CN111049085A - 集成式vfto测量母线及其母线筒体 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种集成式VFTO测量母线及其母线筒体,所述VFTO测量母线包括母线筒体、设置在母线筒体内的导电杆和用于支撑导电杆的支撑绝缘子,母线筒体上集成有VFTO测量装置,其中,母线筒体用于与GIS/GIL母线对接,且母线筒体内设有支撑绝缘子,支撑绝缘子用于支撑导电杆;VFTO测量装置用于测量母线筒体与导电杆之间的VFTO。本发明的集成式VFTO母线采用集成式结构,安装时可直接与对应的GIS/GIL母线对接,测量时,直接与对应的测量设备连接即可进行测量,操作简单,测量方便。
Description
技术领域
本发明涉及输变电设备领域,尤其涉及一种集成式VFTO测量母线及其母线筒体。
背景技术
GIS设备中的隔离开关、接地开关和断路器在操作时,都会产生幅值较高、陡度很大、频率很高的特快速瞬态过电压(very fast transient overoltage)。因隔离开关操作速度慢且没有灭弧装置,在其分合闸操作过程中会出现多次预击穿,每次预击穿都会伴随着振荡的电磁波,电磁波具有波的各种属性,在传递过程中会出现折反射现象,造成电磁波的叠加,从而引起过电压,所以VFTO的主要来源即可认为是操作隔离开关带来的。VFTO分为内部VFTO、外部VFTO和瞬态外壳过电压(TEV)。这3种类型过电压分别威胁GIS/GIL内部设备、外部连接设备及二次设备的安全。
VFTO的危害主要体为4种形式:(1)VFTO自身的破坏作用。高幅值VFTO会直接对GIS内部绝缘产生破坏作用;(2)VFTO的衍生效应。VFTO经过折反射在GIS外部产生快速暂态过电压FTO、壳体地电位升TEV/TPGR、电磁场暂态过程TEMF。FTO对GIS外绝缘有破坏作用,尽管TEV/TPGR衰减很快,但若不加限制,会产生火花放电,甚至外壳击穿,危及人身安全,TGPR或TEV会引起与GIS相连的控制、保护信号等二次设备的干扰损坏。VFTO过电压发生时通常会包含幅值很大的高频分量,这些瞬间起伏的高频信号会产生强大的外部瞬态电场向外辐射,从而干扰GIS装置连接的控制、保护及自动化等二次设备运行。(3)VFTO的传导耦合效应。该效应主要体现在对二次设备的干扰上。VFTO可以通过电压互感器或电流互感器内部的杂散电容传入与之相连的二次电缆进而进入二次设备。VFTO还可以通过接地网进入二次电缆的屏蔽层,进而感应到二次电缆的芯线,从而影响了GIS控制和保护设备的正常运行。(4)对变压器的危害。当VFTO波窜入变压器后,一方面VFTO的高频振荡可能会再变压器内部激发极高幅值的谐振过电压,另一方面会在变压器绕组上产生极不均匀的匝间电压分布,破坏变压器绕组绝缘,进而导致变压器内部短路,危害变压器的安全运行。
VFTO对设备的危害随着设备额定电压的提高而增大,对于超特高压GIS/GIL变电站,此问题就变得很突出,因为系统额定电压越高,设备的冲击耐受电压与系统额定电压之比就越低,因此特高压VFTO的抑制对保障GIS/GIL设备安全运行有着重大的意义。而VFTO抑制的第一步是对VFTO的准确测量,只有清楚的确定系统各个环节的VFTO数据才能有的放矢,针对性的制定各个位置的VFTO解决措施。
现有技术中对VFTO的测量时,通常在GIS/GIL母线内未充入六氟化硫绝缘气体前,需要在现场将GIL/GIS母线的壳体上开加工一个手孔,并在手孔处设置盖板,将VFTO测量传感器安装在盖板上,同时需要现场调节VFTO测量传感器的分压比,调节完成后需要将VFTO测量传感器通过电缆连接对应的检测设备,整个测量过程需要进行大量现场施工操作,测量较为繁琐。
发明内容
