CN110880737A - 一种充电芯片及其过压保护电路和便携式电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种充电芯片及其过压保护电路，该过压保护电路具体包括第一分压电阻、第二分压电阻、比较器、电荷泵、第一MOS管、第一滤波电容和低压钳位供电电路，其中，低压钳位供电电路的电压输入端与芯片输入端电连接，且通过电压输出端与充电芯片的功率输出端电连接，被配置为当第一MOS管处于被关断状态下，且芯片输入端的电压低于耐压阈值时，向功率输出端输出预设电压值的驱动电压，以使充电芯片的内部模块正常上电工作。这样，当充电芯片的输入电压恢复正常时，就可以在正常上电工作的内部模块的驱动下使充电芯片自行启动。

Description

一种充电芯片及其过压保护电路和便携式电子设备

技术领域

本申请涉及电路技术领域，更具体地说，涉及一种充电芯片及其过压保护电路和便携式电子设备。

背景技术

便携式电子产品，功能越来越复杂，样式越来越轻便。为满足用户体验，锂离子电池的容量越来越大。为提高用户体验，快速充电需求越来越强烈。开关充电由于具有充电效率高，充电电流大等优势越来越成为主流。目前主流的充电芯片架构如图1所示。

由于充电芯片的芯片输入端VBUS是手机等便携式设备的USB端口，通常直接与适配器连接，而适配器的输出端在受到由电网扰动、雷击、人为瞬间插拔等因素产生脉冲高压，这种高压脉冲瞬间能量很大，峰值电压通常能达到20V至30V，如此高的高压会使充电芯片的内部器件遭到破坏。

因此，充电芯片通常通过MOS管来隔离芯片输入端VBUS和功率输出端PMID，当芯片输入端VBUS电压低于过压阈值时，介于芯片输入端VBUS与和功率输出端PMID的MOS管导通，V_BUS＝V_PMID，充电芯片对便携式电子设备正常充电，能量由芯片输入端VBUS经功率输出端PMID传输至待充电池；当芯片输入端VBUS的电压高于过压阈值时，该MOS管关断，从而达到隔离功率输出端PMID，保护充电芯片的内部器件的作用。

充电芯片中通常都设置有相应的过压保护电路，常见的过压保护电路如图2所示。其中，CMP为比较器模块，Q1为充电芯片的输入端口与功率输出端PMID之间的隔离管，其通常为NMOS管，电荷泵为倍压输出模块，其功能是将从电压输入端输入的输入电压V_PMID进行倍压调制，使其输出端输出的输出电压V_{CP_OUT}＝2V_PMID。充电芯片正常工作时EN为高电平，当V_{BUS_SNS}＝V_BUS*R_BUS2/(R_BUS1+R_BUS2)<V_{REF_OVP}时，BUS_OVP输出低电平信号并施加到电荷泵的信号输入端，电荷泵模块开启，V_{CP_OUT}＝2V_PMID，Q1管开启，V_PMID＝V_BUS，芯片保持正常充电状态；

当V_{BUS_SNS}＝V_BUS*R_BUS2/(R_BUS1+R_BUS2)>V_{REF_OVP}，即芯片输入端VBUS的端口电压超过过压阈值时，BUS_OVP输出高电平信号，电荷泵模块关断，V_{CP_OUT}＝0，Q1管关断，将功率输出端PMID与芯片输入端VBUS隔离，从而保护芯片内部的电路。

然而，发明人通过分析发现，当芯片输入端VBUS上的输入电压超过过压阈值V_{BUS_OVP}时，Q1管关断，此时功率输出端PMID的电压也会下降为0，由于充电芯片的内部电路依靠功率输出端PMID供电，因此此时充电芯片的所有内部模块都会掉电，即使芯片输入端VBUS上的电压降至过压阈值V_{BUS_OVP}以下时，充电芯片也无法自行启动，只能依赖于芯片输入端VBUS重新上电后的上电启动，从而导致使用起来极为不便。

发明内容

有鉴于此，本申请提供一种充电芯片及其过压保护电路，用于在充电芯片的芯片输入端的输入电压恢复正常时使充电芯片能够自行启动。

为了实现上述目的，现提出的方案如下：

一种过压保护电路，所述过压保护电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、比较器、电荷泵、第一MOS管、第一滤波电容和低压钳位供电电路，其中：

