CN111129681A - 一种平衡-不平衡变换装置、通信器件及通信系统 - Google Patents

一种平衡-不平衡变换装置、通信器件及通信系统 Download PDF

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Abstract

本申请实施例提供平衡‑不平衡变换装置、通信器件及通信系统，涉及通信设备技术领域，该平衡‑不平衡变换装置包括绝缘基板、第一微带线、第二微带线以及导电地，第一微带线包括第一平衡信号连接段、第一阻抗匹配段以及不平衡信号连接段，第一平衡信号连接段用于传输平衡信号的第一分量，不平衡信号连接段用于传输不平衡信号；第二微带线包括第二平衡信号连接段、第二阻抗匹配段以及接地段，第二平衡信号连接段用于传输平衡信号的第二分量，接地段用于连接地信号，第一微带线、第二微带线以及导电地均设置于绝缘基板上，第一微带线的至少一部分和/或第二微带线的至少一部分截面积渐变。

Description

一种平衡-不平衡变换装置、通信器件及通信系统
技术领域
本申请涉及通信设备技术领域，尤其涉及一种平衡-不平衡变换装置、通信器件及通信系统。
背景技术
在当前的数据通信设备中，电互连采用的均为差分信号线。之所以采用差分信号线，是因为芯片的高速串行器/解串器(Serializer/Deserializer，serdes)是差分信号接口，这样芯片在进行片上信号处理和封装出线时差分信号对来自电源等的共模噪声有更好的免疫力。然而，背板/框间/机架的高速通信系统通常使用双轴传输线进行信号传输，但采用双轴传输线存在如下问题：双轴传输线包括两根信号线和一根地线，直径大，占用布线空间大。弯折能力受限，双轴传输线不易沿轴向弯曲。且双轴传输线对工艺控制要求严格，工艺昂贵。需要控制差分对内延迟，避免性能损失。
为了解决上述问题，可以采用同轴电缆替代双轴电缆实现信号传输，这样就需要在没有能量损失的情况下将发送侧芯片的Serdes差分信号转成单端信号，在接收侧将单端信号转成Serdes需要的差分信号。另外，Serdes的差分阻抗一般为100Ω或90Ω，同轴电缆的阻抗是50Ω或75Ω。这两点的存在使得需要设计一个合理的转换装置，该转换装置可以在实现差分信号转单端信号的同时，实现Serdes端与同轴电缆之间的阻抗过渡。这种转换装置通常称为巴伦(Balance-unbalance，BALUN)，是英文"平衡-不平衡变换器"缩写的音译。
在一种巴伦的实现方式中，如图1所示，该巴伦包括两根等长的传输线，分别为第一传输线01和第二传输线02，第一传输线01和第二传输线02的左端并联，右端串联，若第一传输线01的阻抗为2*Z0，第二传输线02的阻抗也为2*Z0，此时当信号从左端以Z0注入时，第一传输线01和第二传输线02各自得到了一半的信号能量，以行波方式向右传递。当信号同时到达右端时，由于在右端是串联关系，所以电压和阻抗都通过堆叠而得到了抬升，正好过渡至右边的4*Z0输出端口阻抗。然而，图1所示的巴伦不利于布线。并且结构复杂，占用空间较大。
发明内容
本申请的实施例提供的平衡-不平衡变换装置、通信器件及通信系统，解决了现有技术的平衡-不平衡变换装置不利于布线且占用空间较大的问题。
第一方面，本申请提供一种平衡-不平衡变换装置，包括：
绝缘基板；
第一微带线，所述第一微带线包括依次连接的第一平衡信号连接段、第一阻抗匹配段以及不平衡信号连接段，所述第一平衡信号连接段用于传输平衡信号的第一分量，所述不平衡信号连接段用于传输不平衡信号；
第二微带线，所述第二微带线包括依次连接的第二平衡信号连接段、第二阻抗匹配段以及接地段，所述第二平衡信号连接段用于传输平衡信号的第二分量，所述接地段用于连接地信号；
导电地(Ground，GND)，所述导电地为所述第一平衡信号连接段和所述第二平衡信号连接段的参考地；
所述第一微带线、所述第二微带线以及所述导电地均设置于所述绝缘基板上，所述第一平衡信号连接段和所述第二平衡信号连接段位于所述绝缘基板的同一平面，所述第一微带线的所述第一阻抗匹配段与所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段被所述绝缘基板隔开，所述第一微带线的至少一部分和/或所述第二微带线的至少一部分的截面积渐变。
本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置，差分交流信号(或称平衡信号)的第一分量由第一平衡信号连接段接入，差分交流信号的第二分量由第二平衡信号连接段接入，两部分差分信号分别经过第一阻抗匹配段和第二阻抗匹配段后，由不平衡信号端口输出单端信号(或称不平衡信号)，从而完成差分信号转单端信号。其中，由于第一微带线的至少一部分和/或所述第二微带线的至少一部分截面积渐变，从而可调整阻抗值，以使所述第一平衡信号连接段、所述第二平衡信号连接段和所述导电地形成的阻抗到所述不平衡信号连接段和所述接地段形成的阻抗平滑过渡。本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置，通过微带线代替了现有技术中的同轴电缆或双绞线等传输线电缆来作为信号导体，因此可以将平衡-不平衡变换装置集成在基板(如PCB板)上制成，从而免去了复杂的布线工作，且节省了安装空间和制作成本。
在可能的实现方式中，所述第一微带线的所述第一阻抗匹配段与所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段相互平行。
在可能的实现方式中，可将第一阻抗匹配段的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐增大，以使所述第一阻抗匹配段的阻抗沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐减小；所述第二阻抗匹配段的截面积沿靠近所述接地段的方向逐渐增大，以使所述第二阻抗匹配段的阻抗沿靠近所述接地段的方向逐渐减小。
在可能的实现方式中，可将第一阻抗匹配段的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐减小，以使所述第一阻抗匹配段的阻抗沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐增大；可将第二阻抗匹配段的截面积沿靠近所述接地段的方向逐渐减小，以使所述第二阻抗匹配段的阻抗沿靠近所述接地段的方向逐渐增大。
在可能的实现方式中，可以保持微带线的截面宽度不变，使微带线的截面厚度渐变。
