CN111951867B - 一种控制读操作的方法和装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种控制读操作的方法和装置。所述方法包括：在接收到读操作指令时，执行读操作指令对应的读操作，读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作，在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样Nand flash存储器的当前工作温度，根据当前工作温度，通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。本发明的方案保证了读操作的操作电压满足存储单元阈值电压随着Nand flash存储器的工作温度发生变化所需要的操作电压，使得存储单元内的数据被正确读取，提高了Nand flash存储器读操作的可靠性。

Description

一种控制读操作的方法和装置

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及一种控制读操作的方法和装置。

背景技术

目前，Nand flash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，状态机用于Nand flash存储器执行各种操作时控制各种操作状态，温度传感器用于检测Nandflash存储器的工作温度。一般情况下，Nand flash存储器初始工作时，其工作温度会略高于所处的环境温度，随着Nand flash存储器的使用，尤其是各种操作的执行，Nand flash存储器的工作温度会逐渐升高，最后趋于稳定。

现有技术Nand flash存储器执行读操作的过程是：首先通过温度传感器检测出Nand flash存储器工作温度，以对应这个工作温度的存储单元阈值电压，按照相应的读操作电压，以一定的大小从存储单元中读取出数据到缓存区中，再从缓存区中将该数据通过I/O口传输出去，重复上述过程直到整个读操作结束。例如：开始读取数据时，检测Nandflash存储器工作温度为23℃，以对应23℃的存储单元阈值电压4.0V，按照相应的读操作电压4.0V，以4byte大小从存储单元中读取出4byte的数据到缓存区中，再从缓存区中将这4byte的数据通过I/O口传输出去，当缓存区中数据传输到Nand flash存储器外部后，又以4.0V的读操作电压，按照4byte大小从存储单元中再读取出4byte的数据到缓存区中，此时缓存区中前一个4byte的数据已经传输完成，继续传输这一个4byte的数据，如此反复形成流水线式的工作方式，直到整个读操作结束。

上述过程中，随着读操作的持续进行，Nand flash存储器的工作温度会逐渐升高，从而影响Nand flash存储器读操作正确性，会发生Nand flash存储器数据读取错误，导致Nand flash存储器读操作可靠性较低。

发明内容

本发明提供一种控制读操作的方法和装置，解决了因工作温度变化而导致的Nandflash存储器读操作发生数据读取错误的问题。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种控制读操作的方法，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，所述方法包括：

在接收到读操作指令时，执行所述读操作指令对应的读操作，所述读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作；

在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样所述Nand flash存储器的当前工作温度；

根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，包括：

调用所述Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表，其中，所述Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大；

根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，包括：

根据所述当前工作温度，从所述Nand flash存储器的工作温度区间中确定所述当前工作温度所属的目标工作温度区间；

从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标补偿操作电压；

根据所述目标补偿操作电压，通过所述状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值，所述目标值的取值为：

所述存储读取操作时的预设操作电压与所述目标补偿操作电压之和。

可选地，根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，包括：

确定所述当前工作温度与预设温度之间的大小关系；

若所述当前工作温度不小于所述预设温度，则通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，在确定所述当前工作温度与预设温度之间的大小关系后，所述方法还包括：

若所述当前工作温度小于所述预设温度，则不调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，所述下一次执行存储读取操作所需的操作电压与所述当前次缓存读取操作对应的存储读取操作的操作电压相等。

本发明实施例还提供了一种控制读操作的装置，所述装置应用于Nand flash存储器，所述Nand flash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，所述装置包括：

接收执行模块，用于在接收到读操作指令时，执行所述读操作指令对应的读操作，所述读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作；

采样温度模块，用于在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样所述Nand flash存储器的当前工作温度；

调整执行模块，用于根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，所述调整执行模块包括：

调用关系表子模块，用于调用所述Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表，其中，所述Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大；

调整执行子模块，用于根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，所述调整执行子模块包括：

确定目标温度区间从属模块，用于根据所述当前工作温度，从所述Nand flash存储器的工作温度区间中确定所述当前工作温度所属的目标工作温度区间；

查找目标补偿电压从属模块，用于从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标补偿操作电压；

调整目标值从属模块，用于根据所述目标补偿操作电压，通过所述状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值，所述目标值的取值为：

所述存储读取操作时的预设操作电压与所述目标补偿操作电压之和。

可选地，所述调整执行模块还包括：

确定大小子模块，用于确定所述当前工作温度与预设温度之间的大小关系；

不小于执行子模块，用于若所述当前工作温度不小于所述预设温度，则通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，所述调整执行模块还包括：