所述第一分压电阻的一端分别与芯片输入端、所述第一MOS管的漏极电连接；

所述第一MOS管的源极作为所述过压保护电路的功率输出端；

所述第二分压电阻的一端分别于所述第一分压电阻的另一端、所述比较器的正相输入端电连接，所述第二分压电阻的另一端接地，所述比较器的输出端与所述电荷泵的控制信号输入端连接；

所述电荷泵的电压输入端与所述功率输出端电连接、电压输出端与所述第一OMOS管的栅极电连接；

所述第一滤波电容的正极与所述功率输出端电连接、负极接地；

所述低压钳位供电电路的电压输入端与所述芯片输入端电连接，所述低压钳位供电电路的电压输出端与所述功率输出端电连接，所述低压钳位供电电路被配置为当所述第一MOS管处于被关断状态下，且所述芯片输入端的电压低于耐压阈值时，向所述功率输出端输出预设电压值的驱动电压，以使所述充电芯片的内部模块正常上电工作。

可选的，所述低压钳位供电电路包括第三分压电阻、第四分压电阻、稳压二极管、第二滤波电容和第二MOS管，其中：

所述第三分压电阻的一端与所述芯片输入端、所述第四分压电阻的一端、所述稳压二极管的负极电连接，所述稳压二极管的正极接地；

所述第四分压电阻的另一端与所述第二MOS管的栅极、所述第二滤波电容的正极电连接，所述第二滤波电容的负极接地；

所述第二MOS管的漏极与所述芯片输入端电连接、源极与所述功率输出端电连接。

可选的，所述耐压阈值为所述第二MOS管的最大耐压值。

可选的，还包括高压域检测关断模块，其中：

所述高压域检测关断模块的电压输入端与所述芯片输入端电连接，被配置为当所述芯片输入端的电压高于所述耐压阈值时，将所述第二MOS管关断。

可选的，所述高压域检测关断模块还被配置为当所述芯片输入端的电压低于所述耐压阈值时，控制所述第二MOS管导通。

可选的，所述高压域检测关断模块包括第五分压电阻、第六分压电阻、施密特反相器、反相器和第三MOS管，其中：

所述第五分压电阻的一端分别与所述芯片输入端、所述第六分压电阻的一端、所述施密特反相器的输入端电连接；

所述第六分压电阻的另一端接地；

所述施密特反相器的输出端与所述反相器的输入端电连接；

所述反相器的输出端与所述第三MOS管的栅极电连接；

所述第三MOS管的漏极与所述第二MOS管的栅极电连接、源极接地。

可选的，还包括高压域检测关断模块，其中：

所述高压域检测关断模块的电压输入端与所述芯片输入端电连接，被配置为当所述芯片输入端的电压高于所述耐压阈值时，控制所述低压钳位供电电路输出所述驱动电压；和/或

为当所述芯片输入端的电压低于所述耐压阈值时，控制所述低压钳位供电电路停止输出所述驱动电压。

一种充电芯片，设置有如上所述的过压保护电路。

一种便携式电子设备，设置有如上所述的充电芯片。

从上述的技术方案可以看出，本申请公开了一种充电芯片及其过压保护电路，该过压保护电路具体包括第一分压电阻、第二分压电阻、比较器、电荷泵、第一MOS管、第一滤波电容和低压钳位供电电路，其中，低压钳位供电电路的电压输入端与芯片输入端电连接，且通过电压输出端与充电芯片的功率输出端电连接，被配置为当第一MOS管处于被关断状态下，且芯片输入端的电压低于耐压阈值时，向功率输出端输出预设电压值的驱动电压，以使充电芯片的内部模块正常上电工作。这样，当充电芯片的输入电压恢复正常时，就可以在正常上电工作的内部模块的驱动下使充电芯片自行启动。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为现有的一种开关充电芯片的结构示意图；

图2为现有的一种传统过压保护电路的电路图；

图3为本申请实施例的一种过压保护电路的电路图；

图4为本申请实施例的另一种过压保护电路的电路图；

图5为本申请实施例的又一种过压保护电路的电路图；

图6为本申请实施例的又一种过压保护电路的电路图。

具体实施方式

下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

实施例一

图3为本申请实施例的一种过压保护电路的电路图。

如图3所示，本实施例提供的一种过压保护电路，能够应用于为便携式电子产品进行充电的充电芯片中，该过压保护电路具体包括第一分压电阻R_BUS1、第二分压电阻R_BUS2、比较器CMP1、电荷泵、第一MOS管HVQ1、第一滤波电容C_PMID和低压钳位供电电路10。

