CN111628059B - AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法，器件由底向上依次包括衬底、AlN层、应力缓冲层、n型AlGaN层、有源区、p型电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层；采用n个量子阱作为有源区，每个量子阱的势垒部分采用非对称凹型结构,由底向上包括n个阱层和n+1个势垒；每个势垒由底向上依次包括第一层、凹型层和第三层；第一、三层均为AlxGa1‑xN层，凹型层为AlyGa1‑yN层，第一层和第三层铝组分含量x大于凹型层铝组分含量y，第三层厚度小于第一层厚度；量子阱的阱层为AlzGa1‑zN层，阱层的铝组分含量z小于凹型层铝组分含量y。可有效提高载流子注入效率，显著提高器件性能。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法。
背景技术
近年来，AlGaN(铝镓氮)基深紫外发光二极管(DUV-LED)在水净化、医疗、数据存储及非视距通讯等领域的应用优势日益突显，并且由于其具有环保、尺寸小、耗能低以及使用寿命长等特点，被认为是当前III族氮化物半导体最具发展潜力的领域和产业之一。然而目前，DUV-LED的外量子效率相比蓝光LED依然很低，其中载流子注入效率低是限制外量子效率提升的主要原因之一，这也极大地限制了DUV-LED的产业化应用。
DUV-LED的载流子注入效率低主要有两方面的原因：一方面，电子向p型区的泄露严重。n型AlGaN层作为功能层为DUV-LED提供自由电子，由于电子的有效质量小，热运动速率高，一部分电子在向有源区注入的过程中不会与空穴进行有效的复合，而是脱离势垒的束缚进入到p型区，造成电子泄露，从而减小电子的注入效率。另一方面，空穴的注入效率低。由于III-族氮化物半导体最常用的掺杂源镁(Mg)在高Al组分AlGaN中的激活能很高，因此实现高效的p型掺杂极其困难，无法向有源区提供大量的空穴。同时空穴的输运也是很关键的问题。由于空穴的有效质量大，迁移率低，在向有源区注入的过程中，能量较低的空穴无法跨越电子阻挡层(EBL)和量子阱垒层的高势垒，使空穴无法大量向远离p型区一侧的量子阱中输运，空穴注入效率因此受到限制。
目前，提高AlGaN基DUV-LED注入效率的方法主要有以下几种：一是尽力实现有效的p型掺杂，提高空穴的浓度来实现高的注入，例如采用极化诱导掺杂，降低Mg在AlGaN中的激活能，提高其离化率；二是改变DUV-LED的内禀结构，例如通过提高EBL的Al组分或采用多势垒EBL结构，达到抑制电子泄露的目的，但此种方法会同时增大空穴注入的势垒；或者通过在p型层顶部采用超宽禁带AlGaN隧穿结，通过超高浓度的n型和p型掺杂，使n型导带与p型价带位于相近的能级，增大空穴的隧穿机率，从而提高注入效率，但高Al组分AlGaN的n型和p型高掺杂实现难度很大。由此可见，上述内禀结构的改进方式虽然可以在一定程度上提高DUV-LED的载流子注入效率，但其在同时兼顾两种载流子的输运问题上存在局限性，且对外延生长的要求苛刻，在深紫外发光器件的产业应用上还有很大的挑战。
发明内容
针对现有技术存在的问题，本发明实施例提供一种AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法。
本发明实施例提供一种AlGaN基深紫外发光二极管器件，由底向上依次包括：衬底、AlN层、应力缓冲层、n型AlGaN层、有源区、p型电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层，
所述有源区由底向上包括n个阱层和n+1个AlGaN基非对称凹型势垒组成的n个量子阱，n为预设正整数；
每个AlGaN基非对称凹型势垒由底向上依次包括第一层、凹型层和第三层；所述AlGaN基非对称凹型势垒内的第一层和第三层均为AlxGa1-xN层，所述AlGaN基非对称凹型势垒内的凹型层为AlyGa1-yN层，所述第一层和第三层的铝组分的含量x大于所述凹型层的铝组分的含量y，所述第三层的厚度小于所述第一层的厚度；所述量子阱的阱层为AlzGa1-zN层，所述阱层的铝组分的含量z小于所述凹型层的铝组分的含量y。
