CN111312852A - 氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决漏电问题，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构，提高基于氧化镓半导体结构制备的器件性能，重要的是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上，使得器件不仅能与CMOS工艺兼容，而且可以实现量产，对于基于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展意义重大。

Description

氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法
技术领域
本发明属于半导体制造领域，涉及一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法。
背景技术
第三代的宽禁带半导体(禁带宽度Eg＞2.3eV)材料，包括碳化硅、氧化锌、氮化镓、氧化镓等，由于具有耐击穿电压高、电子迁移率大、热稳定性好、抗辐射能力强等优势，越来越多的被应用到光电子器件。
氧化镓作为第三代宽带隙半导体材料，禁带宽度为4.5eV～4.9eV，具有高的透光率、热稳定好、机械强度高、制备工艺简单等优点，是一种理想的日盲紫外敏感材料。目前氧化镓难以实现p型掺杂，且异质外延高质量的氧化镓薄膜仍十分困难，而金-半-金光电探测器制备简单、响应度高以及与现代CMOS工艺兼容，因此金-半-金型薄膜探测器是目前氧化镓日盲探测中最广泛使用的形式。
根据目前的调查研究，氧化镓的体材料正在日趋成熟，薄膜材料的制备方法也有所发展，常用的外延方法包括MBE、MOCVD、PLD等，但是外延生长的β型氧化镓(β-Ga2O3)单晶薄膜的质量依赖于晶格匹配、生长温度、原材料供应、沉积速率和退火温度等因素，要生长出高质量的β-Ga2O3单晶薄膜十分困难，并且可重复性较差、成本高、效率低。然而单晶薄膜的质量是决定光电探测器性能是否优良的关键因素，例如，β-Ga2O3薄膜中的氧空位缺陷作为陷阱中心俘获光生载流子，将导致更长的开关时间，结构位错作为有效的复合中心将降低探测器的响应度，此外，缺陷引起的非本征跃迁，可能降低探测器对探测波长的选择性，影响对日盲波段的探测。因此制备高质量的氧化镓薄膜极其重要，然而目前薄膜的制备方法还未能实现高性能氧化镓日盲光电探测器的制备。
基于此，制备出和体材料同样质量的氧化镓薄膜成为最关键的问题，通过离子束剥离的方法将单晶氧化镓薄膜转移到硅(Si)异质衬底上是目前制备单晶氧化镓薄膜的最佳方法，但是通过氧化镓直接与Si衬底键合存在漏电的情况，影响器件的性能，同时氧化镓与Si衬底上的氧化硅(SiO2)键合技术尚未成熟。
因此，提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法实属必要。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，用于解决现有技术中，通过氧化镓薄膜直接与硅衬底键合，将单晶氧化镓薄膜转移到硅异质衬底上，所存在的漏电及影响器件性能的问题，以及氧化镓薄膜与氧化硅键合技术不成熟的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种氧化镓半导体结构的制备方法，包括以下步骤：
提供氧化镓单晶晶片，所述氧化镓单晶晶片的一表面为抛光面；
自所述氧化镓单晶晶片的抛光面进行离子注入，以于所述氧化镓单晶晶片的预设深度处形成缺陷层，制备第一复合结构；
提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括依次叠置的底层硅、绝缘氧化层及顶层硅，且所述顶层硅的表面为抛光面；
将所述氧化镓单晶晶片的抛光面与所述顶层硅的抛光面键合，制备第二复合结构；
对所述第二复合结构进行退火，使得所述第二复合结构中的所述氧化镓单晶晶片沿所述缺陷层剥离，以得到第三复合结构，所述第三复合结构包括依次叠置的所述底层硅、绝缘氧化层、顶层硅及氧化镓薄膜；
在氧气气氛中，对所述第三复合结构进行退火，以将所述顶层硅氧化，制备氧化镓半导体结构，所述氧化镓半导体结构包括依次叠置的所述底层硅、绝缘氧化层及氧化镓薄膜。
可选地，所述顶层硅的厚度为10nm～40nm，所述绝缘氧化层的厚度为50nm～500nm。
可选地，所述顶层硅为本征硅，所述底层硅为电阻率大于5000Ω·cm的高阻硅。
可选地，所述氧化镓单晶晶片的抛光面的表面粗糙度小于0.5nm，所述顶层硅的抛光面的表面粗糙度小于0.5nm。
