CN111595381A - 一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器及其制备方法 - Google Patents

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CN111595381A CN202010475556.1A CN202010475556A CN111595381A CN 111595381 A CN111595381 A CN 111595381A CN 202010475556 A CN202010475556 A CN 202010475556A CN 111595381 A CN111595381 A CN 111595381A
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Abstract

本发明公开了一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器及其制备方法，涉及微机电技术领域，包括顶层、中间层、底层；顶层为聚合物纤毛，中间层为硅结构，底层为pyrex玻璃结构；硅结构与pyrex玻璃结构阳极键合并形成密闭的电容腔室；pyrex玻璃结构内部嵌入有导电引线柱；pyrex玻璃结构靠近硅结构的一侧中部设置有公共电容极板；公共电容极板周侧均匀分布有扇形的差分电容极板；pyrex玻璃结构远离硅结构的一侧设置有圆形的信号引脚。置传感器于流场中，运动流体引起纤毛柱变形，作为电容上极板的悬浮薄膜变形，引起电容变化，测量差分电容变化得到薄膜变形，从而得到被测二维矢量流速或剪应力信息。

Description

一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器及其制备方法
技术领域
本发明涉及微机电(MEMS)技术领域的传感器，尤其涉及一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器及其制备方法；特别涉及一种流速/剪应力测量用的背面引线仿生纤毛电容式微传感器及其制备方法。
背景技术
流速/剪应力微传感器是一种重要的流体测量传感器，适合用于精细化测量飞行器和水中航行体的流场分布，为分析飞行器和水中航行体的流体动力学性能提供基准参量，也为采用主动流动控制提升飞行器和水中航行体的安全、高速和燃油经济性等提供了可能。
近年来，由于蟋蟀和鱼等生物纤毛感受器表现出极好的流场测试性能，仿生纤毛流速微传感器受到各国科研人员的关注。该类传感器基于检测浸入流体中的仿生纤毛因流体阻力而发生的变形或偏转这一原理工作，主要有纤毛与悬臂梁组合结构、纤毛与扭转弹簧组合结构，以及纤毛与封闭扭转膜组合结构。对于前两种组合结构，变形结构部分与基底之间为小间隙开放结构，容易受到颗粒物的影响。
2017年，Ajay Giri Prakash Kottapalli等人在《sensors》(2017年第17期1728)上发表的“Cupula-Inspired Hyaluronic Acid-Based Hydrogel Encapsulation to FormBiomimetic MEMS Flow Sensors”论文中报道了采用纤毛与封闭扭转膜组合结构，避免了小颗粒物的侵入影响，有更好的环境适用性；但该传感器一方面由于采用金应变电阻的作为敏感压阻，容易受环境温度变化敏感，另一方面，传感器引线与测试流场在同一侧，易干扰流场。
发明内容
为解决现有技术中的缺陷，本发明的目的在于提供一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器及其制备方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器，包括顶层、中间层、底层；所述顶层为聚合物纤毛，所述中间层为硅结构，所述底层为pyrex玻璃结构；
所述硅结构包括变形膜，所述变形膜为聚合物纤毛的支撑结构；所述硅结构与pyrex玻璃结构阳极键合并在硅结构与pyrex玻璃结构之间形成密闭的电容腔室；
所述pyrex玻璃结构内部嵌入有若干导电引线柱，所述导电引线柱的数量为5个；
所述pyrex玻璃结构靠近硅结构的一侧中部设置有公共电容极板；所述公共电容极板周侧均匀分布有若干差分电容极板，所述差分电容极板的数量为4个；
所述pyrex玻璃结构远离硅结构的一侧设置有若干信号引脚，所述若干信号引脚的数量为5个；
所述导电引线柱的一端与公共电容极板或差分电容极板相连接，其另一端与信号引脚相连接。
优选地，所述硅结构的材质为低阻导电硅或高阻硅；
当所述硅结构的材质为高阻硅时，所述硅结构靠近pyrex玻璃结构的一侧设置有金属电容上极板，所述公共电容极板与差分电容极板的正投影位于所述金属电容上极板的正投影内部。
