CN111224550B - 一种基于级联dab结构的直流变压器 - Google Patents

一种基于级联dab结构的直流变压器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于级联DAB结构的直流变压器，包括n台相同的直流变换子模块SM1、SM2、…SMn，第一台直流变换子模块SM1的高压侧第一连接端子T1通过直流电感L1与高压直流侧的正极相连，第i台直流变换子模块SMi的高压侧第二连接端子T2与第i+1台直流变换子模块SMi+1的高压侧第一连接端子T1相连，第n台直流变换子模块SMn的高压侧第二连接端子T2与高压直流侧的负极相连；n台直流变换子模块SM1、SM2、…SMn的低压侧第三连接端子T3均与低压直流侧的正极相连。本发明通过对输入侧半导体开关的协调控制，当系统内某一直流变换子模块任何一个部分发生故障时可以迅速旁路故障的子模块，实现全冗余功能，保证直流变压器的安全可靠运行。

Description

一种基于级联DAB结构的直流变压器
技术领域
本发明属于电力电子技术领域，更具体地，涉及一种基于级联DAB结构的直流变压器。
背景技术
随着电力电子控制技术和器件制造技术的发展，相比交流电网，直流电网在很多领域取得了技术和经济的优势。尤其是随着分布式新能源并网的需求日益增长，以及直流负载的广泛应用，直流电网是今后电力发展的趋势。
为了实现高低压直流电网的电压变换和功率管理，直流变压器作为直流电网的重要组成部分受到了广泛的关注。基于双主动全桥(DAB)级联的直流变压器是当前研究的一个热点。其由多个DAB子模块级联构成，高压侧串联，低压侧并联，如图1所示。该直流变压器不仅可以实现了高低压等级的变换，还实现了高低压直流母线的电气隔离以及功率的双向流动。但是，由于高压侧直流电容采用串联结构，当某一个DAB子模块发生内部故障时，其高压侧直流电容无法被旁路，此直流电容电压将一直上升，直到系统过压保护启动。此拓扑结构无法实现直流变压器冗余运行，降低了直流变压器的可靠性。另外，当发生直流母线外部故障时，会导致直流电容迅速放电，产生较大的过电流，并且故障清除后，需要对直流电容重新充电，使直流系统的动态恢复过程变慢。此外，当DAB子模块中直流电压变比与高频变压器两端物理变比不匹配时，DAB子模块将承受更大的电流应力，使得系统损耗增加和功率密度降低。
文献《一种开关电容接入的高频链双向直流变压器及其控制方法》公开了基于开关电容接入的双向直流变压器方案，如图2所示。该直流变换器由n台相同的直流变换器子模块SM1、SM2、…、SMn组成，每个直流变换子模块SM在图1的DAB子模块的基础上增加了三个半导体开关(S9、S10、S11)和一个直流电抗(L2)。第九、第十半导体开关(S9、S10)与高压直流侧串联的高频电抗器一起构成直流稳压电路，从而保持高频链环节的电压匹配，有利于减小环流。第十一半导体开关(S11)与低压直流侧电容串联。当外部发生故障时，可以通过关断所有半导体开关实现故障的快速切除，且外部故障消失时，可以实现快速恢复运行；当内部发生故障时，可以通过第九、第十一半导体开关(S9、S11)关断，第十半导体开关(S10)导通，确保实现故障的冗余运行。该方案通过增加三个半导体开关和一个直流电抗，有利于解决传统级联DAB结构的缺陷和不足，如直流电压不匹配和环流增加问题，外部故障的快速切换和恢复问题以及内部故障冗余问题。但是增加的三个半导体开关，并没有实现直流变压器各种内部故障的全冗余，在以下三种情况下，无法实现故障模块可靠切除：a)第九半导体开关(S9)出现短路故障；b)第十半导体开关(S10)出现开路故障；c)第十一半导体开关(S11)出现短路故。
文献《一种改进的开关电容接入的双向直流变压器及其控制方法》提出了一种改进开关电容接入的双向直流变压器方案，如图3所示。该直流变换器由n个相同的直流变换子模块SM1、SM2、…、SMn组成，每个直流变换子模块SM在图1的DAB子模块的基础上增加了两个半导体开关(S9、S10)和一个直流电抗(L2)。正常情况下，第十半导体开关(S10)导通，而第九半导体开关(S9)根据控制策略处于导通或关断状态，可实现高低压直流电压匹配。当内部故障发生时，第九、第十半导体开关(S9、S10)关断，第三、第四、第五、第六、第七和第八半导体开关(S3、S4、S5、S6、S7、S8)关断，第一和第二半导体开关(S1、S2)导通，确保内部故障时装置可以实现冗余运行。当外部故障发生时所有半导体开关关断，实现外部故障冗余运行。该方案通过增加两个半导体开关，解决传统级联DAB结构中直流电压不匹配、内外部故障冗余问题。相对于图2所示的拓扑结构，图3所示结构减少了1个开关管，降低了成本，但其并没有实现直流变压器各种内部故障的全冗余，在以下三种情况下，无法将故障模块可靠切除：a)第九半导体开关(S9)出现短路故障；b)第十半导体开关(S10)出现短路故障；c)第一直流电容(C1)出现短路故障。
发明内容
针对现有技术的缺陷，本发明的目的在于提供一种基于级联DAB结构的直流变压器，旨在解决现有技术中由于拓扑结构局限性导致仅能实现部分冗余功能的问题。
本发明提供了一种基于级联DAB结构的直流变压器，包括：n台相同的直流变换子模块SM1、SM2、…SMn，n为任意正整数；n个直流变换子模块的高压侧串联，n个直流变换子模块的低压侧并联；第一台直流变换子模块SM1的高压侧第一连接端子T1通过直流电感L1与高压直流侧的正极相连，第i台直流变换子模块SMi的高压侧第二连接端子T2与第i+1台直流变换子模块SMi+1的高压侧第一连接端子T1相连，第n台直流变换子模块SMn的高压侧第二连接端子T2与高压直流侧的负极相连；n台直流变换子模块SM1、SM2、…SMn的低压侧第三连接端子T3均与低压直流侧的正极相连，n台直流变换子模块SM1、SM2、…SMn的低压侧第四连接端子T4均与低压直流侧的负极相连；1＜i＜n。
更进一步地，直流变换子模块包括：十个半导体开关S1～S10、两个直流电容C1、C2、高频电感L1和高频变压器T；第一半导体开关S1的集电极、第三半导体开关的集电极S3和第九半导体S9的发射极均连接在第一公共连接点P1，第二半导体开关S2发射极、第四半导体开关S4发射极和第一直流电容的负极均连接在第二连接端子T2，第一半导体开关S1的发射极与第二半导体开关S2的集电极连接在第一连接端子T1，第三半导体开关S3的发射极与第四半导体开关S4的集电极连接在第二公共连接点P2，第一直流电容C1的正极与第九半导体S9的集电极串联连接，第五半导体开关S5的集电极、第七半导体开关S7的集电极和第十半导体开关S10的集电极均连接在第三连接端子T3，第六半导体开关S6的发射极、第八半导体开关S8的发射极和第二直流电容C2的负极均连接在第四连接端子T4，第五半导体开关S5的发射极与第六半导体开关S6的集电极连接在第三公共连接点P3，第七半导体开关S7的发射极与第八半导体开关S8的集电极连接在第四公共连接点P4，第十半导体开关S10与第二直流电容C2串联连接。另外，第一连接端子T1、第二公共连接点P2与高频电感L2以及高频变压器T的高压侧绕组串联连接，第三、第四公共连接点P3、P4与高频变压器T的低压侧绕组串联连接。
其中，n个直流变换子模块中m个直流变换子模块工作在冗余状态，其中0＜m＜n。投入工作的n-m个直流变换子模块的第一半导体开关S1和第二半导体开关S2按照指定占空比在导通与关断两种状态间切换。
占空比设定值D可控制第一直流电容C1上电压
Figure BDA0002262147720000041
从而保证直流变换子模块两端电压与高频变压器变比匹配，第九半导体开关S9和第十半导体开关S10均处于导通状态，其余半导体开关按指定占空比切换工作状态。
其余的m个冗余直流变换子模块的高压侧与直流变压器的高压直流侧断开，第二半导体开关S2为导通状态，第一半导体开关S1为关断状态。
其中，当第i个处于工作状态的直流变换子模块发生故障时，先对故障进行定位，定位到第i个变换子模块的具体故障位置与种类，其内部冗余控制方式可按照内部故障位置与种类划分为两类；0＜i＜n-m。
内部冗余控制方式包括：
(1)若非第二半导体开关S2开路故障，则第i个直流变换子模块的第二半导体开关S2导通，其余半导体开关均为关断，将故障子模块进行隔离，同时将1个工作在冗余状态的直流变换子模块投入工作，保持系统稳定运行；
(2)若第二半导体开关S2开路故障，则第一个直流变换子模块SM1、第三个直流变换子模块SM3、第四个直流变换子模块SM4导通，其余半导体开关均为关断，将故障子模块进行隔离，同时将1个工作在冗余状态的直流变换模块投入工作，保持系统稳定运行。
其中，当故障恢复时，冗余子模块切除，各半导体开关恢复正常工作状态，第一直流电容C1和第二直流电容C2无需重新充电，实现快速恢复运行。
与现有技术相比，本发明的有益效果为：本发明可以实现全冗余功能。目前已有的冗余结构如图2、图3所示仅能够实现部分冗余功能，本发明提出一种改进的基于级联DAB结构的直流变压器的拓扑结构，通过对输入侧半导体开关的协调控制，当系统内某一直流变换子模块任何一个部分发生故障时，可以迅速旁路故障的子模块，实现全冗余功能，保证直流变压器的安全可靠运行。
本发明可以隔离高低压直流侧故障，当高低压直流侧发生故障时，仅通过封锁脉冲即可实现故障处的隔离，且直流电容不会放电，便于故障后系统的快速恢复。
本发明可以控制直流变换子模块高压侧直流电压，使之与其内部高频变压器变比匹配，减小电流应力，保证系统高效运行。
附图说明
图1是现有技术提供的基于双主动全桥(DAB)级联的直流变压器的拓扑结构图。
图2是现有技术提供的一种开关电容接入的高频链双向直流变压器的拓扑结构图。
图3是现有技术提供的一种改进的开关电容接入的双向直流变压器的拓扑结构图。
图4是本发明实施例提供的一种改进的基于级联DAB结构的直流变压器的拓扑结构图。
图5是本发明实施例提供的直流变换子模块的拓扑结构图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明所要解决的技术问题是克服现有基于级联DAB结构的直流变压器无法实现全冗余功能、部分半导体开关故障导致系统停机的缺陷，提出一种改进的基于级联DAB结构的直流变压器，从而实现了对内外部故障的全冗余功能，提高直流变压器运行的可靠性。
如图4所示，本发明实施例提供的一种基于级联DAB结构的直流变压器主要由n台相同的直流变换子模块(SM1、SM2、…SMn)组成，n为任意正整数。第一台直流变换子模块SM1的高压侧第一连接端子(T1)通过直流电感(L1)与高压直流侧的正极相连，第i(1＜i＜n)台直流变换子模块SMi的高压侧第二连接端子(T2)与第i+1台直流变换子模块SMi+1的高压侧第一连接端子(T1)相连，第n台直流变换子模块SMn的高压侧第二连接端子(T2)与高压直流侧的负极相连，即n个直流变换子模块的高压侧串联。n台直流变换子模块(SM1、SM2、…SMn)的低压侧第三连接端子(T3)均与低压直流侧的正极相连，n台直流变换子模块(SM1、SM2、…SMn)的低压侧第四连接端子(T4)均与低压直流侧的负极相连，即n个直流变换子模块的低压侧并联。
如图5所示，直流变换子模块由十个半导体开关(S1～S10)、两个直流电容(C1、C2)、一个高频电感(L1)和一个高频变压器(T)组成。第一半导体开关(S1)的集电极、第三半导体开关的集电极(S3)和第九半导体(S9)的发射极均连接在第一公共连接点(P1)，第二半导体开关(S2)发射极、第四半导体开关(S4)发射极和第一直流电容的负极均连接在第二连接端子(T2)，第一半导体开关(S1)的发射极与第二半导体开关(S2)的集电极连接在第一连接端子(T1)，第三半导体开关(S3)的发射极与第四半导体开关(S4)的集电极连接在第二公共连接点(P2)，第一直流电容(C1)的正极与第九半导体(S9)的集电极串联连接，第五半导体开关(S5)的集电极、第七半导体开关(S7)的集电极和第十半导体开关(S10)的集电极均连接在第三连接端子(T3)，第六半导体开关(S6)的发射极、第八半导体开关(S8)的发射极和第二直流电容(C2)的负极均连接在第四连接端子(T4)，第五半导体开关(S5)的发射极与第六半导体开关(S6)的集电极连接在第三公共连接点(P3)，第七半导体开关(S7)的发射极与第八半导体开关(S8)的集电极连接在第四公共连接点(P4)，第十半导体开关(S10)与第二直流电容(C2)串联连接。另外，第一连接端子(T1)、第二公共连接点(P2)与高频电感(L2)以及高频变压器(T)的高压侧绕组串联连接，第三、第四公共连接点(P3、P4)与高频变压器(T)的低压侧绕组串联连接。
以一含n个直流变换子模块的直流变压器举例，其中n个直流变换子模块中m(0＜m＜n)个直流变换子模块工作在冗余状态。
正常工作时，n个直流变换子模块的高压侧串联连接到高压直流侧，低压侧并联到低压直流侧。投入工作的n-m个直流变换子模块的第一、第二半导体开关(S1、S2)按照指定占空比在导通与关断两种状态间切换，依据boost升压电路原理，占空比设定值D可控制第一直流电容(C1)上电压Vc1，即
Figure BDA0002262147720000071
(Vin为输入电压)，从而保证直流变换子模块两端电压与高频变压器变比匹配，即以直流电感(L1)、第一半导体开关(S1)以及第二半导体开关(S2)构成的电路工作在boost电路状态，此时第九、第十半导体开关(S9、S10)均处于导通状态，其余半导体开关按指定占空比切换工作状态。同时，其余的m个冗余直流变换子模块的高压侧与直流变压器的高压直流侧断开，即第二半导体开关(S2)为导通状态，第一半导体开关(S1)为关断状态。冗余直流变换子模块低压侧与直流变压器的低压直流侧相连，即第九、第十半导体开关(S9、S10)为导通状态。冗余子模块中其余半导体通过适当控制，维持冗余模块高压直流电压为额定值。
当直流变换子模块内部发生故障时，假设第i(0＜i＜n-m)个处于工作状态的直流变换子模块发生故障，首先对故障进行定位，定位到第i个变换子模块的具体故障位置与种类，其内部冗余控制方式可按照内部故障位置与种类划分为两类。
(1)若非第二半导体开关(S2)开路故障，则第i个直流变换子模块的第二半导体开关(S2)导通，其余半导体开关均为关断，将故障子模块进行隔离，同时将1个工作在冗余状态的直流变换子模块投入工作，保持系统稳定运行。当故障恢复时，冗余子模块切除，各半导体开关恢复正常工作状态，第一、第二直流电容(C1、C2)无需重新充电，实现快速恢复运行。
(2)若第二半导体开关(S2)开路故障，则第i个直流变换子模块的第一、第三、第四(S1、S3、S4)导通，其余半导体开关均为关断，将故障子模块进行隔离，同时将1个工作在冗余状态的直流变换子模块投入工作，保持系统稳定运行。当故障恢复时，冗余子模块切除，各半导体开关恢复正常工作状态，第一、第二直流电容(C1、C2)无需重新充电，实现快速恢复运行。
高低压直流侧发生故障时，所有直流变换子模块的半导体开关均关断，隔离高低压直流侧故障，同时维持直流电容电压，待故障恢复后，系统可以快速恢复运行。
通过此拓扑及控制方式，实现内外部故障全冗余运行，即任意故障发生时均可实现冗余运行。同时也解决级联DAB结构正常运行过程中，高低压直流电压不匹配所造成的环流过大问题。
目前已有的冗余结构如图2、图3所示，仅能够实现部分冗余功能；本发明提出一种改进的基于级联DAB结构的直流变压器的拓扑结构，通过对输入侧半导体开关的协调控制，可实现全冗余功能，当系统内某一直流变换子模块任何一个部分发生故障时，可以迅速旁路故障的子模块，做到全冗余，保证直流变压器的安全可靠运行。
本发明可以隔离高低压直流侧故障，当高低压直流侧发生故障时，仅通过封锁脉冲即可实现故障处的隔离，且直流电容不会放电，便于故障后系统的快速恢复。
本发明可以控制直流变换子模块高压侧直流电压，使之与其内部高频变压器变比匹配，减小电流应力，保证系统高效运行。
本领域的技术人员容易理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种基于级联DAB结构的直流变压器，其特征在于，包括：n台相同的直流变换子模块SM1、SM2、···SMn，n为任意正整数；
n个直流变换子模块的高压侧串联，n个直流变换子模块的低压侧并联；
第一台直流变换子模块SM1的高压侧第一连接端子T1通过直流电感L1与高压直流侧的正极相连，第i台直流变换子模块SMi的高压侧第二连接端子T2与第i+1台直流变换子模块SMi+1的高压侧第一连接端子T1相连，第n台直流变换子模块SMn的高压侧第二连接端子T2与高压直流侧的负极相连；
n台直流变换子模块SM1、SM2、···SMn的低压侧第三连接端子T3均与低压直流侧的正极相连，n台直流变换子模块SM1、SM2、···SMn的低压侧第四连接端子T4均与低压直流侧的负极相连；1<i<n；
所述直流变换子模块包括：十个半导体开关S1～S10、两个直流电容C1、C2、高频电感L1和高频变压器T；
第一半导体开关S1的集电极、第三半导体开关的集电极S3和第九半导体S9的发射极均连接在第一公共连接点P1，第二半导体开关S2发射极、第四半导体开关S4发射极和第一直流电容的负极均连接在第二连接端子T2，第一半导体开关S1的发射极与第二半导体开关S2的集电极连接在第一连接端子T1，第三半导体开关S3的发射极与第四半导体开关S4的集电极连接在第二公共连接点P2，第一直流电容C1的正极与第九半导体S9的集电极串联连接，第五半导体开关S5的集电极、第七半导体开关S7的集电极和第十半导体开关S10的集电极均连接在第三连接端子T3，第六半导体开关S6的发射极、第八半导体开关S8的发射极和第二直流电容C2的负极均连接在第四连接端子T4，第五半导体开关S5的发射极与第六半导体开关S6的集电极连接在第三公共连接点P3，第七半导体开关S7的发射极与第八半导体开关S8的集电极连接在第四公共连接点P4，第十半导体开关S10与第二直流电容C2串联连接；另外，第一连接端子T1、第二公共连接点P2与高频电感L2以及高频变压器T的高压侧绕组串联连接，第三、第四公共连接点P3、P4与高频变压器T的低压侧绕组串联连接。
2.如权利要求1所述的直流变压器，其特征在于，n个直流变换子模块中m个直流变换子模块工作在冗余状态，其中0<m<n。
3.如权利要求2所述的直流变压器，其特征在于，投入工作的n-m个直流变换子模块的第一半导体开关S1和第二半导体开关S2按照指定占空比在导通与关断两种状态间切换。
4.如权利要求3所述的直流变压器，其特征在于，占空比设定值D可控制第一直流电容C1上电压
Figure FDA0002961930010000021
Vin为所述第一直流电容C1所处直流变换子模块高压侧的输入电压，从而保证直流变换子模块两端电压与高频变压器变比匹配，第九半导体开关S9和第十半导体开关S10均处于导通状态，其余半导体开关按指定占空比切换工作状态。
5.如权利要求4所述的直流变压器，其特征在于，其余的m个冗余直流变换子模块的高压侧与直流变压器的高压直流侧断开，第二半导体开关S2为导通状态，第一半导体开关S1为关断状态。
6.如权利要求1-5任一项所述的直流变压器，其特征在于，当第i个处于工作状态的直流变换子模块发生故障时，先对故障进行定位，定位到第i个变换子模块的具体故障位置与种类，其内部冗余控制方式可按照内部故障位置与种类划分为两类；0<i<n-m。
7.如权利要求6所述的直流变压器，其特征在于，内部冗余控制方式包括：
(1)若非第二半导体开关S2开路故障，则第i个直流变换子模块的第二半导体开关S2导通，其余半导体开关均为关断，将故障子模块进行隔离，同时将1个工作在冗余状态的直流变换子模块投入工作，保持系统稳定运行；
(2)若第二半导体开关S2开路故障，则第一个直流变换子模块SM1、第三个直流变换子模块SM3、第四个直流变换子模块SM4导通，其余半导体开关均为关断，将故障子模块进行隔离，同时将1个工作在冗余状态的直流变换模块投入工作，保持系统稳定运行。
8.如权利要求7所述的直流变压器，其特征在于，当故障恢复时，冗余子模块切除，各半导体开关恢复正常工作状态，第一直流电容C1和第二直流电容C2无需重新充电，实现快速恢复运行。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105743352A (zh) * 2016-04-18 2016-07-06 清华大学 一种改进的开关电容接入的双向直流变压器及其控制方法
CN110022069A (zh) * 2019-02-26 2019-07-16 深圳供电局有限公司 一种双向开关接入的高频链双向直流变压器及其控制方法

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