CN111261642B - 一种柔性显示面板 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 237
- 238000005336 cracking Methods 0.000 claims description 40
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 10
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 10
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 abstract description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 15
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
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- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
- G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
- G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
- G09F9/33—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being semiconductor devices, e.g. diodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/562—Protection against mechanical damage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1218—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
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Abstract
本申请公开了一种柔性显示面板,包括显示区和与所述显示区相邻设置的非显示区;所述显示面板包括TFT阵列层;所述TFT阵列层包括无机层,所述无机层的非显示区中设有贯穿所述无机层的镂空结构,且所述镂空结构中填充有缓冲层。本申请不仅可以改善显示面板的耐弯折性能,减少显示面板边缘的裂纹产生,还可以有效的防止裂纹延伸至显示区影响显示效果。
Description
技术领域
本申请涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种柔性显示面板。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示屏可制作在柔性基板上,由于OLED有机发光材料有较强的耐弯折性,从而可实现OLED显示屏折叠化。在OLED显示屏制作的切割工艺及折叠使用过程中,OLED显示屏的边缘易产生裂纹并沿着耐弯折性能较差的无机膜层扩展至显示区致使显示失效,因此,如何防止因无机膜层断裂而影响OLED显示屏的显示效果成了亟待解决的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种柔性显示面板,以防止显示面板非显示区的边缘产生裂纹且防止裂纹沿无机层向显示区延伸而影响显示效果。
本申请实施例提供一种柔性显示面板,包括显示区和与所述显示区相邻设置的非显示区;所述显示面板包括TFT阵列层;所述TFT阵列层包括无机层,所述无机层的非显示区中设有贯穿所述无机层的镂空结构,且所述镂空结构中填充有缓冲层。
可选的,所述显示面板还包括可弯折区域,所述可弯折区域与所述显示区和所述非显示区部分重叠;所述镂空结构至少部分位于所述可弯折区域与所述非显示区重叠的区域。
可选的,所述非显示区围绕所述显示区设置;所述显示区包括相对设置的两个侧边;所述可弯折区域与两个所述侧边部分重叠设置;
所述镂空结构包括两个子镂空结构,两个所述子镂空结构与两个所述侧边一一对应设置;且每个所述子镂空结构在平行于对应的所述侧边方向上的长度大于或等于所述可弯折区域在平行于所述侧边方向上的长度。
可选的,每个所述子镂空结构包括多个贯穿所述无机层且间隔设置的防裂孔;且多个所述防裂孔在与所述侧边垂直的方向上交错设置;每个所述防裂孔中填充有所述缓冲层,且任意相邻的两个所述防裂孔中的所述缓冲层间隔设置。