电容式传感运用了两对差分电容结构，可以实现流速或剪应力的二维矢量测量，其等效电路如图3所示，图1中差分电容极板(4-1、4-2、4-3、4-4)和金属电容上极板3或低阻导电硅组成两对差分电容Ctheta、Cphi，公共电容极板2和金属电容上极板3或低阻导电硅组成公共电容Ccom。
一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，包括如下步骤：
A、底层pyrex玻璃结构的制备；
B、中间层硅结构的制备；所述硅结构的材质为低阻导电硅；
C、通过阳极键合实现硅结构与pyrex玻璃结构组合，完成信号引脚和中间层之上多余结构的去除、顶层聚合物纤毛的制备，即得所述背面引线的仿生纤毛电容式微传感器。
优选地，所述步骤A具体包括如下步骤：
所述步骤A具体包括如下步骤：
a、光刻胶掩膜刻蚀低阻导电硅片；
b、刻蚀后的低阻硅片去除光刻胶后与Pyrex玻璃的阳极键合；
c、高温回流Pyrex玻璃，再双面研磨抛光，形成嵌入导电硅柱的Pyrex玻璃结构；
d、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，制备Pyrex玻璃结构上的公共电容极板和差分电容极板；
e、采用PECVD或溅射方式，制备公共电容极板和差分电容极板氮化硅保护层，再光刻胶掩膜湿法去除多余氮化硅保护层。
优选地，所述步骤B具体包括如下步骤：
f、清洗器件层为低阻导电硅的硅片；
g、光刻胶掩膜，DRIE刻蚀低阻导电硅片制作电容间隙，得到所述硅结构。
优选地，所述步骤C具体包括如下步骤：
h、阳极键合Pyrex玻璃结构和硅结构并在Pyrex玻璃结构和硅结构之间形成电容腔室，键合面为低阻导电硅；
i、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Au薄膜图形化，在pyrex玻璃结构远离硅结构的一侧制备信号引脚；
j、刻蚀硅结构的支撑层硅和埋层氧化硅；
k、旋涂SU-8负胶，光刻图形化后固化得到所述聚合物纤毛(SU-8纤毛柱)。
一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，包括如下步骤：包括如下步骤：
A1、底层pyrex玻璃结构的制备；
B1、中间层硅结构的制备，所述硅结构的材质为高阻硅，在硅结构靠近pyrex玻璃结构的一侧制备金属电容上极板；
C1、通过阳极键合实现硅结构与pyrex玻璃结构组合，完成信号引脚和中间层之上多余结构的去除、顶层聚合物纤毛的制备，即得所述背面引线的仿生纤毛电容式微传感器。
优选地，所述步骤A1具体包括如下步骤：
a1、光刻胶掩膜刻蚀低阻导电硅片；
b1、刻蚀后的低阻硅片去除光刻胶后与Pyrex玻璃的阳极键合；
c1、高温回流Pyrex玻璃，再双面研磨抛光，形成嵌入导电硅柱的Pyrex玻璃结构；
d1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，制备Pyrex玻璃结构上的公共电容极板和差分电容极板；
e1、采用PECVD或溅射方式，制备公共电容极板和差分电容极板氮化硅保护层，再光刻胶掩膜湿法去除多余氮化硅保护层。
优选地，所述步骤B1具体包括如下步骤：
f1、清洗器件层为高阻硅的硅片；
g1、光刻胶掩膜，DRIE刻蚀高阻硅片制作电容间隙，得到所述硅结构；
h1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，在硅结构靠近pyrex玻璃结构的一侧制备金属电容上极板。
优选地，所述步骤C1具体包括如下步骤：
i1、阳极键合Pyrex玻璃结构和硅结构并在Pyrex玻璃结构和硅结构之间形成电容腔室，键合面为高阻硅；
j1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Au薄膜图形化，在pyrex玻璃结构远离硅结构的一侧制备信号引脚；
k1、刻蚀硅结构的支撑层硅和埋层氧化硅；
l1、旋涂SU-8负胶，光刻图形化后固化得到所述聚合物纤毛(SU-8纤毛柱)。
综上所述，与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
(1)本发明的传感器能够实现二维的流速/剪应力测量；
(2)本发明采用了背面引线技术和封闭膜结构，在水中仍有着良好的流速和剪应力测量性能；
(3)上述传感器的电容式传感运用了差分电容结构，可以降低环境温度变化等带来的共模影响。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例1一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的剖面图；
图2为本发明实施例2一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的剖面图；
图3为本发明实施例1和2一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的俯视图；
