CN110578127B - 一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，包括真空腔室、设置真空腔室顶部的密封盖、穿设在密封盖上的升降台及固定设置在升降台上的助吸装置，所述助吸装置包括吸环、连管及半圆形密封盘，所述吸环上均匀分布吸气孔，所述连管与吸环相连通，所述半圆型密封盘设置在连管端部位置，所述吸环表面相对位置处设有支撑块，所述支撑块上设有紧固螺钉，并通过紧固螺钉与升降台相连。本发明的有益效果是：该装置设计结构合理，使用方便，应用本装置为样品进行磁控溅射镀膜，使镀膜效率得到提高，对薄膜的制造领域具有重要的意义。
Description
技术领域
本发明涉及真空磁控溅射镀膜技术领域，具体涉及一种磁控溅射中助吸靶原子的装置。
背景技术
磁控溅射是物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）的一种，一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点，而上世纪 70 年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。
目前的磁控溅射镀膜仪中，溅射出的靶原子只有小部分能够沉积到基片上，剩下的都被真空泵抽走，尤其对于相对质量比较小的靶原子来说，更容易被抽走，因此大大制约了镀膜的效率。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，以实现提高镀膜的效率。
本发明技术方案如下:
一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，包括真空腔室、设置真空腔室顶部的密封盖、穿设在密封盖上的升降台及固定设置在升降台上的助吸装置，所述助吸装置包括吸环、连管及半圆形密封盘，所述吸环上均匀分布吸气孔，所述连管与吸环相连通，所述半圆型密封盘设置在连管端部位置，所述吸环表面相对位置处设有支撑块，所述支撑块上设有紧固螺钉，并通过紧固螺钉与升降台相连。
所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述升降台外表面设有基准刻度线，所述紧固螺钉沿着基准刻度线移动，并紧压在基准刻度线位置，从而调节助吸装置的高度。
所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述连管与半圆形密封盘相连的一端的截面采用半圆形，另一端焊接设置在吸环上。
所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述半圆形密封盘采用硅胶材料，且半圆形密封盘与真空腔室内壁相贴合。
本发明的有益效果是：1）通过在基片上方安装一个助吸装置，产生一个额外向上的吸力，增加靶原子沉积在基片上的数量，从而提高镀膜的效率。2）该装置设计结构合理，使用方便，应用本装置为样品进行磁控溅射镀膜，使镀膜效率得到提高，对薄膜的制造领域具有重要的意义。
附图说明
图1为本发明的安装示意图；
图2为本发明的结构示意图；
图3为本发明的局部结构图；
图4为本发明的助吸装置示意图；
图中：1-排气口，2-助吸装置，3-腔室，4-密封盖，5-升降台，6-进气口，7-靶材，8-支座，9-半圆型密封盘，10-连管，11-吸环，12-基准刻度线，13-基片，14-连接块，15-紧固螺钉,16-吸气孔。
具体实施方式
以下结合说明书附图1-4，对本发明的技术方案做进一步的描述：
磁控溅射镀膜装置包括真空腔室3、设置在真空腔室3顶部的密封盖4、设置在密封盖4上的升降台5及设置在真空腔室3底部且位于升降台5下方的三个支座8，真空腔室3两侧分别设有排气口1、进气口6；靶材7放置在三个支座8上，基片13放置在升降台5上，且靶材7与基片13斜对设置；基片13上连接阳极，三个靶材7上分别连接着阴极。
磁控溅射中提升沉积镀膜效率装置，包括固定设置在升降台5上的助吸装置2，助吸装置2包括吸环11、连管10及半圆形密封盘9，吸环11下端面周向均匀分布吸气孔16，吸环11与连管10相连通，半圆型密封盘9设置在连管10端部位置，吸环11表面相对位置处设有支撑块14，支撑块14上设有紧固螺钉15，并通过紧固螺钉15与升降台5相连。
升降台5外表面设有基准刻度线12，紧固螺钉15沿着基准刻度线12移动，并紧压在基准刻度线12位置，从而调节助吸装置2的高度。
连管10与半圆形密封盘9相连的一端的截面采用半圆形，另一端焊接设置在吸环11上，连管10能够占用排气口1的一半面积。
半圆形密封盘9与真空腔室2接触的面贴合设置，目的是为了保持两个面的吻合性，安装施加一定的压力，确保半圆形密封盘9与真空腔室3内壁紧密接触。
工作过程：
首先，根据镀膜试验选择的基片13与靶材7之间的间隔距离参数，调节紧固螺钉15在基准刻度线12上的位置，从而调整好助吸装置2在升降台5上的位置。密封盖4合上后，启动设备，当设备正常工作时，真空泵开始抽出气体，气体通过排气口1抽出。达到一定真空度后，控制升降台5平稳下降，达到指定的高度后，此时连管10占用排气孔1的一半面积。施加电场后，进气口6通入的气体开始电离启辉，靶材7上溅射出的靶原子一部分撞击在基片13上，镀膜沉积开始进行，助吸装置2借助排气孔1的部分吸力，吸引溅射原子向上运动，使得其中一部分溅射原子撞击基片13并沉积，剩余的经由排气孔排出。
Claims (2)
1.一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，包括真空腔室（3）、设置真空腔室（3）顶部的密封盖（4）、穿设在密封盖（4）上的升降台（5）及固定设置在升降台（5）上的助吸装置（2），所述助吸装置（2）包括吸环（11）、连管（10）及半圆形密封盘（9），所述吸环（11）上均匀分布吸气孔（16），所述连管（10）与吸环（11）相连通，所述半圆形密封盘（9）设置在连管（10）端部位置，所述吸环（11）表面相对位置处设有支撑块（14），所述支撑块（14）上设有紧固螺钉（15），并通过紧固螺钉（15）与升降台（5）相连；
所述升降台（5）外表面设有基准刻度线（12），所述紧固螺钉（15）沿着基准刻度线（12）移动，并紧压在基准刻度线（12）位置，从而调节助吸装置（2）的高度；
所述连管（10）与半圆形密封盘（9）相连的一端的截面采用半圆形，另一端焊接设置在吸环（11）上。
2.根据权利要求1所述的一种提升磁控溅射镀膜沉积速率装置，其特征在于，所述半圆形密封盘（9）采用硅胶材料，且半圆形密封盘（9）与真空腔室（3）内壁相贴合。
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