可选地，所述离子注入包括H离子注入及He离子注入中的一种或组合；所述离子注入的能量为65Kev～150Kev，剂量为5×1017ions/cm2～5×1018ions/cm2，温度为100℃～200℃。
可选地，所述预设深度为500nm～900nm。
可选地，所述键合的压力为20MPa～40MPa，真空度为6×10-7Pa～10×10-7Pa，温度为100℃～200℃。
可选地，对所述第二复合结构进行退火的条件为在真空环境下或在氮气、氧气及惰性气体中至少一种气体形成的保护气氛下进行，退火温度为100℃～300℃，退火时间为1h～48h。
可选地，在氧气气氛中，对所述第三复合结构进行退火，以将所述顶层硅氧化的方法包括干法氧化或湿法氧化，氧气束流为100sccm，且退火温度为400℃～800℃，退火时间为2h～200h。
本发明还提供一种氧化镓半导体结构，所述氧化镓半导体结构采用上述氧化镓半导体结构的制备方法制备。
本发明还提供一种日盲光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
采用上述氧化镓半导体结构的制备方法制备氧化镓半导体结构；
在所述氧化镓半导体结构上制作叉指电极。
可选地，所述叉指电极的宽为2μm～500μm，长为50μm～5000μm，所述叉指电极的间距为2μm～1000μm。
可选地，所述叉指电极包括Au/Ti叉指电极、Au/Ni叉指电极、Au叉指电极及Pt叉指电极中的一种，其中，在所述Au/Ti叉指电极中Au的厚度为50nm～300nm，Ti的厚度为5nm～50nm；在所述Au/Ni叉指电极中Au的厚度为50nm～300nm，Ni的厚度为5nm～50nm；所述Au叉指电极的厚度为50nm～300nm；所述Pt叉指电极的厚度为50nm～300nm。
可选地，形成所述叉指电极的方法包括磁控溅射法或金属热蒸发法。
可选地，还包括退火的步骤，其中退火温度为470℃，退火时间为30s～1800s。
本发明还提供一种日盲光电探测器，所述日盲光电探测器采用上述日盲光电探测器的制备方法制备。
如上所述，本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决漏电问题，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构，提高基于氧化镓半导体结构制备的器件性能，重要的是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上，使得器件不仅能与CMOS工艺兼容，而且可以实现量产，对于基于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展意义重大。
附图说明
图1显示为本发明制备氧化镓半导体结构的工艺流程图。
图2显示为本发明提供的氧化镓单晶晶片的结构示意图。
图3显示为本发明制备的第一复合结构的结构示意图。
图4显示为本发明提供的绝缘体上硅的结构示意图。
图5显示为本发明制备的第二复合结构的结构示意图。
图6显示为本发明沿缺陷层剥离的结构示意图。
图7显示为本发明制备的氧化镓半导体结构的结构示意图。
图8显示为本发明制备的日盲光电探测器的结构示意图。
元件标号说明
100 氧化镓单晶晶片
100a 氧化镓单晶晶片的抛光面
110 缺陷层
120 氧化镓薄膜
200 绝缘体上硅
210 底层硅
220 绝缘氧化层
230 顶层硅
230a 顶层硅的抛光面
300 叉指电极
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1～图8。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
如图1，本实施例提供一种氧化镓半导体结构的制备方法，本实施例通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决器件漏电现象，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构。
具体的，图2～图7显示了制备所述氧化镓半导体结构各步骤所呈现的结构示意图。
首先，如图2，提供氧化镓单晶晶片100，所述氧化镓单晶晶片100的一表面为所述氧化镓单晶晶片的抛光面100a。
作为示例，所述氧化镓单晶晶片100包括α型氧化镓单晶晶片或β型氧化镓单晶晶片。
具体的，所述氧化镓单晶晶片100的尺寸根据需要可选择包括2英寸～8英寸，如4英寸、6英寸等，所述氧化镓单晶晶片100的单晶晶面表面取向可包括(001)、(010)及(-201)中的一种。所述氧化镓单晶晶片的抛光面100a的表面粗糙度小于0.5nm，如0.2nm、0.4nm等，所述氧化镓单晶晶片100可包括n型掺杂氧化镓单晶晶片或本征氧化镓单晶晶片，具体可根据需要进行选择。
