CN111114071A - 一种静电保护膜及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及保护膜技术领域，具体涉及一种静电保护膜及其制备方法，该静电保护膜包括静电吸附层以及与静电吸附层共挤粘合的保护层；所述静电吸附层包括如下原料：低密度聚乙烯、羟基封端聚二甲基硅氧烷和乙烯基硅油。本发明的静电保护膜以静电吸附层远离保护层的一面作为粘附面，既具有较低的自粘性，又具有静电吸附能力，两者结合，从而增大静电保护膜贴合于屏幕上的粘附力，使其粘附力更趋于现有亚克力保护膜的粘附力，而静电吸附层无需涂覆胶粘剂，避免了在剥离静电保护膜时因残胶而残留痕迹的现象发生；保护层与静电吸附层共挤粘合，避免了单独使用静电吸附层而其机械强度较差的缺陷，提高了静电保护膜的整体抗拉伸和抗撕裂性能。

Description

一种静电保护膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及保护膜技术领域，具体涉及一种静电保护膜及其制备方法。
背景技术
现有的亚克力保护膜，其表面涂有亚克力胶，使其具备较大的粘附力粘合于产品表面，但其长期贴合在屏幕上后，再撕除保护膜时，特别是经过各地区高温高湿环境的储存运输后，被贴合表面会出现残胶、鬼影、气圈印和白雾等污染现象。
发明内容
为了克服现有技术中存在的缺点和不足，本发明的目的在于提供一种粘附力大、剥离无痕迹残留的静电保护膜。
本发明的另一目的在于提供一种静电保护膜的制备方法，该制备方法操作简单，控制方便，生产效率高，生产成本低，可用于大规模生产。
本发明的目的通过下述技术方案实现：一种静电保护膜，包括静电吸附层以及与静电吸附层共挤粘合的保护层；所述静电吸附层包括如下重量份的原料：
低密度聚乙烯 50-70份
羟基封端聚二甲基硅氧烷 8-15份
乙烯基硅油 2-4份。
本发明的静电保护膜，以静电吸附层远离保护层的一面作为粘附面，既具有较低的自粘性，又具有静电吸附能力，两者结合，从而增大静电保护膜贴合于屏幕上的粘附力，使其粘附力更趋于现有亚克力保护膜的粘附力，而静电吸附层无需涂覆胶粘剂，避免了在剥离静电保护膜时因残胶而残留痕迹的现象发生；保护层与静电吸附层共挤粘合，避免了单独使用静电吸附层而其机械强度较差的缺陷，提高了静电保护膜的整体抗拉伸和抗撕裂性能。在所述静电吸附层中，以低密度聚乙烯为主要原料，使静电吸附层具备较好的柔软性、伸长率、电绝缘性和耐冲击性；将8-15份羟基封端聚二甲基硅氧烷和2-4份乙烯基硅油加入到低密度聚乙烯中，在共挤过程中乙烯基硅油对羟基封端聚二甲基硅氧烷改性使静电吸附层获得较低的自粘性，再结合静电作用，从而增大静电保护膜贴合于屏幕上的粘附力，且能提高静电吸附层的抗拉强度。
优选的，所述乙烯基硅油为端乙烯基聚二甲基硅氧烷和/或端乙烯基聚甲基乙烯基硅氧烷，所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0.45-0.80mol％。
采用上述技术方案，得到的静电吸附层的自粘性适中，且能提高静电吸附层的抗拉强度，避免静电保护膜在撕膜过程中由于其粘附力过大、抗拉强度过低导致膜撕裂并残留于屏幕上。
优选的，所述羟基封端聚二甲基硅氧烷的制备方法包括如下步骤：
(R1)、按重量份取100-150份环状硅氧烷、0.1-1份碱性溶液、10-15份白炭黑、0.5-1份分散剂和1-5份水，备用；
(R2)、向环状硅氧烷中加入碱性溶液，然后在氮气环境保护下搅拌并升温至140-160℃反应50-80min，得到开环硅氧烷；
(R3)、维持温度在130-150℃条件下向步骤(R2)得到的开环硅氧烷中加水和分散剂并搅拌，然后在氮气环境保护下加入白炭黑升温至190-200℃搅拌1-2h，即得所述羟基封端聚二甲基硅氧烷。