本发明的目的在于提供一种集成式VFTO测量母线的母线筒体,以解决现有技术中测量VFTO时需进行大量现场施工,而导致测量较为繁琐的技术问题;本发明的目的还在于提供一种测量方便的集成式VFTO测量母线。
为实现上述目的,集成式VFTO测量母线的母线筒体的技术方案是:
集成式VFTO测量母线的母线筒体,在其上集成有VFTO测量装置,VFTO测量装置用于测量母线筒体与导电杆之间的VFTO。
有益效果:本发明将母线筒体与相应的VFTO测量装置集成在一体,使用时,可将集成有VFTO测量装置的母线筒体的两端与对应的GIS/GIL母线对接,然后将VFTO测量装置与对应的检测装置通过信号电缆连接,并且分压比已实现调好,无需现场在GIS/GIL母线筒体上开设安装口,并安装相应的VFTO测量装置,减少了现场施工操作,测量更方便;并且,VFTO测量装置始终在母线筒体上,可实时进行检测母线筒体与导电杆之间的VFTO情况,以便采取更有效的措施去抑制VFTO。
进一步地,所述母线筒体上沿其径向凸设有法兰配合筒,法兰配合筒与母线筒体内部空间连通,所述VFTO测量装置包括连接法兰,连接法兰连接在所述法兰配合筒上,以实现VFTO测量装置与母线筒体的集成。
有益效果:通过法兰连接的形式将母线筒体与VFTO测量装置集成在一起,便于安装和拆卸,方便对VFTO测量装置进行检修和维护。
进一步地,所述VFTO测量装置包括测量电极、绝缘层、传感器、屏蔽环;
所述连接法兰导电;
所述测量电极固定在连接法兰的朝向母线筒体的一侧,以使测量电极伸入母线筒体内;
所述绝缘层夹设在连接法兰与测量电极之间;
所述传感器固定在连接法兰的背向母线筒体的一侧,传感器的检测端与测量电极连接;
所述屏蔽环固定连接在连接法兰上,屏蔽环与测量电极处于连接法兰的同一侧且屏蔽环位于远离连接法兰的位置处。
有益效果:在实际使用时,测量电极与导电杆以及两者之间的绝缘气体形成一个高压臂电容,测量电极与连接法兰以及两者之间的绝缘层形成一个低压臂电容,通过电容分压的原理即可测得母线筒体与导电杆之间的VFTO。将传感器、测量电极、屏蔽环、绝缘层均装配在连接法兰上,便于实现集成式结构。
进一步地,所述屏蔽环的外周面与其内侧面交接处设有倒圆角。
有益效果:避免屏蔽环上形成尖端而发生放电的现象。
进一步地,所述屏蔽环与连接法兰之间设有支撑座,支撑座具有内径大于测量电极外径的内孔,以使测量电极伸入支撑座内,屏蔽环、连接法兰和支撑座通过同一紧固件紧固装配。
有益效果:设置支撑座,使屏蔽环在处于其设定位置时能有稳定牢靠的支撑,屏蔽环、支撑座和连接法兰通过同一紧固件紧固装配,装配结构紧凑;另外测量电极伸入支撑座内孔中,也有利于对测量电极进行防护。
进一步地,连接法兰背向测量电极的一侧固定有密封罩,所述传感器设置在密封罩内。
有益效果:将传感器设置在密封罩内,既能保护传感器不受外力的影响,又能保证传感器传输的信号不出现失真的情况。
进一步地,所述密封罩为分体可拆式结构,包括安装套和盖板,盖板可拆连接在安装套的远离连接法兰的端部,传感器安装在安装套的内孔中。
有益效果:屏蔽罩采用分体可拆式结构,可单独对安装套和盖板进行加工,制造方便,同时也便于装配。
进一步地,所述VFTO测量装置还包括信号中转箱,信号中转箱固定在连接法兰的背向母线筒体的一侧,信号中转箱中设有用于与传感器连接的信号电缆,所述信号中转箱用于将传感器测量的信号进行放大转换。
有益效果:通过设置信号中转箱,一方面能将传感器测量的信号放大,使测量结果更准确;另一方面,信号中转箱还能对信号电缆进行防护。
进一步地,所述VFTO测量装置外部套设有密封套,VFTO测量装置通过密封套过盈装配在法兰配合筒内,以实现VFTO测量装置与母线筒体的集成。
有益效果:VFTO测量装置采用过盈配合的方式与母线筒体集成,安装和拆卸均较为方便。
本发明的集成式VFTO测量母线的技术方案是:
集成式VFTO测量母线,包括:
母线筒体;
导电杆,设置在母线筒体内;
支撑绝缘子,设置在母线筒体内,用于支撑所述导电杆;
所述母线筒体上集成有VFTO测量装置,VFTO测量装置用于测量母线筒体与导电杆之间的VFTO。
有益效果:集成式VFTO测量母线的母线筒体上集成有VFTO测量装置,使用时,可将集成有VFTO测量装置的母线筒体的两端与对应的GIS/GIL母线对接,然后将VFTO测量装置与对应的检测装置通过信号电缆连接,并且分压比已实现调好,无需现场在GIS/GIL母线筒体上开设安装口,并安装相应的VFTO测量装置,减少了现场施工操作,测量更方便;并且,VFTO测量装置始终在母线筒体上,可实时进行检测母线筒体与导电杆之间的VFTO情况,以便采取更有效的措施去抑制VFTO。
进一步地,所述母线筒体上沿其径向凸设有法兰配合筒,法兰配合筒与母线筒体内部空间连通,所述VFTO测量装置包括连接法兰,连接法兰连接在所述法兰配合筒上,以实现VFTO测量装置与母线筒体的集成。
有益效果:通过法兰连接的形式将母线筒体与VFTO测量装置集成在一起,便于安装和拆卸,方便对VFTO测量装置进行检修和维护。
进一步地,所述VFTO测量装置包括测量电极、绝缘层、传感器、屏蔽环;
所述连接法兰导电;
所述测量电极固定在连接法兰的朝向母线筒体的一侧,以使测量电极伸入母线筒体内;
所述绝缘层夹设在连接法兰与测量电极之间;
所述传感器固定在连接法兰的背向母线筒体的一侧,传感器的检测端与测量电极连接;
所述屏蔽环固定连接在连接法兰上,屏蔽环与测量电极处于连接法兰的同一侧且屏蔽环位于远离连接法兰的位置处。
有益效果:在实际使用时,测量电极与导电杆以及两者之间的绝缘气体形成一个高压臂电容,测量电极与连接法兰以及两者之间的绝缘层形成一个低压臂电容,通过电容分压的原理即可测得母线筒体与导电杆之间的VFTO。将传感器、测量电极、屏蔽环、绝缘层均装配在连接法兰上,便于实现集成式结构。
进一步地,所述屏蔽环的外周面与其内侧面交接处设有倒圆角。
有益效果:避免屏蔽环上形成尖端而发生放电的现象。
进一步地,所述屏蔽环与连接法兰之间设有支撑座,支撑座具有内径大于测量电极外径的内孔,以使测量电极伸入支撑座内,屏蔽环、连接法兰和支撑座通过同一紧固件紧固装配。
有益效果:设置支撑座,使屏蔽环在处于其设定位置时能有稳定牢靠的支撑,屏蔽环、支撑座和连接法兰通过同一紧固件紧固装配,装配结构紧凑;另外测量电极伸入支撑座内孔中,也有利于对测量电极进行防护。
进一步地,连接法兰背向测量电极的一侧固定有密封罩,所述传感器设置在密封罩内。
有益效果:将传感器设置在密封罩内,既能保护传感器不受外力的影响,又能保证传感器传输的信号不出现失真的情况。
进一步地,所述密封罩为分体可拆式结构,包括安装套和盖板,盖板可拆连接在安装套的远离连接法兰的端部,传感器安装在安装套的内孔中。
有益效果:屏蔽罩采用分体可拆式结构,可单独对安装套和盖板进行加工,制造方便,同时也便于装配。
进一步地,所述VFTO测量装置还包括信号中转箱,信号中转箱固定在连接法兰的背向母线筒体的一侧,信号中转箱中设有用于与传感器连接的信号电缆,所述信号中转箱用于将传感器测量的信号进行放大转换。
有益效果:通过设置信号中转箱,一方面能将传感器测量的信号放大,使测量结果更准确;另一方面,信号中转箱还能对信号电缆进行防护。
进一步地,所述VFTO测量装置外部套设有密封套,VFTO测量装置通过密封套过盈装配在法兰配合筒内,以实现VFTO测量装置与母线筒体的集成。
有益效果:VFTO测量装置采用过盈配合的方式与母线筒体集成,安装和拆卸均较为方便。
