CN111070318B - 一种超小尺寸双面胶裁切方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种超小尺寸双面胶裁切方法，属于双面胶裁切技术领域。该方法包括以下步骤：S1.圆刀将离型膜的产品区域镂空，在离型膜的下面复上低粘膜，离型面复上双面胶和盖膜；S2.采用圆刀将产品区X方向的废料切掉，低粘膜出刀下排孔废和胶废，在离型膜下复上高粘膜，更换新的盖膜；S3.采用雕刻模进行套切，所有刀线半切到高粘膜，高粘膜下排孔和边废，排掉胶的外框废料和盖膜废料，得最终产品。本发明采用先将产品区域的料带镂空，然后将产品外形分两步切出，可以确保产品排废不移位、不掉片，料带无刀印，有效解决了产品反离型现象；做出的产品精度高，也大大提高了生产良率，降低不良，适合大批量生产。

Description

一种超小尺寸双面胶裁切方法

技术领域

本发明涉及双面胶裁切技术领域，特别涉及一种超小尺寸双面胶裁切方法。

背景技术

双面胶一般由PET双面涂布丙希酸胶制成，具有良好尺寸稳定性、热稳定性、化学稳定性，初粘性和持粘性好，易模切加工，对塑胶、橡胶、铭牌均有良好的粘性；能适用于更宽的温度范围和恶劣环境；长期耐温100～120℃，短期耐温可达140～200℃。因此被广泛应用于手机、PAD、液晶电视等电子产品中，但双面胶的胶水具有流动性，加工过程中产品易产生掉片、溢胶、回粘、移位、反离型等不良现象，给模切生产造成很大困扰。类似产品的传统技术一般采用圆刀直接切外形的加工工艺进行生产。

由于电子产品中使用的双面胶很小，直接切出产品外形后，排废时产品很容易掉片、移位，有压印，料带上有刀印，产品组装后，也很容易造成产品反离型。这种工艺生产的产品良率低，不适合大批量生产。

发明内容

本发明提供了一种超小尺寸双面胶裁切方法，能够解决上述现有技术问题中的一种或几种。

根据本发明的一个方面，提供了一种超小尺寸双面胶裁切方法，包括以下步骤：

S1.圆刀镂空：采用圆刀将离型膜的产品区域镂空，之后在离型膜的非离型面复上第二低粘膜，在离型膜的离型面复上双面胶和盖膜；

S2.圆刀套切：采用圆刀对步骤S1中所得离型膜进行套切，将产品区X方向的废料切掉，排去第二低粘膜，再在离型膜的下面复上保护膜，在保护膜的下面复上高粘膜，更换新的盖膜；

S3.雕刻模套切：采用雕刻模对步骤S2所得离型膜进行套切，所有刀线半切到高粘膜，高粘膜下排孔废和边废，排掉胶的外框废料和盖膜废料，得终产品。

采用本方法的有益效果是，采用先将离型膜产品区域的料带镂空，然后再在离型膜上复上双面胶材料，在离型膜的镂空区域对产品进行裁切，并且产品外形的裁切分两步进行，可以确保产品排废不移位、不掉片，做出的料带无刀印，有效解决了产品反离型现象；做出的产品精度高，也大大提高了生产良率，降低不良，适合大批量生产。步骤S3中X方向为物料传送的方向。雕刻模套切时，刀线半切到高粘膜，被裁切后得到的产品与高粘膜之间复有保护膜，而雕刻过程中产生的废料以及边废等均与离型膜、保护膜等的产品区相脱离，与高粘膜连接在一起，排去高粘膜，雕刻废料以及边料将随高粘膜同步被排出，排废更加彻底，保证产品良率。

在一些实施方式中，步骤S1中，在圆刀镂空前离型膜的非离型面复有第一低粘膜，圆刀镂空时，第一低粘膜出刀下排废料。其有益效果是，复上第一低粘膜，可以防止离型膜在裁切过程中变形，保证裁切面整齐，并且排废彻底，可以保证产品质量。

在一些实施方式中，步骤S1中，镂空时，在离型膜的非产品区进行定位标记。由此，可以为第二步进行圆刀套切提供裁切基准，保证套切位点准确，提高产品的生产良率。

在一些实施方式中，步骤S1中，镂空时，在离型膜的非产品区进行半十字定位标记；步骤S2中，圆刀套切采用半十字对位的方式进行套切定位。由此，步骤S1与步骤S2采用半十字对位的方式进行定位，半十字对位的方式在模切和套切工艺中技术纯熟，可以提高裁切精准度，降低不良。

在一些实施方式中，步骤S2中，圆刀套切时，第二低粘膜出刀下排孔废和胶废。由此，排废彻底，并且裁切面整齐，可以保证产品质量。

在一些实施方式中，步骤S2中，圆刀套切时在离型膜的非产品区进行定位标记。由此，可以为第三步进行雕刻模套切提供裁切基准，保证套切位点准确，提高产品的生产良率。

在一些实施方式中，步骤S2中，圆刀套切时在离型膜的非产品区进行小孔定位标记；步骤S3中，雕刻模设有定位柱，定位柱能与步骤S2所得小孔定位标记相配合。由此，采用定位柱与步骤S2中的小孔定位标记进行对位，可以保证套切位点的准确性，降低产品不良。另外，小孔定位标记可以与步骤S1中的半十字定位标记区别开来，防止出现定位偏差。

在一些实施方式中，离型膜下面复上的保护膜为硅胶材质。由此，可以保证在裁切时硅胶保护膜上没有刀印，可以防止双面胶材料流动变形，保持产品形状良好，提高产品质量。

附图说明

图1为本发明一实施方式的圆刀镂空的产品示意图；

图2为本发明一实施方式的圆刀套切产品示意图；

图3为本发明一实施方式的产品示意图；

图4为图3所示产品的层次示意图；

图5为图3所示产品的裁切时使用的圆刀示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。

图1～图4示意性地显示了根据本发明的一种实施方式的超小尺寸双面胶裁切方法，包括以下步骤：

S1.圆刀镂空：首先在离型膜1的非离型面上复上第一低粘膜，采用圆刀将产品区域的离型膜1切断镂空，第一低粘膜出刀下排废料。

裁切的同时，在离型膜1的非产品区做半十字定位标记11，可以方便后续加工过程中的定位裁切，防止发生偏移，保证裁切位点准确。圆刀镂空时，直接切透离型膜1以及第一低粘膜，圆刀切透第一低粘膜时，废料从切口排出，一步完成裁切与排废两道工序，节省加工时间，简化工艺流程，减低时间成本。裁切前在离型膜1上复上第一低粘膜，可以保证圆刀裁切的切口整齐，防止离型膜1变形。

镂空完成之后，排掉被镂空的第一低粘膜，并在离型膜1的非离型面复上第二低粘膜，第二低粘膜为完整的料带，可以保证在离型膜1的离型面复上双面胶材料，然后在双面胶材料上复上盖膜，待圆刀套切。

圆刀镂空切出的产品示意图如图1所示，离型膜1的下面复有第二低粘膜，在离型膜1的非产品区设有半十字定位标记11，离型膜1的产品区被圆刀镂空为多个排布均匀的长条状的圆角矩形。

S2.圆刀套切：以步骤S1中的半十字定位标记11作为定位基准，对料带进行圆刀十字对位套切，将产品传送的X方向的废料切掉，第二低粘膜出刀下排孔废和胶废。

圆刀套切时，圆刀的刀锋直接切透位于料带最底层的第二低粘膜，废料在裁切的过程中与料带分离，完成物料传送的X方向的废料排出。

在圆刀套切的同时，在离型膜1的非产品区做小孔定位标记21，可以方便后续加过程中的定位，防止前后两步中裁切位置发生较大的偏移，保证裁切的精准度，提高产品质量。

圆刀套切的产品示意图如图2所示。在离型膜1的非产品区，有小孔定位标记21，方便步骤S3中进行定位模切。圆刀套切时，圆刀的刀锋在S1中离型膜1的镂空区域对双面胶材料进行裁切，将双面胶材料裁切为符合加工需求的形状和尺寸。本实施例中，通过套切将双面胶材料裁切为两种超小尺寸的圆角矩形。套切前，在S1中复合的盖膜上预先设置顶针，顶针与圆刀套切的位点相对应，并且顶针靠近胶棒的位置尺寸稍大，可以保证套切过程中的排废效果。圆刀套切时，刀锋直接切透第二低粘膜，废料从第二低粘膜的切口处排出，在顶针的配合作用下，排废效果好，可以防止掉片，保证产品品质。