其中，第一分压电阻和第二分压电阻串联连接，第一分压电阻的一端与充电芯片的输入端V_BUS电连接，另一端与第二分压电阻连接，第二分压电阻的另一端接地，从而构成分压电路，其中两个分压电阻之间的连接点与比较器的正相输入端连接。比较器的输出端BUS_OVP则与电荷泵的控制信号输入端连接。

电荷泵的电压输入端与过压保护电路的功率输出端PMID电连接、电荷泵的输出端CP_OUT与第一MOS管的栅极电连接。该第一MOS管的漏极与过压保护电路的输入端电连接、源极则与功率输出端电连接。

第一滤波电容的正极与功率输出端电连接、负极则接地。

该低压钳位供电电路的电压输入端11与过压保护电路的输入端连接，低压钳位供电电路的电压输出端12则与过压保护电路的功率输出端连接。

比较器的反相输入端则用于接收参考电压V_{REF_OVP}，当输入端的端口电压的电压值低于过压阈值时，V_{BUS_SNS_L}＝V_BUS*R_BUS2/(R_BUS1+R_BUS2)<V_{REF_OVP}，其输出端BUS_OVP输出低电平信号，电荷泵开启，V_{CP_OUT}＝2V_PMID，MOS管HVQ1管开启，V_PMID＝V_BUS，芯片保持正常充电状态。其中，V_BUS为过压保护电路的输入端的端口电压的电压值。

当输入端的端口电压的电压值超过过压阈值时，_{BUS_SNS}＝V_BUS*R_BUS2/(R_BUS1+R_BUS2)>V_{REF_OVP}，即，BUS_OVP输出高电平信号，电荷泵关断，V_{CP_OUT}＝0，MOS管关断，将输入端与功率输出端予以隔离，从而起到过压保护的作用。例如当该过压保护电路集成于芯片时，可以保护充电芯片的内部电路。该第一MOS管优选NMOS管。

而低压钳位供电电路在当第一MOS管被关断后，且输入端的电压低于低压钳位供电电路的耐压阈值时，通过其电压输出端向功率输出端供电，功率输出端则给后级电路例如充电芯片内部其他模块供电，使芯片内部至少部分模块处于开启状态。这样一来，当充电芯片的输入电压恢复正常时，就可以使充电芯片正常启动并开始对便携式电子产品进行充电。进一步地，在第一MOS管导通后，低压钳位供电电路可以选择停止向功率输出端供电。

在一个可选方案中，该低压钳位供电电路具体包括第三分压电阻R_BUS3、第四分压电阻R_BUS4、稳压二极管DZN、第二滤波电容C_G和第二MOS管HVQ2，如图4所示。

第三分压电阻的一端与芯片输入端连接、另一端与第四分压电阻的一端、稳压二极管的负极电连接。第四分压电阻的另一端与第二MOS管的栅极、第二电容的正极电连接，第二电容的负极接地；第二MOS管的漏极与过压保护电路输入端电连接、源极与所述功率输出端电连接。第二MOS管优选NMOS管。

具体的，在输入端的输入的电压在第二MOS管的最大耐压值V_{BUS_OVP_H}范围内，且第二MOS管的栅源电压大于其开启阈值时，第二MOS管第二MOS管导通，输入端通过第二MOS管的导通能够将功率输出端的电压抬高，从而实现使功率输出端向充电芯片的内部模块供电的目的。这里，前述耐压阈值即为第二MOS管的最大耐压值。

从上述技术方案可以看出，本实施例提供了一种过压保护电路，该过压保护电路应用于适配于便携式电子产品的充电芯片，具体包括第一分压电阻、第二分压电阻、比较器、电荷泵、第一MOS管、第一滤波电容和低压钳位供电电路，其中，低压钳位供电电路的电压输入端与芯片输入端电连接，且通过电压输出端与充电芯片的功率输出端电连接，被配置为当第一MOS管处于被关断状态下，且芯片输入端的电压低于耐压阈值时，向功率输出端输出驱动电压，以使充电芯片的内部模块正常上电工作。这样，当充电芯片的输入电压恢复正常时，就可以在正常上电工作的内部模块的驱动下使充电芯片自行启动。