可选的,多个所述防裂孔呈多列分布,每列与所述侧边平行,且每列具有至少一个所述防裂孔,任意相邻两列的所述防裂孔交错设置。
可选的,每个所述子镂空结构包括多个贯穿所述无机层且并排分布的防裂槽,每个所述防裂槽中填充有所述缓冲层且任意相邻的两个所述防裂槽中的所述缓冲层间隔设置;
每个所述防裂槽在平行于对应的所述侧边方向上的长度大于或等于所述可弯折区域在平行于所述侧边方向上的长度。
可选的,所述防裂孔的形状包括矩形或椭圆形。
可选的,所述显示面板还包括发光层和无机封装层,所述发光层设置在所述TFT阵列层的显示区上,所述无机封装层覆盖在所述无机层、所述缓冲层和所述发光层上。
可选的,所述显示面板还包括衬底基板;所述TFT阵列层包括依次设置在所述衬底基板上的无机缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、层间绝缘层、源漏极;所述无机层包括所述无机缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间绝缘层中的任意一种或多种。
可选的,所述衬底基板和所述TFT阵列层之间还设有水氧阻隔层。
本申请实施例提供的柔性显示面板,通过在TFT阵列层中的无机层的非显示区中设置镂空结构,并在镂空结构中填充缓冲层,由于缓冲层耐弯折性能较好,可以改善显示面板的耐弯折性能,减少显示面板边缘的裂纹产生;另外,裂纹通常较易沿着无机层进行扩展延伸,当裂纹延伸至镂空结构时,由于无机层在此中断,可有效的防止裂纹延伸至显示区影响显示效果。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的一种TFT阵列层的俯视结构示意图;
图2为图1中A-A’处对应的柔性显示面板的截面结构示意图;
图3为本申请实施例提供的另一种TFT阵列层的俯视结构示意图;
图4为本申请实施例提供的另一种TFT阵列层的俯视结构示意图;
图5为本申请实施例提供的另一种TFT阵列层的俯视结构示意图;
图6为本申请实施例提供的另一种TFT阵列层的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
下面结合附图和实施例对本申请作进一步说明。
如图1和图2所示,本申请实施例提供了一种柔性显示面板1,显示面板1具有显示区2和与显示区2相邻设置的非显示区3,非显示区3可以围绕显示区2设置,也可以设置在显示区2的至少一侧,本实施例以非显示区3围绕显示区2设置为例说明。需要说明的是,本申请实施例中TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列层5的显示区2与显示面板1的显示区2对应,TFT阵列层5的非显示区3与显示面板1的非显示区3对应。另外,显示面板1还具有可弯折区域20,可弯折区域20与显示区2和非显示区3部分重叠。
在结构上,显示面板1包括衬底基板4,以及依次设置在衬底基板4上的TFT阵列层5、发光层6和封装层。其中,衬底基板4为柔性基板,材料包括聚酰亚胺(PI);TFT阵列层5包括无机层8,无机层8的非显示区3中设有贯穿无机层8的镂空结构9,镂空结构9至少部分位于可弯折区域20与非显示区3重叠的区域,且镂空结构9中填充有缓冲层10,缓冲层10的材料包括有机材料,当然还可以是其他缓冲材料;发光层6设置在TFT阵列层5的显示区2上,发光层6和封装层之间还设有阴极和公共层(图中未标示出);封装层覆盖在TFT阵列层5和发光层6上,具体的,封装层覆盖在无机层8、缓冲层10和发光层6上。
需要说明的是,封装层可以是单层的无机封装层7,无机封装层7覆盖在无机层8、缓冲层10和发光层6上;封装层也可以是包括第一无机封装层35、有机封装层36和第二无机封装37的多层封装结构,当封装层为上述多层封装结构时,第一无机封装层35覆盖在部分位于非显示区3的TFT阵列层5和位于显示区2的发光层6上,有机封装层36位于第一无机封装层35上,且对应显示区2设置,第二无机封装37覆盖在无机层8、缓冲层10、第一无机封装层35和第二无机封装37上,此时,第一无机封装层35和第二无机封装37共同构成无机封装层7。
