CN110948975B - 离型膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种离型膜,其包括依次设置的上层、中间层和下层,所述中间层包括多个均匀分布的泡孔,所述泡孔的孔径为50nm‑150nm,所述离型膜在大于等于180摄氏度下的热压机中翘曲值小于等于13毫米。本发明还提供了一种离型膜的制备方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种薄膜材料领域,特别是涉及一种离型膜及其制备方法。
背景技术
离型膜被广泛用于户外用具、电子封装、白色家电等各种领域,尤其在电子工业上被用作保护膜,大量地使用在柔性线路板(FPC)等领域。
然而,离型膜在使用过程中,因自身容易卷曲和褶皱等缺陷,会导致不可逆地损坏FPC板。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种不易卷曲、褶皱的离型膜。
一种离型膜,所述离型膜包括依次设置的上层、中间层和下层,所述中间层包括多个均匀分布的泡孔,所述泡孔的孔径为50nm-150nm,所述离型膜在大于等于180摄氏度下的热压机中翘曲值小于等于13毫米。
与现有技术相比,本发明所述离型膜中分布有特定孔径的泡孔,因而在大于等于180摄氏度下的热压机中,所述离型膜的翘曲值小于等于13毫米,因而,所述离型膜不易卷曲以及褶皱,在应用至FPC板后,不易损坏FPC板,并且得到的FPC板也没有褶皱现象。另外,所述泡孔的存在可大大提高所述离型膜的绝热性能。
进一步地,所述中间层包括多个纳米粒子,所述纳米粒子的粒径为10nm-500nm。因而,所述离型膜经过拉伸后,在所述纳米粒子的周围会形成特定孔径的泡孔,从而赋予所述离型膜不易卷曲性能。
进一步的,所述中间层还包括TPX原料、TPX回收料,所述纳米粒子均匀分布在所述TPX原料、TPX回收料中,其中所述TPX原料、所述TPX回收料与所述纳米粒子的质量比为100:(20-140):(1-50)。所述中间层可利用废弃的TPX回收料,所述纳米粒子的引入,可起到较好的支撑作用,提升所述离型膜的拉伸强度等力学性能。此外,还可大大节约成本。
进一步地,所述纳米粒子的粒径为30nm-300nm。在此纳米粒子粒径范围内,中间层所形成泡孔的孔径呈正态分布,其孔径的大小基本一致,孔径的极差数值在50nm以内,因而可大大提升TPX离型膜不易卷曲的性能。
进一步地,所述纳米粒子包括碳酸盐、硫酸盐、氧化物、金属、生物质中的至少一种。
进一步地,所述碳酸盐包括碳酸钙、碳酸镁中的至少一种,所述硫酸盐包括硫酸钡、硫酸钙中的至少一种,所述氧化物包括二氧化硅、二氧化钛中的至少一种,所述金属包括纳米金、纳米银中的至少一种,所述生物质包括甲壳素纳米晶、纤维素纳米晶中的至少一种。
进一步地,所述上层或者下层的表面包括经过电晕处理的纹路层。当所述上层及下层的表面的纹路层,经过电晕处理后,纹路层中的相邻的微结构会形成贯穿的路径,空气容易在相邻的微结构之间穿行,因而,大大提升了所述离型膜的离型性。
进一步地,所述纹路层的深度为20nm-200nm。
进一步地,所述离型膜的表面张力为24mN/m-40mN/m。在该表面张力范围内,所述离型膜可兼具较好的离型性和附着力,以便于进一步的应用。
本发明还提供一种离型膜的制备方法,其包括以下步骤:
形成基膜;
拉伸所述基膜形成包括依次设置的上层、中间层和下层的离型膜,其中所述中间层包括多个均匀分布的泡孔,所述泡孔的孔径为50nm-150nm,所述离型膜在大于等于180摄氏度下的热压机中翘曲值小于等于13毫米。
附图说明
图1为本发明实施例1的离型膜中的中间层的截面的扫描电镜图;
图2为本发明实施例1提供的离型膜在热压机中的照片;
图3为本发明对比例1提供的离型膜在热压机中的照片;
图4为本发明经过实施例1提供的离型膜压合后FPC板的照片;
图5为本发明经过对比例1提供的离型膜压合后FPC板的照片。
具体实施方式
下面将对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施方式仅仅是本发明一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本发明中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施方式,都属于本发明保护的范围。
本发明提供一种离型膜,所述离型膜包括依次设置的上层、中间层和下层,所述中间层包括多个均匀分布的泡孔。所述泡孔的孔径为50nm-150nm。所述离型膜在大于等于180摄氏度下的热压机中翘曲值小于等于13毫米。该翘曲值的测试方法可为:将离型膜置于大于等于180摄氏度下的热压机中,一分钟之后,测量离型膜的边缘高出原水平面的高度,即为翘曲值。
当所述离型膜的中间层分布有均匀的泡孔时,所述离型膜不容易卷曲,此时,需要强调的是,所述泡孔的形成位置为中间层,而并非上层或下层。
形成所述离型膜的泡孔的原理为:在中间层的原料配方中增加不相容的物质,在拉伸过程中,在所述不相容的物质的周围会形成泡孔。该不相容的物质为与所述离型膜的基材不相容的纳米粒子,比如:无机纳米粒子、生物质纳米粒子。
所述纳米粒子除了可作为不相容物质,在拉伸基膜的过程中,在其周围形成泡孔之外,还可因其自身具有补强剂的作用,而可赋予所述离型膜良好的拉伸强度等力学性能。
所述泡孔的粒径与所述纳米粒子的粒径有关。所述纳米粒子的粒径为10nm-500nm,在此粒径范围内,经过加工后离型膜中间层的泡孔孔径为50nm-150nm。优选的,所述纳米粒子的粒径为30nm-300nm,此时更有利于所述泡孔的孔径范围呈正态分布,所述泡孔的直径为70nm-120nm,并且所述泡孔的孔径极差值在50nm以内。更优选的,所述纳米粒子的粒径为60nm-100nm,此时所述泡孔的粒径为80nm-100nm。
从拉伸工艺上考虑,通过多层共挤流延方法形成基膜后,再进行拉伸。此时基于仅中间的原料中包括不相容粒子(比如无机纳米粒子),因而可仅在中间层形成泡孔。在中间层形成泡孔,而不在上层、下层形成泡孔的目的在于:上下层作为中间层的保护层,另外,也利于在上层、下层的表面形成纹路层。
所述无机纳米粒子包括碳酸盐、硫酸盐、氧化物、金属中的至少一种。举例来说,所述碳酸盐包括碳酸钙、碳酸镁中的至少一种,所述硫酸盐包括硫酸钡、硫酸钙中的至少一种,所述氧化物包括二氧化硅、二氧化钛中的至少一种。所述金属包括纳米金、纳米银中的至少一种。另外,所述生物质纳米粒子包括甲壳素纳米晶、纤维素纳米晶中的至少一种。优选的,所述无机纳米粒子为二氧化钛、二氧化硅、碳酸钙中的至少一种。
