CN111509544A - 一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器 - Google Patents
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Abstract
一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,包括:至少一个泵浦模块、至少一个泵浦整形及耦合模块、一个侧边键合激光晶体、一束种子激光;所述泵浦模块,用于提供泵浦光;所述泵浦整形及耦合模块设置在所述泵浦光的行进方向上,约束所述泵浦光进入所述侧边键合激光晶体,并对泵浦光进行匀化;所述侧边键合激光晶体设置在所述泵浦整形及耦合模块后所述泵浦光的行进方向上,所述泵浦光在所述掺杂晶体中形成均匀的增益区域;种子激光进入所述侧边键合激光晶体后,在所述两个非掺杂晶体的侧面多次反射后出射;本发明结构紧凑且易于调节,无需额外的反射镜、放大程数多达二十多程,可实现高增益放大。
Description
技术领域
本发明涉及激光技术领域,特别涉及一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器。
背景技术
大功率超快激光器具有脉宽可控、重频可调、脉冲能量高等特点,在生物医学、光学参量振荡、生物显微成像等领域有着越来越广泛的应用,逐渐成为现代生物成像和分析系统中日益重要的工具。
然而,无论是光纤激光器、半导体激光器还是固体激光器,其直接产生超快脉冲激光的功率都相对有限,在众多应用场合,必须采用合适的激光放大器对脉冲种子源进行放大,以满足实际需求。
1998年德国夫琅禾费研究所的杜可明等人提出部分端泵多程直通板条放大器—Innoslab放大器。Innoslab放大器的一个特点是“部分端面泵浦”。同时,入射种子激光整形为小口径光束,通过“之”字形光路沿多次往返直接通过板条介质,由于种子激光光束口径小、功率密度高且多程往返放大,因此可实现高功率与高效率放大。
但是,在实际的Innoslab放大器中,需要一对激光反射镜用于多次反射种子激光,其中一个是凸面反射镜,这样就使得激光光路对不稳定性非常敏感。
此后,经过不断改进,研究人员发现可以通过将曲面镜替换为平面镜的方式来提高激光器的稳定性。但即使是这样,放大器光路仍然有三个分离器件,特别是激光光路对两个平面反射镜的角度偏移比较敏感,影响到激光器在一些复杂场合的使用。
固体非平面环形振荡器是当前产生高稳定单频激光的标准技术,其主要特征是激光束在晶体内壁面多次全反射形成振荡。因为全部光路都在一块激光晶体内,在低功率时,这种振荡器的光路非常稳定。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,通过各个装置之间的巧妙配合使得激光放大器体积较小、结构紧凑且可靠性很高。此外,由于放大程数多,可实现高增益放大。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,包括:至少一个泵浦模块、至少一个泵浦整形及耦合模块、一个侧边键合激光晶体、一束种子激光;泵浦模块,用于提供泵浦光;泵浦整形及耦合模块设置在泵浦光的行进方向上,约束泵浦光进入侧边键合激光晶体,并对泵浦光进行匀化;侧边键合激光晶体设置在泵浦整形及耦合模块后泵浦光的行进方向上,泵浦光在侧边键合激光晶体的掺杂晶体中形成均匀的增益区域;种子激光进入侧边键合激光晶体后,在侧边键合激光晶体两个非掺杂晶体的侧面多次反射后出射;激光在穿过增益区时获得放大。
进一步的,侧边键合激光晶体是等腰梯形或直角梯形结构,以保证激光束按设计光路出射,提高激光束对掺杂晶体的填充比例,侧边键合激光晶体的底角α和种子激光的入射角β决定了种子激光在侧边键合激光晶体内部的反射次数。
进一步的,侧边键合激光晶体为以无掺杂激光晶体为基质材料,中间掺杂晶体是在基质材料中掺杂钕、镱、铥中的一种元素制备得到。