在一实施例中,显示面板1的显示区2包括相对设置的两个侧边,可弯折区域20与两个侧边部分重叠设置;例如,显示区2包括相对设置的第一侧边11和第二侧边12,第一侧边11和第二侧边12与可弯折区域20的长边相互垂直,且部分重叠设置,具体的,可弯折区域20的长边沿显示面板1的第一方向分布,第一侧边11和第二侧边12沿显示面板1的第二方向分布,第一方向与第二方向相互垂直;镂空结构9包括两个子镂空结构,例如结构相同的第一子镂空结构15和第二子镂空结构16,第一子镂空结构15和第二子镂空结构16分别与第一侧边11和第二侧边12对应设置;且每个子镂空结构在平行于对应的侧边方向(第二方向)上的长度大于或等于可弯折区域20在平行于侧边方向(第二方向)上的长度。其中,每个子镂空结构包括多个贯穿无机层8且间隔设置的防裂孔19,每个防裂孔19中填充有缓冲层10,且任意相邻的两个防裂孔19中的缓冲层10间隔设置;多个防裂孔19在与对应的侧边垂直的方向(第一方向)上交错设置,例如,以显示面板1的出光面所在的平面为第一平面,与第一平面垂直且沿显示面板1的第二方向延伸的平面为第二平面,则多个防裂孔19在第二平面上的正投影为连续的,且多个防裂孔19在第二平面上的正投影的总长度大于或等于可弯折区域20在第二平面上的正投影的长度。
具体的,多个防裂孔19呈多列分布,每列与对应的侧边平行,且每列具有至少一个防裂孔19,任意相邻两列的防裂孔19交错设置,例如,相邻两列防裂孔19呈“品”字型交错排列,每一列防裂孔19对应另一列防裂孔19的空隙设置,且相邻的两列防裂孔19有重叠部分。防裂孔19的形状包括矩形、圆形或椭圆形。
具体的,可弯折区域20的中间位置形成有与上述两个侧边垂直的折叠线(Bendingline,BL),显示面板1沿折叠线BL折叠,每个防裂孔19可以垂直于折叠线BL分布,当然也可以与折叠线BL呈锐角分布,此处不做限制。
具体的,TFT阵列层5可以是双栅结构,例如,TFT阵列层5包括依次设置在衬底基板4上的无机缓冲层21、有源层22、第一栅极绝缘层23、第一栅极24、第二栅极绝缘层25、第二栅极26、层间绝缘层27、源漏极28、平坦层29、阳极30、像素定义层31和间隙支柱32;其中,无机层8包括无机缓冲层21、第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层25和层间绝缘层27中的任意一种或多种,本实施例中无机层8包括无机缓冲层21、第一栅极绝缘层23、第二栅极绝缘层25和层间绝缘层27,填充在镂空结构9中的缓冲层10可以与平坦层29同时形成,也可以分别形成。当然,TFT阵列层5还可以是单栅结构,例如,TFT阵列层5包括依次设置在衬底基板4上的无机缓冲层21、栅极、栅极绝缘层、有源层22、层间绝缘层27、源漏极28、平坦层29、阳极30、像素定义层31和间隙支柱32。衬底基板4和TFT阵列层5之间还可以设有水氧阻隔层33,以防止水氧入侵。
需要说明的是,TFT阵列层5的非显示区3还设有金属走线,金属走线靠近显示区2设置,镂空结构9位于金属走线远离显示区2的一侧,以避免破坏金属走线而影响电信号传输。
本实施例中,通过在TFT阵列层5中的无机层8的非显示区3中设置镂空结构9,并在镂空结构9中填充缓冲层10,由于缓冲层10耐弯折性能较好,可以改善显示面板1的耐弯折性能,减少显示面板1边缘的裂纹产生;另外,由于显示面板1生产过程中切割或者显示面板1使用过程中弯折产生的裂纹通常较易沿着无机层8进行扩展延伸,当裂纹延伸至镂空结构9时,由于无机层8在此中断,可有效的防止裂纹延伸至显示区2影响显示效果。并且,相邻的两个防裂孔19内填充的缓冲层10(有机材料)间隔设置,也就是相互不连接,在封装时,位于非显示区3的无机封装层7一部分与缓冲层10连接,另一部分与TFT阵列层5的无机层8连接,由于缓冲层10为相互不连接的结构,使得无机封装层7与TFT阵列层5的无机层8之间形成网状接触,且无机封装层7与无机层8之间的接触附着性优于无机封装层7与有机材料的缓冲层10之间的接触附着性,这种网状接触可减少无机封装层7与有机材料的缓冲层10的接触面积,且当剥裂产生的纹路延伸至无机封装层7与无机层8的接触处时可以有效的阻隔剥裂纹路继续向显示区2的方向延伸,从而降低无机封装层7与TFT阵列基板的有机层之间产生剥裂而导致封装失效。
在一实施例中,对应显示区2的侧边设置的子镂空结构在平行于对应的侧边方向上的长度大于或等于侧边的长度,使得显示区2的侧边的任意位置都可以受到子镂空结构的保护,可以有效防止裂纹延伸至显示区2。
以双栅结构的TFT阵列层5为例,本申请实施例还提供了TFT阵列层5的主要制作工艺流程,包括以下步骤:
在形成有水氧阻隔层33(材料为SiOx)的衬底基板4上依次沉积无机缓冲层21(材料为SiOx和SiNx)、非晶硅层(a-si),并经过ELA(准分子镭射退火结晶)晶化及黄光蚀刻工艺对非晶硅层处理以形成有源层22(多晶硅层);在有源层22上依次沉积第一栅极绝缘层23(材料为SiOx)和第一栅极金属层(材料为Mo),并通过黄光蚀刻工艺对第一栅极金属层处理以形成第一栅极24;在第一栅极24上依次沉积第二栅极绝缘层25(材料为SiNx)和第二栅极金属层(材料为Mo),并通过黄光蚀刻工艺对第二栅极金属层处理以形成第二栅极26;在第二栅极26上沉积层间绝缘层27(材料为SiOx和SiNx);