实施例二

图5为本申请实施例的另一种过压保护电路的电路图。

如图5所示，本实施例提供的过压保护电路应用于能够为便携式电子产品进行充电的充电芯片中，具体包括第一分压电阻R_BUS1、第二分压电阻R_BUS2、比较器CMP1、电荷泵、第一MOS管HVQ1、第一电容C_PMID、低压钳位供电电路10和高压域检测关断模块20。

其中，第一分压电阻和第二分压电阻串联连接，第一分压电阻的一端与充电芯片的芯片输入端V_BUS电连接，另一端与第二分压电阻连接，第二分压电阻的另一端接地，从而构成分压电路，其中两个分压电阻之间的连接点与比较器的正相输入端连接。比较器的输出端BUS_OVP则与电荷泵的控制信号输入端电连接。

电荷泵的电压输入端与充电芯片的功率输出端PMID电连接、其输出端BUS_BUS与第一MOS管的栅极电连接。该第一MOS管的漏极与芯片输入端电连接、源极则与功率输出端电连接。

第一电容的正极与功率输出端电连接，负极则接地。

该低压钳位供电电路的电压输入端11与充电芯片的芯片输入端电连接，其电压输出端12则与充电芯片的功率输出端连接。

高压域检测关断模块的电压输入端21与芯片输入端电连接，用于接收充电芯片的输入电压，并通过信号输出端22与第二MOS管的栅极电连接。

该高压域检测关断模块被配置为第一MOS管关断后，当输入端的电压高于耐压阈值时，停止低压钳位供电电路输出驱动电压；或者当输入端的电压低于耐压阈值时，控制低压钳位供电电路输出驱动电压。

比较器的反相输入端则用于接收参考电压V_{REF_OVP}，其输出端BUS_OVP在V_{BUS_SNS_L}＝V_BUS*R_BUS2/(R_BUS1+R_BUS2)<V_{REF_OVP}时输出低电平信号，电荷泵开启，V_{CP_OUT}＝2V_PMID，Q1管开启，V_PMID＝V_BUS，芯片保持正常充电状态。其中，V_BUS为芯片输入端的端口电压的电压值。

当V_{BUS_SNS}＝V_BUS*R_BUS2/(R_BUS1+R_BUS2)>V_{REF_OVP}，，BUS_OVP输出高电平信号，电荷泵关断，V_{CP_OUT}＝0，第一MOS管关断，将输入端与功率输出端予以隔离，以保护充电芯片的内部电路。

而低压钳位供电电路在当第一MOS管被关断后，且芯片输入端的电压低于耐压阈值时，通过其电压输出端向功率输出端供电，功率输出端则给充电芯片内部供电，使芯片内部的相关模块处于开启状态。这样一来，当充电芯片的输入电压恢复正常时，就可以使充电芯片正常启动并开始对便携式电子产品进行充电。优选的，第一MOS管为NMOS管。

在一个可选方案中，该低压钳位供电电路具体包括第三分压电阻R_BUS3、第四分压电阻R_BUS4、稳压二极管DZN、第二滤波电容C_G和第二MOS管HVQ2。

第三分压电阻的一端与芯片输入端、第四分压电阻的一端、稳压二极管的负极电连接。第四分压电阻的另一端与第二MOS管的栅极、第二滤波电容的正极电连接，第二滤波电容的负极接地；第二MOS管的漏极与芯片输入端电连接、源极与所述功率输出端电连接。

具体的，在芯片输入端的输入的电压小于第二MOS管的最大耐压值V_{BUS_OVP_H}时会使第二MOS管导通，通过其导通能够将功率输出端的电压抬高，从而实现使功率输出端想充电芯片的内部模块供电的目的。这里，前述耐压阈值即为第二MOS管的最大耐压值。优选的第二MOS管为NMOS管。

高压检测关断模块被配置为第一MOS管关断后，当输入端的电压低于耐压阈值时，控制低压钳位供电电路输出驱动电压；或者当输入端的电压高于耐压阈值时，控制低压钳位供电电路停止输出驱动电压。