掺杂晶体和两个非掺杂晶体采用无胶键合方式形成一个整体,以保证侧边键合激光晶体的两个侧面在激光器工作时不产生热变形。
进一步的,侧边键合激光晶体的两个侧面的平行度应优于6″,侧面与某一共同底面的垂直度应优于3.6″。
进一步的,侧边键合激光晶体的两个侧面在激光入射区域和出射区域镀有对激光波长的高透射率薄膜,在其它区域镀有对激光波长的高反射率薄膜。侧边键合激光晶体的两个侧面镀有对所述泵浦光波长的高透射率薄膜。
进一步的,侧边键合激光晶体的高度为10-50mm,两个底边宽度为8-20mm。
进一步的,激光束在平行于晶体底面方向的尺寸应该进行优化设计,以保证激光束与增益区有足够的交叠效率。
进一步的,激光束在垂直于侧边键合激光晶体底面方向的发散角应与泵浦功率进行匹配性设计,以使得热透镜能够对激光束衍射进行约束,避免激光束在侧边键合激光晶体的两个侧面进行反射时出现对光束边缘的截断。
进一步的,泵浦整形及耦合模块既可以是一块石英玻璃的光波导,也可以是微透镜整形耦合模块。
本发明的有益效果:
泵浦光从泵浦整形及耦合模块出口直接注入侧边键合梯形激光晶体,同时利用无胶键合方式将增益介质与反射镜合为一体,无需额外的反射腔镜,结构紧凑且非常稳定,激光放大程数多达二十多程,可以只使用一级放大就实现高输出功率、高光束质量的连续脉冲激光放大。
附图说明
下面结合附图对本发明作进一步的说明。
图1是本发明提供的原理结构图;
图2是本发明提供的激光放大器的实施例一结构图;
图3是本发明提供的激光放大器的实施例二结构图;
图4和图5是本发明提供的激光放大器的实施例三结构图。
附图标记:1-泵浦模块;2-泵浦整形及耦合模块;3-侧边键合激光晶体;4-掺杂晶体;5-非掺杂晶体;6-侧面;7-种子激光;8-第一底边;9-第二底边。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本发明保护的范围。
请参阅图1-5所示,在一实施例中,本发明提供了一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,包括:至少一个泵浦模块1、侧边键合激光晶体3、至少一个泵浦整形及耦合模块2,且泵浦模块1由LD巴条水平阵列组成,侧边键合激光晶体3纵向截图呈直角梯形设置,泵浦整形及耦合模块2是一中基于微透镜阵列组合。
泵浦模块1,用于提供泵浦光;泵浦整形及耦合模块2设置在泵浦光的行进方向上,约束泵浦光进入直角梯形侧边键合激光晶体并对泵浦光进行匀化;呈直角梯形设置的侧边键合激光晶体3设置在泵浦整形及耦合模块2后泵浦光的行进方向上、或位于两个泵浦整形及耦合模块2之间,泵浦光在呈直角梯形设置的侧边键合激光晶体3的掺杂晶体4中形成均匀的增益区域;种子激光7在呈直角梯形设置的侧边键合激光晶体3的非掺杂晶体5的左、右侧面6之间进行多次反射,并在掺杂晶体4中得到高倍率放大后出射。
具体地,本发明的一种基于直角梯形侧边键合激光晶体的内部多程反射的固体激光放大器,通过将激光在呈直角梯形设置的侧边键合激光晶体3的左、右侧面6之间往复反射并多次穿过掺杂晶体4,使得激光在掺杂晶体4中往返次数加倍,从而提供更大的增益,获得高功率激光输出。
可选的,种子激光可以连续波激光、亦可是皮秒激光或纳秒激光。
可选的,侧边键合激光晶体3为板条增益介质。
在一实施例中,一个泵浦整形及耦合模块2设置在一个泵浦光的行进方向上;另一个泵浦整形及耦合模块2设置在另一个泵浦光的行进方向上;呈等腰梯形设置的侧边键合激光晶体3位于两个泵浦整形及耦合模块2之间,种子激光7经过一个泵浦整形及耦合模块2的边缘以一定角度穿过掺杂晶体4,并在呈等腰梯形设置的侧边键合激光晶体3的左、右侧面6之间进行多次反射,并在掺杂晶体4中得到高倍率放大后射出。