排去第二低粘膜，再在离型膜1的非离型面复上低粘的硅胶保护膜5，在保护膜5的下面复上高粘膜，高粘膜的胶面朝上，与保护膜5相贴合。更换新的盖膜，待雕刻模套切。

S3.雕刻模套切：雕刻模上设有定位柱3，定位柱3可以与S2中料带非产品区的小孔定位标签相配合。以步骤S2中的小孔定位标记21作为定位基准，采用A级雕刻模对步骤S2所得离型膜1进行套切，所有刀线半切到高粘膜，高粘膜不被切透。经过裁切后，高粘膜下排孔和边废。所得产品与高粘膜之间复有保护膜，而雕刻模套切过程中产生的雕刻废料已经与硅胶保护膜脱离，仅仅底部与高粘膜相连。由于高粘膜的粘性较强，在排出高粘膜时，其上的雕刻废料以及边废等可以被同步排掉。雕刻模套切之后，排掉胶的外框废料和盖膜废料，整个双面胶终产品6都落在硅胶保护膜5上，而且硅胶保护膜5上没有刀印。

雕刻模套切的产品示意图如图3和图4所示。图4显示了产品卷料的层次结构，产品的最底层为硅胶保护膜5，保护膜5的的胶面朝上。保护膜5的上层盖有离型膜1，离型膜1的非离型面与硅胶保护膜5相贴合，离型膜1的离型面上复有按照本方法裁切的超小尺寸双面胶材料的终产品6。产品卷料的一端设置卷芯，并按照图3中箭头示意方向收卷，即可得到超小尺寸的双面胶卷材，方便材料的移动和运输。

本步骤中使用的雕刻模刀模如图5所示，圆刀上下两侧的定位柱3用于与S2中做出的小孔定位标记21相配合，进行定位。圆刀的刀锋均为单刀锋，并且刀锋外直内斜，内角度较大，在对产品进行雕刻裁切时，能够保持切口光滑整齐。

以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明创造构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种超小尺寸双面胶裁切方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.圆刀镂空：采用圆刀将离型膜(1)的产品区域镂空，之后在离型膜(1)的非离型面复上第二低粘膜，在离型膜(1)的离型面复上双面胶和盖膜；

S2.圆刀套切：采用圆刀对步骤S1中所得离型膜(1)进行套切，将产品区X方向的废料切掉，第二低粘膜出刀下排孔废和胶废；排去第二低粘膜，再在离型膜(1)的下面复上保护膜(5)，在保护膜(5)的下面复上高粘膜，更换新的盖膜；

S3.雕刻模套切：采用雕刻模对步骤S2所得离型膜(1)进行套切，所有刀线半切到高粘膜，高粘膜下排孔废和边废，得终产品(6)。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，在圆刀镂空前离型膜(1)的非离型面复有第一低粘膜，圆刀镂空时，第一低粘膜出刀下排废料，镂空完毕后，排掉第一低粘膜。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，镂空时，在离型膜(1)的非产品区进行定位标记。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S1中，镂空时，在离型膜(1)的非产品区进行半十字定位标记(11)；步骤S2中，圆刀套切采用半十字对位的方式进行套切定位。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，圆刀套切时，第二低粘膜出刀下排孔废和胶废。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，圆刀套切时在离型膜(1)的非产品区进行定位标记。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤S2中，圆刀套切时在离型膜(1)的非产品区进行小孔定位标记(21)；步骤S3中，雕刻模设有定位柱(3)，所述定位柱(3)能与步骤S2所得小孔定位标记(21)相配合。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，所述保护膜(5)为硅胶材质。

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