可选地，所述第一层和第三层的铝组分的含量x的取值范围为0.5≤x≤0.8。
可选地，所述凹型层的铝组分的含量y的取值范围为0.45≤y≤0.7。
可选地，所述第一层的厚度为4-10nm，所述第三层的厚度为1-4nm，所述凹型层的厚度为4-10nm。
可选地，所述阱层的铝组分的含量z，用于调整AlGaN基深紫外发光二极管器件的发光波长。
本发明实施例提供一种AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，包括：
在衬底上生长AlN层；
在所述AlN层上生长AlN/AlGaN交替多周期结构层，作为应力缓冲层；
在所述应力缓冲层上生长n型AlGaN层，作为n型层；
在所述n型AlGaN层上生长有源区，包括：S1、在n型AlGaN层上生长一层AlxGa1-xN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的第一层；S2、在所述第一层上生长一层AlyGa1-yN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的凹型层；S3、在所述凹型层上生长一层AlxGa1-xN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的第三层，其中，所述第一层和第三层的铝组分的含量x大于所述凹型层的铝组分的含量y，所述第三层的厚度小于所述第一层的厚度；S4、在所述第三层上生长一层AlzGa1-zN层作为量子阱的阱层，其中，所述阱层的铝组分的含量z小于所述凹型层的铝组分的含量y；S5、重复S1-S4 n-1次n为预设正整数；S6、重复S1-S3，生长最后1个AlGaN基非对称凹型势垒，形成n个量子阱，完成有源区的生长；
在所述有源区上生长p型AlGaN层，作为p型电子阻挡层；
在所述p型电子阻挡层上生长p型AlGaN层，作为p型层；
在所述p型AlGaN层上生长p型GaN层，作为顶部欧姆接触层。
可选地，所述第一层和第三层的铝组分的含量x的取值范围为0.5≤x≤0.8。
可选地，所述凹型层的铝组分的含量y的取值范围为0.45≤y≤0.7。
可选地，所述第一层的厚度为4-10nm，所述第三层的厚度为1-4nm，所述凹型层的厚度为4-10nm。
可选地，所述阱层的铝组分的含量z，用于调整AlGaN基深紫外发光二极管器件的发光波长。
本发明实施例提供的AlGaN基深紫外发光二极管器件及其制备方法，通过在势垒内设置凹型层，即在量子阱有源区的势垒中不对称地插入一个低Al成分的AlGaN层生长AlGaN基非对称凹型势垒的结构，利用该AlGaN基非对称凹型势垒的结构对载流子速度进行有效的调制，实现在抑制电子泄露的同时可以提高空穴的纵向输运能力，从而可有效提高载流子注入效率，显著提高器件性能。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例提供的一种AlGaN基深紫外发光二极管器件的结构示意图；
图2为图1中有源区的AlGaN基非对称凹型势垒结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的一种AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法的流程示意图；
图4为本发明施例提供的AlGaN基深紫外发光二极管器件的内量子效率及光输出功率密度的模拟验证结果图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
图1示出了本发明一实施例提供的一种AlGaN基深紫外发光二极管器件的结构示意图，如图1所示，本实施例的AlGaN基深紫外发光二极管器件，由底向上依次包括：衬底、AlN层、应力缓冲层、n型AlGaN层、有源区、p型电子阻挡层、p型AlGaN层(即p型层)和p型GaN层(即顶部欧姆接触层)；
所述有源区由底向上包括n个阱层和n+1个AlGaN基非对称凹型势垒组成的n个量子阱，n为预设正整数；