在可能的实现方式中，可以保持微带线的截面厚度不变，使微带线的截面宽度渐变。此方案可便于渐变微带线的制作。
在可能的实现方式中，可以使微带线的截面厚度和微带线的截面宽度均渐变。
在可能的实现方式中，所述第一平衡信号连接段包括第一平行段和第一倾斜段，所述第一平行段用于传输平衡信号的第一分量，所述第一倾斜段的一端与所述第一平行段连接，另一端与所述第一阻抗匹配段连接；所述第二平衡信号连接段包括第二平行段和第二倾斜段，所述第二平行段与所述第一平行段平行，所述第二平行段用于传输平衡信号的第二分量，所述第二倾斜段的一端与所述第二平行段连接，另一端与所述第二阻抗匹配段连接；所述导电地包括第一参考地和第二参考地，所述第一参考地为所述第一平行段和所述第二平行段的参考地，所述第二参考地为所述第一倾斜段和所述第二倾斜段的参考地。其中，所述第一平行段、所述第二平行段以及所述第一参考地形成的阻抗不变，所述第一倾斜段、所述第二倾斜段以及所述第二参考地形成的阻抗渐变。由于第一平行段和第二平行段用于传输平衡信号，因此使第一平行段和第二平行段相互平行且阻抗不变可使其具有良好的电特性。
在可能的实现方式中，第一倾斜段沿远离所述第一平行段的方向逐渐靠近所述第二倾斜段，第二倾斜段沿远离所述第二平行段的方向逐渐靠近所述第一倾斜段。由此，可便于绕设磁环，且能够减小平衡-不平衡变换装置的宽度。
在可能的实现方式中，所述第一参考地的截面积不变，所述第二参考地的截面积渐变。由此，第二参考地的截面积渐变也可使阻抗发生变化，以便于实现阻抗平滑过渡。
在可能的实现方式中，所述第一平行段和所述第二平行段的截面积不变，所述第一倾斜段和所述第二倾斜段的截面积渐变。由此，可通过改变第一倾斜段和所述第二倾斜段的截面积来改变阻抗，使阻抗平滑过渡的实现方式更灵活。
在可能的实现方式中，可将第一阻抗匹配段在第二阻抗匹配段所在平面上的投影与第二阻抗匹配段重叠。由此，可节省宽度方向的空间。
在可能的实现方式中，可在第一阻抗匹配段的至少一部分和第二阻抗匹配段的至少一部分外部套设有磁性件。由此可使整个平衡-不平衡变换装置结构具有超带宽性能及较好的低频特性，如，在整个关心的频段范围内S11<-20dB，S21>-3dB。
在可能的实现方式中，可在第一阻抗匹配段和第二阻抗匹配段整体外部均套设磁性件。相比于仅在第一阻抗匹配段和第二阻抗匹配段的一部分套设磁性件，整体套设磁性件可使低频特性更好。套设更多的磁性件可以在更低频率处就可满足S11<-20dB。
在可能的实现方式中，磁性件可采用一种磁性材料制成，也可采用两种或两种以上的磁性材料制成。将磁性件采用多种材料配合设置，可以进一步压低S11。
在可能的实现方式中，磁性件的结构可以包括磁力线圈、空心磁性棱柱、空心磁性圆柱或空心磁性椭圆柱等。
在可能的实现方式中，磁性件还可以由至少两部分拼接形成。由此，可便于安装磁性件。
在可能的实现方式中，所述绝缘基板的第一表面设置所述第一微带线以及所述第二微带线的第二平衡信号连接段，所述绝缘基板的第二表面设置所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段和所述接地段，所述第二平衡信号连接段和所述第二阻抗匹配段通过贯穿所述绝缘基板的第一表面和第二表面的导电过孔连接，所述导电地设置于所述绝缘基板的第二表面。
在可能的实现方式中，绝缘基板包括第一绝缘基板和第二绝缘基板，所述第一绝缘基板的第一表面设置所述第一微带线的第一平衡信号连接段，以及所述第二微带线的第二平衡信号连接段，所述第一绝缘基板的第二表面设置所述导电地，所述第一绝缘基板的第一表面与所述第一绝缘基板的第二表面相对。所述第二绝缘基板的第一表面设置所述第一微带线的所述第一阻抗匹配段和所述不平衡信号连接段，所述第二绝缘基板的第二表面设置所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段和所述接地段。
在可能的实现方式中，所述第一微带线的第一平衡信号连接段和所述第二微带线的第二平衡信号连接段延伸至所述第一绝缘基板的第一边沿，所述第一微带线的所述第一阻抗匹配段和所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段延伸至所述第二绝缘基板的第二边沿，所述第一绝缘基板的所述第一边沿与所述第二绝缘基板的所述第二边沿相连接，且所述第一平衡信号连接段与所述第一阻抗匹配段电连接，所述第二平衡信号连接段与所述第二阻抗匹配段电连接。
在可能的实现方式中，第一绝缘基板的所述第一边沿处开设有插槽，所述插槽位于所述第一平衡信号连接段和所述第二平衡信号连接段之间，所述插槽的第一侧壁靠近所述第一平衡信号连接段，且设有与所述第一平衡信号连接段连接的第一导电片，所述插槽的第二侧壁靠近所述第二平衡信号连接段，且设有与所述第二平衡信号连接段连接的第二导电片，所述第二绝缘基板的第二边沿插入所述插槽内，所述第一导电片与所述第一阻抗匹配段焊接，所述第二导电片与所述第二阻抗匹配段焊接。
在可能的实现方式中，第一绝缘基板和第二绝缘基板相互垂直。
在可能的实现方式中，第一绝缘基板和第二绝缘基板相互平行，且所述第一边沿和所述第二边沿叠置，所述第一平衡信号连接段与所述第一阻抗匹配段压接，所述第二平衡信号连接段与所述第二阻抗匹配段通过焊点焊接。
在可能的实现方式中，第一平衡信号连接段和第二平衡信号连接段分别连接有隔直电容。由此可使进入第一平衡信号连接段和第二平衡信号连接段的信号为没有直流分量的交流信号。
第二方面，本申请还提供了一种平衡-不平衡变换装置，包括：
第一微带线，所述第一微带线包括依次连接的第一平衡信号连接段、第一阻抗匹配段以及不平衡信号连接段，所述第一平衡信号连接段用于传输平衡信号的第一分量，所述不平衡信号连接段用于传输不平衡信号；
第二微带线，所述第二微带线包括依次连接的第二平衡信号连接段、第二阻抗匹配段以及接地段，所述第二平衡信号连接段用于传输平衡信号的第二分量，所述接地段用于连接地信号；
导电地，所述导电地为所述第一平衡信号连接段和所述第二平衡信号连接段的参考地；
第一绝缘基板，第一绝缘基板的第一表面设置第一微带线的第一平衡信号连接段，以及第二微带线的第二平衡信号连接段，第一绝缘基板的第二表面设置导电地，第一绝缘基板的第一表面与第一绝缘基板的第二表面相对；
第二绝缘基板，第二绝缘基板的第一表面设置第一微带线的第一阻抗匹配段和不平衡信号连接段，第二绝缘基板的第二表面设置第二微带线的第二阻抗匹配段和接地段；
所述第一微带线的至少一部分和/或所述第二微带线的至少一部分的截面积渐变。