接着，如图3，自所述氧化镓单晶晶片的抛光面100a进行离子注入，以于所述氧化镓单晶晶片100的预设深度处形成缺陷层110，制备第一复合结构。
作为示例，所述离子注入包括H离子注入及He离子注入中的一种或组合；所述离子注入的能量为65Kev～150Kev，如80Kev、100Kev等，剂量为5×1017ions/cm2～5×1018ions/cm2，如8×1017ions/cm2、1×1018ions/cm2等，温度为100℃～200℃，如150℃等。
作为示例，所述预设深度为500nm～900nm，如600nm、700nm、800nm等。
具体的，图3中的箭头表示离子注入的方向。其中，所述氧化镓单晶晶片的抛光面100a即作为抛光面，也作为注入面使用。在一示例中，可自所述氧化镓单晶晶片的抛光面100a进行单类型离子注入，即所述离子注入包括H离子注入或He离子注入。当注入离子为H离子时，所述H离子可对所述预设深度处的所述氧化镓单晶晶片100的晶格形成破坏，即形成所述缺陷层110，以便于后续的剥离处理，其中，形成所述缺陷层110的深度由离子注入的能量决定，而能否形成分离所需的缺陷密度由离子注入的剂量决定。当注入离子为He离子时，所述He离子会在所述氧化镓单晶晶片100内的预设深度形成所述缺陷层110，所述He离子会聚集在所述缺陷层110中并产生压强，在后续的剥离处理过程中，部分所述氧化镓单晶晶片100可以从缺陷浓度最大处实现剥离。在另一示例中，也可自所述氧化镓单晶晶片的抛光面100a进行两种类型离子的共注入，即注入离子为H离子及He离子，其中，所述H离子如上所述可用于形成缺陷，所述He离子可以被所述H离子形成的缺陷捕获，并通过物理作用使这些缺陷扩大并相互结合，相当于在所述H离子已产生的缺陷内部施加了一额外的作用力，最终形成可以分离所述氧化镓单晶晶片100的裂痕，进而促进部分所述氧化镓单晶晶片100从缺陷浓度最大处实现剥离，可以有效地促进部分所述氧化镓单晶晶片100在离子注入剂量较低的情况下剥离，即可以有效地降低离子注入的总剂量，进而缩短了制备周期，节约生产成本。
接着，如图4，提供绝缘体上硅200，所述绝缘体上硅200包括依次叠置的底层硅210、绝缘氧化层220及顶层硅230，且所述顶层硅230的表面为所述顶层硅的抛光面230a。
作为示例，所述顶层硅230的厚度为10nm～40nm，如20nm、30nm等，所述绝缘氧化层220的厚度为50nm～500nm，如100nm、200nm、300nm、400nm等。所述底层硅210主要用以支撑所述顶层硅230及绝缘氧化层220，具体厚度此处不作限制。其中，优选所述顶层硅230为本征硅，所述底层硅210为电阻率大于5000Ω·cm的高阻硅。所述绝缘体上硅200的尺寸可为2英寸～8英寸，如4英寸、6英寸等，具体可根据需要进行选择。所述顶层硅的抛光面230a的表面粗糙度小于0.5nm，如0.2nm、0.4nm等，以便与所述氧化镓单晶晶片的抛光面100a形成良好的接触键合。
接着，如图5，将所述氧化镓单晶晶片的抛光面100a与所述顶层硅的抛光面230a键合，制备第二复合结构。
作为示例，所述键合的压力为20MPa～40MPa，如30MPa等，真空度为6×10-7Pa～10×10-7Pa，如8×10-7Pa等，温度为100℃～200℃，如150℃等。所述氧化镓单晶晶片100与所述顶层硅230可进行良好的键合，且键合技术成熟，制备工艺简单。
接着，如图6，对所述第二复合结构进行退火，使得所述第二复合结构中的所述氧化镓单晶晶片100沿所述缺陷层110剥离，以得到第三复合结构，所述第三复合结构包括依次叠置的所述底层硅210、绝缘氧化层220、顶层硅230及氧化镓薄膜120。
作为示例，对所述第二复合结构进行退火的条件为在真空环境下或在氮气、氧气及惰性气体中至少一种气体形成的保护气氛下进行，退火温度为100℃～300℃，如150℃、200℃等，退火时间为1h～48h，如10h、24h等。
具体的，在所述退火过程中，所述注入离子会向剥离位置扩散，进而促进部分所述氧化镓单晶晶片100从所述缺陷层110的缺陷浓度最大处实现剥离，以得到所述第三复合结构。
接着，如图7，在氧气气氛中，对所述第三复合结构进行退火，以将所述顶层硅230氧化，制备氧化镓半导体结构，所述氧化镓半导体结构包括依次叠置的所述底层硅210、绝缘氧化层220及氧化镓薄膜120。