每个AlGaN基非对称凹型势垒由底向上依次包括第一层、凹型层和第三层；所述AlGaN基非对称凹型势垒内的第一层和第三层均为AlxGa1-xN层，所述AlGaN基非对称凹型势垒内的凹型层为AlyGa1-yN层，所述第一层和第三层的铝组分的含量x大于所述凹型层的铝组分的含量y，所述第三层的厚度小于所述第一层的厚度；所述量子阱的阱层为AlzGa1-zN层，所述阱层的铝组分的含量z小于所述凹型层的铝组分的含量y。可参考图2，图2为所述AlGaN基非对称凹型势垒结构示意图。
在具体应用中，所述第一层和第三层的铝组分的含量x的取值范围可以为0.5≤x≤0.8，具体地可以优选为0.5≤x≤0.7。
在具体应用中，所述凹型层的铝组分的含量y的取值范围为0.45≤y≤0.7，具体地可以优选为0.45≤y≤0.6。
在具体应用中，所述阱层的铝组分的含量z，可用于调整AlGaN基深紫外发光二极管器件的发光波长，即可通过调整所述阱层的铝组分的含量z，来调整AlGaN基深紫外发光二极管器件的发光波长。
可以理解的是，本实施例可根据AlGaN基深紫外发光二极管器件(DUV-LED)的具体需要选择合适的量子阱、势垒组分和厚度，但需满足条件：y<x且所述AlGaN基非对称凹型势垒内的第三层的厚度小于第一层的厚度；可通过调整生长参数调整所述第一层和第三层的铝组分的含量x的取值。
在具体应用中，所述第一层的厚度可以为4-10nm，具体地所述第一层的厚度可以优选为4-8nm；所述第三层的厚度可以为1-4nm，具体地所述第三层的厚度可以优选为1-3nm；所述凹型层的厚度可以为4-10nm，具体地所述凹型层的厚度可以优选为4-8nm。
可以理解的是，本实施例所述AlGaN基非对称凹型势垒内：第一层是由高Al组分AlGaN层组成，具有较大的禁带宽度；第二层(即凹型层)是由低Al组分AlGaN层组成，具有较小的禁带宽度；第三层是由高Al组分AlGaN层组成，第三层的Al组分与第一层的Al组分相同，但第三层的厚度小于第一层的厚度，所述第三层具有较大的禁带宽度。其中，低Al组分层既可以使电子发生散射，又可以使空穴加速，起到抑制电子泄露并促进空穴输运的作用。
可以理解的是，本实施例通过采用AlGaN基非对称凹型势垒，对有源区的能带及载流子输运进行调控，提高载流子的纵向输运能力。通过在势垒区设置低Al组分AlGaN层，在能带上形成较低能量的凹型区，使电子在进入量子阱的势阱区之前在凹型层发生散射，减小热运动速率，从而提高量子阱势阱区对电子的捕获能力，减小电子泄露；同时，由于空穴的热运动速率低，其热能远远低于电子，在凹型区发生散射的概率极小，仅在凹型区极化场的作用下做加速运动。而不对称的凹型区设置，使空穴从量子阱的势阱区进入势垒区时先隧穿或越过一个薄的势垒，进入凹型区被加速获得更大的能量之后，再跨越稍厚的势垒，从而增大了空穴进入下一个量子阱势阱区的概率，进而提高了空穴的注入效率。
本实施例提供的AlGaN基深紫外发光二极管器件，通过在势垒内设置凹型层，即在量子阱有源区的势垒中不对称地插入一个低Al成分的AlGaN层生长AlGaN基非对称凹型势垒的结构，利用该AlGaN基非对称凹型势垒的结构对载流子速度进行有效的调制，实现在抑制电子泄露的同时可以提高空穴的纵向输运能力，从而可有效提高器件的载流子注入效率，且对生长要求低，在生长上也很容易实现，对势垒掺杂、厚度及组分没有严苛要求，可直接用于DUV-LED的结构中，适用于各种波长的紫外发光器件，适合大力推广到深紫外发光器件的产业化应用中，具有很好的实用性。
基于相同的发明构思，本发明另一实施例提供了一种AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法的流程示意图，参见图3，本实施例的AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，包括：
P1、在衬底上生长AlN层。
在具体应用中，所述衬底可以为蓝宝石衬底，可以在蓝宝石衬底上通过MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)的方法生长一层AlN层。
P2、在所述AlN层上生长AlN/AlGaN交替多周期结构层，作为应力缓冲层。
P3、在所述应力缓冲层上生长n型AlGaN层，作为n型层。
在具体应用中，可以在所述应力缓冲层上生长Si掺杂的AlGaN层，作为n型层。
P4、在所述n型AlGaN层上生长有源区，包括：S1、在n型AlGaN层上生长一层AlxGa1- xN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的第一层；S2、在所述第一层上生长一层AlyGa1-yN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的凹型层；S3、在所述凹型层上生长一层AlxGa1-xN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的第三层，其中，所述第一层和第三层的铝组分的含量x大于所述凹型层的铝组分的含量y，所述第三层的厚度小于所述第一层的厚度；S4、在所述第三层上生长一层AlzGa1-zN层作为量子阱的阱层，其中，所述阱层的铝组分的含量z小于所述凹型层的铝组分的含量y；S5、重复S1-S4 n-1次，形成n个量子阱，n为预设正整数；S6、重复S1-S3，生长最后1个AlGaN基非对称凹型势垒，形成n个量子阱结构，完成有源区的生长。
在具体应用中，所述AlGaN基非对称凹型势垒结构示意图可以参考图2。
在具体应用中，所述第一层和第三层的铝组分的含量x的取值范围可以为0.5≤x≤0.8，具体地可以优选为0.5≤x≤0.7。
在具体应用中，所述凹型层的铝组分的含量y的取值范围为0.45≤y≤0.7，具体地可以优选为0.45≤y≤0.6。
在具体应用中，所述阱层的铝组分的含量z，可用于调整AlGaN基深紫外发光二极管器件的发光波长，即可通过调整所述阱层的铝组分的含量z，来调整AlGaN基深紫外发光二极管器件的发光波长。
可以理解的是，本实施例可根据AlGaN基深紫外发光二极管器件(DUV-LED)的具体需要选择合适的量子阱、势垒组分和厚度，但需满足条件：y<x且所述AlGaN基非对称凹型势垒内的第三层的厚度小于第一层的厚度；可通过调整生长参数调整所述第一层和第三层的铝组分的含量x的取值。
在具体应用中，所述第一层的厚度可以为4-10nm，具体地所述第一层的厚度可以优选为4-8nm；所述第三层的厚度可以为1-4nm，具体地所述第三层的厚度可以优选为1-3nm；所述凹型层的厚度可以为4-10nm，具体地所述凹型层的厚度可以优选为4-8nm。
可以理解的是，本实施例所述AlGaN基非对称凹型势垒内：第一层是由高Al组分AlGaN层组成，具有较大的禁带宽度；第二层(即凹型层)是由低Al组分AlGaN层组成，具有较小的禁带宽度；第三层是由高Al组分AlGaN层组成，第三层的Al组分与第一层的Al组分相同，但第三层的厚度小于第一层的厚度，所述第三层具有较大的禁带宽度。其中，低Al组分层既可以使电子发生散射，又可以使空穴加速，起到抑制电子泄露并促进空穴输运的作用。凹型层Al组分及宽度不同对电子的散射作用及空穴的加速作用不同，本发明中可以通过控制凹型层生长过程中的Al和Ga源的摩尔流量比例及生长时间，对凹型层的Al组分及厚度进行调控，进而调控器件工作中的载流子输运的行为。
P5、在所述有源区上生长p型AlGaN层，作为p型电子阻挡层。
在具体应用中，可以在所述有源区上生长Mg掺杂的AlGaN层，作为p型电子阻挡层。
P6、在所述p型电子阻挡层上生长p型AlGaN层，作为p型层。
在具体应用中，可以在所述p型电子阻挡层上生长Mg掺杂的AlGaN层，作为p型层。
P7、在所述p型AlGaN层上生长p型GaN层，作为顶部欧姆接触层。
在具体应用中，可以在所述p型AlGaN层上生长Mg掺杂的GaN层，作为顶部欧姆接触层。
可以理解的是，本实施例通过采用AlGaN基非对称凹型势垒，对有源区的能带及载流子输运进行调控，提高载流子的纵向输运能力。通过在势垒区设置低Al组分AlGaN层，在能带上形成较低能量的凹型区，使电子在进入量子阱势阱区之前在凹型层发生散射，减小热运动速率，从而提高量子阱势阱区对电子的捕获能力，减小电子泄露；同时，由于空穴的热运动速率低，其热能远远低于电子，在凹型区发生散射的概率极小，仅在凹型区极化场的作用下做加速运动。而不对称的凹型区设置，使空穴从量子阱势阱区进入势垒区时先隧穿或越过一个薄的势垒，进入凹型区被加速获得更大的能量之后，再跨越稍厚的势垒，从而增大了空穴进入下一个量子阱势阱区的概率，进而提高了空穴的注入效率。