具体地,该实施例中采用双端泵浦的方式,两个相同的泵浦模块1分别相对设置,两个结构相同的泵浦整形及耦合模块2分别设置在两束泵浦光的行进方向上,呈等腰梯形设置的侧边键合激光晶体3放置于两个泵浦整形及耦合模块2之间。上述两个泵浦光均投射入呈等腰梯形设置的侧边键合激光晶体3,在掺杂晶体4中形成均匀的薄层泵浦区域。
可选的,两个相同的泵浦模块1分别相对设置,且平行,位于同一条直线上。而两个泵浦整形及耦合模块2也位于该直线上,但由于呈等腰梯形设置的侧边键合激光晶体3左、右侧面6之间存在一定的夹角,因此种子激光7来回反射过程中与梯形底边的夹角会越来越小,当夹角小于等于0°时种子激光7将折回再次反射,直至从其中一个泵浦整形及耦合模块2的侧面边缘输出。
在一实施例中,侧边键合激光晶体3由梯形变更为五边形,p-偏振的种子激光7在侧边键合激光晶体3的第一底边8以布儒斯特角入射进晶体,并在侧边键合激光晶体3的左、右侧面6之间进行多次反射,并在掺杂晶体4中得到高倍率放大后,再在第二底边9以布儒斯特角出射;泵浦模块1由LD巴条水平线阵列更改为巴条面阵,泵浦整形及耦合模块2采用锥形匀化波导,且设置在泵浦光的行进方向上;另一个锥泵浦整形及耦合模块2设置在另一个泵浦模块1之后的泵浦光的行进方向上。
在一实施例中,呈梯形设置的侧边键合激光晶体3的左、右侧面6在激光的入射和出射区域镀有针对激光波长和入射角的增射膜,在其它区域镀有高反射率膜。
在一实施例中,p-偏振种子激光7以布儒斯特角入射及出射的晶体面不镀膜,侧边键合激光晶体3的左、右侧面6镀有针对激光波长和反射角镀有高反射率膜。
在各实施例中,侧边键合激光晶体3的左、右侧面6镀有对泵浦光的增透膜。
在一实施例中,侧边键合激光晶体3的长度大于泵浦整形及耦合模块(光波导)2的宽度。
具体地,由于侧边键合激光晶体3的长度比泵浦整形及耦合模块(光波导)2的宽度大,因此侧边键合激光晶体3端面边缘有一定距离的区域未被泵浦整形及耦合模块(光波导)2遮挡,有利于种子激光7的注入和输出。
在一实施例中,还包括:微透镜阵列泵浦整形与耦合模块和LD巴条阵列泵浦模块,其设置在泵浦模块1之后的泵浦光的行进方向上;主要对泵浦光进行匀化和聚焦耦合。
具体地,微透镜阵列泵浦整形与耦合模块能够使得由LD巴条阵列组成的泵浦模块1产生的所有泵浦光均匀进入掺杂晶体4中。
实施例1:
图2所示,该激光放大器为双端泵浦结构。
两个泵浦模块1均采用3个808nm半导体激光巴条阵列组成,单个半导体激光巴条的最高平均功率为100W,则双端泵浦的总功率为600W。
泵浦整形及耦合模块2是采用6块微透镜阵列及一块慢轴柱透镜组成,其中每两块微透镜阵列前后放置构成一组,间距为f(微透镜焦距),沿着泵浦光传输方向上,将每一组的第二块微透镜阵列放置在第一块微透镜阵列的焦平面上,将慢轴柱透镜放置在微透镜阵列后,在其焦平面处能够实现对一个半导体巴条的泵浦光进行匀化准直,单个微透镜阵列尺寸为:13mm×1.5mm×1mm,焦距3.84mm。其中尺寸为1.5mm×13mm的两个通光面均镀有对808nm波段泵浦光透过率大于95%的介质膜。
侧边键合激光晶体3为一块直角梯形键合晶体,底脚一侧为直角,另一侧切割角为87°;其尺寸为厚1.5mm、宽17.38mm(19mm)、高31mm的Nd:YAG,掺杂浓度为0.3at%。
侧边键合激光晶体3是由掺杂晶体4和两个非掺杂晶体5采用无胶键合方式构成,掺杂晶体4的尺寸为:厚1.5mm、宽12mm、高31mm。
由于侧边键合激光晶体3的高度比泵浦整形及耦合模块2后的泵浦光注入区域大,因此在泵浦光注入区域镀808nm增透、1064nm高反的薄膜,有利于种子光在侧边键合激光晶体3内多次往返,实现增益放大;在种子光注入区域镀1064nm增透膜,有利于种子激光7的注入和输出。
泵浦模块1通过半导体激光巴条发出的泵浦光为线状,其快轴方向经过微透镜准直,发散角小于0.5°,光斑尺寸约为1mm,因此泵浦光注入泵浦整形及耦合模块2后,3个巴条阵列发出的泵浦光在其快轴方向基本保持尺寸不变;而其慢轴方向发散角较大,约为8°,泵浦光经过慢轴柱透镜压缩后,3个巴条的光束在慢轴方向发散的光被泵浦整形及耦合模块2匀化准直。因此侧边键合激光晶体3的表面处形成快轴方向尺寸约为1mm、慢轴方向尺寸为25mm的均匀线状泵浦光斑。