图4为本发明实施例1-2一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的结构示意图；
图5为本发明实施例1-2一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的等效电容示意图；
图6为本发明实施例3一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法流程示意图；
图7为本发明实施例4一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法流程示意图；
附图标记：
1、聚合物纤毛；2、公共电容极板；3、金属电容上极板；4、差分电容极板；5、硅结构；6、Pyrex玻璃结构；7、导电引线柱；8、信号引脚。
具体实施方式
以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明，但不以任何形式限制本发明。对本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变化和改进，这些都属于本发明的保护范围。在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开，下面结合具体实施例对本发明进行详细说明：
实施例1
一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器，如图1、图3、图4所示，包括顶层、中间层、底层；顶层为聚合物纤毛1，中间层为硅结构5，硅结构5包括变形膜，变形膜为聚合物纤毛1的支撑结构；底层为pyrex玻璃结构；硅结构5与pyrex玻璃结构阳极键合并在硅结构5与pyrex玻璃结构之间形成密闭的电容腔室。
pyrex玻璃结构内部嵌入有5个圆柱状的导电引线柱7；pyrex玻璃结构靠近硅结构5的一侧中部设置有公共电容极板2；公共电容极板2周侧均匀分布有4个扇形的差分电容极板4pyrex玻璃结构远离硅结构5的一侧设置有5个圆形的信号引脚8；导电引线柱7的一端与公共电容极板2或差分电容极板4相连接，其另一端与信号引脚8相连接。
其中硅结构5的材质为高阻硅，硅结构5靠近pyrex玻璃结构的一侧设置有金属电容上极板3，公共电容极板2与差分电容极板4的正投影位于金属电容上极板3的正投影内部。
本发明的传感器结构包括了聚合物纤毛1-硅结构5-pyrex玻璃结构的三层结构，其中聚合物纤毛1作为外界流场作用输入端，硅结构5为聚合物纤毛1支撑变形膜，硅结构5采用高阻硅时，其下方设置金属电容上极板3，与Pyrex玻璃结构6上表面的公共电容极板2和差分电容极板4(对称分布，共4个4-1、4-2、4-3、4-4)构成传感器检测公共电容和差分电容。
为避免传感器引线对测试流场的干扰，并实现传感器水中测试需求，在Pyrex玻璃结构6中还嵌入的导电引线柱7(对称分布，共5个7-1、7-2、7-3、7-4、7-5)作为信号的背面引线柱，另为实现电气连接，在导电引线柱7制备有信号引脚8(对称分布，共5个8-1、8-2、8-3、8-4、8-5)。
传感器的工作方式为：当传感器被置于流场中，运动流体作用于聚合物纤毛1，它将带动中间层硅结构5和金属电容上极板3产生变形，这样金属电容上极板3与pyrex玻璃结构上的差分电容极板4之间的夹角发生改变，相应电容随之变化，通过测量中间层硅结构5的金属电容上极板3和差分电容极板4形成的两组差分电容变化，可以得到被测二维矢量流速或剪应力信息。
图5为传感器的等效电容示意图,差分电容极板4-1与金属电容上极板3构成转动差分电容Ctheta+，差分电容极板4-2与金属电容上极板3构成转动差分电容Cphi+，差分电容极板4-3与金属电容上极板3构成转动差分电容Ctheta-，差分电容极板4-4与金属电容上极板3构成转动差分电容Cphi-，公共电容极板2与金属电容上极板3构成公共电容Ccom。
如图7所示，一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，采用MEMS微细加工工艺制作，工艺流程如图5所示，具体包括如下步骤：
A1、底层pyrex玻璃结构的制备；包括如下步骤：
a1、光刻胶掩膜刻蚀低阻导电硅片；
b1、刻蚀后的低阻硅片去除光刻胶后与Pyrex玻璃的阳极键合；
c1、高温回流Pyrex玻璃，再双面研磨抛光，形成嵌入导电硅柱的Pyrex玻璃结构6；
d1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，制备Pyrex玻璃结构6上的公共电容极板2和差分电容极板4；
e1、采用PECVD或溅射方式，制备公共电容极板2和差分电容极板4氮化硅保护层，再光刻胶掩膜湿法去除多余氮化硅保护层。
B1、中间层硅结构5的制备，硅结构5的材质为高阻硅，在硅结构5靠近pyrex玻璃结构的一侧制备金属电容上极板3；包括如下步骤：
f1、清洗器件层为高阻硅的硅片；
g1、光刻胶掩膜，DRIE刻蚀高阻硅片制作电容间隙，得到硅结构5；
h1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，在硅结构5靠近pyrex玻璃结构的一侧制备金属电容上极板3。
C1、通过阳极键合实现硅结构5与pyrex玻璃结构组合，完成信号引脚8和中间层之上多余结构的去除、顶层聚合物纤毛1的制备，即得背面引线的仿生纤毛电容式微传感器；包括如下步骤：
i1、阳极键合Pyrex玻璃结构6和硅结构5并在Pyrex玻璃结构6和硅结构5之间形成电容腔室，键合面为高阻硅；
j1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Au薄膜图形化，在pyrex玻璃结构远离硅结构5的一侧制备信号引脚8；
k1、刻蚀硅结构5的支撑层硅和埋层氧化硅；
l1、旋涂SU-8负胶，光刻图形化后固化得到聚合物纤毛1(SU-8纤毛柱)。
实施例2
一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器，如图2、图3、图4所示，为实施例1的变化例，与实施例1的区别之处在于，硅结构5的材质为低阻导电硅，实施例1中的高阻硅材质的硅结构5和金属电容上极板3等同于本实施例的低阻导电硅材质的硅结构5。
图5为传感器的等效电容示意图,差分电容极板4-1与材质为低阻导电硅的硅结构5构成转动差分电容Ctheta+，差分电容极板4-2与硅结构5构成转动差分电容Cphi+，差分电容极板4-3与硅结构5构成转动差分电容Ctheta-，差分电容极板4-4与硅结构5构成转动差分电容Cphi-，公共电容极板2与硅结构5构成公共电容Ccom。
如图6所示，一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，具体包括如下步骤：
A、底层pyrex玻璃结构的制备；包括如下步骤：
a、光刻胶掩膜刻蚀低阻导电硅片；
b、刻蚀后的低阻硅片去除光刻胶后与Pyrex玻璃的阳极键合；
c、高温回流Pyrex玻璃，再双面研磨抛光，形成嵌入导电硅柱的Pyrex玻璃结构6；
d、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，制备Pyrex玻璃结构6上的公共电容极板2和差分电容极板4；
e、采用PECVD或溅射方式，制备公共电容极板2和差分电容极板4氮化硅保护层，再光刻胶掩膜湿法去除多余氮化硅保护层。
B、中间层硅结构5的制备；硅结构5的材质为低阻导电硅；包括如下步骤：
f、清洗器件层为低阻导电硅的硅片；
g、光刻胶掩膜，DRIE刻蚀低阻导电硅片制作电容间隙，得到硅结构5。
C、通过阳极键合实现硅结构5与pyrex玻璃结构组合，完成信号引脚8和中间层之上多余结构的去除、顶层聚合物纤毛1的制备，即得背面引线的仿生纤毛电容式微传感器。包括如下步骤：
h、阳极键合Pyrex玻璃结构6和硅结构5并在Pyrex玻璃结构6和硅结构5之间形成电容腔室，键合面为低阻导电硅；
i、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Au薄膜图形化，在pyrex玻璃结构远离硅结构5的一侧制备信号引脚8；
j、刻蚀硅结构5的支撑层硅和埋层氧化硅；
k、旋涂SU-8负胶，光刻图形化后固化得到聚合物纤毛1(SU-8纤毛柱)。
以上对本发明的具体实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，本领域技术人员可以在权利要求的范围内做出各种变化或修改，这并不影响本发明的实质内容。在不冲突的情况下，本申请的实施例和实施例中的特征可以任意相互组合。

Claims (10)

1.一种背面引线的仿生纤毛电容式微传感器，其特征在于，包括顶层、中间层、底层；所述顶层为聚合物纤毛(1)，所述中间层为硅结构(5)，所述底层为pyrex玻璃结构；
所述硅结构(5)包括变形膜，所述变形膜为聚合物纤毛(1)的支撑结构；所述硅结构(5)与pyrex玻璃结构阳极键合并在硅结构(5)与pyrex玻璃结构之间形成密闭的电容腔室；
所述pyrex玻璃结构内部嵌入有若干导电引线柱(7)；
所述pyrex玻璃结构靠近硅结构(5)的一侧中部设置有公共电容极板(2)；所述公共电容极板(2)周侧均匀分布有若干差分电容极板(4)；
所述pyrex玻璃结构远离硅结构(5)的一侧设置有若干信号引脚(8)；
所述导电引线柱(7)的一端与公共电容极板(2)或差分电容极板(4)相连接，其另一端与信号引脚(8)相连接。
2.根据权利要求1所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器，其特征在于，所述硅结构(5)的材质为低阻导电硅或高阻硅；
当所述硅结构(5)的材质为高阻硅时，所述硅结构(5)靠近pyrex玻璃结构的一侧设置有金属电容上极板(3)，所述公共电容极板(2)与差分电容极板(4)的正投影位于所述金属电容上极板(3)的正投影内部。