本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置，差分交流信号(或称平衡信号)的第一分量由第一平衡信号连接段接入，差分交流信号的第二分量由第二平衡信号连接段接入，两部分差分信号分别经过第一阻抗匹配段和第二阻抗匹配段后，由不平衡信号端口输出单端信号(或称不平衡信号)，从而完成差分信号转单端信号。其中，由于第一微带线的至少一部分和/或所述第二微带线的至少一部分截面积渐变，从而可调整阻抗值，以使所述第一平衡信号连接段、所述第二平衡信号连接段和所述导电地形成的阻抗到所述不平衡信号连接段和所述接地段形成的阻抗平滑过渡。本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置，通过微带线代替了现有技术中的同轴电缆或双绞线等传输线电缆来作为信号导体，因此可以将平衡-不平衡变换装置集成在第一绝缘基板和第二绝缘基板上制成，从而免去了复杂的布线工作，且节省了安装空间和制作成本。
在第二方面可能的实现方式中，第一微带线的第一平衡信号连接段和第二微带线的第二平衡信号连接段延伸至第一绝缘基板的第一边沿，第一微带线的第一阻抗匹配段和第二微带线的第二阻抗匹配段延伸至第二绝缘基板的第二边沿，第一绝缘基板的第一边沿与第二绝缘基板的第二边沿相连接，且第一平衡信号连接段与第一阻抗匹配段电连接，第二平衡信号连接段与第二阻抗匹配段电连接。
在第二方面可能的实现方式中，第一绝缘基板的第一边沿处开设有插槽，插槽位于第一平衡信号连接段和第二平衡信号连接段之间，插槽的第一侧壁靠近第一平衡信号连接段，且设有与第一平衡信号连接段连接的第一导电片，插槽的第二侧壁靠近第二平衡信号连接段，且设有与第二平衡信号连接段连接的第二导电片，第二绝缘基板的第二边沿插入插槽内，第一导电片与第一阻抗匹配段焊接，第二导电片与第二阻抗匹配段焊接。
在第二方面可能的实现方式中，第一绝缘基板和第二绝缘基板相互垂直。
在第二方面可能的实现方式中，第一绝缘基板和第二绝缘基板相互平行，且第一边沿和第二边沿叠置，第一平衡信号连接段与第一阻抗匹配段压接，第二平衡信号连接段与第二阻抗匹配段通过焊点焊接。
在第二方面可能的实现方式中，所述第一微带线的所述第一阻抗匹配段与所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段相互平行。
在第二方面可能的实现方式中，可将第一阻抗匹配段的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐增大；所述第二阻抗匹配段的截面积沿靠近所述接地段的方向逐渐增大。
在第二方面可能的实现方式中，可将第一阻抗匹配段的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐减小；可将第二阻抗匹配段的截面积沿靠近所述接地段的方向逐渐减小。
在第二方面可能的实现方式中，可以保持微带线的截面宽度不变，使微带线的截面厚度渐变。
在第二方面可能的实现方式中，可以保持微带线的截面厚度不变，使微带线的截面宽度渐变。此方案可便于渐变微带线的制作。
在第二方面可能的实现方式中，可以使微带线的截面厚度和微带线的截面宽度均渐变。
在第二方面可能的实现方式中，所述第一平衡信号连接段包括第一平行段和第一倾斜段，所述第一平行段用于传输平衡信号的第一分量，所述第一倾斜段的一端与所述第一平行段连接，另一端与所述第一阻抗匹配段连接；所述第二平衡信号连接段包括第二平行段和第二倾斜段，所述第二平行段与所述第一平行段平行，所述第二平行段用于传输平衡信号的第二分量，所述第二倾斜段的一端与所述第二平行段连接，另一端与所述第二阻抗匹配段连接；所述导电地包括第一参考地和第二参考地，所述第一参考地为所述第一平行段和所述第二平行段的参考地，所述第二参考地为所述第一倾斜段和所述第二倾斜段的参考地。其中，所述第一平行段、所述第二平行段以及所述第一参考地形成的阻抗不变，所述第一倾斜段、所述第二倾斜段以及所述第二参考地形成的阻抗渐变。由于第一平行段和第二平行段用于传输平衡信号，因此使第一平行段和第二平行段相互平行且阻抗不变可使其具有良好的电特性。
在第二方面可能的实现方式中，第一倾斜段沿远离所述第一平行段的方向逐渐靠近所述第二倾斜段，第二倾斜段沿远离所述第二平行段的方向逐渐靠近所述第一倾斜段。由此，可便于绕设磁环，且能够减小平衡-不平衡变换装置的宽度。
在第二方面可能的实现方式中，所述第一参考地的截面积不变，所述第二参考地的截面积渐变。由此，第二参考地的截面积渐变也可使阻抗发生变化，以便于实现阻抗平滑过渡。
在第二方面可能的实现方式中，所述第一平行段和所述第二平行段的截面积不变，所述第一倾斜段和所述第二倾斜段的截面积渐变。由此，可通过改变第一倾斜段和所述第二倾斜段的截面积来改变阻抗，使阻抗平滑过渡的实现方式更灵活。
在第二方面可能的实现方式中，可将第一阻抗匹配段在第二阻抗匹配段所在平面上的投影与第二阻抗匹配段重叠。由此，可节省宽度方向的空间。
在第二方面可能的实现方式中，可在第一阻抗匹配段的至少一部分和第二阻抗匹配段的至少一部分外部套设有磁性件。由此可使整个平衡-不平衡变换装置结构具有超带宽性能及较好的低频特性，如，在整个关心的频段范围内S11<-20dB，S21>-3dB。
在第二方面可能的实现方式中，可在第一阻抗匹配段和第二阻抗匹配段整体外部均套设磁性件。相比于仅在第一阻抗匹配段和第二阻抗匹配段的一部分套设磁性件，整体套设磁性件可使低频特性更好。套设更多的磁性件可以在更低频率处就可满足S11<-20dB。
在第二方面可能的实现方式中，磁性件可采用一种磁性材料制成，也可采用两种或两种以上的磁性材料制成。将磁性件采用多种材料配合设置，可以进一步压低S11。
在第二方面可能的实现方式中，磁性件的结构可以包括磁力线圈、空心磁性棱柱、空心磁性圆柱或空心磁性椭圆柱等。
在第二方面可能的实现方式中，磁性件还可以由至少两部分拼接形成。由此，可便于安装磁性件。
在第二方面可能的实现方式中，所述绝缘基板的第一表面设置所述第一微带线以及所述第二微带线的第二平衡信号连接段，所述绝缘基板的第二表面设置所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段和所述接地段，所述第二平衡信号连接段和所述第二阻抗匹配段通过贯穿所述绝缘基板的第一表面和第二表面的导电过孔连接，所述导电地设置于所述绝缘基板的第二表面。
在第二方面可能的实现方式中，第一平衡信号连接段和第二平衡信号连接段分别连接有隔直电容。由此可使进入第一平衡信号连接段和第二平衡信号连接段的信号为没有直流分量的交流信号。
第三方面，本申请还提供了一种通信器件，包括电路板，所述电路板上设有集成电路以及至少一个平衡-不平衡变换装置，所述平衡-不平衡变换装置为上述第一方面或第二方面的任一实施例中所述的平衡-不平衡变换装置。
在第三方面的可能的实现方式中，集成电路包括第一平衡信号端口和第二平衡信号端口，所述第一平衡信号端口与所述平衡-不平衡变换装置的第一平衡信号连接段连接，所述第二平衡信号端口与所述平衡-不平衡变换装置的第二平衡信号连接段连接。
第四方面，本申请还提供了一种通信系统，包括第一通信器件和第二通信器件，所述第一通信器件和第二通信器件均为上述第三方面的任一实现方式中所述的通信器件，所述第一通信器件的平衡-不平衡变换装置与所述第二通信器件的平衡-不平衡变换装置连接。
在第四方面的可能的实现方式中，第一通信器件的平衡-不平衡变换装置与第二通信器件的平衡-不平衡变换装置通过同轴传输线连接。
在第四方面的可能的实现方式中，所述第一通信器件包括第一芯片和第一平衡-不平衡变换装置，所述第二通信器件包括第二芯片和第二平衡-不平衡变换装置，所述第一芯片用于输出平衡信号，所述第二芯片用于接收平衡信号，所述第一平衡-不平衡变换装置用于将所述第一芯片输出的平衡信号转换为不平衡信号并传输至所述第二平衡-不平衡变换装置，所述第二平衡-不平衡变换装置用于将不平衡信号转换为平衡信号并传输至所述第二芯片。
本申请提供的通信系统，由于可以采用同轴传输线连接，因此相比双轴电缆具有密度更高、电性能更好、绕线更灵活、价格更便宜的优势。
附图说明
图1为一种巴伦的结构图；
图2为本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置的第一表面的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置的第二表面的结构示意图；
图5为图2的C-C剖视图；
图6为图2的D-D剖视图；
图7为图2的E-E剖视图；
图8为图2的F-F剖视图；
图9为本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置设置磁性件后的结构示意图；
图10为磁性件采用空心磁性四棱柱时的结构示意图；
图11为磁性件采用两部分拼接时的结构示意图；
图12为第一倾斜段和第二倾斜段采用梯形结构时的示意图；
图13为本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置采用两块基板垂直插接时的结构示意图；
图14为图13的A向视图；
图15为图13的分解结构示意图；
图16为图13的B向视图；
图17为本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置采用两块基板平行压接时的结构示意图；
图18为图17的俯视图；
图19为本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置的一种应用架构图；
图20为图19的H部放大图。
具体实施方式
本申请实施例涉及平衡-不平衡变换器、通信器件及通信系统，以下对上述实施例涉及到的概念进行简单说明：
平衡-不平衡变换器，又称巴伦，用于将平衡信号转化为不平衡信号或将不平衡信号转化为平衡信号。
阻抗，在具有电阻、电感和电容的电路里，对电路中的电流所起的阻碍作用叫做阻抗。
如图2所示，本申请实施例提供了一种平衡-不平衡变换装置，包括绝缘基板1、第一微带线2、第二微带线3以及导电地4，如图3所示，第一微带线2包括依次连接的第一平衡信号连接段21、第一阻抗匹配段22以及不平衡信号连接段23，所述第一平衡信号连接段21用于传输平衡信号的第一分量，所述不平衡信号连接段23用于传输不平衡信号；如图3、图4所示，第二微带线3包括依次连接的第二平衡信号连接段31、第二阻抗匹配段32以及接地段33，所述第二平衡信号连接段31用于传输平衡信号的第二分量，所述接地段33用于连接地信号；导电地4为所述第一平衡信号连接段21和所述第二平衡信号连接段31的参考地。其中，第一微带线2、所述第二微带线3以及导电地4均设置于绝缘基板1上，第一微带线2的第一平衡信号连接段21和第二微带线3的第二平衡信号连接段31位于绝缘基板1的同一平面，第一微带线2的第一阻抗匹配段22与第二微带线3的第二阻抗匹配段32被绝缘基板1隔开，第一微带线2的至少一部分和/或第二微带线3的至少一部分截面积渐变，以使所述第一平衡信号连接段21、第二平衡信号连接段31和导电地4形成的阻抗到不平衡信号连接段23和接地段33形成的阻抗平滑过渡。
本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置，差分交流信号(或称平衡信号)的第一分量由第一平衡信号连接段21接入，差分交流信号的第二分量由第二平衡信号连接段31接入，两部分差分信号分别经过第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32后，由不平衡信号端口输出单端信号(或称不平衡信号)，从而完成差分信号转单端信号。其中，由于第一微带线2的至少一部分和/或所述第二微带线3的至少一部分截面积渐变，从而可调整阻抗值，以使第一平衡信号连接段21、第二平衡信号连接段31和导电地4形成的阻抗到不平衡信号连接段23和接地段33形成的阻抗平滑过渡。另外，第一平衡信号连接段21和第二平衡信号连接段31位于绝缘基板1的同一平面，可便于平衡-不平衡变换装置和其他电器件(如serdes)的连接。本申请实施例提供的平衡-不平衡变换装置，通过微带线代替了现有技术中的同轴电缆或双绞线等传输线电缆来作为信号导体，因此可以将平衡-不平衡变换装置集成在基板(如PCB板)上制成，从而免去了复杂的布线工作，且节省了安装空间和制作成本。
需要说明的是，虽然图2上示意的导电地4的面积小于绝缘基板1的面积，但在实际应用过程中，导电地4的面积与绝缘基板1的面积可以相同也可以不同，在此不做限定。
在微波信号传输过程中，若遇到阻抗突变点，会发生透射和反射。但若将阻抗改为渐变式过渡，可以增加总的信号能量透射率，减少反射率。阻抗渐变可以通过改变微带线的截面积来实现，例如，可以使第一微带线2的至少一部分的截面积渐变，或使第二微带线3的至少一部分的截面积渐变，还可以使第一微带线2的至少一部分的截面积和第二微带线3的至少一部分的截面积同时渐变，以此来使阻抗形成渐变式过渡，最终实现第一平衡信号连接段21、第二平衡信号连接段31和导电地4形成的阻抗到不平衡信号连接段23和接地段33形成的阻抗平滑过渡。并且，该阻抗平滑过渡方案可以增加总的信号能量透射率，减少反射率。