下面以一个具体实例对本实施例所述AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法进行进一步说明，例如，本实施例所述AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，可以包括：
P1、在蓝宝石衬底上通过MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)的方法生长一层2μm厚的AlN层。
P2、在所述AlN层上生长0.5μm厚的AlN/Al0.55Ga0.45N交替多周期结构层，作为应力缓冲层。
P3、在所述应力缓冲层上生长1.5μm厚的Si掺杂的Al0.55Ga0.45N层，作为n型层。
P4、在所述n型层上生长有源区，包括：S1、在n型层上生长一层5nm厚的Al0.5Ga0.5N层作为AlGaN基非对称凹型势垒的第一层；S2、在所述第一层上生长一层5nm厚的Al0.4Ga0.6N层作为AlGaN基非对称凹型势垒的凹型层；S3、在所述凹型层上生长一层2nm厚的Al0.5Ga0.5N层作为AlGaN基非对称凹型势垒的第三层；S4、在所述第三层上生长一层3nm厚的Al0.3Ga0.7N层作为阱层；S5、重复S1-S4 4次；S6、重复S1-S3，生长最后1个AlGaN基非对称凹型势垒，形成5个量子阱结构，完成有源区的生长。
P5、在所述有源区上生长一层10nm厚的Mg掺杂的Al0.65Ga0.35N层，作为p型电子阻挡层。
P6、在所述p型电子阻挡层上生长一层50nm厚的Mg掺Al0.55Ga0.45N层，作为p型层。
P7、在所述p型层上生长一层20nm厚的Mg掺杂的GaN层，作为顶部欧姆接触层。
可以理解的是，将利用上方所举例子的AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法制备得到的AlGaN基深紫外发光二极管器件(DUV-LED)与包含厚度相同的传统单一Al组分势垒(Al0.5Ga0.5N)的DUV-LED结构用模拟计算的方法进行测试对比，测试结果如图4所示：(1)电流密度为0-100A/cm2时，上方所举例子的AlGaN基DUV-LED的最大内量子效率相比于传统结构增大了29.7％；(2)上方所举例子的AlGaN基DUV-LED的光输出功率密度相比于传统结构增大了37.0％。
需要说明的是，利用本发明实施例提供的AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，能够制备得到图1所示实施例所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件，其实现原理和技术效果类似，此处不再赘述。
本实施例提供的AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，能够制备得到AlGaN基深紫外发光二极管器件，通过在势垒内设置凹型层，即在量子阱有源区的势垒中不对称地插入一个低Al成分的AlGaN层生长AlGaN基非对称凹型势垒的结构，利用该AlGaN基非对称凹型势垒的结构对载流子速度进行有效的调制，实现在抑制电子泄露的同时可以提高空穴的纵向输运能力，从而可有效提高器件的载流子注入效率，且对生长要求低，在生长上也很容易实现，对势垒掺杂、厚度及组分没有严苛要求，可直接用于DUV-LED的结构中，适用于各种波长的紫外发光器件，适合大力推广到深紫外发光器件的产业化应用中，具有很好的实用性。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。
Claims (10)
1.一种AlGaN基深紫外发光二极管器件，由底向上依次包括：衬底、AlN层、应力缓冲层、n型AlGaN层、量子阱有源区、p型电子阻挡层、p型AlGaN层和p型GaN层，其特征在于，
所述有源区由底向上包括n个阱层和n+1个AlGaN基非对称凹型势垒组成的n个量子阱，n为预设正整数；
每个AlGaN基非对称凹型势垒由底向上依次包括第一层、凹型层和第三层；所述AlGaN基非对称凹型势垒内的第一层和第三层均为AlxGa1-xN层，所述AlGaN基非对称凹型势垒内的凹型层为AlyGa1-yN层，所述第一层和第三层的铝组分的含量x大于所述凹型层的铝组分的含量y，所述第三层的厚度小于所述第一层的厚度；所述量子阱的阱层为AlzGa1-zN层，所述阱层的铝组分的含量z小于所述凹型层的铝组分的含量y。
2.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件，其特征在于，所述第一层和第三层的铝组分的含量x的取值范围为0.5≤x≤0.8。
3.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件，其特征在于，所述凹型层的铝组分的含量y的取值范围为0.45≤y≤0.7。
4.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件，其特征在于，所述第一层的厚度为4-10nm，所述第三层的厚度为1-4nm，所述凹型层的厚度为4-10nm。
5.根据权利要求1所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件，其特征在于，所述阱层的铝组分的含量z，用于调整AlGaN基深紫外发光二极管器件的发光波长。
6.一种AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，包括：
在衬底上生长AlN层；
在所述AlN层上生长AlN/AlGaN交替多周期结构层，作为应力缓冲层；
在所述应力缓冲层上生长n型AlGaN层，作为n型层；
在所述n型AlGaN层上生长有源区，包括：S1、在n型AlGaN层上生长一层AlxGa1-xN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的第一层；S2、在所述第一层上生长一层AlyGa1-yN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的凹型层；S3、在所述凹型层上生长一层AlxGa1-xN层作为AlGaN基非对称凹型势垒的第三层，其中，所述第一层和第三层的铝组分的含量x大于所述凹型层的铝组分的含量y，所述第三层的厚度小于所述第一层的厚度；S4、在所述第三层上生长一层AlzGa1-zN层作为阱层，其中，所述阱层的铝组分的含量z小于所述凹型层的铝组分的含量y；S5、重复S1-S4 n-1次，n为预设正整数；S6、重复S1-S3，生长最后1个AlGaN基非对称凹型势垒，形成n个量子阱结构，完成有源区的生长；
在所述有源区上生长p型AlGaN层，作为p型电子阻挡层；
在所述p型电子阻挡层上生长p型AlGaN层，作为p型层；
在所述p型AlGaN层上生长p型GaN层，作为顶部欧姆接触层。
7.根据权利要求6所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述第一层和第三层的铝组分的含量x的取值范围为0.5≤x≤0.8。
8.根据权利要求6所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述凹型层的铝组分的含量y的取值范围为0.45≤y≤0.7。
9.根据权利要求6所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述第一层的厚度为4-10nm，所述第三层的厚度为1-4nm，所述凹型层的厚度为4-10nm。
10.根据权利要求6所述的AlGaN基深紫外发光二极管器件的制备方法，其特征在于，所述阱层的铝组分的含量z，用于调整AlGaN基深紫外发光二极管器件的发光波长。
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