采用上述技术方案制得的羟基封端聚二甲基硅氧烷，其耐氧化、电绝缘性和耐潮湿性能好，大大降低了静电保护膜由于贴膜时间较长而氧化降解导致抗撕裂能力降低。步骤(R2)中，在碱性溶液以及140-160℃作用下，环状硅氧烷发生开环聚合，再在步骤(R3)中在130-150℃作用下加水降解，降低聚二甲基硅氧烷的分子量，从而使得静电吸附层加入的羟基封端聚二甲基硅氧烷经共挤后自粘性适中；在步骤(R3)中加入白炭黑起补强作用，提高羟基封端聚二甲基硅氧烷的机械强度，进而提高静电保护膜的抗拉强度和抗撕裂能力。
优选的，所述环状硅氧烷为六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷和十二甲基环六硅氧烷中的至少一种；所述碱性溶液为KOH-水溶液、NaOH-水溶液或氨水，所述碱性溶液的浓度为8-15wt％。
采用上述环状硅氧烷经碱性溶液以及140-160℃作用下发生开环聚合，提高其耐氧化和耐潮湿性能。采用上述碱性溶液作用于环状硅氧烷促进其开环聚合，大大提高其反应速率。
优选的，所述白炭黑的粒径为10-50nm、比表面积为200-300m2/g；所述分散剂由羟基磷酸钙和氯化钙按重量比2：1-3复配而成。
控制白炭黑的粒径为10-50nm、比表面积为200-300m2/g，发挥轻质、高强度、耐腐蚀作用，而且白炭黑的高流动性及细粒径，使静电吸附层的表面更加平滑，避免了静电吸附层的表面出现凹陷或裂痕，增加静电吸附层的韧性，防止静电吸附层脆性断裂。采用上述特定比例的分散剂，避免了白炭黑发生团聚，使静电吸附层的表面更加平滑。
优选的，所述保护层包括如下重量份的原料：
Figure BDA0002353083050000031
本发明的保护层以低密度聚乙烯为主要原料，与静电吸附层的粘度大，共挤过程中免除胶粘层粘合，节省原料，同时使保护层具备较好的柔软性、伸长率、电绝缘性和耐冲击性，加入茂金属线型低密度聚乙烯和环氧树脂，提高保护层的抗拉强度同时提高其耐环境降解性；加入软化剂进一步提高保护层的柔软性，更有利于静电保护膜紧密贴附于曲面上。进一步的，本发明提及的低密度聚乙烯的熔融指数为1.5-2.5g/10min、密度为0.918-0.928g/cm3。本发明提及的熔融指数均在230℃、2.16kg负荷条件下测得。
优选的，所述茂金属线型低密度聚乙烯的熔融指数为0.6-1.0g/10min、密度为0.901-0.924g/cm3。
采用上述技术方案，该茂金属线型低密度聚乙烯具有较高的抗冲击强度、耐撕裂强度和突出的光学性能，与低密度聚乙烯混用大大提高了保护层的耐穿刺性。
优选的，所述软化剂为环烷油、白油、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯、聚乙二醇和聚丁二烯中的至少一种。
更优选的，所述软化剂为邻苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇以重量比1-2:1混合而成，邻苯二甲酸二丁酯为外软化剂，其不与聚合物起化学反应，不成为聚合物链段的一部分；而聚乙二醇为内软化剂，其与低密度聚乙烯和环氧树脂有较好的相容性,软化剂穿插于基体分子间,通过极性部分的相互吸引形成均一稳定的体系；邻苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇复配使用，两者协同作用，获得良好的综合性能，可改善保护层的脆性，增进熔融流动性的物质，增加保护层的韧性、挠曲性、延伸率和耐寒性。
本发明的另一目的通过下述技术方案实现：上述的静电保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(S1)、将各层原料分别加入各层挤出机进行熔融塑化，得到各层熔融物料；
(S2)、步骤(S1)得到的各层熔融物料进入层叠式模头完成共挤，形成膜坯；
(S3)、步骤(S2)形成的膜坯在吹胀比为1：8-10、温度为80-100℃的条件下进行吹膜，再经水冷定型，得到共挤膜；
(S4)、在步骤(S3)得到的共挤膜远离保护层的一面通过电晕机进行单面电晕处理产生静电，形成静电吸附层，经切边、收卷后，即得静电保护膜。
本发明静电保护膜的制备方法操作简单，控制方便，生产效率高，生产成本低，可用于大规模生产。其中，步骤(S1)中，将各层原料分别加入各层挤出机进行熔融塑化以获得各层的熔融物料，便于层与层之间在共挤过程中结合成一体。步骤(S2)中，共挤形成的膜坯呈一体式结构，经步骤(S3)吹膜后形成共挤膜；步骤(S3)中，在吹胀比为1：8-10、温度为80-100℃的条件下进行吹膜，有利于调整共挤膜的厚度，充分的发挥被加工材料的性能，同时又能保持最佳的尺寸精度，使膜的功能得到量化控制。所述步骤(S3)中，水冷定型的水温控制在10-25℃，避免水温过高导致共挤膜出现水纹。所述步骤(S4)中，通过电晕机进行单面电晕处理产生静电，由于静电吸附层有较好的电绝缘性，有效蓄积静电，从而增大静电保护膜贴合于屏幕上的粘附力，使其粘附力更趋于现有亚克力保护膜的粘附力。与现有的复合膜相比，该制备方法没有有机溶剂挥发异味，对工作人员的健康影响更少，制备过程更环保。进一步的，所述步骤(S1)中，所述静电吸附层的加工温度为150-180℃，所述保护层的加工温度为200-220℃。
优选的，所述步骤(S2)中，所述静电吸附层的熔融物料与保护层的熔融物料按重量比1：1-3进入层叠式模头。
采用上述技术方案，充分的发挥被加工材料的性能，同时又能保持最佳的尺寸精度，使膜的功能得到量化控制。
本发明的有益效果在于：本发明的静电保护膜，以静电吸附层远离保护层的一面作为粘附面，既具有较低的自粘性，又具有静电吸附能力，两者结合，从而增大静电保护膜贴合于屏幕上的粘附力，使其粘附力更趋于现有亚克力保护膜的粘附力，而静电吸附层无需涂覆胶粘剂，避免了在剥离静电保护膜时因残胶而残留痕迹的现象发生；保护层与静电吸附层共挤粘合，避免了单独使用静电吸附层而其机械强度较差的缺陷，提高了静电保护膜的整体抗拉伸和抗撕裂性能。
本发明的制备方法操作简单，控制方便，生产效率高，生产成本低，可用于大规模生产。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
实施例1
一种静电保护膜，包括静电吸附层以及与静电吸附层共挤粘合的保护层；所述静电吸附层包括如下重量份的原料：
低密度聚乙烯 60份
羟基封端聚二甲基硅氧烷 12份
乙烯基硅油 3份。
所述乙烯基硅油为端乙烯基聚二甲基硅氧烷，所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0.65mol％。
所述羟基封端聚二甲基硅氧烷的制备方法包括如下步骤：
(R1)、按重量份取120份环状硅氧烷、0.5份碱性溶液、12份白炭黑、0.8份分散剂和3份水，备用；
(R2)、向环状硅氧烷中加入碱性溶液，然后在氮气环境保护下搅拌并升温至150℃反应65min，得到开环硅氧烷；
(R3)、维持温度在140℃条件下向步骤(R2)得到的开环硅氧烷中加水和分散剂并搅拌，然后在氮气环境保护下加入白炭黑升温至195℃搅拌1.5h，即得所述羟基封端聚二甲基硅氧烷。
所述环状硅氧烷为八甲基环四硅氧烷；所述碱性溶液为KOH-水溶液，所述碱性溶液的浓度为10wt％。
所述白炭黑的粒径为30nm、比表面积为250m2/g；所述分散剂由羟基磷酸钙和氯化钙按重量比2：2复配而成。
所述保护层包括如下重量份的原料：
Figure BDA0002353083050000071
本实施例的低密度聚乙烯的熔融指数为2g/10min、密度为0.923g/cm3。
所述茂金属线型低密度聚乙烯的熔融指数为0.8g/10min、密度为0.910g/cm3。
所述软化剂为邻苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇以重量比1.5:1混合而成。
上述的静电保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(S1)、将各层原料分别加入各层挤出机进行熔融塑化，得到各层熔融物料；
(S2)、步骤(S1)得到的各层熔融物料进入层叠式模头完成共挤，形成膜坯；
(S3)、步骤(S2)形成的膜坯在吹胀比为1：9、温度为90℃的条件下进行吹膜，再经18℃水冷定型，得到共挤膜；
(S4)、在步骤(S3)得到的共挤膜远离保护层的一面通过电晕机进行单面电晕处理产生静电，形成静电吸附层，经切边、收卷后，即得静电保护膜。
所述步骤(S1)中，所述静电吸附层的加工温度为165℃，所述保护层的加工温度为210℃。
所述步骤(S2)中，所述静电吸附层的熔融物料与保护层的熔融物料按重量比1：2进入层叠式模头。
实施例2
一种静电保护膜，包括静电吸附层以及与静电吸附层共挤粘合的保护层；所述静电吸附层包括如下重量份的原料：
低密度聚乙烯 50份
羟基封端聚二甲基硅氧烷 8份
乙烯基硅油 2份。
所述乙烯基硅油为端乙烯基聚甲基乙烯基硅氧烷，所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0.45mol％。
所述羟基封端聚二甲基硅氧烷的制备方法包括如下步骤：
(R1)、按重量份取100份环状硅氧烷、0.1份碱性溶液、10份白炭黑、0.5份分散剂和1份水，备用；
(R2)、向环状硅氧烷中加入碱性溶液，然后在氮气环境保护下搅拌并升温至140℃反应50min，得到开环硅氧烷；
(R3)、维持温度在130℃条件下向步骤(R2)得到的开环硅氧烷中加水和分散剂并搅拌，然后在氮气环境保护下加入白炭黑升温至190℃搅拌1h，即得所述羟基封端聚二甲基硅氧烷。
所述环状硅氧烷为六甲基环三硅氧烷；所述碱性溶液为NaOH-水溶液，所述碱性溶液的浓度为8wt％。
所述白炭黑的粒径为10nm、比表面积为200m2/g；所述分散剂由羟基磷酸钙和氯化钙按重量比2：1复配而成。
所述保护层包括如下重量份的原料：
Figure BDA0002353083050000081
本实施例的低密度聚乙烯的熔融指数为1.5g/10min、密度为0.918g/cm3。
所述茂金属线型低密度聚乙烯的熔融指数为0.6g/10min、密度为0.901g/cm3。
所述软化剂为邻苯二甲酸二辛酯。
上述的静电保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(S1)、将各层原料分别加入各层挤出机进行熔融塑化，得到各层熔融物料；
(S2)、步骤(S1)得到的各层熔融物料进入层叠式模头完成共挤，形成膜坯；
(S3)、步骤(S2)形成的膜坯在吹胀比为1：8、温度为80℃的条件下进行吹膜，再经10℃水冷定型，得到共挤膜；
(S4)、在步骤(S3)得到的共挤膜远离保护层的一面通过电晕机进行单面电晕处理产生静电，形成静电吸附层，经切边、收卷后，即得静电保护膜。
所述步骤(S1)中，所述静电吸附层的加工温度为150℃，所述保护层的加工温度为200℃。
所述步骤(S2)中，所述静电吸附层的熔融物料与保护层的熔融物料按重量比1：1进入层叠式模头。
实施例3
一种静电保护膜，包括静电吸附层以及与静电吸附层共挤粘合的保护层；所述静电吸附层包括如下重量份的原料：
低密度聚乙烯 70份
羟基封端聚二甲基硅氧烷 15份
乙烯基硅油 4份。
所述乙烯基硅油为端乙烯基聚二甲基硅氧烷和端乙烯基聚甲基乙烯基硅氧烷按重量比1：1混合而成，所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0.80mol％。
所述羟基封端聚二甲基硅氧烷的制备方法包括如下步骤：
(R1)、按重量份取150份环状硅氧烷、1份碱性溶液、15份白炭黑、1份分散剂和5份水，备用；
(R2)、向环状硅氧烷中加入碱性溶液，然后在氮气环境保护下搅拌并升温至160℃反应80min，得到开环硅氧烷；
(R3)、维持温度在150℃条件下向步骤(R2)得到的开环硅氧烷中加水和分散剂并搅拌，然后在氮气环境保护下加入白炭黑升温至200℃搅拌2h，即得所述羟基封端聚二甲基硅氧烷。
所述环状硅氧烷为六甲基环三硅氧烷和八甲基环四硅氧烷按重量比1：4混合而成；所述碱性溶液为KOH-水溶液，所述碱性溶液的浓度为15wt％。
所述白炭黑的粒径为50nm、比表面积为300m2/g；所述分散剂由羟基磷酸钙和氯化钙按重量比2：3复配而成。
所述保护层包括如下重量份的原料：
Figure BDA0002353083050000101
本实施例的低密度聚乙烯的熔融指数为2.5g/10min、密度为0.928g/cm3。
所述茂金属线型低密度聚乙烯的熔融指数为1.0g/10min、密度为0.924g/cm3。
所述软化剂为邻苯二甲酸二丁酯和聚乙二醇以重量比2:1混合而成。
上述的静电保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(S1)、将各层原料分别加入各层挤出机进行熔融塑化，得到各层熔融物料；
(S2)、步骤(S1)得到的各层熔融物料进入层叠式模头完成共挤，形成膜坯；
(S3)、步骤(S2)形成的膜坯在吹胀比为1：10、温度为100℃的条件下进行吹膜，再经25℃水冷定型，得到共挤膜；
(S4)、在步骤(S3)得到的共挤膜远离保护层的一面通过电晕机进行单面电晕处理产生静电，形成静电吸附层，经切边、收卷后，即得静电保护膜。
所述步骤(S1)中，所述静电吸附层的加工温度为180℃，所述保护层的加工温度为220℃。
所述步骤(S2)中，所述静电吸附层的熔融物料与保护层的熔融物料按重量比1：3进入层叠式模头。
实施例4
一种静电保护膜，包括静电吸附层以及与静电吸附层共挤粘合的保护层；所述静电吸附层包括如下重量份的原料：
低密度聚乙烯 55份
羟基封端聚二甲基硅氧烷 10份
乙烯基硅油 3份。
所述乙烯基硅油为端乙烯基聚二甲基硅氧烷和/或端乙烯基聚甲基乙烯基硅氧烷，所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0.60mol％。
所述羟基封端聚二甲基硅氧烷的制备方法包括如下步骤：
(R1)、按重量份取130份环状硅氧烷、0.8份碱性溶液、12份白炭黑、0.6份分散剂和4份水，备用；
(R2)、向环状硅氧烷中加入碱性溶液，然后在氮气环境保护下搅拌并升温至144℃反应70min，得到开环硅氧烷；
(R3)、维持温度在138℃条件下向步骤(R2)得到的开环硅氧烷中加水和分散剂并搅拌，然后在氮气环境保护下加入白炭黑升温至192℃搅拌1.8h，即得所述羟基封端聚二甲基硅氧烷。
所述环状硅氧烷为十甲基环五硅氧烷；所述碱性溶液为氨水，所述碱性溶液的浓度为14wt％。
所述白炭黑的粒径为40nm、比表面积为220m2/g；所述分散剂由羟基磷酸钙和氯化钙按重量比2：1.5复配而成。
所述保护层包括如下重量份的原料：
Figure BDA0002353083050000121
本实施例的低密度聚乙烯的熔融指数为1.8g/10min、密度为0.920g/cm3。
所述茂金属线型低密度聚乙烯的熔融指数为0.7g/10min、密度为0.908g/cm3。
所述软化剂为环烷油。
上述的静电保护膜的制备方法，包括如下步骤：
(S1)、将各层原料分别加入各层挤出机进行熔融塑化，得到各层熔融物料；
(S2)、步骤(S1)得到的各层熔融物料进入层叠式模头完成共挤，形成膜坯；
(S3)、步骤(S2)形成的膜坯在吹胀比为1：9、温度为88℃的条件下进行吹膜，再经18℃水冷定型，得到共挤膜；
(S4)、在步骤(S3)得到的共挤膜远离保护层的一面通过电晕机进行单面电晕处理产生静电，形成静电吸附层，经切边、收卷后，即得静电保护膜。
所述步骤(S1)中，所述静电吸附层的加工温度为155℃，所述保护层的加工温度为205℃。
所述步骤(S2)中，所述静电吸附层的熔融物料与保护层的熔融物料按重量比1：1.8进入层叠式模头。
对比例1
本对比例与实施例1的区别在于：
所述静电吸附层不含羟基封端聚二甲基硅氧烷和乙烯基硅油。
对比例2
本对比例与实施例1的区别在于：
所述静电吸附层不含乙烯基硅油。
实施例5
取实施例1-4和对比例1-2的静电保护膜，分别测试其剥离强度、断裂伸长率和拉伸强度；
测试结果如下表1所示：
表1
Figure BDA0002353083050000131
由上表1可知，本发明静电保护膜的拉伸强度达到18-19MPa、断裂伸长率达到210-240％、剥离强度达到90-102g/25mm，本发明静电保护膜以静电吸附层远离保护层的一面作为粘附面，既具有较低的自粘性，又具有静电吸附能力，两者结合，从而增大静电保护膜贴合于屏幕上的粘附力，使其粘附力更趋于现有亚克力保护膜的粘附力，而静电吸附层无需涂覆胶粘剂，避免了在剥离静电保护膜时因残胶而残留痕迹的现象发生；保护层与静电吸附层共挤粘合，避免了单独使用静电吸附层而其机械强度较差的缺陷，提高了静电保护膜的整体抗拉伸和抗撕裂性能。
上述实施例为本发明较佳的实现方案，除此之外，本发明还可以其它方式实现，在不脱离本发明构思的前提下任何显而易见的替换均在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种静电保护膜，其特征在于：包括静电吸附层以及与静电吸附层共挤粘合的保护层；所述静电吸附层包括如下重量份的原料：
低密度聚乙烯 50-70份
羟基封端聚二甲基硅氧烷 8-15份
乙烯基硅油 2-4份。
2.根据权利要求1所述的一种静电保护膜，其特征在于：所述乙烯基硅油为端乙烯基聚二甲基硅氧烷和/或端乙烯基聚甲基乙烯基硅氧烷，所述乙烯基硅油的乙烯基含量为0.45-0.80mol％。
3.根据权利要求1所述的一种静电保护膜，其特征在于：所述羟基封端聚二甲基硅氧烷的制备方法包括如下步骤：
(R1)、按重量份取100-150份环状硅氧烷、0.1-1份碱性溶液、10-15份白炭黑、0.5-1份分散剂和1-5份水，备用；
(R2)、向环状硅氧烷中加入碱性溶液，然后在氮气环境保护下搅拌并升温至140-160℃反应50-80min，得到开环硅氧烷；
(R3)、维持温度在130-150℃条件下向步骤(R2)得到的开环硅氧烷中加水和分散剂并搅拌，然后在氮气环境保护下加入白炭黑升温至190-200℃搅拌1-2h，即得所述羟基封端聚二甲基硅氧烷。
4.根据权利要求3所述的一种静电保护膜，其特征在于：所述环状硅氧烷为六甲基环三硅氧烷、八甲基环四硅氧烷、十甲基环五硅氧烷和十二甲基环六硅氧烷中的至少一种；所述碱性溶液为KOH-水溶液、NaOH-水溶液或氨水，所述碱性溶液的浓度为8-15wt％。
5.根据权利要求3所述的一种静电保护膜，其特征在于：所述白炭黑的粒径为10-50nm、比表面积为200-300m2/g；所述分散剂由羟基磷酸钙和氯化钙按重量比2：1-3复配而成。
6.根据权利要求1所述的一种静电保护膜，其特征在于：所述保护层包括如下重量份的原料：
Figure FDA0002353083040000021
7.根据权利要求6所述的一种静电保护膜，其特征在于：所述茂金属线型低密度聚乙烯的熔融指数为0.6-1.0g/10min、密度为0.901-0.924g/cm3。
8.根据权利要求6所述的一种静电保护膜，其特征在于：所述软化剂为环烷油、白油、邻苯二甲酸二丁酯、邻苯二甲酸二辛酯、聚乙二醇和聚丁二烯中的至少一种。
9.一种如权利要求1-8任意一项所述的静电保护膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
(S1)、将各层原料分别加入各层挤出机进行熔融塑化，得到各层熔融物料；
(S2)、步骤(S1)得到的各层熔融物料进入层叠式模头完成共挤，形成膜坯；
(S3)、步骤(S2)形成的膜坯在吹胀比为1：8-10、温度为80-100℃的条件下进行吹膜，再经水冷定型，得到共挤膜；
(S4)、在步骤(S3)得到的共挤膜远离保护层的一面通过电晕机进行单面电晕处理产生静电，形成静电吸附层，经切边、收卷后，即得静电保护膜。
10.根据权利要求9所述的一种静电保护膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(S2)中，所述静电吸附层的熔融物料与保护层的熔融物料按重量比1：1-3进入层叠式模头。
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