CN111799312A - 一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置,其中显示基板包括基板,以及图案化设置在基板一侧的像素界定层和第一电极层,第一电极层包括第一驱动电极和基极;设置在第一电极层背离基板一侧的功能层,功能层包括有机膜层和感光层,有机膜层覆盖第一驱动电极,感光层覆盖基极;图案化设置在功能层以及像素界定层背离基板一侧的第二电极层,第二电极层包括第二驱动电极、集电极和发射极,第二驱动电极覆盖有机膜层,发射极和集电极分别与感光层连接。本申请的设计大大缩短了反射光的光路,反射光不需要穿过阴极以及array背板上的平坦层和层间介质层等,可以大大提升指纹识别功能的可靠性。

Description

一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置。
背景技术
有机电致发光显示面板(Organic Light-Emitting Diode,OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能,逐渐成为显示领域的主流,可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。
目前OLED产品的指纹识别功能,多是将光电传感器(光电二极管,三极管等)集成在array背板中,OLED发出的光经过手指指纹反射后,到达光电传感器的光线非常微弱,使得指纹识别功能很难实现。指纹识别精度差是目前in-cell指纹识别传感器面临的主要困难。如果使用外贴式硅基指纹识别传感器,可以提高识别精度,但是外贴式指纹识别传感器增加了整机模组的厚度,并且外贴元件增加了成本。
发明内容
本发明提供一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置,以提升指纹识别功能的可靠性。
为了解决上述问题,本发明公开了一种显示基板,包括:
基板,以及图案化设置在所述基板一侧的像素界定层和第一电极层,所述第一电极层包括第一驱动电极和基极;
设置在所述第一电极层背离所述基板一侧的功能层,所述功能层包括有机膜层和感光层,所述有机膜层覆盖所述第一驱动电极,所述感光层覆盖所述基极;
图案化设置在所述功能层以及所述像素界定层背离所述基板一侧的第二电极层,所述第二电极层包括第二驱动电极、集电极和发射极,所述第二驱动电极覆盖所述有机膜层,所述发射极和所述集电极分别与所述感光层连接。
在一种可选的实现方式中,所述第一电极层还包括输出电极,所述输出电极与所述集电极连接。
在一种可选的实现方式中,所述感光层的材料为可蒸镀的有机小分子光敏材料。
在一种可选的实现方式中,所述基板包括:
衬底,以及设置在所述衬底靠近所述第一电极层一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二漏极;
设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管背离所述衬底一侧的层间介质层和平坦层,所述第一驱动电极与所述第一漏极通过设置在所述层间介质层和所述平坦层上的第一过孔连接,所述基极与所述第二漏极通过设置在所述层间介质层和所述平坦层上的第二过孔连接。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种显示装置,包括任一实施例所述的显示基板。
为了解决上述问题,本发明还公开了一种显示基板的制备方法,所述制备方法包括:
提供基板;
在所述基板的一侧图案化形成像素界定层和第一电极层,所述第一电极层包括第一驱动电极和基极;
在所述第一电极层背离所述基板的一侧形成功能层,所述功能层包括有机膜层和感光层,所述有机膜层覆盖所述第一驱动电极,所述感光层覆盖所述基极;
在所述功能层以及所述像素界定层背离所述基板的一侧形成第二电极层,所述第二电极层包括第二驱动电极、集电极和发射极,所述第二驱动电极覆盖所述有机膜层,所述发射极和所述集电极分别与所述感光层连接。
在一种可选的实现方式中,在所述第一电极层背离所述基板的一侧形成功能层的步骤,包括:
在所述第一电极层和所述像素界定层背离所述基板的一侧依次涂布保护层和光刻胶;
对第一预设区域的光刻胶进行曝光和显影;
对所述保护层进行显影,使显影后的保护层相对于显影后的光刻胶缩进,并使第一驱动电极裸露;
在所述第一电极层和所述光刻胶背离所述基板的一侧蒸镀有机膜层材料;
剥离剩余的保护层和光刻胶,得到所述有机膜层。
在一种可选的实现方式中,在所述第一电极层背离所述基板的一侧形成功能层的步骤,包括:
在所述第一电极层和所述像素界定层背离所述基板的一侧依次涂布保护层和光刻胶;
对第二预设区域的光刻胶进行曝光和显影;
对所述保护层进行显影,使显影后的保护层相对于显影后的光刻胶缩进,并使所述基极裸露;
在所述第一电极层和所述光刻胶背离所述基板的一侧蒸镀感光层材料;
剥离剩余的保护层和光刻胶,得到所述感光层。
在一种可选的实现方式中,所述第一电极层还包括输出电极,在所述功能层以及所述像素界定层背离所述基板的一侧形成第二电极层的步骤,包括:
在所述功能层、所述第一电极层以及所述像素界定层背离所述基板的一侧依次涂布保护层和光刻胶;
对第三预设区域的光刻胶进行曝光和显影;
对所述保护层进行显影,使显影后的保护层相对于显影后的光刻胶缩进,并使所述感光层的边缘、所述有机膜层以及所述输出电极裸露;
在所述功能层、所述第一电极层以及所述光刻胶背离所述基板的一侧蒸镀第二电极材料;
剥离剩余的保护层和光刻胶,得到所述第二电极层;
其中,所述集电极与所述输出电极连接。
在一种可选的实现方式中,所述提供基板的步骤,包括:
提供衬底;
在所述衬底靠近所述第一电极层的一侧形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二漏极;
在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管背离所述衬底的一侧依次形成层间介质层和平坦层,所述第一驱动电极与所述第一漏极通过设置在所述层间介质层和所述平坦层上的第一过孔连接,所述基极与所述第二漏极通过设置在所述层间介质层和所述平坦层上的第二过孔连接。
与现有技术相比,本发明包括以下优点:
本申请技术方案提供了一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置,其中显示基板包括基板,以及图案化设置在基板一侧的像素界定层和第一电极层,第一电极层包括第一驱动电极和基极;设置在第一电极层背离基板一侧的功能层,功能层包括有机膜层和感光层,有机膜层覆盖第一驱动电极,感光层覆盖基极;图案化设置在功能层以及像素界定层背离基板一侧的第二电极层,第二电极层包括第二驱动电极、集电极和发射极,第二驱动电极覆盖有机膜层,发射极和集电极分别与感光层连接。本申请技术方案中,基极、感光层、发射极和集电极构成识别指纹的光电三极管,该光电三极管集成在OLED的有机膜层,因此在指纹识别功能开启时,OLED发出的光穿过透明封装层及模组在手指表面反射,反射后的光被光电三极管的感光层吸收,产生光电流,进而根据光电流对指纹进行识别。本申请的设计大大缩短了反射光的光路,反射光不需要穿过阴极以及array背板上的平坦层和层间介质层等,可以大大提升指纹识别功能的可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1示出了本申请一实施例提供的一种显示基板的剖面结构示意图;
图2示出了本申请一实施例提供的一种显示基板的平面结构示意图;
图3示出了本申请一实施例提供的一种光电三极管的光电特性曲线;
图4示出了本申请一实施例提供的一种光电三极管伏安特性曲线;
图5示出了本申请一实施例提供的一种显示基板的制备方法的步骤流程图;
图6示出了本申请一实施例提供的一种制备有机膜层的步骤流程图;
图7示出了本申请一实施例提供的一种制备有机膜层的工艺流程示意图;
图8示出了本申请一实施例提供的一种制备感光层的步骤流程图;
图9示出了本申请一实施例提供的一种制备感光层的工艺流程示意图;
图10示出了本申请一实施例提供的一种制备第二电极层的步骤流程图;
图11示出了本申请一实施例提供的一种制备第二电极层的工艺流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
发明人发现,目前OLED柔性屏的指纹识别功能大多是将光电传感器(光电二极管,光电三极管等)集成在array背板中,并且OLED柔性屏的像素阴极缺乏排版方式,整面阴极的透过率低于50%。这种设计本身存在的缺陷是,OLED发出的光经过手指指纹反射后,需要穿过阴极,才能到达背板光电传感器,光强本身就比较弱的情况下,在阴极又损失了很大一部分。另外,OLED背板走线密集,膜层堆叠复杂,平坦层、像素界定层等膜层的透过率也较低(<85%),这样,OLED发出的光不但要穿过阴极,还要穿过平坦层、像素界定层等膜层,导致到达光电传感器的光线非常微弱,使得指纹识别功能很难实现,所以传统的光学指纹识别功能很难应用到OLED屏幕中。这是目前in-cell指纹识别传感器面临的主要困难。
为了提高in-cell指纹识别功能的可靠性,本申请一实施例提供了一种显示基板,参照图2,该显示基板可包括显示区域,显示区域包括指纹识别区域,参照图1,指纹识别区域的显示基板可以包括:
基板11,以及图案化设置在基板11一侧的像素界定层12和第一电极层13,第一电极层13包括第一驱动电极131和基极132;设置在第一电极层13背离基板11一侧的功能层,功能层包括有机膜层141和感光层142,有机膜层141覆盖第一驱动电极131,感光层142覆盖基极132;图案化设置在功能层以及像素界定层12背离基板11一侧的第二电极层,第二电极层包括第二驱动电极151、集电极152和发射极153,第二驱动电极151覆盖有机膜层141,发射极153和集电极152分别与感光层142连接。
在具体实现中,本实施例提供的显示基板还可以包括设置在第二电极层背离基板11一侧的透明封装层等。
有机膜层141可以包括:空穴注入层(HIL)、电子注入层(EIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)以及发光层(EML)等膜层中的一种或多种。
感光层142可以由可蒸镀的有机小分子光敏材料组成,部分有机膜层材料可以作为感光层材料使用。
第一驱动电极131为有机膜层141的阳极,第二驱动电极151为有机膜层141的阴极;或者第一驱动电极131为有机膜层141的阴极,第二驱动电极151为有机膜层141的阳极。
基极132可以与第一驱动电极131的材料相同,在实际应用中二者可以同步形成。
第二驱动电极151、集电极152和发射极153可以为同层、同材料且同步形成,在实际应用中可以使用阴极图案化技术来实现阴极的排版。
在一种可选的实现方式中,第一电极层13还可以包括输出电极133,输出电极133与集电极152连接。其中,输出电极133用于将光电流输出至驱动IC等。
如图1所示,第一驱动电极131具有第一开口区域,基极132具有第二开口区域,输出电极133具有第三开口区域。
基极132、感光层142、集电极152和发射极153构成用于指纹识别的光电三极管,光电三极管可以根据感光层142上的光照强度在集电极产生不同大小的光电流,并由输出电极133输出至驱动IC。
参照图2示出了用于指纹识别的光电三极管在显示基板中的平面结构示意图。当手指放置到指纹识别区域时,有机膜层发出的光在手指表面反射,被光电三极管感光层的光敏材料接收,产生光电流,参照图1。这样,根据电流的大小,就可以形成指纹的图像。参照图3示出了常见的光电三极管的光电特性曲线,参照图4示出了常见的光电三极管的伏安特性曲线。
本实施例提供的显示基板,在显示区域中的光学指纹识别区域,OLED有机膜层集成了用于光学指纹识别的光电三极管,在实现指纹识别功能时,有机膜层发出的光穿过透明封装层及模组后,在手指表面形成反射后的光可以直接被光电三极管的感光层收集,通过产生的光电流进行识别。这样的设计大大缩短了反射光光路,反射光不需要穿过阴极以及复杂的背板膜层如平坦层和像素界定层等,从而大大提升了指纹识别功能的可靠性。
在一种可选的实现方式中,参照图1,指纹识别区域的基板11可以包括:
衬底111,以及设置在衬底111靠近第一电极层13一侧的第一薄膜晶体管112和第二薄膜晶体管113,第一薄膜晶体管112包括第一漏极D1,第二薄膜晶体管113包括第二漏极D2;设置在第一薄膜晶体管112和第二薄膜晶体管113背离衬底111一侧的层间介质层114和平坦层115,第一驱动电极131与第一漏极D1通过设置在层间介质层114和平坦层115上的第一过孔连接,基极132与第二漏极D2通过设置在层间介质层114和平坦层115上的第二过孔连接。
其中,第一薄膜晶体管112相当于像素驱动TFT,用于驱动有机膜层141发光,设置在指纹识别区域的第二薄膜晶体管113用于控制光电三极管的开关。第一薄膜晶体管112和第二薄膜晶体管113可以同工艺形成。
本申请另一实施例还提供了一种显示装置,该显示装置包括任一实施例所述的显示基板。
需要说明的是,本实施例中的显示装置可以为:显示面板、电子纸、手机、智能手表、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有2D或3D显示功能的产品或部件。
本申请另一实施例还提供了一种显示基板的制备方法,参照图5,该制备方法可以包括:
步骤S501:提供基板11。
在一种可选的实现方式中,步骤S501具体可以包括:
提供衬底111;在衬底111靠近第一电极层13的一侧形成第一薄膜晶体管112和第二薄膜晶体管113,第一薄膜晶体管112包括第一漏极D1,第二薄膜晶体管113包括第二漏极D2;在第一薄膜晶体管112和第二薄膜晶体管113背离衬底111的一侧依次形成层间介质层114和平坦层115,第一驱动电极131与第一漏极D1通过设置在层间介质层114和平坦层115上的第一过孔连接,基极132与第二漏极D2通过设置在层间介质层114和平坦层115上的第二过孔连接。
步骤S502:在基板11的一侧图案化形成像素界定层12和第一电极层13,第一电极层13包括第一驱动电极131和基极132。
在具体实现中,可以采用传统的成膜、曝光、显影和刻蚀等构图工艺制备得到像素界定层12和第一电极层13。在排版第一电极层时,可以同时将第一驱动电极以及光电三极管的基极排版出来,进一步地,还可以将光电三极管的集电极和发射极搭接处排版出来,如输出电极。
其中,第一驱动电极131具有第一开口区域,基极132具有第二开口区域,输出电极具有第三开口区域。
步骤S503:在第一电极层13背离基板11的一侧形成功能层,功能层包括有机膜层141和感光层142,有机膜层141覆盖第一驱动电极131,感光层142覆盖基极132。
在具体实现中,有机膜层141和感光层142可以分别采用掩膜版蒸镀形成,还可以采用光刻-剥离技术完成图案化,后续实施例中会详细介绍采用光刻-剥离技术制作有机膜层141和感光层142的具体步骤。
步骤S504:在功能层以及像素界定层12背离基板11的一侧形成第二电极层,第二电极层包括第二驱动电极151、集电极152和发射极153,第二驱动电极151覆盖有机膜层141,发射极153和集电极152分别与感光层142连接。
在具体实现中,第二电极层可以采用溅射工艺制作而成,还可以采用光刻-剥离技术完成图案化,后续实施例中会详细介绍采用光刻-剥离技术制作第二电极层的具体步骤。
上述任一实施例提供的显示基板可以由本实施例提供的制备方法制备而成。采用本实施例提供的制备方法制备得到的一种显示基板如图1所示。
为了形成有机膜层141,在一种可选的实现方式中,参照图6和图7,步骤S503具体可以包括:
步骤S601:在第一电极层13和像素界定层12背离基板11的一侧依次涂布保护层SL和光刻胶PR。
其中,保护层SL的材料可以为含氟高分子材料,保护层SL用于保护保护层下面的膜层不受损伤。参照图7a示出了一种基板的剖面结构示意图;参照图7b示出了完成保护层和光刻胶涂布的显示基板的剖面结构示意图。
步骤S602:对第一预设区域的光刻胶PR进行曝光和显影。
其中,第一预设区域(像素区域)可以为需要形成有机膜层141的区域,第一预设区域在基板11上的正投影可以覆盖第一开口区域在基板11上的正投影。
在具体实现中,可以首先采用UV光对第一预设区域的光刻胶PR进行曝光,然后采用PR显影液对曝光后的光刻胶PR进行显影,PR显影后如图7c所示。
步骤S603:对保护层SL进行显影,使显影后的保护层SL相对于显影后的光刻胶PR缩进,并使第一驱动电极131裸露。
在具体实现中,可以在显影光刻胶PR后,再在保护层SL显影液中对保护层SL进行显影。显影保护层SL后形成如图7d所示的开口结构,通过控制SL层的显影工艺如显影时间等,可以产生SL undercut,从而形成了T型柱结构,即显影后的保护层SL相对于显影后的光刻胶PR缩进。显影保护层SL后,使第一驱动电极131裸露具体可以为第一驱动电极131的第一开口区域裸露。
步骤S604:在第一电极层13和光刻胶PR背离基板11的一侧蒸镀有机膜层材料。
在具体实现中,在完成保护层SL显影后的显示基板上蒸镀有机膜层材料,蒸镀膜层应在T型柱两端自动断开,如图7e所示。
步骤S605:剥离剩余的保护层SL和光刻胶PR,得到有机膜层141。
在具体实现中,可以在剥离液中剥离T型柱,去除非第一预设区域的有机膜层材料,剥离后形成覆盖第一驱动电极31的第一开口区域的EL结构,如图7f所示。
本实施例中,通过设置保护层SL,可以避免光刻胶以及显影液等对有机膜层造成影响,从而保护发光器件的显示性能。
为了形成感光层142,在一种可选的实现方式中,参照图8和图9,步骤S503具体可以包括:
步骤S801:在第一电极层13和像素界定层12背离基板11的一侧依次涂布保护层SL和光刻胶PR。
其中,保护层SL的材料可以为含氟高分子材料,保护层SL用于保护保护层下面的膜层不受损伤。参照图9a示出了一种基板的剖面结构示意图;参照图9b示出了完成保护层和光刻胶涂布的显示基板的剖面结构示意图。
步骤S802:对第二预设区域的光刻胶PR进行曝光和显影。
在具体实现中,第二预设区域(感光区域)可以为需要形成感光层142的区域,第二预设区域在基板11上的正投影可以覆盖第二开口区域在基板11上的正投影。可以首先采用UV光对第二预设区域的光刻胶PR进行曝光,然后采用PR显影液对曝光后的光刻胶PR进行显影,PR显影后如图9c所示。
步骤S803:对保护层SL进行显影,使显影后的保护层SL相对于显影后的光刻胶PR缩进,并使基极132裸露。
在具体实现中,可以在显影光刻胶PR后,再在保护层显影液中对保护层SL进行显影。显影保护层SL后形成如图9d所示的开口结构,通过控制SL层的显影工艺如显影时间等,可以产生SL undercut,从而形成了T型柱结构,即显影后的保护层SL相对于显影后的光刻胶PR缩进。显影保护层SL后,基极132裸露具体可以为基极132的第二开口区域裸露。
步骤S804:在第一电极层13和光刻胶PR背离基板11的一侧蒸镀感光层材料。
在具体实现中,在完成保护层SL显影后的显示基板上蒸镀小分子有机感光材料,蒸镀膜层应在T型柱两端自动断开,感光材料与基极132直接连接,如图9e所示。
步骤S805:剥离剩余的保护层SL和光刻胶PR,得到感光层142。
在具体实现中,可以在剥离液中剥离T型柱,去除非第二预设区域的感光材料,剥离后形成覆盖基极132的第二开口区域的感光层,如图9f所示。
本实施例中,通过设置保护层SL,可以避免光刻胶以及显影液等对感光层造成影响,从而保护光电三极管的性能。
在一种可选的实现方式中,第一电极层13还可以包括输出电极133,参照图10和图11,步骤S504具体可以包括:
步骤S1001:在功能层、第一电极层13以及像素界定层12背离基板11的一侧依次涂布保护层SL和光刻胶PR。
其中,保护层SL的材料可以为含氟高分子材料,保护层SL用于保护保护层下面的膜层不受损伤。
步骤S1002:对第三预设区域的光刻胶PR进行曝光和显影。
在具体实现中,第三预设区域可以为需要形成第二电极层的区域。可以首先采用UV光对第三预设区域的光刻胶PR进行曝光,然后采用PR显影液对曝光后的光刻胶PR进行显影。
步骤S1003:对保护层SL进行显影,使显影后的保护层SL相对于显影后的光刻胶PR缩进,并使感光层142的边缘、有机膜层141以及输出电极133裸露。
在具体实现中,可以在显影光刻胶PR后,再在保护层显影液中对保护层SL进行显影。显影保护层SL后形成如图11a所示的开口结构,通过控制SL层的显影工艺如显影时间等,可以产生SL undercut,从而形成了T型柱结构,即显影后的保护层SL相对于显影后的光刻胶PR缩进。显影保护层SL后,使感光层142的边缘裸露具体可以为感光层142的漏极区和源极区裸露;使输出电极133裸露具体可以为输出电极的第三开口区域裸露。
步骤S1004:在功能层、第一电极层13以及光刻胶PR背离基板11的一侧蒸镀第二电极材料。
在具体实现中,在完成保护层SL显影后的显示基板上蒸镀第二电极材料,蒸镀膜层应在T型柱两端自动断开,如图11b所示。
步骤S1005:剥离剩余的保护层SL和光刻胶PR,得到第二电极层,如图11c所示。
其中,集电极152与输出电极133连接。
在具体实现中,形成覆盖有机膜层的第二驱动电极,覆盖输出电极的第三开口区域同时覆盖感光层142漏极区的集电极,以及覆盖源极区的发射极。
在实际应用中,本实施例提供的制备方法还可以包括后续的CPL蒸镀以及封装工艺。这样,当手指放置到指纹识别区域并触发指纹识别功能时,OLED的光在手指表面反射,被光电三极管的光敏材料接收,产生光电流。
本实施例提供的显示基板的制备方法,采用光刻-剥离的技术,将有机膜层、感光层以及第二电极层进行图案化,从而形成与OLED有机膜层集成的光电三极管结构。在指纹识别区域,OLED光可以通过指纹不同的图案,反射至光电三极管,通过三极管开关TFT控制,读取电流,从而形成指纹识别的图案。
本实施例提供了一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置,其中显示基板包括基板,以及图案化设置在基板一侧的像素界定层和第一电极层,第一电极层包括第一驱动电极和基极;设置在第一电极层背离基板一侧的功能层,功能层包括有机膜层和感光层,有机膜层覆盖第一驱动电极,感光层覆盖基极;图案化设置在功能层以及像素界定层背离基板一侧的第二电极层,第二电极层包括第二驱动电极、集电极和发射极,第二驱动电极覆盖有机膜层,发射极和集电极分别与感光层连接。本申请技术方案中,基极、感光层、发射极和集电极构成识别指纹的光电三极管,该光电三极管集成在OLED的有机膜层,因此在指纹识别功能开启时,OLED发出的光穿过透明封装层及模组在手指表面反射,反射后的光被光电三极管的感光层吸收,产生光电流,进而根据光电流对指纹进行识别。本申请的设计大大缩短了反射光的光路,反射光不需要穿过阴极以及array上的平坦层和层间介质层等,可以大大提升指纹识别功能的可靠性。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述,每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处,各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
最后,还需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、商品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种显示基板的制备方法、显示基板和显示装置进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想;同时,对于本领域的一般技术人员,依据本发明的思想,在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处,综上所述,本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种显示基板,其特征在于,包括:
基板,以及图案化设置在所述基板一侧的像素界定层和第一电极层,所述第一电极层包括第一驱动电极和基极;
设置在所述第一电极层背离所述基板一侧的功能层,所述功能层包括有机膜层和感光层,所述有机膜层覆盖所述第一驱动电极,所述感光层覆盖所述基极;
图案化设置在所述功能层以及所述像素界定层背离所述基板一侧的第二电极层,所述第二电极层包括第二驱动电极、集电极和发射极,所述第二驱动电极覆盖所述有机膜层,所述发射极和所述集电极分别与所述感光层连接。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极层还包括输出电极,所述输出电极与所述集电极连接。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述感光层的材料为可蒸镀的有机小分子光敏材料。
4.根据权利要求1至3任一项所述的显示基板,其特征在于,所述基板包括:
衬底,以及设置在所述衬底靠近所述第一电极层一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二漏极;
设置在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管背离所述衬底一侧的层间介质层和平坦层,所述第一驱动电极与所述第一漏极通过设置在所述层间介质层和所述平坦层上的第一过孔连接,所述基极与所述第二漏极通过设置在所述层间介质层和所述平坦层上的第二过孔连接。
5.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1至4任一项所述的显示基板。
6.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供基板;
在所述基板的一侧图案化形成像素界定层和第一电极层,所述第一电极层包括第一驱动电极和基极;
在所述第一电极层背离所述基板的一侧形成功能层,所述功能层包括有机膜层和感光层,所述有机膜层覆盖所述第一驱动电极,所述感光层覆盖所述基极;
在所述功能层以及所述像素界定层背离所述基板的一侧形成第二电极层,所述第二电极层包括第二驱动电极、集电极和发射极,所述第二驱动电极覆盖所述有机膜层,所述发射极和所述集电极分别与所述感光层连接。
7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述第一电极层背离所述基板的一侧形成功能层的步骤,包括:
在所述第一电极层和所述像素界定层背离所述基板的一侧依次涂布保护层和光刻胶;
对第一预设区域的光刻胶进行曝光和显影;
对所述保护层进行显影,使显影后的保护层相对于显影后的光刻胶缩进,并使第一驱动电极裸露;
在所述第一电极层和所述光刻胶背离所述基板的一侧蒸镀有机膜层材料;
剥离剩余的保护层和光刻胶,得到所述有机膜层。
8.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,在所述第一电极层背离所述基板的一侧形成功能层的步骤,包括:
在所述第一电极层和所述像素界定层背离所述基板的一侧依次涂布保护层和光刻胶;
对第二预设区域的光刻胶进行曝光和显影;
对所述保护层进行显影,使显影后的保护层相对于显影后的光刻胶缩进,并使所述基极裸露;
在所述第一电极层和所述光刻胶背离所述基板的一侧蒸镀感光层材料;
剥离剩余的保护层和光刻胶,得到所述感光层。
9.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,所述第一电极层还包括输出电极,在所述功能层以及所述像素界定层背离所述基板的一侧形成第二电极层的步骤,包括:
在所述功能层、所述第一电极层以及所述像素界定层背离所述基板的一侧依次涂布保护层和光刻胶;
对第三预设区域的光刻胶进行曝光和显影;
对所述保护层进行显影,使显影后的保护层相对于显影后的光刻胶缩进,并使所述感光层的边缘、所述有机膜层以及所述输出电极裸露;
在所述功能层、所述第一电极层以及所述光刻胶背离所述基板的一侧蒸镀第二电极材料;
剥离剩余的保护层和光刻胶,得到所述第二电极层;
其中,所述集电极与所述输出电极连接。
10.根据权利要求6至9任一项所述的制备方法,其特征在于,所述提供基板的步骤,包括:
提供衬底;
在所述衬底靠近所述第一电极层的一侧形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管包括第一漏极,所述第二薄膜晶体管包括第二漏极;
在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管背离所述衬底的一侧依次形成层间介质层和平坦层,所述第一驱动电极与所述第一漏极通过设置在所述层间介质层和所述平坦层上的第一过孔连接,所述基极与所述第二漏极通过设置在所述层间介质层和所述平坦层上的第二过孔连接。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113178470A (zh) * 2021-04-25 2021-07-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、制备显示面板的方法和显示装置
CN113555398A (zh) * 2021-07-16 2021-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示模组的背板及其制备方法、显示面板、显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102116976A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 北京京东方光电科技有限公司 有源矩阵基板及其制造方法
CN109065587A (zh) * 2018-08-07 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN110176203A (zh) * 2018-05-09 2019-08-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102116976A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 北京京东方光电科技有限公司 有源矩阵基板及其制造方法
CN110176203A (zh) * 2018-05-09 2019-08-27 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及显示装置
CN109065587A (zh) * 2018-08-07 2018-12-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113178470A (zh) * 2021-04-25 2021-07-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、制备显示面板的方法和显示装置
CN113178470B (zh) * 2021-04-25 2024-06-21 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、制备显示面板的方法和显示装置
CN113555398A (zh) * 2021-07-16 2021-10-26 京东方科技集团股份有限公司 显示模组的背板及其制备方法、显示面板、显示装置
CN113555398B (zh) * 2021-07-16 2024-05-24 京东方科技集团股份有限公司 显示模组的背板及其制备方法、显示面板、显示装置

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