具体来说，该高压检测关断模块用于在第一MOS管关断后，芯片输入端的输入电压高于耐压阈值时向第二MOS管输出关断信号，以便将该第二MOS管关断，关断该第二MOS管的作用在于在芯片输入端的电压过高时通过关断第二NMMOS管来保护低压钳位供电电路不被破坏。该高压检测关断模块还用于当芯片输入端的输入电压低于该耐压阈值时停止输出关断信号，这样一来该低压钳位供电电路可以再次使充电芯片的内部模块得电，也就是说可以再次能够自行启动。

从上述技术方案可以看出，本实施例提供了一种过压保护电路，该过压保护电路应用于适配于便携式电子产品的充电芯片，具体包括第一分压电阻、第二分压电阻、比较器、电荷泵、MOS管、第一电容和低压钳位供电电路，其中，低压钳位供电电路的电压输入端与芯片输入端电连接，且通过电压输出端与充电芯片的功率输出端电连接，被配置为当MOS管处于被关断状态下，且芯片输入端的电压低于耐压阈值时，向功率输出端输出预设电压值的驱动电压，以使充电芯片的内部模块正常上电工作。这样，当充电芯片的输入电压恢复正常时，就可以在正常上电工作的内部模块的驱动下使充电芯片自行启动。相对上一实施例来说，本实施例通过增设的高压域检测关断模块能够起到对低压钳位供电电路的保护作用。

本实施例中的高压域检测关断电路具体包括第五分压电阻R_BUS5、第六分压电阻R_BUS6、施密特反相器SINV、反相器INV和第三MOS管HVQ3，如图6所示。

其中，第五分压电阻的一端分别与芯片输入端、第六分压电阻的一端、施密特反相器的输入端电连接；第六分压电阻的另一端接地；施密特反相器的输出端与反相器的输入端电连接；反相器的输出端与第三MOS管的栅极电连接；第三MOS管的漏极与第二MOS管的栅极电连接、源极接地。第三MOS管优选NMOS管。

在第一MOS管关断后，当输入端的电压超过第二MOS管的最大耐压值VBUS_OVP_H时，为保护第二MOS管及低压域箝位供电电路，高压域检测关断电路中的反相器INV的输出G_Q3由低翻为高电平，使得第三MOS管导通，下拉第二MOS管的栅极，从而将第二MOS管HVQ2关断，从而起到保护低压域箝位供电模块的作用，高压域检测关断模块的供电压为V_ZN，该电压为稳压二极管的钳位电压，该电压范围为5V～6V，通常在器件的安全工作范围之内，且在输入端为高压时保持低压供电输出，这就保证了高域检测关断模块在芯片输入端电压较高时仍能正常工作，保持对芯片输入端输入电压的监测。

实施例三

本实施例提供了一种充电芯片，该充电芯片设置有上面任意一个实施例所提供的过压保护电路。

该过压保护电路具体包括第一分压电阻、第二分压电阻、比较器、电荷泵、第一MOS管、第一滤波电容和低压钳位供电电路，其中，低压钳位供电电路的电压输入端与芯片输入端电连接，且通过电压输出端与充电芯片的功率输出端电连接，被配置为当第一MOS管处于被关断状态下，且芯片输入端的电压低于耐压阈值时，向功率输出端输出预设电压值的驱动电压，以使充电芯片的内部模块正常上电工作。这样，当充电芯片的输入电压恢复正常时，就可以在正常上电工作的内部模块的驱动下使充电芯片自行启动。

另外对于上述实施例一说，实施例二所提供的过压保护电路通过增设的高压域检测关断模块能够起到对低压钳位供电电路的保护作用。

实施例四

本实施例提供了一种便携式电子设备，该便携式电子可以为移动终端、播放设备等设备，设置有上一实施例所提供的充电芯片，该充电芯片的输入端与便携式电子设备的充电端口连接、输出端与便携式电子设备的电池连接。

该充电芯片设置有上面实施例所提供的过压保护电路，该过压保护电路具体包括第一分压电阻、第二分压电阻、比较器、电荷泵、第一MOS管、第一电容和低压钳位供电电路，其中，低压钳位供电电路的电压输入端与芯片输入端电连接，且通过电压输出端与充电芯片的功率输出端电连接，被配置为当第一MOS管处于被关断状态下，且芯片输入端的电压低于耐压阈值时，向功率输出端输出预设电压值的驱动电压，以使充电芯片的内部模块正常上电工作。这样，当充电芯片的输入电压恢复正常时，就可以在正常上电工作的内部模块的驱动下使充电芯片自行启动。相对上一实施例来说，本实施例通过增设的高压域检测关断模块能够起到对低压钳位供电电路的保护作用。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (11)

