CN111952245A - 晶圆级贴片互联方式 - Google Patents
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Abstract
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆级贴片互联方式，包括以下步骤：把芯片贴在基板上，在基板和芯片表面沉积下层种子层，电镀制作RDL；去除步骤A中制作RDL的光刻胶和RDL外的下层种子层，继续沉积上层种子层，涂布光刻胶曝光定义出凸点位置，电镀形成金属凸点；去除步骤B中涂布的光刻胶和金属凸点外的上层种子层，形成具有垂直互联结构的贴片结构。本发明用晶圆级贴片方式把芯片贴在晶圆表面，然后通过深孔电镀的方式，在晶圆边缘制作互联金属柱，使金属柱上端连接芯片PAD，下端连接基板PAD，形成芯片和基板的导通，占用面积小，产能高，可靠性好。
Description
技术领域
本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种晶圆级贴片互联方式。
背景技术
毫米波射频技术在半导体行业发展迅速，其在高速数据通信、汽车雷达、机载导弹跟踪系统以及空间光谱检测和成像等领域都得到广泛应用。新的应用对产品的电气性能、紧凑结构和系统可靠性提出了新的要求，对于无线发射和接收系统，目前还不能集成到同一颗芯片上（SOC），因此需要把不同的芯片包括射频单元、滤波器、功率放大器等集成到一个独立的系统中实现发射和接收信号的功能。
传统封装工艺把各种功能芯片和无源器件安装在基板上，因为芯片有一定高度，因此必须用打线的工艺把芯片PAD和基板进行互联，占用面积大，产能低，可靠性差，不能满足封装系统越来越小型化的趋势。
发明内容
本发明旨在解决上述问题，提供了一种晶圆级贴片互联方式，占用面积小，产能高，可靠性好。
按照本发明的技术方案，所述晶圆级贴片互联方式，包括以下步骤，
A、把芯片贴在基板上，在基板和芯片表面沉积下层种子层，电镀制作RDL；
B、去除步骤A中制作RDL的光刻胶和RDL外的下层种子层，继续沉积上层种子层，涂布光刻胶曝光定义出凸点位置，电镀形成金属凸点；
C、去除步骤B中涂布的光刻胶和金属凸点外的上层种子层，形成具有垂直互联结构的贴片结构。
进一步的，所述步骤A的具体步骤如下：通过粘贴、硅直接键合或者静电吸附键合的方式把芯片贴在基板上；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作下层种子层；在基板上涂光刻胶，然后曝光显影露出RDL区域，在RDL区域电镀金属。
进一步的，所述下层种子层和上层种子层均为一层或多层，材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的至少一种。
本发明的有益效果在于：用晶圆级贴片方式把芯片贴在晶圆表面，然后通过深孔电镀的方式，在晶圆边缘制作互联金属柱，使金属柱上端连接芯片PAD，下端连接基板PAD，形成芯片和基板的导通，占用面积小，产能高，可靠性好。
附图说明
图1a为本发明芯片贴在基板上的示意图。
图1b是在图1a的基础上沉积下层种子层的示意图。
图1c是在图1b的基础上涂布光刻胶的示意图。
图1d是在图1c的基础上电镀金属的示意图。
图1e是在图1d的基础上去除光刻胶和下层种子层的示意图。
图1f是在图1e的基础上沉积上次种子层并涂布光刻胶曝光定义出凸点位置的示意图。
图1g是在图1f的基础上电镀形成金属凸点的示意图。
图1h是在图1g 的基础上去除光刻胶和下层种子层的示意图。
附图标记说明：101-基板、102-芯片、103-下层种子层、104-光刻胶、105-金属、106-上层种子层、107-金属凸点。
具体实施方式
下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步说明。
如图所示：晶圆级贴片互联方式，包括以下步骤，
A、把芯片102贴在基板101上，在基板101和芯片102表面沉积下层种子层103，电镀制作RDL；
如图1a所示，通过粘贴、硅直接键合或者静电吸附键合的方式把芯片102贴在基板101上，此处芯片厚度范围在20um到500um之间，此处基板可以是带钝化层的硅片，陶瓷基板，也可以是PCB板或者树脂基板；
如图1b所示，通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作下层种子层103，种子层厚度范围在1nm到100um，其可以是一层也可以是多层，金属材质可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等；
如图1c所示，在基板上涂光刻胶104，然后曝光显影露出RDL区域；
如图1d所示，电镀金属105，厚度范围在1um到100um，其可以是一层也可以是多层，金属材质可以是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍等；
B、去除步骤A中制作RDL的光刻胶和RDL外的下层种子层103，继续沉积上层种子层106，涂布光刻胶曝光定义出凸点位置，电镀形成金属凸点107；
如图1e所示，去除光刻胶和下层种子层103，只留下RDL金属；
如图1f所示，继续沉积上层种子层106，涂布光刻胶曝光定义出凸点位置，
如图1g所示，电镀形成金属凸点107；
C、去除步骤B中涂布的光刻胶和金属凸点107外的上层种子层106，形成具有垂直互联结构的贴片结构。
如图1h所示，去除光刻胶和上层种子层106，形成具有垂直互联结构的贴片结构。
Claims (3)
1.一种晶圆级贴片互联方式，其特征在于，包括以下步骤，
A、把芯片（102）贴在基板（101）上，在基板（101）和芯片（102）表面沉积下层种子层（103），电镀制作RDL；
B、去除步骤A中制作RDL的光刻胶和RDL外的下层种子层（103），继续沉积上层种子层（106），涂布光刻胶曝光定义出凸点位置，电镀形成金属凸点（107）；
C、去除步骤B中涂布的光刻胶和金属凸点（107）外的上层种子层（106），形成具有垂直互联结构的贴片结构。
2.如权利要求1所述的晶圆级贴片互联方式，其特征在于，所述步骤A的具体步骤如下：通过粘贴、硅直接键合或者静电吸附键合的方式把芯片（102）贴在基板（101）上；通过物理溅射，磁控溅射或者蒸镀工艺在绝缘层上方制作下层种子层（103）；在基板上涂光刻胶（104），然后曝光显影露出RDL区域，在RDL区域电镀金属（105）。
3.如权利要求1所述的晶圆级贴片互联方式，其特征在于，所述下层种子层（103）和上层种子层（106）均为一层或多层，材质为钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡、镍中的至少一种。
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