所述离型膜的材料不做限定。所述离型膜也可称为TPX(全称为聚-4-甲基戊烯)离型膜。
在某一些实施例中,除了TPX原料,所述中间层还可包括TPX回收料。如此做的原因为:基于TPX回收料的在二次加工中力学性能下降,导致TPX回收料再利用率降低。本申请中,所述中间层之所以可采用TPX回收料的原因是:所述纳米粒子的存在,可补偿甚至提升其拉伸强度等力学性能。所述纳米粒子均匀分布在所述TPX原料、TPX回收料中。其中所述TPX原料、所述TPX回收料与所述纳米粒子的质量比为100:(20-140):(1-50)。优选的,所述TPX原料、所述TPX回收料与所述纳米粒子的质量比为10:(6-14):(2-5)。更优选的,所述TPX原料、所述TPX回收料与所述纳米粒子的质量比为10:(6-14):(2-3)。
所述TPX回收料中除了TPX之外,还可包括PE(聚乙烯)、PP(聚丙烯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、OPP(拉伸性的聚丙烯)等回收的材料。
所述上层、下层中的至少一个表面可包括纹路层。所述纹路层的存在可提高所述离型膜的离型性。在某些实施例中,所述上层或者下层的表面可包括经过电晕处理的纹路层。即在形成纹路层之后,再经过电晕处理。电晕处理的目的在于:电晕之前,纹路层包括多个微结构,相邻的微结构之间并未贯通,即空气在纹路层内无法形成一贯穿的回路;而经过电晕处理,放电设备和膜面之间的空气瞬间产生大量的低温等离子体,低温等离子体会随着电击渗透进入微结构的内部,破坏内部的分子结构。高压放电将空气中部分O2电离成O3等强氧化剂将微结构的表面氧化,侵蚀微结构表面,使得相邻的微结构之间相互贯通,此时空气可随意在各回路中流动,因此,所述离型膜的离型性大大增加。另外,微结构更为凹凸不平,进一步增加离型膜表面附着力。优选的,所述离型膜的表面张力为24mN/m-40mN/m,此时,在该表面张力范围内的离型膜,能兼顾使用过程中的离型性和附着力。
所述纹路层的深度不做限定,优选的,所述纹路层的深度为20nm-200nm,此时得到的离型膜的填充性、离型性较好。更优选的,所述纹路层的深度为50nm-100nm。
本发明还提供一种所述离型膜的制备方法,其包括以下步骤:
S1,形成基膜;
S2,拉伸所述基膜形成包括依次设置的上层、中间层和下层的离型膜,其中所述中间层包括多个均匀分布的泡孔,所述泡孔的孔径为50nm-150nm,所述离型膜在大于等于180摄氏度下的热压机中翘曲值小于等于13毫米。
在步骤S1中,可通过多层共挤流延方法形成基膜。所述基膜为ABA结构,即中间的芯层与上下两层的材料不同。多层共挤流延方法可采用T型口模。当采用TPX回收料时,为了便于中间芯层各成分混合均匀、较低的粘度及良好的流动性,所述T型口模的挤出温度优选为220℃-270℃。
在步骤S2中,所述拉伸的过程中,通过控制拉伸倍率可促使在所述不相容粒子(如纳米粒子)的周围形成均匀且大小合适的泡孔。所述拉伸倍率为1-4。优选的,所述拉伸倍率为1-3。
在步骤S3之后,还包括一对所述离型膜的上下表面形成纹路层以及对所述纹路层进行电晕处理的步骤。形成纹路层为常规的方法,在此不再赘述。而电晕处理的过程如下:将离型膜经过导辊的牵引进入到第一、第二绝缘子区域之间,在此区域对放电电极施加20-40kHz高频高压电,使电极放电,冲击离型膜表面使其粗糙化,同时也会将空气中的O2电离成O3氧化剂使薄膜的表面氧化。选择25kHz-40kHz高频高压电的理由为:如果高频高压电过低则电晕放电过程中,电晕放电的连续性不佳,若高频高压电过高,则薄膜在电晕的过程中产生的热量,对薄膜的平整度有负面影响,同时使薄膜的表面张力会过大,降低离型膜的离型性。以下各实施例中,电晕处理的高频高压电参数选择均为25kHz-40kHz范围。所述离型膜的制备方法简单,工序少,得到的离型膜的离型性优异,产品性能稳定。
以下将通过各实施例来说明本发明所述离型膜以及离型膜的制备方法。
实施例1
将1000g TPX原料加入到挤出机的腔体中。将200gTPX回收料,100g粒径为30nm的碳酸钙纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从230℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为4倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为20nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
请参阅图1,所述离型膜的中间层的孔径为50nm-150nm。
经过测试,所述离型膜的表面张力为25mN/m。
实施例2
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将600g TPX回收料,300g粒径为60nm的二氧化钛纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从260℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为1.5倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为50nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为27mN/m。
实施例3
将1000g TPX原料加入到挤出机的腔体中。将1000g TPX回收料,500g粒径为90nm的二氧化硅纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从240℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为3.5倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为80nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为35mN/m。
实施例4:
将1000g TPX加入到挤出机的腔体中。将1300g TPX回收料,400g粒径为150nm的碳酸镁纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从235℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为3倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为160nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为30mN/m。