经过泵浦整形及耦合模块2后的线状均匀泵浦光直接注入侧边键合激光晶体3,在其内部形成均匀的薄层泵浦区域,该薄层泵浦区域形成的增益区可以和种子激光7进行良好的模式匹配并有利于提高激光的提取效率。
种子激光7由全固态皮秒锁模激光器产生并经光纤耦合输出,平均功率为50mW,波长为1064nm、脉宽为10ps、脉冲重复频率为1MHz,光斑经前端整形后尺寸约为14mm。其以一定的角度β从侧边键合激光晶体3底角为87°的一侧注入侧边键合激光晶体3中,其在侧边键合激光晶体3中的传输路径是激光首先传输到非掺杂晶体5中,再传输至掺杂晶体4中进行单程放大,之后再传输至非掺杂晶体5中,并经外表面的1064nm高反射膜反射回掺杂晶体4中进行放大,再传输至另一侧的非掺杂晶体5中,并经过外侧表面的1064nm高反射膜反射回掺杂晶体4中,再传输至另一侧的非掺杂晶体5中,种子激光7在两个非掺杂晶体5之间以特定的角度来回反射并经掺杂晶体4获取增益后不断得到放大,以此类推,由于呈直角梯形设置的侧边键合激光晶体3左、右侧面6之间存在一定的夹角,因此种子激光7来回反射过程中与梯形底边的夹角会越来越小,当夹角小于等于0°时种子激光7将折回再次反射,直至从侧边键合激光晶体3直角侧面边缘输出,其平均功率可被放大至数十瓦。
实施例2
图3所示,同实施例1,该激光放大器为双端泵浦结构。
两个泵浦模块1均为3个808nm半导体激光巴条阵列组成,单个半导体激光巴条的最高平均功率为100W,则双端泵浦的总功率为600W。
泵浦整形及耦合模块2采用石英材料制成,结构为矩形,具体尺寸为:厚3mm、宽25mm、长100mm。其中3mm×25mm的两个泵浦光通光面均经过抛光处理,且镀有对808nm泵浦光透过率为99%的介质膜。
侧边键合激光晶体3为一块等腰梯形键合晶体,底角为88.5°;由掺杂晶体4和两个非掺杂晶体5采用无胶键合方式形成。其中掺杂晶体4为厚1.5mm、宽12mm、高31mm的Nd:YAG晶体,掺杂浓度为0.3at%。非掺杂晶体5为厚1.5mm、宽3mm、高31mm的YAG晶体。
由于侧边键合激光晶体3的高度31mm比泵浦整形及耦合模块2的宽度25mm大,因此侧边键合激光晶体3端面边缘有6mm的区域未被泵浦整形及耦合模块2遮挡,有利于种子激光7的注入和输出。
泵浦模块1通过半导体激光巴条发出的泵浦光为线状,其快轴方向经过微透镜准直,发散角小于0.5°,光斑尺寸约为1mm,因此泵浦光注入泵浦整形及耦合模块2后,3个巴条阵列发出的泵浦光在其快轴方向基本保持尺寸不变;而其慢轴方向发散角较大,约为8°,3个巴条的光束在慢轴方向发散的光被泵浦整形及耦合模块2的侧面多次全内反射约束到波导内部并得到匀化。因此在泵浦整形及耦合模块2靠近侧边键合激光晶体3的出口处形成快轴方向尺寸约为1mm、慢轴方向尺寸为25mm的均匀线状泵浦光斑。
由于泵浦整形及耦合模块2的泵浦光出口端面距离侧边键合激光晶体3小于1mm,因此从泵浦整形及耦合模块2输出的线状均匀泵浦光直接注入侧边键合激光晶体3,在其内部形成均匀的薄层泵浦区域,该薄层泵浦区域形成的增益区可以和种子激光7进行良好的模式匹配并有利于提高激光的提取效率。
种子激光7由全固态皮秒锁模激光器产生并经光纤耦合输出,平均功率为50mW,波长为1064nm、脉宽为10ps、脉冲重复频率为1000kHz,光斑尺寸约为1mm。其经过一个泵浦整形及耦合模块2的边缘以一定的角度注入侧边键合激光晶体3中,其在侧边键合激光晶体3中的传输路径是激光首先传输到非掺杂晶体5中,再传输至掺杂晶体4中,之后再传输至非掺杂晶体5中,并经外表面的反射膜反射回掺杂晶体4中,再传输至另一侧的非掺杂晶体5中,并经过外侧表面的反射膜反射回掺杂晶体4中,再传输至另一侧的非掺杂晶体5中,以此类推,且由于呈等腰梯形设置的侧边键合激光晶体3左、右侧面6之间存在一定的夹角,因此种子激光7来回反射过程中与梯形底边的夹角会越来越小,当夹角小于等于0°时种子激光7将折回再次反射,直至从其中一个泵浦整形及耦合模块2的侧面边缘输出。其平均功率可被放大至数十瓦。