小于执行子模块，用于若所述当前工作温度小于所述预设温度，则不调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，所述下一次执行存储读取操作所需的操作电压与所述当前次缓存读取操作对应的存储读取操作的操作电压相等。

与现有技术相比，本发明提供的一种控制读操作的方法和装置，在执行读操作指令对应的读操作的过程中，在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样Nandflash存储器的当前工作温度，再根据当前工作温度，通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。从而保证了读操作的操作电压满足存储单元阈值电压随着Nandflash存储器的工作温度发生变化所需要的操作电压，使得存储单元内的数据被正确读取，提高了Nand flash存储器读操作的可靠性。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例的一种控制读操作的方法的流程图；

图2是本发明实施例步骤103的具体流程图；

图3是本发明实施例的一种控制读操作的方法的应用原理示意图；

图4是本发明实施例的一种控制读操作的装置的框图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

发明人发现，现有Nand flash存储器存储单元在读操作时会产生一个问题：在实际执行读操作的过程中，因为存储单元阈值电压随温度变化而相应的变化，导致读操作会发生数据读取错误。发明人进一步发现产生这个问题的原因是存储单元阈值电压随温度变化而相应的变化，但读操作电压不变从而导致读操作会发生数据读取错误。

例如：开始读取数据时，假设检测Nand flash存储器工作温度为23℃，以对应23℃的存储单元阈值电压4.0V，按照相应的读操作电压4.0V，以4byte大小从存储单元中读取出4byte的数据到缓存区中，再从缓存区中将这4byte的数据通过I/O口传输出去，之后又以4.0V的读操作电压，按照4byte大小从存储单元中再读取出4byte的数据到缓存区中，此时缓存区中前一个4byte的数据已经传输完成，继续传输这一个4byte的数据，如此反复形成流水线式的工作方式，随着读操作的进行，Nand flash存储器的工作温度也会逐渐升高，存储单元的阈值电压会逐渐变低，但是读操作的电压还是4.0V，此时就会发送读操作读取数据错误。

基于以上问题，发明人经过深入研究，结合Nand flash存储器中读操作分两个阶段进行的特点，经过大量实地测试和仿真计算，大胆地、创造性的提出根据工作温度的不同，在缓存区往Nand flash存储器外传输数据的同时，并行采样工作温度，适应性的使用不同的读操作电压来进行读操作，解决了上述问题。以下对发明人提出的解决方案进行详细解释和说明。

图1示出了本发明实施例的一种控制读操作的方法的流程图。该方法应用于Nandflash存储器，Nand flash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，控制读操作的方法包括如下步骤：

步骤101：在接收到读操作指令时，执行读操作指令对应的读操作，读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作。

本发明实施例中，Nand flash存储器在需要执行读操作时，首先上位机向Nandflash存储器发送读操作指令，Nand flash存储器接收读操作指令，该读操作指令包括需要读取数据的存储单元的地址，按照读操作指令，执行对应的读操作。

作为一个示例，如图3中所示，Nand flash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，Nand flash存储器接收读操作指令，首先通过温度传感器采样Nandflash存储器当前的工作温度，假设Nand flash存储器当前的工作温度为23℃，对应的存储单元阈值电压为4.0V，此时读操作的操作电压为4.0V。以4byte大小从存储单元中第一次读取出4byte的数据到缓存区中，再从缓存区中将第一次读取的4byte数据通过I/O口传输出去，之后又以4.0V的读操作电压，按照4byte大小从存储单元中第二次读取出4byte的数据到缓存区中，此时缓存区中第一次的4byte数据已经传输完成，继续传输第二次的4byte数据，如此反复形成流水线式的读操作工作方式。

步骤102：在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样Nand flash存储器的当前工作温度。

本发明实施例中，在Nand flash存储器执行当前次缓存读取操作期间，并行的通过温度传感器采样Nand flash存储器的当前工作温度。

沿用上述示例，例如图3中，在从缓存区通过I/O口往Nand flash存储器外部传输第一次读取的4byte数据的同时，并行的通过温度传感器采样Nand flash存储器的当前工作温度，即在以4byte大小从存储单元中第一次读取出4byte的数据到缓存区中之前，第一次采样工作温度为23℃，则从缓存区通过I/O口往Nand flash存储器外部传输第一次读取的4byte数据的同时，并行的通过温度传感器采样Nand flash存储器的当前工作温度为第二次采样温度，第二次采样工作温度可能与第一次的不同，也可能依然相同。