通过黄光蚀刻工艺在显示区2形成接触孔34,在非显示区3形成阻断裂纹的镂空结构9,例如多个防裂孔19,其中,接触孔34与防裂孔19可采用一张光罩并经一道黄光蚀刻制程同时形成,也可以采用两张光罩分别形成(可以先形成接触孔34再形成防裂孔19,也可先形成防裂孔19再形成接触孔34);
在层间绝缘层27上沉积源漏极金属层(材料为Ti/Al/Ti),并经过黄光蚀刻工艺形成源漏极28(源极和漏极),源漏极28通过接触孔34分别与多晶硅层接触;在源漏极28上涂布平坦层29(材料为有机物),平坦层29在显示区2起到平坦作用,在非显示区3起到填充镂空结构9(防裂孔19)的作用;通过黄光等工艺在显示区2形成阳极接触孔,同时,相邻的防裂孔19之间的平坦层29刻蚀掉,以形成位于多个防裂孔19中且相互不连接的缓冲层10;显示区2的平坦层29与填充防裂孔19的缓冲层10可以同时形成,也可分步形成;
在平坦层29上沉积阳极金属层,并通过黄光蚀刻工艺形成阳极30;在阳极30上涂布像素定义材料并经黄光工艺形成像素定义层31;在像素定义层31上形成间隙支柱32。
本实施例中,防裂孔19和接触孔34可以在同一制程中形成,可以提高制作效率,并节省一道光罩制程,节约了成本;并且,填充防裂孔19的缓冲层10与平坦层29可以同时形成,既可以节省材料节约成本,也可以提高显示面板1的制作效率。
如图3所示,本申请实施例还提供了一种柔性显示面板1,与上述实施例不同的在于,每个子镂空结构(例如第一子镂空结构15和第二子镂空结构16)包括多个贯穿无机层8且并排分布的防裂槽38,每个防裂槽38中填充有缓冲层10,且任意相邻的两个防裂槽38中的缓冲层10间隔设置;每个防裂槽38在平行于侧边方向上的长度大于或等于可弯折区域20在平行于侧边方向上的长度。防裂槽38的形状包括矩形或椭圆形。需要说明的是,每个子镂空结构还可以为单个防裂槽38。
本实施例中,多个防裂槽38并排分布,可以有效的防止裂纹延伸至显示区2,且防裂槽38中填充有缓冲层10,由于缓冲层10耐弯折性能较好,可以改善显示面板1的耐弯折性能,减少显示面板1边缘的裂纹产生;另外,防裂槽38的尺寸较大,可以减小镂空结构9的制作工艺难度,避免使用较高精度开口的掩膜版制作防裂槽38,提高镂空结构9的制作效率,即提高显示面板1的制作效率并节约制作成本。
在一实施例中,防裂槽38在平行于侧边方向上的长度大于或等于侧边的长度,使得与子镂空结构对应的显示区2的侧边的任意位置都可以受到子镂空结构的保护。
如图4至图6所示,本申请实施例还提供了一种柔性显示面板1,与上述实施例不同的在于,显示区2还包括相对设置的第三侧边13和第四侧边14,第一侧边11、第二侧边12、第三侧边13和第四侧边14依次相邻设置;镂空结构9包括分别对应显示区2的第一侧边11、第二侧边12、第三侧边13和第四侧边14设置的第一子镂空结构15、第二子镂空结构16、第三子镂空结构17和第四子镂空结构18。其中,第一子镂空结构15、第二子镂空结构16、第三子镂空结构17和第四子镂空结构18可以相同,也可以不同。
如图4所示,第一子镂空结构15、第二子镂空结构16、第三子镂空结构17和第四子镂空结构18均包括多个贯穿无机层8且间隔设置的防裂孔19;多个防裂孔19呈多列分布,例如第一子镂空结构15和第二子镂空结构16中的多个防裂孔19呈三列分布,每列与对应的第一侧边11或第二侧边12平行,第三子镂空结构17和第四子镂空结构18中的多个防裂孔19呈两列分布,每列与对应的第三侧边13或第四侧边14平行,具体的列数由防裂孔19的大小以及非显示区3与显示区2之间的距离决定;且每列具有至少一个防裂孔19,任意相邻两列的防裂孔19交错设置。第一子镂空结构15、第二子镂空结构16、第三子镂空结构17和第四子镂空结构18中,任意相邻的两个子镂空结构中的相邻的防裂孔19可以连通为一体,即任意相邻的两个子镂空结构可以包括共用一个防裂孔(图中未示出),可以进一步防止任意方向的裂纹向显示区2延伸。
如图5所示,第一子镂空结构15、第二子镂空结构16、第三子镂空结构17和第四子镂空结构18均包括多个贯穿无机层8且并排分布的防裂槽38,例如两个并排分布的防裂槽38;且防裂槽38在平行于对应的侧边方向上的长度大于或等于对应的侧边的长度。如图6所示,第一子镂空结构15、第二子镂空结构16、第三子镂空结构17和第四子镂空结构18中,任意相邻的两个子镂空结构中的防裂槽38可以对应连通为一体,形成围绕显示区2设置的镂空结构,可以进一步防止任意方向的裂纹向显示区2延伸。
本实施例中,在显示区2的四周均设有贯穿无机层8的子镂空结构,可以防止任意方向的裂纹向显示区2延伸,使得显示面板1在制作过程中,在任意一侧因切割产生的裂纹无法延伸至显示区2,且使得显示面板1在弯折使用过程中,在相对的两侧产生的裂纹也无法延伸至显示区2,有效的保护了显示区2。
