CN111020511A - 一种薄膜台阶的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种薄膜台阶的制备方法，属于光学薄膜领域，包括:在基底上划出具有一定厚度的痕迹；在所述基底上沉积一层薄膜得到镀有薄膜的基底，所述薄膜的厚度小于痕迹的厚度；去除基底上的痕迹，得到有台阶的薄膜。该方法克服了传统银膜台阶制作方法固有的台阶界面不清晰、有褶皱等缺陷。采用本发明的制作方法，能够得到界限清晰的薄膜台阶，为后续薄膜台阶的测量提供了便利。与传统台阶制作方法相比，该方法工艺简单，容易控制。

Description

一种薄膜台阶的制备方法
技术领域
本发明涉及光学薄膜领域，具体而言，涉及一种薄膜台阶的制备方法。
背景技术
在光学薄膜领域，薄膜厚度是最重要的测量参数之一。确定了薄膜厚度，就可以对薄膜沉积速率进行定标，就可以根据光谱曲线对光学常数进行精确的反演。薄膜厚度的表征方法主要有光谱法和台阶法。台阶法是一种直观的测量方法，就是在光学基底上制作一个台阶，用光学轮廓仪(非接触式)或者探针轮廓仪(接触式)测量该台阶，进而确定台阶即薄膜的厚度。使用台阶法测量膜厚，台阶的制作是一个关键步骤，台阶制作的优劣直接决定了薄膜厚度测量的准确性。现在普遍采用的方法是：先在基底上沉积一层银膜，用双面胶将部分银膜去掉；然后在整个基片上镀膜；最后将有银膜部分的薄膜用双面胶去掉。这样就留下了只有薄膜的台阶。
这种银膜台阶制作方法利用了银膜牢固性差的特点。用这种方法制作台阶时，常常出现银膜去除不净，界面有褶皱，有凸起，制作的台阶质量通常较差，给后续的测量带来很大的误差。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供可以获得台阶界面清晰、表面平整的一种薄膜台阶的制备方法。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：
一种薄膜台阶的制备方法，包括:
在基底上划出具有一定厚度的痕迹；
在所述基底上沉积一层薄膜得到镀有薄膜的基底，所述薄膜的厚度小于痕迹的厚度；
去除基底上的痕迹，得到有台阶的薄膜。
在其中一个实施例中，在基底上划出具有一定厚度的痕迹之前还包括：将基底置于高纯水和酒精中分别超声，再吹干。
在其中一个实施例中，超声的频率为40kHz-270kHz，超声时间为10分钟-20分钟，采用氮气吹干。
在其中一个实施例中，所述基底为熔石英基底或硅片基底，采用记号笔划出具有一定厚度的痕迹。
在其中一个实施例中，所述去除基底上的痕迹为：将基底用酒精或丙酮或石油醚溶液超声清洗，待记号笔划出的痕迹消失后，将基底取出。
在其中一个实施例中，所述薄膜为SiC或Si或B4C或BN薄膜。
在其中一个实施例中，采用磁控溅射在所述基底上沉积一层薄膜。
在其中一个实施例中，所述痕迹的宽度为：5-25mm，所述痕迹的厚度为：10-100nm。
本发明的有益效果是：相对于现有技术，本发明在沉积薄膜前在基底上划出痕迹，该痕迹在后续的过程中可以去除，且由于痕迹具有一定的宽度和厚度，在去除的痕迹的过程中，直接形成了台阶，该方法克服了传统银膜台阶制作方法固有的台阶界面不清晰、有褶皱等缺陷。采用本发明的制作方法，能够得到界限清晰的薄膜台阶，为后续薄膜台阶的测量提供了便利。与传统台阶制作方法相比，该方法工艺简单，容易控制。
附图说明
图1是一实施方式的薄膜台阶制作工艺示意图；
图2是实施例1制备的45nm SiC薄膜台阶；
图3为图2中的45nm SiC薄膜台阶的轮廓仪测试图；
图4为图2中的45nm SiC薄膜台阶的轮廓仪测试结果图。
具体实施方式
下面将结合实施例对本发明的实施方案进行详细描述，但是本领域技术人员将会理解，下列实施例仅用于说明本发明，而不应视为限制本发明的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行。
一种薄膜台阶的制备方法，包括:
S110、在基底上划出具有一定厚度的痕迹；
具体地，在一实施方式中，基底为熔石英基底，采用记号笔划出具有一定厚度的痕迹。
具体地，在一实施方式中，在基底上划出具有一定厚度的痕迹之前还包括：将基底置于高纯水和酒精中分别超声，再吹干。具体地，在本实施方式中，40kHz-270kHz，超声时间为10分钟-20分钟，采用氮气吹干。
S120、在所述基底上沉积一层薄膜得到镀有薄膜的基底，所述薄膜的厚度小于痕迹的厚度；
具体地，在本实施例中，薄膜为SiC薄膜。采用磁控溅射在所述基底上沉积一层SiC薄膜。当然，在其他实施例中，沉积的薄膜也可以为其他材料，如Si或B4C或BN薄膜等。沉积的方式也可以根据沉积的材料进行选择。在一实施方式中，痕迹的宽度和厚度可以根据所需台阶的宽度和厚度进行选择，总体要求是沉积的薄膜的厚度要小于痕迹的厚度，这样在后续的处理过程中，可以通过去除痕迹得到具有台阶的薄膜。具体地，在本实施例中，痕迹的宽度为：5-25mm，痕迹的厚度为：10-100nm。
S130、去除基底上的痕迹，得到有台阶的薄膜。
在具体地，在一实施方式中，将基底用酒精或丙酮或石油醚溶液超声清洗，待记号笔划出的痕迹消失后，将基底取出。
实施例1：
请参阅图1-4，一实施方式的薄膜台阶的制备方法包括以下步骤：
(1)将熔石英用高纯水和酒精分别超声10分钟，超声频率40kHz，
用氮气吹干；
(2)在熔石英基底上，用记号笔划一道痕迹；
(3)将基片放入镀膜机内，沉积一层45nm SiC薄膜；
(4)将镀膜后的基片用酒精溶液超声清洗，待记号笔的划痕消失后，将基片取出。这样就得到了薄膜台阶。
根据上述结果可知，根据本申请提供的薄膜台阶的制备方法得到的薄膜台阶界限清晰的薄膜台阶，为后续薄膜台阶的测量提供了便利。与传统台阶制作方法相比，该方法工艺简单，容易控制。
以上仅为本发明的实施方式，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (8)

1.一种薄膜台阶的制备方法，其特征在于，包括:
在基底上划出具有一定厚度的痕迹；
在所述基底上沉积一层薄膜得到镀有薄膜的基底，所述薄膜的厚度小于痕迹的厚度；
去除基底上的痕迹，得到有台阶的薄膜。
2.根据权利要求1所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，在基底上划出具有一定厚度的痕迹之前还包括：将基底置于高纯水和酒精中分别超声，再吹干。
3.根据权利要求2所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，超声的频率为40kHz-270kHz，超声时间为10分钟-20分钟，采用氮气吹干。
4.根据权利要求1所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，所述基底为熔石英基底或硅片基底，采用记号笔划出具有一定厚度的痕迹。
5.根据权利要求4所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，所述去除基底上的痕迹为：将基底用酒精或丙酮或石油醚溶液超声清洗，待记号笔划出的痕迹消失后，将基底取出。
6.根据权利要求1所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，所述薄膜为SiC或Si或B4C或BN薄膜。
7.根据权利要求6所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射在所述基底上沉积一层薄膜。
8.根据权利要求1-7任意一项所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，所述痕迹的宽度为：5-25mm，所述痕迹的厚度为：10-100nm。
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