步骤103：根据当前工作温度，通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

本发明实施例中，在确定了当前工作温度后，Nand flash存储器需要根据当前工作温度，通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

沿用上述示例，例如图3中，开始执行读操作时，采样工作温度为23℃，对应的存储单元阈值电压为4.0V，相应的读操作电压为4.0V，以4.0V电压从存储单元中第一次读取出4byte的数据到缓存区中，在从缓存区往Nand flash存储器外部传输第一次读取的4byte数据的同时，通过温度传感器采样Nand flash存储器当前工作温度为30℃，假设30℃时存储单元阈值电压为3.8V，则通过状态机以3.8V的读操作电压，从存储单元中第二次读取出4byte的数据到缓存区中，此时缓存区中第一次的4byte数据已经传输完成，继续传输第二次的4byte数据。

可选地，参照图2，步骤103具体包括：

步骤103a：调用Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表，其中，Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大。

本发明实施例中，温度传感器采样到Nand flash存储器当前工作温度后，首先调用工作温度区间与补偿操作电压的关系表，该关系表为Nand flash存储器工作温度区间与补偿电压的关系表，该关系表是经过大量的实际测试和计算得到的，其为存储单元阈值电压随着温度变化而变化，以预设操作电压为标准，需要对应调整读操作电压的补偿电压值，一般情况下，Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间的绝对值越大。预设操作电压的解释在下文对应处，在此先不做赘述。例如：工作温度区间-10℃以下，对应的补偿操作电压为2V，工作温度区间-10℃～0℃，对应的补偿操作电压为1.6V，工作温度区间0℃～25℃，对应的补偿操作电压为0V，工作温度区间25℃～30℃，对应的补偿操作电压为-0.3V，工作温度区间30℃～40℃，对应的补偿操作电压为-0.6V，工作温度区间40℃～65℃以上，对应的补偿操作电压为-1.0V，工作温度区间65℃以上，对应的补偿操作电压为-1.5V。

步骤103b：根据当前工作温度，从Nand flash存储器的工作温度区间中确定当前工作温度所属的目标工作温度区间。

步骤103c：从关系表中查找对应于目标工作温度区间的目标补偿操作电压。

本发明实施例中，温度传感器采样到Nand flash存储器当前工作温度后，根据当前工作温度，确定当前工作温度所属的Nand flash存储器的工作温度区间，即确定目标工作温度区间，再从关系表中查找对应于目标工作温度区间的目标补偿操作电压。例如：温度传感器采样到Nand flash存储器当前工作温度为56℃，确定56℃所属的Nand flash存储器的工作温度区间为40℃～65℃区间，其对应的目标补偿操作电压为-1.0V。

步骤103d：根据目标补偿操作电压，通过状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值，目标值的取值为：

存储读取操作时的预设操作电压与目标补偿操作电压之和。

本发明实施例中，在确定了目标补偿操作电压后，根据目标补偿操作电压，通过状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值，其中目标值的取值为：存储读取操作时的预设操作电压与目标补偿操作电压之和。一般情况下，Nand flash存储器最佳的工作温度为20℃左右，在该温度下Nand flash存储器的各个元器件的性能参数和工作状态相对于其它温度时更好，因此以20℃时存储单元的阈值电压为标准，设定一个存储读取操作的预设操作电压，因其他工作温度时存储单元的阈值电压可能会发生变化，对应的执行读操作中的存储读取操作的电压也需要随之改变，所以其它温度条件下需要补偿的操作电压值以此为标准进行补偿。例如一个Nand flash存储器在20℃时存储读取操作的预设操作电压为4.0V，则Nand flash存储器处于其它工作温度区域执行读操作时的补偿操作电压以4.0V为标准进行补偿。

沿用上述示例，例如图3中，开始执行读操作时，采样工作温度为23℃，确定23℃所属的Nand flash存储器的工作温度区间为0℃～25℃区间，其对应的目标补偿操作电压为0V，以预设操作电压4.0V从存储单元中读取出4byte的数据到缓存区中，在执行了若干次读操作后，通过温度传感器采样Nand flash存储器当前工作温度为28℃，确定28℃所属的Nand flash存储器的工作温度区间为25℃～30℃区间，其对应的目标补偿操作电压为-0.3V，则通过状态机以3.7V(4.0V-0.3V＝3.7V)的读操作电压，从存储单元中读取出4byte的数据到缓存区中。

