CN111151502A - 氧化物陶瓷工件的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例公开了一种氧化物陶瓷工件的清洗方法，包括以下过程：将所述氧化物陶瓷工件置于碱性清洗剂中进行浸泡；将浸泡后的所述氧化物陶瓷工件用酸溶液进行冲洗，所述冲洗的时间为10s～60s。本发明的上述技术方案中，碱性清洗剂不与氧化物陶瓷反应，即使长时间浸泡氧化物陶瓷工件，也不会损伤氧化物陶瓷工件，之后，用酸溶液冲洗，极大的缩短了酸溶液与氧化物陶瓷工件的接触时间，避免酸溶液对氧化物陶瓷工件的损伤，因此，本发明在不损伤氧化物工件的前提下提高了对氧化物陶瓷工件的去污能力。

Description

氧化物陶瓷工件的清洗方法
技术领域
本发明涉及清洗技术领域，更具体地，涉及一种氧化物陶瓷工件的清洗方法。
背景技术
氧化物陶瓷是指由一种或数种氧化物制成的陶瓷。氧化物陶瓷因具有较高的熔融温度、电绝缘性、机械强度和化学稳定性等，被广泛应用在光学材料、发光材料、晶体材料、磁性材料、电池材料、电子陶瓷、工程陶瓷、催化剂等领域。
氧化物陶瓷按组份可分为单一氧化物陶瓷，如氧化铝陶瓷、氧化铍陶瓷、二氧化钛陶瓷、氧化钇陶瓷等，以及复合氧化物陶瓷，如尖晶石MgO·Al2O3、莫来石3Al2O3·2SiO2、锆钛酸铅PZT陶瓷等。
氧化钇粒径小、活性高，具有极强的光、电、磁性质、超导性、高化学活性等，被用来应用在陶瓷面板中，通过用熔射的方式在陶瓷面板表面镀上氧化钇陶瓷层，该氧化钇陶瓷层能够显著改善陶瓷面板的抗高温稳定性等。
在陶瓷面板的加工过程中，氧化钇陶瓷层上会形成一层污染层，该污染层包含有Si、F、Cl、Al的化合物和各种耐酸难溶物质，现有方法是采用盐酸浸渍面板，去除面板表面的污染层，但是，盐酸中Cl原子核非常小，电负性很强，具有较强的剥离作用，易与氧化钇反应，伤害氧化钇陶瓷层，甚至使氧化钇陶瓷层脱落。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种氧化物陶瓷工件的清洗方法，提高去除污染物的容易度，同时不损伤氧化物陶瓷。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，包括以下过程：
将所述氧化物陶瓷工件置于碱性清洗剂中进行浸泡；
将浸泡后的所述氧化物陶瓷工件用酸溶液进行冲洗，所述冲洗的时间为10s～60s。
优选地，所述碱性清洗剂为质量浓度为10％～50％的强碱溶液。
优选地，所述强碱溶液为NaOH溶液。
优选地，所述浸泡的时间为1h～10h。
优选地，所述碱性清洗剂的温度为40℃～60℃。
优选地，所述酸溶液的质量浓度为1％～30％。
优选地，所述酸溶液为HNO3溶液。
优选地，所述冲洗后，还包括对所述氧化物陶瓷工件依次进行擦洗、水洗、干燥和真空包装的过程。
优选地，所述氧化物陶瓷工件为整体由氧化物陶瓷制成的工件，或所述氧化物陶瓷工件为表面设有氧化物陶瓷层的工件。
优选地，所述氧化物陶瓷工件为氧化钇陶瓷工件。
实施本发明实施例，将具有如下有益效果：
本发明首先通过碱性清洗剂浸泡氧化物陶瓷工件，碱性清洗剂不与氧化物陶瓷反应，因此，可以采用碱性清洗剂长时间浸泡氧化物陶瓷工件，以使氧化物陶瓷工件表面的污染物更容易被去除，同时不损伤氧化物陶瓷工件，之后，采用酸溶液冲洗的方法中和去除残留的碱性清洗剂和去除剩余的污染物，由于采用冲洗的方式，极大的缩短了酸溶液与氧化物陶瓷工件的接触时间，因此，也不易损伤氧化物陶瓷工件。本发明的清洗方法，不损伤氧化物陶瓷工件，也不会引起氧化物陶瓷工件层的脱落，即使擦拭后反复水洗，也不会引起氧化物陶瓷工件层的脱落。
具体实施方式
下面对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种氧化物陶瓷工件的清洗方法，包括以下过程：
1)将氧化物陶瓷工件置于碱性清洗剂中进行浸泡。
碱性清洗剂与氧化物陶瓷不反应，长时间浸泡不会损伤氧化物陶瓷工件，不会引起氧化物陶瓷的损失，也不会引起氧化物陶瓷层的脱落。
优选地，所述碱性清洗剂为强碱溶液，强碱是指在水溶液中电离出的阴离子全部是氢氧根离子的物质，强碱具有更好的去污效果。
优选地，强碱溶液为NaOH溶液或KOH溶液。
在本实施例中，优选地，强碱溶液为质量浓度为10％～50％的NaOH溶液。强碱溶液浓度越大，清洗效果越好。
优选地，清洗的时间为1h～10h。
优选地，碱性清洗剂的温度为40℃～60℃，提高去污能力。