作为示例，在氧气气氛中，对所述第三复合结构进行退火，以将所述顶层硅230氧化的方法包括干法氧化或湿法氧化，其中氧气束流为100sccm，且退火温度为400℃～800℃，如500℃、600℃等，退火时间为2h～200h，如10h、100h、150h等，另外在对所述第三复合结构进行退火时，还可修复所述氧化镓薄膜120因在进行所述离子注入时所产生的氧空位缺陷，从而获得高质量的所述氧化镓薄膜120。
作为示例，在对所述第三复合结构进行退火前或在对所述第三复合结构进行退火后，还可包括对所述氧化镓薄膜120的表面进行抛光的步骤。
具体的，可以采用化学机械抛光或离子抛光等工艺对所述氧化镓薄膜120的表面进行抛光处理，以去除残留于所述氧化镓薄膜120表面的所述缺陷层110及部分所述氧化镓薄膜120，以得到高质量的所述氧化镓薄膜120，具体去除步骤可在对所述第三复合结构进行退火前或在对所述第三复合结构进行退火后，此处不作过分限制。
如图7，本实施例还提供一种氧化镓半导体结构，所述氧化镓半导体结构采用上述氧化镓半导体结构的制备方法制备。其中，所述氧化镓半导体结构的材质及结构此处不再赘述。
本实施例还提供一种日盲光电探测器的制备方法，包括以下步骤：
采用上述氧化镓半导体结构的制备方法制备氧化镓半导体结构；
在所述氧化镓半导体结构上制作叉指电极。
作为示例，所述叉指电极的宽为2μm～500μm，如50μm、100μm、200μm、300μm、400μm等，长为50μm～5000μm，如100μm、500μm、1000μm、3000μm等，所述叉指电极的间距为2μm～1000μm，如50μm、100μm、500μm、800μm等。
作为示例，所述叉指电极包括Au/Ti叉指电极、Au/Ni叉指电极、Au叉指电极及Pt叉指电极中的一种，其中，在所述Au/Ti叉指电极中Au的厚度为50nm～300nm，如100nm、150nm、200nm等，Ti的厚度为5nm～50nm，如10nm、20nm、25nm、30nm等；在所述Au/Ni叉指电极中Au的厚度为50nm～300nm，如100nm、150nm、200nm等，Ni的厚度为5nm～50nm，如10nm、20nm、25nm、30nm等；所述Au叉指电极的厚度为50nm～300nm，如100nm、150nm、200nm等；所述Pt叉指电极的厚度为50nm～300nm，如100nm、150nm、200nm等。
作为示例，形成所述叉指电极的方法包括磁控溅射法或金属热蒸发法。
作为示例，还包括退火的步骤，以使所述叉指电极与所述氧化镓薄膜120形成良好的欧姆接触，其中退火温度为470℃，退火时间为30s～1800s，如60s、600s、1200s等。
如图8，本实施例还提供了一种日盲光电探测器，所述日盲光电探测器采用上述日盲光电探测器的制备方法制备。
具体的，所述日盲光电探测器包括所述底层硅210、绝缘氧化层220、氧化镓薄膜120及叉指电极300。所述日盲光电探测器的材质及结构，此处不再赘述。
以下通过具体的实施例进行说明：
将具有抛光面的β型Sn掺杂、尺寸为4英寸、表面取向为(001)、厚度为690μm的氧化镓单晶晶片自抛光面进行离子注入，注入能量为120Kev，注入剂量为5×1017ions/cm2，注入温度为120℃。提供尺寸为6英寸、厚度为500μm的绝缘体上硅，其中绝缘体上硅中的顶层硅具有抛光面。将氧化镓单晶晶片的抛光面与顶层硅的抛光面进行亲水性键合，之后将键合片在200℃下退火，时间为48h，得到基于绝缘体上硅的氧化镓薄膜，之后在氧气气氛中退火，退火温度为400℃、退火时间为15h，以将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，得到具有包括依次叠置的底层硅、绝缘氧化层及氧化镓薄膜的三层复合结构的氧化镓半导体结构，对氧化镓薄膜的表面进行抛光，以去除被损伤的氧化镓薄膜。最后在具有三层复合结构的氧化镓半导体结构上生长长为1000μm，宽为200μm，间距为250μm的叉指电极，从而得到基于氧化镓半导体结构的高质量的日盲光电探测器。
本发明提供一种氧化镓半导体结构、日盲光电探测器及制备方法，通过将氧化镓单晶晶片与绝缘体上硅中的顶层硅进行键合，可成功转移氧化镓薄膜，键合技术成熟，且通过将绝缘体上硅中的顶层硅氧化，能够有效解决漏电问题，可制备高质量、防漏电的氧化镓半导体结构，提高基于氧化镓半导体结构制备的器件性能，重要的是将氧化镓薄膜转移到硅衬底上，使得器件不仅能与CMOS工艺兼容，而且可以实现量产，对于基于氧化镓薄膜制备的日盲光电探测器的快速发展意义重大。所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (16)

1.一种氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供氧化镓单晶晶片，所述氧化镓单晶晶片的一表面为抛光面；