需要说明的是，上述截面积渐变指的是截面积的变化过程平滑，无明显的变化阶梯。相应的，上述阻抗平滑过渡可以是指阻抗的变换过程平滑，无明显的变化阶梯。例如，若第一平衡信号连接段21、第二平衡信号连接段31和导电地4形成的阻抗为100Ω，经过第一微带线2的至少一部分和/或所述第二微带线3的至少一部分截面积渐变后，阻抗由100Ω逐渐平滑变化至不平衡信号连接段23和接地段33形成的50Ω。在100Ω到50Ω的变化过程中，阻抗变换过程平滑，变化程度均匀，无明显的变化阶梯。
在上述通过改变微带线的截面积来实现阻抗平滑过渡的实施例中，若第一平衡信号连接段21、第二平衡信号连接段31和导电地4形成的阻抗大于不平衡信号连接段23和接地段33形成的阻抗，则可将第一阻抗匹配段22的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段23的方向逐渐增大，以使所述第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32之间形成的阻抗沿靠近所述不平衡信号连接段23的方向逐渐减小；所述第二阻抗匹配段32的截面积沿靠近所述接地段33的方向逐渐增大，以使第一阻抗匹配段22和所述第二阻抗匹配段32之间形成的阻抗沿靠近所述接地段33的方向逐渐减小。同理，若第一平衡信号连接段21、第二平衡信号连接段31和导电地4形成的阻抗小于不平衡信号连接段23和接地段33形成的阻抗，则可将第一阻抗匹配段22的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段23的方向逐渐减小，以使所述第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32之间形成的阻抗沿靠近所述不平衡信号连接段23的方向逐渐增大；可将第二阻抗匹配段32的截面积沿靠近所述接地段33的方向逐渐减小，以使第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32之间形成的阻抗沿靠近所述接地段33的方向逐渐增大。由此，可实现第一平衡信号连接段21、第二平衡信号连接段31和导电地4形成的阻抗到不平衡信号连接段23和接地段33形成的阻抗平滑过渡。
为了实现微带线截面积渐变，可以有多种实现方案，例如，可以保持微带线的截面宽度不变，使微带线的截面厚度渐变；也可以保持微带线的截面厚度不变，使微带线的截面宽度渐变；还可以使微带线的截面厚度和微带线的截面宽度均渐变。具体地，如图3、图7、图8所示，可使第一阻抗匹配段22的截面厚度不变，所述第一阻抗匹配段22的截面宽度沿靠近所述不平衡信号连接段23的方向逐渐增大，以使所述第一阻抗匹配段22的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段23的方向逐渐增大；如图4、图7、图8所示，可使第二阻抗匹配段32的截面厚度不变，所述第二阻抗匹配段32的截面宽度沿靠近所述接地段33的方向逐渐增大，以使所述第二阻抗匹配段32的截面积沿靠近所述接地段33的方向逐渐增大。由于微带线的宽度可根据需要裁剪，而厚度改变较困难，因此保持微带线的截面厚度不变，使微带线的截面宽度渐变可便于渐变微带线的制作。
在本申请的一种实现方式中，如图3所示，第一平衡信号连接段21可以包括第一平行段211和第一倾斜段212，第一平行段211用于传输平衡信号的第一分量，第一倾斜段212的一端与所述第一平行段211连接，另一端与第一阻抗匹配段22连接；第二平衡信号连接段31包括第二平行段311和第二倾斜段312，第二平行段311与所述第一平行段211平行，第二平行段311用于传输平衡信号的第二分量，第二倾斜段312的一端与第二平行段311连接，另一端与第二阻抗匹配段32连接。如图4所示，导电地4包括第一参考地41和第二参考地42，所述第一参考地41为所述第一平行段211和所述第二平行段311的参考地，所述第二参考地42为所述第一倾斜段212和所述第二倾斜段312的参考地。此时为了实现阻抗平滑过渡，可保持第一平行段211、第二平行段311以及第一参考地41形成的阻抗不变，使第一倾斜段212、第二倾斜段312以及第二参考地42形成的阻抗渐变。由于第一平行段211和第二平行段311用于传输平衡信号，因此使第一平行段211和第二平行段311相互平行且阻抗不变可使其具有良好的电特性。
其中，第一倾斜段212沿远离所述第一平行段211的方向逐渐靠近所述第二倾斜段312，第二倾斜段312沿远离所述第二平行段311的方向逐渐靠近所述第一倾斜段212。由此，第一倾斜段212和第二倾斜段312逐渐靠近，以便于后续设置过孔以及连接第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32。并且，第一倾斜段212和第二倾斜段312逐渐靠近后可使第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32在宽度方向上占用的空间更小，从而可便于绕设磁环，且能够减小平衡-不平衡变换装置的宽度。
为了实现第一倾斜段212、第二倾斜段312以及第二参考地42形成的阻抗渐变，可通过改变第一倾斜段212和第二倾斜段312的截面积来实现，例如，可使第一平行段211和第二平行段311的截面积不变，使第一倾斜段212和第二倾斜段312的截面积渐变。
由于各微带线以及导电地4的截面积、间距、相对位置等参数均可能影响阻抗，因此，为了实现第一倾斜段212、第二倾斜段312以及第二参考地42形成的阻抗渐变，在一种可能的实现方式中，可通过改变第一倾斜段212和第二倾斜段312的截面积来实现，例如，可使第一平行段211和第二平行段311的截面积不变，使第一倾斜段212和第二倾斜段312的截面积渐变。在另一种可能的实现方式中，也可通过改变导电地4的截面积来使阻抗渐变。如图4、图5、图6所示，所述第一参考地41的截面积不变，所述第二参考地42的截面积渐变。由此，第二参考地42的截面积渐变也可使阻抗发生变化，以便于实现阻抗平滑过渡。
为了节省空间，可将第一阻抗匹配段22在第二阻抗匹配段32所在平面上的投影与第二阻抗匹配段32重叠。也就是说，第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32在绝缘基板1的厚度方向上位置重叠，由此，可节省宽度方向的空间。需要说明的是，上述重叠仅指位置重叠，而第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32的宽度可以相同也可以不同，在此不做限定。需要说明的是，在布置空间允许的情况下，第一阻抗匹配段22在第二阻抗匹配段32所在平面上的投影与第二阻抗匹配段32也可以不重叠，只要能够实现期望的阻抗过渡即可。