2)将浸泡后的氧化物陶瓷工件用酸溶液进行冲洗，冲洗的时间为10s～60s。
酸溶液主要用来中和去除上一步骤中残留的碱性清洗剂和去除未清洗掉的污染物，为了避免酸溶液损伤氧化物陶瓷工件，因此，冲洗时间尽量短，尽量减少酸溶液与氧化物陶瓷工件的接触时间。
为了避免酸溶液对氧化物陶瓷的损伤，酸溶液的浓度越低越好，优选地，采用质量浓度为1％～30％的酸溶液。兼顾清洗效果，优选地，酸溶液的质量浓度为5％。
为了避免盐酸中的氯离子对氧化物陶瓷层的过度吸附导致的氧化物陶瓷层的剥离，优选地，酸溶液选用HNO3溶液代替盐酸。优选地，稀HNO3溶液中，HNO3的浓度为5％。
3)冲洗后，对氧化物陶瓷工件进行擦洗。
可以采用百洁布擦洗，浸泡后的污染物很容易被擦拭掉。
擦拭后，如果氧化物陶瓷工件未能达到清洁标准，再次重复上述过程1)、2)和3)，直至满足清洁标准。
为了提高氧化物陶瓷工件的清洁度，还可以依次包括对擦洗后的氧化物陶瓷工件进行水洗、干燥和真空包装的过程，优选地，利用去离子水冲洗或反复冲洗擦拭后的氧化物陶瓷工件，之后，干燥以及干燥后真空包装。由于在浸泡和冲洗过程中，未采用使氧化物陶瓷容易脱落的清洗液，因此，可以反复水洗，也不会使氧化物陶瓷层脱落。
本发明的上述工艺方法，大大缩短氧化物陶瓷工件与酸接触的时间，在不损伤氧化物陶瓷工件的前提下，充分去除污染物，也避免氧化物陶瓷工件被损耗，用碱性清洗剂浸泡不会使氧化物陶瓷工件松动，以致后续的水洗过程，即使反复冲洗，也不会使氧化物陶瓷工件脱落，可以达到更高要求的清洁度。
由于盐酸属于受管制化学品，有致癌性，本发明摒弃盐酸的使用，可以保护环境，降低职业危害风险。
从整体上看，本发明具有清洁效果显著、无损伤、操作简便、可执行性强等优点。
以下以对氧化钇陶瓷工件的清洗为具体实施例。
实施例1
1)用质量分数为40％的NaOH溶液于40℃～60℃下浸泡氧化钇陶瓷工件3h。
2)用质量分数为5％的HNO3溶液快速清洗30s。
3)用百洁布轻微擦拭。
4)用去离子水清洗，然后干燥，真空包装。
对比例1
以现有技术的处理方法为对比例，具体过程如下：
1)将氧化钇陶瓷工件放入盐酸溶液(HCl与H2O的体积比为1:5)浸泡20分钟，有水冲洗并用百洁布擦拭。
2)再将氧化钇陶瓷工件放入硝酸、氢氟酸的混合酸(HNO3、HF和H2O的体积比为5:1:40)中浸泡20分钟，用水冲洗并用百洁布擦拭。
3)用去离子水清洗，然后干燥，真空包装。
对实施例1和对比例1清洗后的氧化钇陶瓷工件进行残余有机物、残余金属离子和表面光洁度检测，以检测是否达到清洁标准。进行残余有机物检测时，采用UV灯照射保护件表面，无荧光反应则无残余有机物，有荧光反应则有残余有机物。进行金属离子检测时，采用多参数水质测定仪(型号5B-3B(V8))检测最后水洗后的水样中的成份来确定，主要检测水样的化学需氧量COD(H)值、和氨氮含量，当水样中的COD(H)小于5mg/L时符合标准，当氨氮含量小于5mg/L时符合标准。采用肉眼观测氧化钇陶瓷表面是否有明显的凹点评价氧化钇陶瓷表面的光洁度，凹点为氧化钇陶瓷脱落造成。结果如下表1所示，可见，本发明的方法不仅清洁度高，而且不损坏陶瓷表面。
表1：实施例1和对比例1清洗后的有机蒸镀保护件的指标
Figure BDA0002362805760000051
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，包括以下过程：
将所述氧化物陶瓷工件置于碱性清洗剂中进行浸泡；
将浸泡后的所述氧化物陶瓷工件用酸溶液进行冲洗，所述冲洗的时间为10s～60s。
2.根据权利要求1所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述碱性清洗剂为质量浓度为10％～50％的强碱溶液。
3.根据权利要求2所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述强碱溶液为NaOH溶液。
4.根据权利要求1所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述浸泡的时间为1h～10h。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述碱性清洗剂的温度为40℃～60℃。
6.根据权利要求1所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述酸溶液的质量浓度为1％～30％。