附图说明
图1为本发明的集成式VFTO测量母线实施例1的立体结构示意图;
图2为图1的剖视图;
图3为本发明的集成式VFTO测量母线实施例1的VFTO测量装置的结构示意图(显示信号中转箱);
图4为为本发明的集成式VFTO测量母线实施例1的VFTO测量装置的结构示意图(不显示信号中转箱);
图5为图4的A-A剖视图;
图6为图5中连接法兰的结构示意图;
图7为图6的A-A剖视图;
图8为图5中测量电极的结构示意图。
附图标记说明:1-母线筒体,2-VFTO测量装置,3-微粒捕捉器,4-三支柱绝缘子,5-导电杆,6-连接法兰,7-测量电极,8-支撑座,9-过渡法兰,10-屏蔽环,11-倒圆角,12-安装套,13-盖板,14-传感器,15-绝缘垫,16-信号中转箱,17-筒体法兰,18-法兰配合筒,19-把手,20-紧固螺栓,21-垫片,22-电极安装孔,23-电极连接孔,24-法兰盘,25-固定螺栓。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本申请进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请,并不用于限定本申请,即所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
需要说明的是,术语“第一”和“第二”等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
以下结合实施例对本申请的特征和性能作进一步的详细描述。
本发明的集成式VFTO测量母线可用于对1100KV的GIS/GIL的VFTO进行测量。具体实施例1:
如图1图2、图3和图4所示,集成式VFTO测量母线包括母线筒体1和集成在母线筒体1上的VFTO测量装置2,母线筒体1的两端分别设有筒体法兰17,以分别与对应的GIS/GIL母线对接。母线筒体1内设有三支柱绝缘子4,三支柱绝缘子4的三根支柱分别与母线筒体1的筒壁抵接,以用于固定穿设在母线筒体1内的导电杆5。母线筒体1内还设有筒状的微粒捕捉器3。母线筒体1的侧面设有拔口,拔口处固定装配沿母线筒体1的径向延伸的法兰配合筒18,VFTO测量装置2通过其上的连接法兰6与法兰配合筒18对应连接而实现VFTO测量装置与母线筒体1的集成。另外,连接法兰6与法兰配合筒18之间压装有密封圈,以保证VFTO测量装置与母线筒体1的密封,避免绝缘气体漏出。
具体的,连接法兰6的结构如图6和图7所示,包括法兰盘24和把手19,法兰盘能导电,把手19设置在法兰盘24的径向上下两侧且对称布置,方便整个VFTO测量装置的拆卸与安装,法兰盘24的中心设有一通孔。VFTO测量装置包括固定在连接法兰6上的测量电极7,如图5和图8所示,测量电极7的径向上下两侧对应设有阶梯状的电极安装孔22,连接法兰6上设有与电极安装孔22同轴对应的电极连接孔23,电极连接孔23为螺纹盲孔,电极安装孔22为通孔。电极安装孔22处插装有台阶状的绝缘垫15,绝缘垫15上的台阶与电极安装孔22处的阶梯挡止配合。绝缘垫15上设有螺栓穿孔,固定螺栓25穿过绝缘垫15、电极安装孔22后与电极连接孔23螺纹配合。为保证固定螺栓25的紧固性,在固定螺栓25与绝缘垫15之间设有垫片21。
测量电极7设置在连接法兰6的朝向母线筒体1的一侧,以伸入母线筒体1内,并且测量电极7与连接法兰6之间夹设有绝缘层,绝缘层为绝缘薄膜(图中未显示),且具有一定厚度。在实际测量过程中,测量电极7、绝缘层和连接法兰6形成低压臂电容。
连接法兰6背向母线筒体1的一侧通过螺栓装配有密封罩,密封罩为分体可拆式结构,包括安装套12和盖板13,盖板13可拆连接在安装套12的远离连接法兰6的端部,盖板13和连接法兰6将安装套12的内孔两端封闭,安装套12的内孔中装有传感器14。传感器14通过螺栓固定装配在连接法兰6上,与连接法兰6、安装套12和盖板13均同轴。传感器14的检测端穿入法兰盘24中心的通孔中,并与测量电极7连接。传感器14的传送端连接有相应的信号电缆。
连接法兰6朝向母线筒体1的一侧还固定有屏蔽环10,屏蔽环10处于远离连接法兰6的位置处,屏蔽环10的外周面与内侧面交界处设有倒圆角11,避免发生尖端放电。屏蔽环10能够屏蔽传感器14对GIS/GIL设备产生的影响,保证伸入母线筒体1内的测量电极7不会造成设备放电,同时,屏蔽环10也可以保证设备中其它干扰信号不会对测量电极7造成干扰,而使测量结果不准确。由于屏蔽环10与1100KV GIS/GIL的高电位的导电杆5和与低电位的母线筒体1内壁之间的距离是有要求的,为满足这种要求,在屏蔽环10与连接法兰6之间设有支撑座8和过渡法兰9,支撑座8呈筒状结构,测量电极7伸入支撑座8的内孔中,以对测量电极进行保护。沿母线筒体1的径向,由内向外通过同一根紧固螺栓20将屏蔽环10、过渡法兰9、支撑座8和连接法兰6的轴向以上的部分装配在一起,紧固螺栓20的螺柱段同时穿过过渡法兰9、支撑座8而与连接法兰6螺纹连接,紧固螺栓20的螺栓头沉在屏蔽环10上的盲孔中。通过另一个螺栓同时穿过过渡法兰9和屏蔽环10的轴向下部,最终将四者固定装配在一起,使整体结构紧凑,集成化程度高。
VFTO测量装置还包括信号中转箱16,信号中转箱16装配在连接法兰6上,与传感器14的传送端连接的信号电缆便设置在信号中转箱16中。具体可通过在盖板13或者在安装套12上设有电缆穿孔来使信号电缆穿出,但是需要保证信号电缆与电缆穿孔之间的密封性。整个信号中转箱能够将传感器测量的信号进行放大转换,通过相关的数据协议将测得的数据远传至对应的处理平台,运行人员通过处理平台监控的数据可获知GIS/GIL设备中的VFTO情况,从而做出针对性的操作来降低VFTO。当然在其他实施例中,也可以不设置信号中转箱,使用时直接将信号电缆与对应的检测装置连接即可,但防护等级会较低。
VFTO测量装置的测量原理:测量时,母线筒体内充有六氟化硫绝缘气体,连接法兰接地,测量电极、六氟化硫绝缘气体和导电杆之间形成高压臂电容,测量电极、绝缘层和连接法兰之间形成低压臂电容,高压臂电容和低压臂电容串联,通过检测设备测量出低压臂电容两端的电压,根据事先调好的分压比,计算出VFTO。
本发明的集成式VFTO测量母线将母线筒体与VFTO测量装置集成在一起,在现场测量时,无需对GIS/GIL筒体进行开口,然后在安装对应的VFTO测量装置,同时也无需现场调整分压比。整个集成式VFTO母线为一个整体式结构,直接与对应的GIS/GIL母线对接,使用时,只需将信号电缆与对应的检测装置连接,即可进行测量,测量非常方便。
本发明的集成式VFTO测量母线的实施例2:
该实施例与上述实施例1的区别在于,本实施例中,在整个VFTO测量装置的外部套设有密封套,传感器处于密封套内,安装时,通过密封套与法兰配合筒过盈配合来实现VFTO测量装置与母线筒体的集成。
本发明的集成式VFTO测量母线的实施例3:
该实施例与上述实施例1的区别在于,本实施例中,不设置支撑座和过渡法兰,屏蔽环直接通过螺栓和螺母与连接法兰固定连接,但须保证屏蔽环与导电杆和母线筒体之间的距离符合要求。
本发明的集成式VFTO测量母线的实施例4:
该实施例与上述实施例1的区别在于,本实施例中,屏蔽环的外周面与其内侧面交接处不设置倒圆角。
本发明的集成式VFTO测量母线的实施例5:
该实施例与上述实施例1的区别在于,密封罩为一体式结构,整体呈筒状,且筒壁具有一定厚度,通过穿设在筒壁上的螺栓与连接法兰固定装配。