为了使低频处的S11参数满足信号传输要求，以获得较好的低频特性，如图9所示，可在第一阻抗匹配段22的至少一部分和第二阻抗匹配段32的至少一部分外部套设有磁性件5，且磁性件5与第一阻抗匹配段22和第二阻抗匹配段32均不接触。由此可使整个平衡-不平衡变换装置结构具有超带宽性能及较好的低频特性，如，在整个关心的频段范围内S11<-20dB，S21>-3dB。
其中，磁性件5可采用一种磁性材料制成，也可采用两种或两种以上的磁性材料制成，在此不做限定。将磁性件采用多种材料配合设置，可以进一步压低S11，而具体缠绕的磁性材料种类及分布可以根据实际情况决定。
示例地，磁性件5的结构可以包括磁力线圈、空心磁性棱柱、空心磁性圆柱或空心磁性椭圆柱等。如图10所示，磁性件5的结构可以为空心磁性四棱柱结构。
磁性件5可以围绕整个第一阻抗匹配段22和整个第二阻抗匹配段32的长度范围，也可以仅围绕第一阻抗匹配段22的一部分和第二阻抗匹配段32的一部分，在此不做限定。磁性件5设置的长度越长，则低频特性越好，套设更多的磁性件可以在更低频率处就可满足S11<-20dB。例如，对于2cm长的平衡-不平衡变换装置，当不设置磁性件时，在低于3.5GHz的频率范围内S11>-20dB。而当部分缠绕磁性件时，2GHz范围内S11>-20dB，而2GHz以上频率处S11<-20dB。当缠绕更多磁环时，很可能0.5GHz以上频率均可满足S11<-20dB。因此，所要关注的频带范围决定了缠绕磁环的数量。另外，为了便于安装，如图11所示，磁性件5还可以由至少两部分(51，52)拼接形成。
可选地，绝缘基板1可以是一块板也可以是两块板，当绝缘基板1为一块板时，如图2、图3、图4所示，所述绝缘基板1的第一表面设置所述第一微带线2以及所述第二微带线3的第二平衡信号连接段31，所述绝缘基板1的第二表面设置所述第二微带线3的所述第二阻抗匹配段32和所述接地段33，所述第二平衡信号连接段31和所述第二阻抗匹配段32通过贯穿所述绝缘基板1的第一表面和第二表面的导电过孔34连接，所述导电地4设置于所述绝缘基板1的第二表面，由于导电地4为所述第一平衡信号连接段21和所述第二平衡信号连接段31的参考地，因此第一平衡信号连接段21和所述第二平衡信号连接段31在第二表面上的投影位于导电地4的范围内。由此，可通过导电过孔34实现第二平衡信号连接段31和所述第二阻抗匹配段32的换层连接。
具体地，导电过孔34可以对应第二平衡信号连接段31的第二倾斜段312开设，即导电过孔34一端与第二平衡信号连接段31连接，另一端与第二倾斜段312连接，第一倾斜段212和第二倾斜段312也可能包括其他形状，例如可以为如图12所示的梯形结构，无论采用哪种形状，只要能够完成过孔，并使过孔前后阻抗匹配即可。
为了便于通过同轴线传输单端信号，可在绝缘基板1上设置同轴线焊盘6，如图3所示，绝缘基板1的第一表面设有同轴线焊盘6的芯线连接端口61，如图4所示，绝缘基板1的第二表面设有同轴线焊盘6的外层金属连接端口62，外层金属连接端口62可以贯穿绝缘基板1的第一表面和第二表面，例如，外层金属连接端口62可以为穿透绝缘基板1的第一表面和第二表面设置的金属导体，第一微带线2的不平衡信号连接段23与同轴线焊盘的芯线连接端口61连接，第二微带线3的接地段33与同轴线焊盘的外层金属连接端口62短接，由此可实现异面差分信号转换为单端信号，且可通过同轴传输线输出单端信号。
示例地，如图20所示，在连接同轴线9时，同轴线9包括芯线91和包覆于芯线91外的外层金属层92，可以在绝缘基板1靠近同轴线焊盘6的一端开设同轴线插槽，同轴线9插入同轴线插槽内，且芯线91与芯线连接端口61连接，外层金属层92与外层金属连接端口62连接。另外，绝缘基板1上也可以不设置同轴线插槽，同轴线9整体设置于绝缘基板1的上方，将外层金属层92直接与外层金属连接端口62接触焊接，芯线91位于芯线连接端口61的上方且与芯线连接端口61不接触，可通过堆叠焊锡进行焊接。
绝缘基板1也可以是两块板组合形成。如图14所示，绝缘基板1包括第一绝缘基板11和第二绝缘基板12，所述第一绝缘基板11的第一表面设置所述第一微带线2的第一平衡信号连接段21，以及所述第二微带线3的第二平衡信号连接段31，所述第一绝缘基板11的第二表面设置所述导电地4，所述第一绝缘基板11的第一表面与所述第一绝缘基板11的第二表面相对。所述第二绝缘基板12的第一表面设置所述第一微带线2的所述第一阻抗匹配段22和所述不平衡信号连接段23，所述第二绝缘基板12的第二表面设置所述第二微带线3的所述第二阻抗匹配段32和所述接地段33。所述第一微带线2的第一平衡信号连接段21和所述第二微带线3的第二平衡信号连接段31延伸至所述第一绝缘基板11的第一边沿111，所述第一微带线2的所述第一阻抗匹配段22和所述第二微带线3的所述第二阻抗匹配段32延伸至所述第二绝缘基板12的第二边沿121，所述第一绝缘基板11的所述第一边沿111与所述第二绝缘基板12的所述第二边沿121相连接，且所述第一平衡信号连接段21与所述第一阻抗匹配段22电连接，所述第二平衡信号连接段31与所述第二阻抗匹配段32电连接。
在一种可能的实现方式中，第一绝缘基板11和第二绝缘基板12相互插接。如图15所示，第一绝缘基板11的所述第一边沿111处开设有插槽112，其中，插槽112可以沿厚度方向贯穿所述第一绝缘基板11的第一表面和第二表面，当第一绝缘基板11的厚度较厚时，插槽112也可以不贯穿第一绝缘基板11的第一表面和第二表面，且插槽112位于第一平衡信号连接段21和第二平衡信号连接段31之间，如图16所示，插槽112的第一侧壁靠近第一平衡信号连接段21，且设有与第一平衡信号连接段21连接的第一导电片113，插槽112的第二侧壁靠近第二平衡信号连接段31，且设有与第二平衡信号连接段31连接的第二导电片114，第一绝缘基板11和第二绝缘基板12相互垂直，如图13、14所示，第二绝缘基板12的第二边沿121插入插槽112内，第一导电片113与第一阻抗匹配段22焊接，第二导电片114与第二阻抗匹配段32焊接。需要说明的是，第一绝缘基板11和第二绝缘基板12可以相互垂直，也可以呈一定夹角设置，在此不做限定。
在另一种可能的实现方式中，第一绝缘基板11和第二绝缘基板12相互平行压接。如图17、18所示，所述第一绝缘基板11和所述第二绝缘基板12相互平行，且所述第一边沿111和所述第二边沿121叠置，所述第一平衡信号连接段21与所述第一阻抗匹配段22通过焊点13焊接，所述第二平衡信号连接段31与所述第二阻抗匹配段32压接。