上述步骤103a～步骤103d即实现了：根据关系表中与当前工作温度对应的补偿操作电压，通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压的过程。

需要说明的是，在实际使用时，为了保证Nand flash存储器的工作效率，假若完成读操作需要的时间比较短，或者Nand flash存储器可以保证在较佳的工作温度，可能并不需要采用本发明的方案，因此设定一个预设温度，在确定当前工作温度小于预设温度，则不调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，即不采用本发明的方案；若确定当前工作温度不小于预设温度，则通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，即采用本发明的方案。例如：预设温度为22℃，Nand flash存储器当前工作温度小于22℃，完成读操作需要的时间比较短，Nand flash存储器的工作温度在完成读操作之前不会超出25℃，因此不需要采用本发明的方案；假若Nand flash存储器当前工作温度大于22℃，即使Nand flash存储器完成读操作需要的时间比较短，但Nand flash存储器的工作温度在完成读操作之前可能还会超出25℃，就需要采用本发明的方案。

参照图3，示出了本发明实施例的一种控制读操作的方法的应用原理示意图，Nandflash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，Nand flash存储器通过I/O口将自身数据传输给上位机。

假若Nand flash存储器执行读操作，上位机向Nand flash存储器发送读操作指令，首先通过温度传感器采样Nand flash存储器当前的工作温度，假设Nand flash存储器当前的工作温度为23℃，确定23℃所属的Nand flash存储器的工作温度区间为0℃～25℃区间，其对应的目标补偿操作电压为0V，以预设操作电压4.0V从存储单元中第一次读取出4byte的数据到缓存区中，在从缓存区中将第一次读取的4byte数据通过I/O口传输出去的同时，通过温度传感器并行采样Nand flash存储器当前的工作温度为24℃，确定24℃所属的Nand flash存储器的工作温度区间为0℃～25℃区间，其对应的目标补偿操作电压为0V，继续采用4.0V的读操作电压，从存储单元中第二次读取出4byte的数据到缓存区中，此时缓存区中第一次的4byte数据已经传输完成，继续传输第二次的4byte数据。

在从缓存区中将第二次读取的4byte数据通过I/O口传输出去的同时，通过温度传感器并行采样Nand flash存储器当前的工作温度为26℃，确定26℃所属的Nand flash存储器的工作温度区间为25℃～30℃区间，其对应的目标补偿操作电压为-0.3V，通过状态机调整第三次存储读取操作所需的操作电压为3.7V，即采用3.7V的读操作电压，从存储单元中第三次读取出4byte的数据到缓存区中，此时缓存区中第二次的4byte数据已经传输完成，继续传输第三次的4byte数据。

假设若干次存储读取操作之后，通过温度传感器并行采样Nand flash存储器当前的工作温度为60℃，确定60℃所属的Nand flash存储器的工作温度区间为40℃～65℃区间，其对应的目标补偿操作电压为-1.0V，通过状态机调整本次存储读取操作所需的操作电压为3.0V，即采用3.0V的读操作电压，从存储单元中读取出4byte的数据到缓存区中，此时缓存区中上一次的4byte数据已经传输完成，继续传输本次的4byte数据，之后Nand flash存储器的工作温度稳定在60℃，并没有超过65℃，则一直采用3.0V的读操作电压，从存储单元中按照4byte大小读取数据到缓存区中，直到整个读操作完成。

需要说的是，以上实施中例举的数据只是为了更好的解释本发明实施例而例举的简单数据，并不代表Nand flash存储器实际的具体数据。

参照图4，示出了本发明实施例一种控制读操作的装置的框图，该装置应用于Nandflash存储器，Nand flash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，控制读操作的装置包括：

接收执行模块310，用于在接收到读操作指令时，执行读操作指令对应的读操作，读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作；

采样温度模块320，用于在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样Nand flash存储器的当前工作温度；

调整执行模块330，用于根据当前工作温度，通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，调整执行模块包括：

调用关系表子模块，用于调用Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表，其中，Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大；

调整执行子模块，用于根据关系表中与当前工作温度对应的补偿操作电压，通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，调整执行子模块包括：

确定目标温度区间从属模块，用于根据当前工作温度，从Nand flash存储器的工作温度区间中确定当前工作温度所属的目标工作温度区间；

查找目标补偿电压从属模块，用于从关系表中查找对应于目标工作温度区间的目标补偿操作电压；

调整目标值从属模块，用于根据目标补偿操作电压，通过状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值，目标值的取值为：