本发明的集成式VFTO测量母线的实施例6:
该实施例与上述实施例1的区别在于,该实施例中,连接法兰仅具有法兰盘,而不在法兰盘上设置把手。
本发明的集成式VFTO测量母线的母线筒体的具体实施例:
集成式VFTO测量母线的母线筒体与上述集成式VFTO测量母线的实施例中母线筒体的结构相同,在此不再赘述。
Claims (10)
1.集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,所述母线筒体上集成有VFTO测量装置,VFTO测量装置用于测量母线筒体与导电杆之间的VFTO。
2.根据权利要求1所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,所述母线筒体上沿其径向凸设有法兰配合筒,法兰配合筒与母线筒体内部空间连通,所述VFTO测量装置包括连接法兰,连接法兰连接在所述法兰配合筒上,以实现VFTO测量装置与母线筒体的集成。
3.根据权利要求2所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,所述VFTO测量装置包括测量电极、绝缘层、传感器、屏蔽环;
所述连接法兰导电;
所述测量电极固定在连接法兰的朝向母线筒体的一侧,以使测量电极伸入母线筒体内;
所述绝缘层夹设在连接法兰与测量电极之间;
所述传感器固定在连接法兰的背向母线筒体的一侧,传感器的检测端与测量电极连接;
所述屏蔽环固定连接在连接法兰上,屏蔽环与测量电极处于连接法兰的同一侧且屏蔽环位于远离连接法兰的位置处。
4.根据权利要求3所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,所述屏蔽环的外周面与其内侧面交接处设有倒圆角。
5.根据权利要求3或4所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,所述屏蔽环与连接法兰之间设有支撑座,支撑座具有内径大于测量电极外径的内孔,以使测量电极伸入支撑座内,屏蔽环、连接法兰和支撑座通过同一紧固件紧固装配。
6.根据权利要求3或4所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,连接法兰背向测量电极的一侧固定有密封罩,所述传感器设置在密封罩内。
7.根据权利要求6所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,所述密封罩为分体可拆式结构,包括安装套和盖板,盖板可拆连接在安装套的远离连接法兰的端部,传感器安装在安装套的内孔中。
8.根据权利要求3或4所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,所述VFTO测量装置还包括信号中转箱,信号中转箱固定在连接法兰的背向母线筒体的一侧,信号中转箱中设有用于与传感器连接的信号电缆,所述信号中转箱用于将传感器测量的信号进行放大转换。
9.根据权利要求3或4所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体,其特征在于,所述VFTO测量装置外部套设有密封套,VFTO测量装置通过密封套过盈装配在法兰配合筒内,以实现VFTO测量装置与母线筒体的集成。
10.集成式VFTO测量母线,包括:
母线筒体;
导电杆,设置在母线筒体内;
支撑绝缘子,设置在母线筒体内,用于支撑所述导电杆;
其特征在于,所述母线筒体为权利要求1-9任意一项所述的集成式VFTO测量母线的母线筒体。
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