需要说明的是，如图2、4、9、12、13、14、15所示，导电地4的左侧边沿可以超出第一平衡信号连接段21和第二平衡信号连接段31的左侧边沿，导电地4的右侧边沿与第一平衡信号连接段21和第二平衡信号连接段31的右侧边沿平齐。另外，在另一可能的实施例中，导电地4的左侧边沿还可以与第一平衡信号连接段21和第二平衡信号连接段31的左侧边沿平齐，即导电地4的长度与第一平衡信号连接段21和第二平衡信号连接段31的长度相等。
图19所示为本申请实施例平衡-不平衡变换装置的一种应用架构图，其中，第一芯片71输出为差分信号，通过第一平衡信号连接段21和第二平衡信号连接段31进入差分转单端平衡-不平衡变换装置A，只是在进行差分转单端之前可引入隔直电容8，这样进入平衡-不平衡变换装置的信号为没有直流分量的交流信号，平衡-不平衡变换装置A的不平衡信号连接段23可连接同轴传输线9，单端信号进入同轴传输线9，经过一段距离的传输到达单端转差分平衡-不平衡变换装置B，单端转差分平衡-不平衡变换装置B的不平衡信号连接段23与同轴传输线9连接，单端转差分平衡-不平衡变换装置的第一平衡信号连接段21和第二平衡信号连接段31与第二芯片72连接。
需要说明的是，本申请平衡-不平衡变换装置可以用于机框内背板和板内电缆(OnBoard Cable，OBC)中，另外，本申请平衡-不平衡变换装置还可以用于各种光模块、有源/无源电缆接口，包括但不限于小型可热插拔光模块(Small Form-factor Pluggable，SFP)、四通道小型可热插拔光模块(Quad Small Form-factor Pluggable，QSFP)、双密度四通道小型可热插拔光模块(Quad Small Form-factor Pluggable-double density，QSFP-DD)、12×10Gbps可热插拔光模块(12×10Gbps Pluggable，CXP)等。
本申请还提供了一种通信器件，包括电路板，所述电路板上设有集成电路以及至少一个平衡-不平衡变换装置，所述平衡-不平衡变换装置为上述第一方面的任一实施例中所述的平衡-不平衡变换装置。
在一个实施例中，集成电路包括第一平衡信号端口和第二平衡信号端口，所述第一平衡信号端口与所述平衡-不平衡变换装置的第一平衡信号连接段21连接，所述第二平衡信号端口与所述平衡-不平衡变换装置的第二平衡信号连接段31连接。
上述通信器件的电路板上还可以设置连接器，连接器包括不平衡信号端口和外接端口，连接器的不平衡信号端口可与平衡-不平衡变换装置的不平衡信号连接段连接，连接器的外接端口可以与其他通信器件连接。
本申请还提供了一种通信系统，包括第一通信器件和第二通信器件，所述第一通信器件和第二通信器件均为上述任一实施例中所述的通信器件，所述第一通信器件的平衡-不平衡变换装置与所述第二通信器件的平衡-不平衡变换装置连接。
在一个实施例中，第一通信器件的平衡-不平衡变换装置与第二通信器件的平衡-不平衡变换装置可以通过同轴传输线连接。本申请提供的通信系统，由于可以采用同轴传输线连接，因此相比双轴电缆具有密度更高、电性能更好、绕线更灵活、价格更便宜的优势。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (22)

1.一种平衡-不平衡变换装置，其特征在于，包括：
绝缘基板；
第一微带线，所述第一微带线包括依次连接的第一平衡信号连接段、第一阻抗匹配段以及不平衡信号连接段，所述第一平衡信号连接段用于传输平衡信号的第一分量，所述不平衡信号连接段用于传输不平衡信号；
第二微带线，所述第二微带线包括依次连接的第二平衡信号连接段、第二阻抗匹配段以及接地段，所述第二平衡信号连接段用于传输平衡信号的第二分量，所述接地段用于连接地信号；导电地，所述导电地为所述第一平衡信号连接段和所述第二平衡信号连接段的参考地；
所述第一微带线、所述第二微带线以及所述导电地均设置于所述绝缘基板上，所述第一平衡信号连接段和所述第二平衡信号连接段位于所述绝缘基板的同一平面，所述第一微带线的所述第一阻抗匹配段与所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段被所述绝缘基板隔开；
所述第一微带线的至少一部分和/或所述第二微带线的至少一部分的截面积渐变。
2.根据权利要求1所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一阻抗匹配段的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐增大；所述第二阻抗匹配段的截面积沿靠近所述接地段的方向逐渐增大；或
所述第一阻抗匹配段的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐减小；所述第二阻抗匹配段的截面积沿靠近所述接地段的方向逐渐减小。
3.根据权利要求2所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一阻抗匹配段的截面厚度不变，所述第一阻抗匹配段的截面宽度沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐增大，以使所述第一阻抗匹配段的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐增大；所述第二阻抗匹配段的截面厚度不变，所述第二阻抗匹配段的截面宽度沿靠近所述接地段的方向逐渐增大，以使所述第二阻抗匹配段的截面积沿靠近所述接地段的方向逐渐增大；或
所述第一阻抗匹配段的截面厚度不变，所述第一阻抗匹配段的截面宽度沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐减小，以使所述第一阻抗匹配段的截面积沿靠近所述不平衡信号连接段的方向逐渐减小；所述第二阻抗匹配段的截面厚度不变，所述第二阻抗匹配段的截面宽度沿靠近所述接地段的方向逐渐减小，以使所述第二阻抗匹配段的截面积沿靠近所述接地段的方向逐渐减小。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一平衡信号连接段包括第一平行段和第一倾斜段，所述第一平行段用于传输平衡信号的第一分量，所述第一倾斜段的一端与所述第一平行段连接，另一端与所述第一阻抗匹配段连接；