实施例3:
如图4和图5所示,该激光放大器为双端泵浦结构。两个泵浦模块1皆由808nm的LD巴条组成5×3的面阵泵浦源,单个巴条的峰值功率为500W(重复频率20Hz、泵浦脉宽200μs),则双端泵浦的总峰值功率为15kW。
泵浦整形及耦合模块2是采用石英材料制成梯形波导,将泵浦模块1发出的泵浦光在巴条的快轴方向进行压缩、在慢轴方向进行匀化后,注入侧边键合激光晶体3中进行泵浦;泵浦整形及耦合模块2的具体尺寸为:长90mm、底面10mm×25mm、顶面4mm×25mm。具体形状如图4和图5可见。其中梯形底面和顶面均经过抛光处理,且均镀有对于808nm泵浦光透过率大于95%的介质膜。
侧边键合激光晶体3是由掺杂晶体4和两个非掺杂晶体5构成,其中掺杂晶体4为厚4mm、宽12mm、长35mm的Nd:YAG晶体,掺杂浓度为0.3at%,非掺杂晶体5为厚4mm、宽3mm(3.6mm)、长35mm的YAG晶体。掺杂晶体4和两个非掺杂晶体5采用无胶键合方式形成等腰梯形晶体,再将键合后的晶体沿与等腰梯形较长底边成一定角度的方向将晶体切成如图4所示五边形。
由于侧边键合激光晶体3的长度35mm比泵浦整形及耦合模块2的宽度25mm大,且晶体一端有切角,因此侧边键合激光晶体3有切角的一端有部分区域未被泵浦整形及耦合模块2遮挡,有利于种子激光7的注入和输出。
泵浦模块1通过面阵泵浦源发出的泵浦光为面状,其快轴方向经过快轴准直透镜准直,发散角小于0.5°,光斑尺寸约为7mm(快轴方向)×22mm(慢轴方向),泵浦源快轴方向发散角虽小,但其发光面尺寸较晶体的厚度大得多,需经过泵浦整形及耦合模块2匀化后使其尺寸变小;而其慢轴方向发散角较大,约为8°,泵浦源的光束在慢轴方向发散的光被泵浦整形及耦合模块2的侧面多次全内反射约束到波导内部并得到匀化。因此在泵浦整形及耦合模块2靠近侧边键合激光晶体3的出口处形成快轴方向尺寸约为3mm、慢轴方向尺寸为30mm的均匀线状泵浦光斑。
由于泵浦整形及耦合模块2的泵浦光出口端面距离侧边键合激光晶体3小于2mm,因此从泵浦整形及耦合模块2输出的线状均匀泵浦光直接注入侧边键合激光晶体3,在其内部形成均匀的薄层泵浦区域,该薄层泵浦区域形成的增益区可以和放大的种子激光7进行良好的模式匹配并有利于提高激光的提取效率。
种子激光7是由电光Q振荡级激光器产生并经光路整形透镜组耦合输出的p-偏振的种子激光,脉冲能量为100mJ,波长为1064nm、脉宽为3ns、脉冲重复频率为20Hz,光斑面积约为8mm2。p-偏振的种子激光7在侧边键合激光晶体3的第一底边8以布儒斯特角入射进晶体,其在侧边键合激光晶体3中的传输路径是激光首先传输到掺杂晶体4中,再传输至非掺杂晶体5中,并经外侧表面的反射膜反射回掺杂晶体4中,之后再传输至非掺杂晶体5中,并经外侧表面的反射膜反射回掺杂晶体4中,再传输至另一侧的非掺杂晶体5中,并经过外侧表面的反射膜反射回掺杂晶体4中,再传输至另一侧的非掺杂晶体5中,以此类推,在侧边键合激光晶体3的左、右侧面6之间进行多次反射,并在掺杂晶体4中得到高倍率放大后,直至在第二底边9以布儒斯特角出射,其脉冲能量可被放大至400mJ以上。
以上内容仅仅是对本发明结构所作的举例和说明,所属本技术领域的技术人员对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代,只要不偏离发明的结构或者超越本权利要求书所定义的范围,均应属于本发明的保护范围。
Claims (6)
1.一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,其特征在于,包括:至少一个泵浦模块(1)、至少一个泵浦整形及耦合模块(2)、一个侧边键合激光晶体(3)和一束种子激光(7);