7.根据权利要求7所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述酸溶液为HNO3溶液。
8.根据权利要求1所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述冲洗后，还包括对所述氧化物陶瓷工件依次进行擦洗、水洗、干燥和真空包装的过程。
9.根据权利要求1所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述氧化物陶瓷工件为整体由氧化物陶瓷制成的工件，或所述氧化物陶瓷工件为表面设有氧化物陶瓷层的工件。
10.根据权利要求1或9所述的氧化物陶瓷工件的清洗方法，其特征在于，所述氧化物陶瓷工件为氧化钇陶瓷工件。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022222787A1 (zh) * 2021-04-19 2022-10-27 北京北方华创微电子装备有限公司 陶瓷件清洗方法
CN117602967A (zh) * 2023-11-28 2024-02-27 湖南德智新材料有限公司 一种陶瓷材料的提纯方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101152651A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种陶瓷零件表面的清洗方法
CN101224458A (zh) * 2007-01-15 2008-07-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
CN104307781A (zh) * 2014-08-27 2015-01-28 富乐德科技发展（天津）有限公司 去除附着于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法
CN108842153A (zh) * 2018-05-16 2018-11-20 深圳仕上电子科技有限公司 利用氢氧化钾溶液剥离铝膜的方法
CN109422547A (zh) * 2017-08-21 2019-03-05 北京中科华正电气有限公司 一种氧化锆陶瓷表面金属化的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101152651A (zh) * 2006-09-28 2008-04-02 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种陶瓷零件表面的清洗方法
CN101224458A (zh) * 2007-01-15 2008-07-23 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 一种多晶硅刻蚀腔室中陶瓷材料零件表面的清洗方法
CN104307781A (zh) * 2014-08-27 2015-01-28 富乐德科技发展（天津）有限公司 去除附着于陶瓷零件表面氧化物薄膜的清洗方法
CN109422547A (zh) * 2017-08-21 2019-03-05 北京中科华正电气有限公司 一种氧化锆陶瓷表面金属化的方法
CN108842153A (zh) * 2018-05-16 2018-11-20 深圳仕上电子科技有限公司 利用氢氧化钾溶液剥离铝膜的方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
张葆宗: "《反渗透水处理应用技术[M]》", 31 March 2004 *
阙端麟: "《硅材料科学与技术[M]》", 31 December 2000 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022222787A1 (zh) * 2021-04-19 2022-10-27 北京北方华创微电子装备有限公司 陶瓷件清洗方法
CN117602967A (zh) * 2023-11-28 2024-02-27 湖南德智新材料有限公司 一种陶瓷材料的提纯方法

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