所述第二平衡信号连接段包括第二平行段和第二倾斜段，所述第二平行段与所述第一平行段平行，所述第二平行段用于传输平衡信号的第二分量，所述第二倾斜段的一端与所述第二平行段连接，另一端与所述第二阻抗匹配段连接；
所述导电地包括第一参考地和第二参考地，所述第一参考地为所述第一平行段和所述第二平行段的参考地，所述第二参考地为所述第一倾斜段和所述第二倾斜段的参考地。
5.根据权利要求4所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一倾斜段沿远离所述第一平行段的方向逐渐靠近所述第二倾斜段，所述第二倾斜段沿远离所述第二平行段的方向逐渐靠近所述第一倾斜段。
6.根据权利要求4或5所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一参考地的截面积不变，所述第二参考地的截面积渐变。
7.根据权利要求4-6中任一项所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一平行段和所述第二平行段的截面积不变，所述第一倾斜段和所述第二倾斜段的截面积渐变。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一阻抗匹配段的至少一部分和所述第二阻抗匹配段的至少一部分套设有磁性件。
9.根据权利要求8所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述磁性件采用至少一种磁性材料制成。
10.根据权利要求8或9所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述磁性件包括磁力线圈、空心磁性棱柱、空心磁性圆柱或空心磁性椭圆柱。
11.根据权利要求8-10中任一项所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述磁性件由至少两部分拼接形成。
12.根据权利要求1-11中任一项所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一阻抗匹配段在所述第二阻抗匹配段所在平面上的投影与所述第二阻抗匹配段重叠。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述绝缘基板的第一表面设置所述第一微带线以及所述第二微带线的第二平衡信号连接段，所述绝缘基板的第二表面设置所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段和所述接地段，所述第二平衡信号连接段和所述第二阻抗匹配段通过贯穿所述绝缘基板的第一表面和第二表面的导电过孔连接，所述导电地设置于所述绝缘基板的第二表面。
14.根据权利要求1-12中任一项所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述绝缘基板包括第一绝缘基板和第二绝缘基板，所述第一绝缘基板的第一表面设置所述第一微带线的第一平衡信号连接段，以及所述第二微带线的第二平衡信号连接段，所述第一绝缘基板的第二表面设置所述导电地，所述第一绝缘基板的第一表面与所述第一绝缘基板的第二表面相对；所述第二绝缘基板的第一表面设置所述第一微带线的所述第一阻抗匹配段和所述不平衡信号连接段，所述第二绝缘基板的第二表面设置所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段和所述接地段。
15.根据权利要求14所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一微带线的第一平衡信号连接段和所述第二微带线的第二平衡信号连接段延伸至所述第一绝缘基板的第一边沿，所述第一微带线的所述第一阻抗匹配段和所述第二微带线的所述第二阻抗匹配段延伸至所述第二绝缘基板的第二边沿，所述第一绝缘基板的所述第一边沿与所述第二绝缘基板的所述第二边沿相连接，且所述第一平衡信号连接段与所述第一阻抗匹配段电连接，所述第二平衡信号连接段与所述第二阻抗匹配段电连接。
16.根据权利要求15所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一绝缘基板的所述第一边沿处开设有插槽，且所述插槽位于所述第一平衡信号连接段和所述第二平衡信号连接段之间，所述插槽的第一侧壁靠近所述第一平衡信号连接段，且设有与所述第一平衡信号连接段连接的第一导电片，所述插槽的第二侧壁靠近所述第二平衡信号连接段，且设有与所述第二平衡信号连接段连接的第二导电片，所述第二绝缘基板的第二边沿插入所述插槽内，所述第一导电片与所述第一阻抗匹配段焊接，所述第二导电片与所述第二阻抗匹配段焊接。
17.根据权利要求15所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板相互平行，且所述第一边沿和所述第二边沿叠置，所述第一平衡信号连接段与所述第一阻抗匹配段通过焊点焊接压接，所述第二平衡信号连接段与所述第二阻抗匹配段压接。
18.根据权利要求1-17中任一项所述的平衡-不平衡变换装置，其特征在于，所述第一平衡信号连接段和所述第二平衡信号连接段分别连接有隔直电容。
19.一种通信器件，其特征在于，包括：电路板，所述电路板上设有集成电路以及至少一个平衡-不平衡变换装置，所述平衡-不平衡变换装置为权利要求1-18中任一项所述的平衡-不平衡变换装置。
20.根据权利要求19所述的通信器件，其特征在于，所述集成电路包括第一平衡信号端口和第二平衡信号端口，所述第一平衡信号端口与所述平衡-不平衡变换装置的第一平衡信号连接段连接，所述第二平衡信号端口与所述平衡-不平衡变换装置的第二平衡信号连接段连接。
21.一种通信系统，其特征在于，包括：
第一通信器件和第二通信器件，所述第一通信器件和第二通信器件均为权利要求19或20所述的通信器件，所述第一通信器件的平衡-不平衡变换装置与所述第二通信器件的平衡-不平衡变换装置连接。
22.根据权利要求21所述的通信系统，其特征在于，所述第一通信器件包括第一芯片和第一平衡-不平衡变换装置，所述第二通信器件包括第二芯片和第二平衡-不平衡变换装置，所述第一芯片用于输出平衡信号，所述第二芯片用于接收平衡信号，所述第一平衡-不平衡变换装置用于将所述第一芯片输出的平衡信号转换为不平衡信号并传输至所述第二平衡-不平衡变换装置，所述第二平衡-不平衡变换装置用于将不平衡信号转换为平衡信号并传输至所述第二芯片。
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