综上所述,虽然本申请已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本申请,本领域的普通技术人员,在不脱离本申请的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种柔性显示面板,其特征在于,包括显示区和与所述显示区相邻设置的非显示区;所述显示面板包括TFT阵列层;所述TFT阵列层包括无机层,所述无机层的非显示区中设有贯穿所述无机层的镂空结构,且所述镂空结构中填充有缓冲层;
其中,所述柔性显示面板还包括覆盖所述无机层和所述缓冲层的无机封装层,位于所述非显示区的所述无机封装层一部分与所述缓冲层连接,另一部分与所述无机层连接,以使所述无机封装层与所述无机层之间形成网状接触,且所述无机封装层与所述无机层之间的接触附着性优于所述无机封装层与所述缓冲层之间的接触附着性。
2.如权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括可弯折区域,所述可弯折区域与所述显示区和所述非显示区部分重叠;所述镂空结构至少部分位于所述可弯折区域与所述非显示区重叠的区域。
3.如权利要求2所述的柔性显示面板,其特征在于,所述非显示区围绕所述显示区设置;所述显示区包括相对设置的两个侧边;所述可弯折区域与两个所述侧边部分重叠设置;
所述镂空结构包括两个子镂空结构,两个所述子镂空结构与两个所述侧边一一对应设置;且每个所述子镂空结构在平行于对应的所述侧边方向上的长度大于或等于所述可弯折区域在平行于所述侧边方向上的长度。
4.如权利要求3所述的柔性显示面板,其特征在于,每个所述子镂空结构包括多个贯穿所述无机层且间隔设置的防裂孔;且多个所述防裂孔在与所述侧边垂直的方向上交错设置;每个所述防裂孔中填充有所述缓冲层,且任意相邻的两个所述防裂孔中的所述缓冲层间隔设置。
5.如权利要求4所述的柔性显示面板,其特征在于,多个所述防裂孔呈多列分布,每列与所述侧边平行,且每列具有至少一个所述防裂孔,任意相邻两列的所述防裂孔交错设置。
6.如权利要求3所述的柔性显示面板,其特征在于,每个所述子镂空结构包括多个贯穿所述无机层且并排分布的防裂槽,每个所述防裂槽中填充有所述缓冲层,且任意相邻的两个所述防裂槽中的所述缓冲层间隔设置;
每个所述防裂槽在平行于对应的所述侧边方向上的长度大于或等于所述可弯折区域在平行于所述侧边方向上的长度。
7.如权利要求4所述的柔性显示面板,其特征在于,所述防裂孔的形状包括矩形或椭圆形。
8.如权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括发光层,所述发光层设置在所述TFT阵列层的显示区上,所述无机封装层覆盖在所述无机层、所述缓冲层和所述发光层上。
9.如权利要求1所述的柔性显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括衬底基板;所述TFT阵列层包括依次设置在所述衬底基板上的无机缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极、第二栅极绝缘层、第二栅极、层间绝缘层、源漏极;所述无机层包括所述无机缓冲层、所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层和所述层间绝缘层中的任意一种或多种。
10.如权利要求9所述的柔性显示面板,其特征在于,所述衬底基板和所述TFT阵列层之间还设有水氧阻隔层。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010084046.1A CN111261642B (zh) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | 一种柔性显示面板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010084046.1A CN111261642B (zh) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | 一种柔性显示面板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN111261642A CN111261642A (zh) | 2020-06-09 |
CN111261642B true CN111261642B (zh) | 2023-03-24 |
Family