实施例5
将1000g TPX原料加入到挤出机的腔体中。将800g TPX回收料,450g粒径为120nm的纳米银粒子加入到另外一个挤出腔体中。从270℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为2倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为180nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为33mN/m。
实施例6
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将700g TPX回收料,350g粒径为15nm的甲壳素纳米晶粒子加入到另外一个挤出腔体中。从260℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为1.5倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为90nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为31mN/m。
实施例7
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将400gTPX回收料,430g粒径为300nm的纤维素纳米晶粒子加入到另外一个挤出腔体中。从255℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为4倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为75nm的花纹。
经过测试,所述离型膜的表面张力为34mN/m。
实施例8
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将900gTPX回收料,50g粒径为480nm的硫酸钡纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从245℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为3倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为30nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为28mN/m。
实施例9
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将300gTPX回收料,10g粒径为430nm的硫酸钙纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从255℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为3.5倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为130nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为27mN/m。
实施例10
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将1000gTPX回收料,350g粒径为150nm的纤维素纳米晶粒子加入到另外一个挤出腔体中。从235℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为2.5倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为110nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为28mN/m。
实施例11
将1000gTPX加入到挤出机的腔体中。将1400gTPX回收料,200g粒径为100nm的二氧化硅纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从240℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为1.5倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为160nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为26mN/m。
实施例12
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将1100gTPX回收料,270g粒径为70nm的碳酸钙纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从260℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为3倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为60nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为26mN/m。
实施例13
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将1200g TPX回收料,180g粒径为130nm的二氧化硅纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从220℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为2倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为50nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,
经过测试,所述离型膜的表面张力为29mN/m。
实施例14
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将600g TPX回收料,150g粒径为40nm的碳酸钙纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从225℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为1.5倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为40nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为30mN/m。
实施例15
将1000g TPX原料加入到挤出机的腔体中。将560g TPX回收料,370g粒径为50nm的碳酸钙纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从240℃T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为4倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为200nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为39mN/m。
实施例16
将1000g TPX原料加入到挤出机的腔体中。将100g粒径为30nm的碳酸钙纳米粒子加入到另外一个挤出腔体中。从230℃的T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为4倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为20nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
此实施例与实施例1基本相同,其区别在于:没有采用TPX回收料。
经过测试,所述离型膜的表面张力为25mN/m。
对比例1
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将200g TPX回收料加入到另外一个挤出腔体中。从230℃T形模口挤出温度中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,纵向拉伸倍率为4倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为20nm的花纹,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为15mN/m。
对比例2
将1000gTPX原料加入到挤出机的腔体中。将200g TPX回收料,加入到另外一个挤出腔体中。从T形模口中共挤出形成ABA层的TPX薄膜,其中纵向拉伸倍率为4倍。采用雾面辊,在TPX薄膜的上下层形成纹路深度为20nm的花纹。最后对纹路层进行电晕处理,得到离型膜。
经过测试,所述离型膜的表面张力为25mN/m。
对得到的离型膜进行翘曲值的测试,结果见表1。可见,实施例1-16得到的离型膜的翘曲值均在13mm以下,而对比例1、2中由于没有形成泡孔,因此,离型膜出现了卷曲的现象。其中实施例2、11、12得到的离型膜,翘曲值均小于5mm,离型性性能更为优异。
对得到的离型膜进行释放小分子气体(VOC)的测试,具体的:将离型膜析出的小分子气体经过有害气体传感器检测,测试条件为模拟TPX离型膜使用过程中,在180℃,经过一分钟的加热压合后测试。结果表明,实施例1-16离型膜析出的小分子气体的ppm值均小于100,而对比例1-2离型膜的小分子气体的ppm值大于100。
还对得到的离型膜进行力学性能测试,结果请参见表1。相对于对比例1-2所得到的离型膜的纵向(MD)拉伸强度10MPa左右而言,实施例1-16所得到的离型膜的纵向(MD)拉伸强度均在20MPa以上,其更为优异。这也佐证了纳米粒子的引入,可大大提高离型膜的力学性能。
表1
同时参照图2、图3,可看出,实施例1得到的离型膜在热压机中的翘曲不明显(翘曲值小于等于13毫米)。而对比例1在热压机中翘曲值过大(远大于13毫米),甚至出现明显的卷曲现象。
实施例1-16离型膜的表面张力均小于等于40mN/m,说明所述离型膜有较好的离型性。
从图4、图5中可看出,经过实施例1得到的离型膜压合后FPC板基本没有褶皱,而经过对比例1的离型膜压合后FPC板出现褶皱现象,对FPC板造成了损坏。
综上所述,本发明实施例通过添加特定粒径的纳米粒子得到了泡孔分布均匀的离型膜,此离型膜的离型性优异。此制备方法重复性好,具有广阔的应用前景。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (7)
1.一种离型膜,其特征在于,所述离型膜包括依次设置的上层、中间层和下层,所述中间层包括多个均匀分布的泡孔,所述泡孔的孔径为50nm-150nm,所述中间层包括多个纳米粒子,所述纳米粒子的粒径为10nm-500nm,所述中间层还包括TPX原料、TPX回收料,所述纳米粒子均匀分布在所述TPX原料、TPX回收料中,其中所述TPX原料、所述TPX回收料与所述纳米粒子的质量比为100:(20-140):(1-50);所述离型膜置于大于等于180摄氏度下的热压机中,一分钟之后,所述离型膜的边缘高出原水平面的高度,即翘曲值小于等于13毫米;所述离型膜的制备方法包括以下步骤:形成基膜,所述基膜为ABA结构,中间的芯层与上下层的材料不同,所述中间的芯层的材料与中间层的材料相同;拉伸所述基膜形成包括依次设置的上层、中间层和下层的离型膜。
2.如权利要求1所述的离型膜,其特征在于,所述纳米粒子的粒径为30nm-300nm。
3.如权利要求1所述的离型膜,其特征在于,所述纳米粒子包括碳酸盐、硫酸盐、氧化物、金属、生物质中的至少一种。
4.如权利要求3所述的离型膜,其特征在于,所述碳酸盐包括碳酸钙、碳酸镁中的至少一种,所述硫酸盐包括硫酸钡、硫酸钙中的至少一种,所述氧化物包括二氧化硅、二氧化钛中的至少一种,所述金属包括纳米金、纳米银中的至少一种,所述生物质包括甲壳素纳米晶、纤维素纳米晶中的至少一种。
5.如权利要求1所述的离型膜,其特征在于,所述上层或者下层的表面包括经过电晕处理的纹路层。
6.如权利要求5所述的离型膜,其特征在于,所述纹路层的深度为20nm-200nm。
7.如权利要求5所述的离型膜,其特征在于,所述离型膜的表面张力为24mN/m-40mN/m。
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