所述泵浦模块(1),用于提供泵浦光;
所述泵浦整形及耦合模块(2)设置在所述泵浦光的行进方向上,约束所述泵浦光进入所述侧边键合激光晶体(3),并对泵浦光进行匀化;
所述侧边键合激光晶体(3)设置在所述泵浦整形及耦合模块(2)后所述泵浦光的行进方向上,所述泵浦光在所述掺杂晶体(4)中形成均匀的增益区域;
种子激光(7)进入所述侧边键合激光晶体(3)后,在所述两个非掺杂晶体(5)的侧面(6)多次反射后出射。
2.根据权利要求1所述的一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,其特征在于,所述侧边键合激光晶体(3)是等腰梯形或直角梯形结构。
3.根据权利要求1所述的一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,其特征在于,所述侧边键合激光晶体(3)为以非掺杂晶体(5)为基质材料,中间掺杂晶体(4)是在基质材料中掺杂钕、镱、铥中的一种元素制备得到;
所述掺杂晶体(4)和两个非掺杂晶体(5)采用无胶键合方式形成一个整体。
4.根据权利要求1所述的一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,其特征在于,所述侧边键合激光晶体(3)的两个侧面(6)的平行度应优于6″,侧面(6)与一共同底面的垂直度优于3.6″。
5.根据权利要求1所述的一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,其特征在于,所述侧边键合激光晶体(3)的两个侧面(6)在激光入射区域和出射区域镀有对激光波长的高透射率薄膜,在侧边键合激光晶体(3)的两个侧面(6)除激光入射区域和出射区域镀之外的表面镀有对激光波长的高反射率薄膜;
所述侧边键合激光晶体(3)的两个侧面(6)镀有对所述泵浦光波长的高透射率薄膜。
6.根据权利要求1所述的一种基于侧边键合梯形晶体的内部多程固体激光器,其特征在于,所述侧边键合激光晶体(3)的高度为10-50mm,两个底边宽度为8-20mm。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112803232A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-05-14 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 波导楔形镜整形抽运光的五向抽运放大器 |
CN113224627A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-08-06 | 北京莱泽光电技术有限公司 | 一种脉冲型固体激光器 |
CN113783094A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-10 | 安徽光智科技有限公司 | 一种端面泵浦激光多级再生放大系统 |
CN117477333A (zh) * | 2023-12-27 | 2024-01-30 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种用于激光的多程放大装置及方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1361121A (fr) * | 1962-06-27 | 1964-05-15 | Raytheon Co | Appareil maser et procédé pour l'amplification d'énergie lumineuse |
US5651021A (en) * | 1993-04-21 | 1997-07-22 | The Commonwealth Of Australia | Diode pumped slab laser |