存储读取操作时的预设操作电压与目标补偿操作电压之和。

可选地，调整执行模块还包括：

确定大小子模块，用于确定当前工作温度与预设温度之间的大小关系；

不小于执行子模块，用于若当前工作温度不小于预设温度，则通过状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

可选地，调整执行模块还包括：

小于执行子模块，用于若当前工作温度小于预设温度，则不调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，下一次执行存储读取操作所需的操作电压与当前次缓存读取操作对应的存储读取操作的操作电压相等。

通过上述实施例，本发明在执行读操作时，接收读操作指令，在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样Nand flash存储器的当前工作温度，调用Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表，根据当前工作温度，从Nand flash存储器的工作温度区间中确定当前工作温度所属的目标工作温度区间，从关系表中查找对应于目标工作温度区间的目标补偿操作电压，根据目标补偿操作电压，通过状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值，之后以目标值为存储读取操作的操作电压执行下一次存储读取操作。本发明的方案保证了读操作的操作电压满足存储单元阈值电压随着Nand flash存储器的工作温度发生变化所需要的操作电压，使得存储单元内的数据被正确读取，提高了Nand flash存储器读操作的可靠性。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，本文中，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。

上面结合附图对本发明的实施例进行了描述，但是本发明并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本发明的启示下，在不脱离本发明宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，这些均属于本发明的保护之内。

Claims (10)

1.一种控制读操作的方法，其特征在于，所述方法应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，所述方法包括：

在接收到读操作指令时，执行所述读操作指令对应的读操作，所述读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作；

在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样所述Nand flash存储器的当前工作温度；

根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，包括：

调用所述Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表，其中，所述Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大；

根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，包括：

根据所述当前工作温度，从所述Nand flash存储器的工作温度区间中确定所述当前工作温度所属的目标工作温度区间；

从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标补偿操作电压；

根据所述目标补偿操作电压，通过所述状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值，所述目标值的取值为：

所述存储读取操作时的预设操作电压与所述目标补偿操作电压之和。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，包括：

确定所述当前工作温度与预设温度之间的大小关系；

若所述当前工作温度不小于所述预设温度，则通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在确定所述当前工作温度与预设温度之间的大小关系后，所述方法还包括：

若所述当前工作温度小于所述预设温度，则不调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，所述下一次执行存储读取操作所需的操作电压与所述当前次缓存读取操作对应的存储读取操作的操作电压相等。

6.一种控制读操作的装置，其特征在于，所述装置应用于Nand flash存储器，所述Nandflash存储器包括：状态机、缓存区、存储单元以及温度传感器，所述装置包括：

接收执行模块，用于在接收到读操作指令时，执行所述读操作指令对应的读操作，所述读操作包括：从存储单元中将数据读取到缓存区中的存储读取操作和从缓存中将数据通过I/O口读出的缓存读取操作；

采样温度模块，用于在执行当前次缓存读取操作期间，通过温度传感器采样所述Nandflash存储器的当前工作温度；

调整执行模块，用于根据所述当前工作温度，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述调整执行模块包括：

调用关系表子模块，用于调用所述Nand flash存储器的工作温度区间与补偿操作电压的关系表，其中，所述Nand flash存储器工作温度越高的工作温度区间对应的补偿操作电压的绝对值越大；

调整执行子模块，用于根据所述关系表中与所述当前工作温度对应的补偿操作电压，通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述调整执行子模块包括：

确定目标温度区间从属模块，用于根据所述当前工作温度，从所述Nandflash存储器的工作温度区间中确定所述当前工作温度所属的目标工作温度区间；

查找目标补偿电压从属模块，用于从所述关系表中查找对应于所述目标工作温度区间的目标补偿操作电压；

调整目标值从属模块，用于根据所述目标补偿操作电压，通过所述状态机将下一次执行存储读取操作所需的操作电压调整为目标值，所述目标值的取值为：

所述存储读取操作时的预设操作电压与所述目标补偿操作电压之和。

9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述调整执行模块还包括：

确定大小子模块，用于确定所述当前工作温度与预设温度之间的大小关系；

不小于执行子模块，用于若所述当前工作温度不小于所述预设温度，则通过所述状态机调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述调整执行模块还包括：

小于执行子模块，用于若所述当前工作温度小于所述预设温度，则不调整下一次执行存储读取操作所需的操作电压，所述下一次执行存储读取操作所需的操作电压与所述当前次缓存读取操作对应的存储读取操作的操作电压相等。

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