自所述氧化镓单晶晶片的抛光面进行离子注入，以于所述氧化镓单晶晶片的预设深度处形成缺陷层，制备第一复合结构；
提供绝缘体上硅，所述绝缘体上硅包括依次叠置的底层硅、绝缘氧化层及顶层硅，且所述顶层硅的表面为抛光面；
将所述氧化镓单晶晶片的抛光面与所述顶层硅的抛光面键合，制备第二复合结构；
对所述第二复合结构进行退火，使得所述第二复合结构中的所述氧化镓单晶晶片沿所述缺陷层剥离，以得到第三复合结构，所述第三复合结构包括依次叠置的所述底层硅、绝缘氧化层、顶层硅及氧化镓薄膜；
在氧气气氛中，对所述第三复合结构进行退火，以将所述顶层硅氧化，制备氧化镓半导体结构，所述氧化镓半导体结构包括依次叠置的所述底层硅、绝缘氧化层及氧化镓薄膜。
2.根据权利要求1所述的氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述顶层硅的厚度为10nm～40nm，所述绝缘氧化层的厚度为50nm～500nm。
3.根据权利要求1所述的氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述顶层硅为本征硅，所述底层硅为电阻率大于5000Ω·cm的高阻硅。
4.根据权利要求1所述的氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述氧化镓单晶晶片的抛光面的表面粗糙度小于0.5nm，所述顶层硅的抛光面的表面粗糙度小于0.5nm。
5.根据权利要求1所述的氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述离子注入包括H离子注入及He离子注入中的一种或组合；所述离子注入的能量为65Kev～150Kev，剂量为5×1017ions/cm2～5×1018ions/cm2，温度为100℃～200℃。
6.根据权利要求1所述的氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述预设深度为500nm～900nm。
7.根据权利要求1所述的氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：所述键合的压力为20MPa～40MPa，真空度为6×10-7Pa～10×10-7Pa，温度为100℃～200℃。
8.根据权利要求1所述的氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：对所述第二复合结构进行退火的条件为在真空环境下或在氮气、氧气及惰性气体中至少一种气体形成的保护气氛下进行，退火温度为100℃～300℃，退火时间为1h～48h。
9.根据权利要求1所述的氧化镓半导体结构的制备方法，其特征在于：在氧气气氛中，对所述第三复合结构进行退火，以将所述顶层硅氧化的方法包括干法氧化或湿法氧化，氧气束流为100sccm，且退火温度为400℃～800℃，退火时间为2h～200h。
10.一种氧化镓半导体结构，其特征在于：所述氧化镓半导体结构采用权利要求1～9中任一所述氧化镓半导体结构的制备方法制备。
11.一种日盲光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用权利要求1～9中任一所述氧化镓半导体结构的制备方法制备氧化镓半导体结构；
在所述氧化镓半导体结构上制作叉指电极。
12.根据权利要求11所述的日盲光电探测器的制备方法，其特征在于：所述叉指电极的宽为2μm～500μm，长为50μm～5000μm，所述叉指电极的间距为2μm～1000μm。
13.根据权利要求11所述的日盲光电探测器的制备方法，其特征在于：所述叉指电极包括Au/Ti叉指电极、Au/Ni叉指电极、Au叉指电极及Pt叉指电极中的一种，其中，在所述Au/Ti叉指电极中Au的厚度为50nm～300nm，Ti的厚度为5nm～50nm；在所述Au/Ni叉指电极中Au的厚度为50nm～300nm，Ni的厚度为5nm～50nm；所述Au叉指电极的厚度为50nm～300nm；所述Pt叉指电极的厚度为50nm～300nm。
14.根据权利要求11所述的日盲光电探测器的制备方法，其特征在于：形成所述叉指电极的方法包括磁控溅射法或金属热蒸发法。
15.根据权利要求11所述的日盲光电探测器的制备方法，其特征在于：还包括退火的步骤，其中退火温度为470℃，退火时间为30s～1800s。
16.一种日盲光电探测器，其特征在于：所述日盲光电探测器采用权利要求11～15中任一所述日盲光电探测器的制备方法制备。
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