CN103259181A (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-21 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种双z型运转的固体激光板条放大装置 |
CN204179477U (zh) * | 2014-11-05 | 2015-02-25 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种板条激光放大器 |
CN107453197A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-08 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种用于激光显示的激光源 |
-
2020
- 2020-04-22 CN CN202010324117.0A patent/CN111509544A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1361121A (fr) * | 1962-06-27 | 1964-05-15 | Raytheon Co | Appareil maser et procédé pour l'amplification d'énergie lumineuse |
US5651021A (en) * | 1993-04-21 | 1997-07-22 | The Commonwealth Of Australia | Diode pumped slab laser |
CN103259181A (zh) * | 2012-02-20 | 2013-08-21 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种双z型运转的固体激光板条放大装置 |
CN204179477U (zh) * | 2014-11-05 | 2015-02-25 | 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 | 一种板条激光放大器 |
CN107453197A (zh) * | 2017-07-26 | 2017-12-08 | 中国科学院理化技术研究所 | 一种用于激光显示的激光源 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112803232A (zh) * | 2021-01-04 | 2021-05-14 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 波导楔形镜整形抽运光的五向抽运放大器 |
CN113224627A (zh) * | 2021-07-12 | 2021-08-06 | 北京莱泽光电技术有限公司 | 一种脉冲型固体激光器 |
CN113783094A (zh) * | 2021-08-23 | 2021-12-10 | 安徽光智科技有限公司 | 一种端面泵浦激光多级再生放大系统 |
CN117477333A (zh) * | 2023-12-27 | 2024-01-30 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种用于激光的多程放大装置及方法 |
CN117477333B (zh) * | 2023-12-27 | 2024-05-14 | 武汉光谷航天三江激光产业技术研究院有限公司 | 一种用于激光的多程放大装置及方法 |
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