1.一种过压保护电路，，其特征在于，所述过压保护电路包括第一分压电阻、第二分压电阻、比较器、电荷泵、第一MOS管、第一滤波电容和低压钳位供电电路，其中：

所述第一分压电阻的一端分别与所述过压保护电路输入端、所述第一MOS管的漏极电连接；

所述第一MOS管的源极作为所述过压保护电路的功率输出端；

所述第二分压电阻的一端分别于所述第一分压电阻的另一端、所述比较器的正相输入端电连接，所述第二分压电阻的另一端接地，所述比较器的输出端与所述电荷泵的控制信号输入端连接；

所述电荷泵的电压输入端与所述功率输出端电连接、电压输出端与所述MOS管的栅极电连接；

所述第一滤波电容的正极与所述功率输出端电连接、负极接地；

所述低压钳位供电电路的电压输入端与所述过压保护电路输入端电连接，所述低压钳位供电电路的电压输出端与所述功率输出端电连接，所述低压钳位供电电路被配置为当所述第一MOS管处于被关断状态下，且所述芯片输入端的电压低于耐压阈值时，向所述功率输出端输出驱动电压。

2.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述低压钳位供电电路包括第三分压电阻、第四分压电阻、稳压二极管、第二滤波电容和第二MOS管，其中：

所述第三分压电阻的一端与所述芯片输入端、所述第四分压电阻的一端、所述稳压二极管的负极电连接，所述稳压二极管的正极接地；

所述第四分压电阻的另一端与所述第二MOS管的栅极、所述第二滤波电容的正极电连接，所述第二滤波电容的负极接地；

所述第二MOS管的漏极与所述输入端电连接、源极与所述功率输出端电连接。

3.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述耐压阈值为所述第二MOS管的最大耐压值。

4.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述第二MOS管的栅源电压大于所述第二MOS管开启阈值时，所述第二MOS管导通，所述过压保护电路输入端通过所述第二MOS管向所述功率输出端输出驱动电压。

5.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，还包括高压域检测关断模块，其中：

所述高压域检测关断模块的电压输入端与所述输入端电连接，信号输出端与第二MOS管的栅极电连接，所述高压域检测关断模块被配置为在第一MOS管关断后，当所述芯片输入端的电压高于所述耐压阈值时，将所述第二MOS管关断。

6.如权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述高压域检测关断模块还被配置为在第一MOS管关断后，当所述输入端的电压低于所述耐压阈值时，控制所述第二MOS管导通。

7.如权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述高压域检测关断模块包括第五分压电阻、第六分压电阻、施密特反相器、反相器和第三MOS管，其中：

所述第五分压电阻的一端分别与所述芯片输入端、所述第六分压电阻的一端、所述施密特反相器的输入端电连接；

所述第六分压电阻的另一端接地；

所述施密特反相器的输出端与所述反相器的输入端电连接；

所述反相器的输出端与所述第三MOS管的栅极电连接；

所述第三MOS管的漏极与所述第二MOS管的栅极电连接，第三MOS管的源极接地。

8.如权利要求7所述的过压保护电路，当所述芯片输入端的电压大于所述耐压阈值时，所述反相器输出高电平，所述第三MOS管导通，以及所述第二MOS管关断。

9.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，还包括高压域检测关断模块，其中：

所述高压域检测关断模块的电压输入端与所述输入端电连接，输出端和所述低压钳位供电电路电联接，所述高压域检测关断模块被配置为当所述芯片输入端的电压高于所述耐压阈值时，控制所述低压钳位供电电路停止输出所述驱动电压；和/或

为当所述芯片输入端的电压低于所述耐压阈值时，控制所述低压钳位供电电路输出所述驱动电压。

10.一种充电芯片，其特征在于，设置有如权利要求1～9任一项所述的过压保护电路。

11.一种便携式电子设备，其特征在于，设置有如权利要求10所述的充电芯片。

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