的加工中，采用整板印湿膜浆，选择耐电镀药水的湿膜，使得整板、半孔及锣半孔时形成的长槽内壁形成一层感光薄膜。
4.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，所述图形转型的 加工中，选择激光直接成像机，将锣半孔所形成的长槽曝光，使得长槽内壁的感光薄膜发生光聚合反应，形成新的抗显影液的薄膜。
5.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，所述湿膜显影的 加工中，正常显影后，长槽内壁有抗显影液的薄膜。
6.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，在经过正常沉铜、一铜加工后，长槽内壁有一层薄膜，使得长槽内壁无法形成铜层。
7.根据权利要求1所述的防止金属化半孔毛刺的加工方法，其特征在于，所述外层蚀刻的 加工中，褪膜段采用1m/min-2m/min褪膜速度。
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