3.一种根据权利要求1或2所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A、底层pyrex玻璃结构的制备；
B、中间层硅结构(5)的制备；所述硅结构(5)的材质为低阻导电硅；
C、通过阳极键合实现硅结构(5)与pyrex玻璃结构组合，完成信号引脚(8)和中间层之上多余结构的去除、顶层聚合物纤毛(1)的制备，即得所述背面引线的仿生纤毛电容式微传感器。
4.根据权利要求3所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，其特征在于，步骤A具体包括如下步骤：
a、光刻胶掩膜刻蚀低阻导电硅片；
b、刻蚀后的低阻硅片去除光刻胶后与Pyrex玻璃的阳极键合；
c、高温回流Pyrex玻璃，再双面研磨抛光，形成嵌入导电硅柱的Pyrex玻璃结构(6)；
d、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，制备Pyrex玻璃结构(6)上的公共电容极板(2)和差分电容极板(4)；
e、采用PECVD或溅射方式，制备公共电容极板(2)和差分电容极板(4)氮化硅保护层，再光刻胶掩膜湿法去除多余氮化硅保护层。
5.根据权利要求3所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，其特征在于，步骤B具体包括如下步骤：
f、清洗器件层为低阻导电硅的硅片；
g、光刻胶掩膜，DRIE刻蚀低阻导电硅片制作电容间隙，得到所述硅结构(5)。
6.根据权利要求3所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，其特征在于，步骤C具体包括如下步骤：
h、阳极键合Pyrex玻璃结构(6)和硅结构(5)并在Pyrex玻璃结构(6)和硅结构(5)之间形成电容腔室，键合面为低阻导电硅；
i、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Au薄膜图形化，在pyrex玻璃结构远离硅结构(5)的一侧制备信号引脚(8)；
j、刻蚀硅结构(5)的支撑层硅和埋层氧化硅；
k、旋涂SU-8负胶，光刻图形化后固化得到所述聚合物纤毛(1)。
7.一种根据权利要求1或2所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
A1、底层pyrex玻璃结构的制备；
B1、中间层硅结构(5)的制备，所述硅结构(5)的材质为高阻硅，在硅结构(5)靠近pyrex玻璃结构的一侧制备金属电容上极板(3)；
C1、通过阳极键合实现硅结构(5)与pyrex玻璃结构组合，完成信号引脚(8)和中间层之上多余结构的去除、顶层聚合物纤毛(1)的制备，即得所述背面引线的仿生纤毛电容式微传感器。
8.根据权利要求7所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，其特征在于，步骤A1具体包括如下步骤：
a1、光刻胶掩膜刻蚀低阻导电硅片；
b1、刻蚀后的低阻硅片去除光刻胶后与Pyrex玻璃的阳极键合；
c1、高温回流Pyrex玻璃，再双面研磨抛光，形成嵌入导电硅柱的Pyrex玻璃结构(6)；
d1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，制备Pyrex玻璃结构(6)上的公共电容极板(2)和差分电容极板(4)；
e1、采用PECVD或溅射方式，制备公共电容极板(2)和差分电容极板(4)氮化硅保护层，再光刻胶掩膜湿法去除多余氮化硅保护层。
9.根据权利要求7所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，其特征在于，步骤B1具体包括如下步骤：
f1、清洗器件层为高阻硅的硅片；
g1、光刻胶掩膜，DRIE刻蚀高阻硅片制作电容间隙，得到所述硅结构(5)；
h1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Pt薄膜图形化，在硅结构(5)靠近pyrex玻璃结构的一侧制备金属电容上极板(3)。
10.根据权利要求7所述的背面引线的仿生纤毛电容式微传感器的制备方法，其特征在于，步骤C1具体包括如下步骤：
i1、阳极键合Pyrex玻璃结构(6)和硅结构(5)并在Pyrex玻璃结构(6)和硅结构(5)之间形成电容腔室，键合面为高阻硅；
j1、采用光刻胶剥离法或光刻胶掩膜刻蚀法，将溅射的Cr/Au薄膜图形化，在pyrex玻璃结构远离硅结构(5)的一侧制备信号引脚(8)；
k1、刻蚀硅结构(5)的支撑层硅和埋层氧化硅；
l1、旋涂SU-8负胶，光刻图形化后固化得到所述聚合物纤毛(1)。
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