ID=70949245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010084046.1A Active CN111261642B (zh) | 2020-02-10 | 2020-02-10 | 一种柔性显示面板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN111261642B (zh) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111653592A (zh) * | 2020-06-11 | 2020-09-11 | Oppo广东移动通信有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板以及电子设备 |
CN112103319B (zh) * | 2020-09-22 | 2024-06-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 |
CN112259579B (zh) * | 2020-10-10 | 2024-06-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及其制作方法 |
CN112396957B (zh) | 2020-11-06 | 2022-04-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示终端及应用于显示终端中的显示面板 |
CN112420744B (zh) * | 2020-11-10 | 2023-10-31 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN112467053A (zh) * | 2020-11-26 | 2021-03-09 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2022119142A1 (ko) * | 2020-12-04 | 2022-06-09 | 삼성전자 주식회사 | 홈이 포함된 커버 플레이트 및 이를 포함하는 전자 장치 |
CN112786620B (zh) * | 2021-01-08 | 2023-03-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN112711354B (zh) * | 2021-01-20 | 2023-03-10 | 成都京东方光电科技有限公司 | 触控面板及其制备方法、显示触控装置 |
CN113516918B (zh) * | 2021-06-09 | 2022-04-29 | 荣耀终端有限公司 | 一种叠层显示模组及电子设备 |
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CN110400891A (zh) * | 2019-08-30 | 2019-11-01 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示面板的制作方法以及显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106997930B (zh) * | 2017-03-03 | 2019-04-12 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 柔性显示面板及显示装置 |
CN108766979B (zh) * | 2018-05-25 | 2020-09-25 | 武汉天马微电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
CN110571247B (zh) * | 2019-08-15 | 2021-09-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN110620132B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-12-03 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
-
2020
- 2020-02-10 CN CN202010084046.1A patent/CN111261642B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111261642A (zh) | 2020-06-09 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |