CN110571324A - 发光二极管装置 - Google Patents
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Abstract
提供一种发光二极管装置。该发光二极管装置包括波长转换层、发光二极管层、光透射层和护套层。波长转换层具有第一折射率。发光二极管层包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构。光透射层设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并具有第二折射率。护套层设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年6月5日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0064846的优先权，其公开通过引用整体并入本文。
技术领域
与本公开一致的装置、器件和制造用品涉及发光二极管装置。
背景技术
半导体发光元件在施加电流时通过使用电子和空穴的复合原理而发光，并且由于其诸如低功耗、高亮度、小型化等各种优点而广泛用作光源。特别是，由于开发了基于氮化物的发光元件，半导体发光元件更广泛地应用于各种领域中，并且用作光源模块、家庭照明装置、汽车灯等。
由于半导体发光元件广泛用于各种领域，它们的应用正扩展到高电流/高输出领域。由于半导体发光元件如上所述地用于高电流/高输出领域，在相关技术领域中正在进行用于提高半导体发光元件封装的可靠性的研究。
发明内容
一方面，提供一种具有提高的光提取效率的发光二极管装置。
根据示例性实施例的一方面，提供一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；发光二极管层，其包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。
根据示例性实施例的另一方面，提供了一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；设置在波长转换层上的发光二极管层；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁，并具有小于第一折射率的第二折射率；护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并具有小于第二折射率的第三折射率；以及设置在发光二极管层上并与发光二极管层电连接的凸块。
根据示例性实施例的另一方面，提供了一种发光二极管装置，包括：具有第一折射率的波长转换层；发光二极管层，其包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构；光透射层，其设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并且具有小于第一折射率的第二折射率；以及护套层，其设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第一折射率的第三折射率。
要解决的方面不限于上面提到的那些方面，并且基于下面提供的描述，本领域技术人员可以清楚地理解以上未提及的其他方面。
附图说明
通过参考附图详细描述示例性实施例，上述和其他方面对于本领域普通技术人员而言将变得更加明显，其中：
图1是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图；
图2是沿图1的A-A线截取的剖视图；
图3是用于说明图2的部分C的构造的视图；
图4是沿图1的B-B线截取的剖视图；
图5是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；
图6是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；
图7是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图；
图8是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图；
图9是沿图8的B-B线截取的剖视图；
图10是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图；
图11至图17是示出制造的中间阶段的视图，用于说明根据一些示例性实施例的制造发光二极管装置的方法；以及
图18和图19是示出制造的中间阶段的视图，用于说明根据一些示例性实施例的制造发光二极管装置的方法。
具体实施方式
以下描述是基于根据一些示例性实施例的发光二极管装置是例如芯片级封装(CSP)的假设而作出的。然而，本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，发光二极管装置可以是晶圆级封装(WLP)。在本公开中，短语“A、B和C中的至少一个”在其范围内包括“仅A”、“仅B”、“仅C”、“A和B两者”、“B和C两者”、“A和C两者”、以及“A和B和C的组和”。
在下文中，将参照图1至图4描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置。
图1是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图。图2是沿图1的A-A线截取的剖视图。图3是用于说明图2的部分C的构造的视图。图4是沿图1的B-B线截取的剖视图。在图1中，为了便于说明，省略了护套层150。
参见图1至图4，根据一些示例性实施例的发光二极管装置包括波长转换层110、发光二极管层120、光透射层140、护套层150、第一凸块161和第二凸块162。
波长转换层110可以将从发光二极管层120朝向波长转换层110发射的单色光转换成不同颜色的单色光。可以在波长转换层110上设置滤色器层。
波长转换层110可以形成为具有基本规则厚度的片状。波长转换层110可以是具有分布在部分固化(B阶段)的材料上的诸如磷光体的材料的膜，该部分固化的材料在室温下处于部分固化状态，并且在加热时相变为可移动的。
作为波长转换层110的磷光体，可以使用石榴石基磷光体(YAG、TAG、LuAG)、硅酸盐基磷光体、氮化物基磷光体、硫化物基磷光体、氧化物基磷光体等，磷光体可以由单种材料或以预定比例混合的多种材料形成。另外，可以使用量子点，并且可以代替波长转换层110的磷光体或者与磷光体混合。
作为用于波长转换层110的树脂，可以使用满足高粘合性、高透光性、高耐热性、高光折射率、耐湿性等的环氧树脂或硅环氧树脂。作为用于增强粘结性以确保高粘合性的添加剂，可以使用例如硅烷基材料。
波长转换层110可以具有第一折射率。例如，第一折射率可以大于或等于1.53并且可以小于1.56。然而，本公开不限于此。
在一些示例性实施例中，波长转换层110可以用包括分散剂的护套层代替。
发光二极管层120可以设置在波长转换层110上。发光二极管层120可以包括基层121和发光结构130。
尽管图2描绘了基层121是单层，但是本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，基层121可以是各种层彼此堆叠的多层。
基层121可以设置在波长转换层110上。基层121可以包括例如基底基板。基底基板可以是例如蓝宝石玻璃，但是本公开不限于此。
基层121可包括例如氮化物基半导体材料。基层121可以包括例如GaN、AlGaN、InGaN、AlInGaN及其组合中的至少一种。另外，基层121可以包括氧化硅(SiO2)。
基层121可以具有大于波长转换层110的第一折射率的第四折射率，例如，第四折射率为1.75。然而，本公开不限于此。
发光结构130可以包括第一导电类型半导体层131、有源层132、第二导电类型半导体层133、N电极134、P电极135和绝缘层136。
发光结构130可以包括第一表面和第二表面，第一表面上设置有第一凸块161和第二凸块162，第二表面与基层121接触。
第一导电类型半导体层131可以设置在发光结构130的第二表面上。第一导电类型半导体层131可以包括包含n型杂质的GaN基材料。在这种情况下，n型杂质可以是例如Si、Ge、Se和Te中的至少一种。
有源层132可以设置在第一导电类型半导体层131上。有源层132可以是量子阱层和量子势垒层彼此交替堆叠的多量子阱(MQW)结构。量子势垒层可以是例如GaN或AlGaN。然而，本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，有源层132可以是单量子阱(SQW)结构。
第二导电类型半导体层133可以设置在有源层132上。第二导电类型半导体层133可以包括包含p型杂质的GaN基材料。在这种情况下，p型杂质可以是例如Mg、Zn和Be中的至少一种。
N电极134、P电极135和绝缘层136可以设置在发光结构130的第一表面上。
N电极134可以在第三方向DR3上从发光结构130的第一表面延伸，以穿透第二导电类型半导体层133和有源层132。N电极134可以设置为与第一导电类型半导体层131接触并且与第一导电类型半导体层131电连接。
N电极134可以与设置在发光结构130的第一表面上的第一凸块161电连接。
P电极135可以设置在发光结构130的第一表面上。P电极135可以设置为与第二导电类型半导体层133接触并且与第二导电类型半导体层133电连接。
P电极135可以与设置在发光结构130的第一表面上的第二凸块162电连接。
N电极134和P电极135中的每一个可以包括例如Au、Ag、Cu、Zn、Al、In、Ti、Si、Ge、Sn、Mg、Ta、Cr、W、Ru、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt和透明导电氧化物(TCO)中的至少一种。
绝缘层136可以设置在发光结构130的第一表面上。绝缘层136可以设置为围绕N电极134和P电极135的相应侧壁。绝缘层136的一部分可以设置为沿着N电极134的侧壁穿透第二导电类型半导体层133和有源层132。
绝缘层136可以由具有绝缘特性的材料形成，并且可以通过使用无机或有机材料形成。绝缘层136可以由环氧基绝缘树脂形成，并且可以包括氧化硅或氮化硅。绝缘层136可以包括例如SiO2、SiN、SiOxNy、TiO2、Si3N4、Al2O3、TiN、AlN、ZrO2、TiAlN和TiSiN中的至少一种。
第一凸块161可以设置为从发光结构130的第一表面突出，并且可以与N电极134电连接。第二凸块162可以设置为从发光结构130的第一表面突出，并且可以与P电极135电连接。
参见图1，第一凸块161和第二凸块162中的每一个的平面形状可以具有例如矩形形状。然而，本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，第一凸块161和第二凸块162中的每一个的平面形状可以具有例如椭圆形状或圆形形状。
光透射层140可以设置在波长转换层110上，并且可以设置为围绕发光二极管层120的侧壁。也就是说，如图1所示，光透射层140可以设置在发光二极管层120的侧壁上。光透射层140可以在DR1/DR2平面中(即，当从顶部观察时)围绕发光二极管层120的侧壁。光透射层140可以设置为在DR3方向上与发光二极管层120的侧壁的至少一部分接触。在一些示例性实施例中，发光二极管层120的侧壁的至少一部分可以设置为与护套层150接触。
参见图1，光透射层140可以形成为从发光二极管层120的侧壁凸出。具体地，光透射层140可以形成为沿第二方向DR2从发光二极管层120的在第一方向DR1上延伸的侧壁凸出。另外，光透射层140可以形成为沿第一方向DR1从发光二极管层120的在第二方向DR2上延伸的侧壁凸出。
在图1中，与发光二极管层120的对应于发光二极管层120的各个拐角相遇的顶点的侧壁接触的光透射层140可以形成为相对凹入。图4说明性地描绘了形成为在第四方向DR4上相对凹入的光透射层140的横截面。
在图1中，发光二极管层120的与发光二极管层120的各个拐角相遇的顶点相对应的侧壁的一部分可以设置为不被光透射层140围绕，如图4所示。即，在图1中，对应于发光二极管层120的每个顶点的侧壁的一部分可以设置为与护套层150接触。
虽然图4描绘了基层121的侧壁的一部分和发光结构130的侧壁与护套层150接触，但是本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，基层121的侧壁可以设置为完全由光透射层140围绕，并且发光结构130的侧壁的一部分可以设置为与护套层150接触。
当光透射层140更接近波长转换层110时，光透射层140可以形成为具有增加的宽度。也就是说，光透射层140的与护套层150接触的侧壁可以形成为具有倾斜的轮廓。
光透射层140可以具有第二折射率。第二折射率可以是例如大于或等于1.48且小于1.53。也就是说，光透射层140的第二折射率可以小于波长转换层110的第一折射率。然而，本公开不限于此。也就是说，在一些示例性实施例中，光透射层140的第二折射率可以与波长转换层110的第一折射率基本相同。
护套层150可以设置为覆盖发光二极管层120、光透射层140和波长转换层110的暴露部分。
护套层150可以设置为至少部分地围绕第一凸块161的侧壁，并且至少部分地围绕第二凸块162的侧壁，例如，如图2和图5所示。也就是说，第一凸块161的侧壁的一部分和第二凸块162的侧壁的一部分可以暴露在护套层150的上方，例如，如图2和图6等所示。
护套层150可以包括具有高导热率的材料，以有效地释放在发光二极管层120中产生的热量。例如，护套层150可以包括环氧树脂或硅树脂。
另外，护套层150可包括光反射材料，例如TiO2或Al2O3，以反射光。然而，本公开不限于此。
护套层150可以具有第三折射率。例如，第三折射率可以大于或等于1.41且小于1.48。也就是说，护套层150的第三折射率可以小于光透射层140的第二折射率。此外，护套层150的第三折射率可以小于波长转换层110的第一折射率。
可以通过使用甲基硅氧烷、甲基-苯基硅氧烷和苯基硅氧烷来调节波长转换层110、光透射层140、护套层150和基层121中的每一个的折射率。
具体地，例如，甲基硅氧烷可具有例如1.38至1.41的折射率。例如，当甲基-苯基硅氧烷含有20％或更多的苯基时，甲基-苯基硅氧烷可以具有1.44至1.48的折射率，并且当甲基-苯基硅氧烷含有40％或更多的苯基时，甲基-苯基硅氧烷可以具有1.50至1.55的折射率。苯基硅氧烷可以具有例如1.56至1.58的折射率。
可以通过将甲基硅氧烷、甲基-苯基硅氧烷和苯基硅氧烷与波长转换层110、光透射层140、护套层150和基层121中的每一个的基材组合而包含甲基硅氧烷、甲基-苯基硅氧烷和苯基硅氧烷来调节波长转换层110、光透射层140、护套层150和基层121中的每一个的折射率。也就是说，折射率可以通过将基材与甲基硅氧烷、甲基-苯基硅氧烷和苯基硅氧烷中的一种或多种组合来调节。
根据一些示例性实施例的发光二极管装置可以通过使光透射层140的第二折射率大于护套层150的第三折射率来增强光透射层140与护套层150之间的界面上的反射效率。
此外，根据一些示例性实施例的发光二极管装置可以通过使光透射层140的第二折射率与第三折射率相比相对较高、由此减小与基层121的第四折射率的差异来减少由基层121和光透射层140之间的界面上发生的内部全反射造成的光损失。
另外，根据一些示例性实施例的发光二极管装置可以通过使波长转换层110的第一折射率高于光透射层140的第二折射率和护套层150的第三折射率来减少由基层121和波长转换层110之间的界面上以及光透射层140与波长转换层110之间的界面上发生的内部全反射造成的光损失。
在下文中，将参照图5描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置。将强调与图2所示的发光二极管装置的不同之处。
图5是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图。
参见图5，根据一些示例性实施例的发光二极管装置可以具有护套层250，护套层250形成为完全围绕第一凸块161和第二凸块162的侧壁。
也就是说，护套层250的上表面可以与第一凸块161的上表面和第二凸块162的上表面共面。第一凸块161的上表面和第二凸块162的上表面可以在护套层250上暴露。
在下文中，将参照图6描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置。将强调与图2中所示的发光二极管装置的不同之处。
图6是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图。
参见图6，根据一些示例性实施例的发光二极管装置可以使光透射层340的上部形成为比发光二极管层120的上表面更突出。光透射层340的上部可以与护套层350的上表面共面。
护套层350的至少一部分可以设置在光透射层340与第一凸块161和第二凸块162之间。具体地，第一护套层351可以设置为围绕第一凸块161的侧壁的一部分和第二凸块162的侧壁的一部分，并且光透射层340的侧壁可以设置为围绕第一护套层351的侧壁。另外，第二护套层352可以设置为覆盖光透射层340和波长转换层110的暴露部分。
在下文中，将参照图7描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置。将强调与图2所示的发光二极管装置的不同之处。
图7是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图。
参见图7，根据一些示例性实施例的发光二极管装置可以使发光二极管层120的上表面形成为与护套层450的上表面共面。也就是说，在图7所示的示例性实施例中，护套层450不与第一凸块161和第二凸块162接触。
在下文中，将参照图8和图9描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置。将强调与图1和图4中所示的发光二极管装置的不同之处。
图8是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的剖视图。图9是沿图8的B-B线截取的剖视图。
参见图8和图9，根据一些示例性实施例的发光二极管装置可以使发光二极管层120的侧壁设置为完全被光透射层540围绕。
也就是说，参见示意性地描绘了在第四方向DR4上的横截面的图9，光透射层540可以设置为完全围绕基层121的侧壁和发光结构130的侧壁。
如图8所示，光透射层540在俯视图中可以具有圆形形状。然而，本公开不限于此。
在下文中，将参照图10描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置。将强调与图1和图4中所示的发光二极管装置的不同之处。
图10是用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的俯视图。
参见图10，根据一些示例性实施例的发光二极管装置可具有在俯视图上形成为矩形形状的光透射层640。
另外，发光二极管层120的侧壁可以设置为完全被光透射层640围绕。
在下文中，将参考图11至图17描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置的制造方法。
图11至图17是示出制造的中间阶段的视图，用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的制造方法。
参见图11，可以在衬底100上形成波长转换层110。波长转换层110可以形成为具有基本规则厚度的片状。
参见图12，可以在波长转换层110上形成光透射材料层140a。多个光透射材料层140a可以彼此间隔开，并且可以形成为从波长转换层110的表面突出。
尽管图12描绘了光透射材料层140a形成为半球形，这仅仅是为了便于说明，并且光透射材料层140a的形状没有特别限制。
参见图13，可以将其上形成有第一凸块161和第二凸块162的发光二极管层120定位在每个光透射材料层140a(图12)上。
形成为围绕发光二极管层120的侧壁的光透射材料层140a(图12)可以定义为光透射层140。光透射层140的上部的至少一部分可以与发光二极管层120的上表面共面。
参见图14，可以将模制辅助材料170定位成与形成在各个发光二极管层120上的各个凸块161、162接触。
模制辅助材料170可以包括模制带171、形成在模制带171的下表面上的粘合层172、以及形成在粘合层172的下表面上的防粘滞层173。
凸块161、162的上表面可以穿透防粘滞层173和粘合层172，并且可以附接到模制带171的下表面。
接下来，可以通过形成为穿透模制辅助材料170的开口174在各个发光二极管层120之间填充模制材料。
参见图15，填充在各个光透射层140之间以及发光二极管层120和防粘滞层173之间的模塑材料可以形成护套层150。
参见图16，可以去除模制辅助材料170。当去除模制辅助材料170时，可以从护套层150上剥离防粘滞层173。防粘滞层173形成在模制辅助材料170的最下表面上，使得防粘滞层173可以从护套层150上剥离。因此，可以防止在去除模制辅助材料170的过程中由于去除护套层150的一部分而导致的缺陷。
接下来，可以去除形成在波长转换层110的下表面上的衬底100。
参见图17，可以通过切割护套层150和波长转换层110来制造发光二极管装置。
在下文中，将参照图18和图19描述根据一些示例性实施例的发光二极管装置的制造方法。
图18和图19是示出制造的中间阶段的视图，用于说明根据一些示例性实施例的发光二极管装置的制造方法。将强调与图11至图17所示的发光二极管装置的制造方法的不同之处。
参见图18，可以在衬底100上形成光透射层140、发光二极管层120和护套层150。
具体地，可以在衬底100上执行上面参照图12至图15描述的处理。
更具体地，可以在衬底100上形成光透射材料层140a(图12)。接下来，可以将其上形成有第一凸块161和第二凸块162的发光二极管层120定位在光透射材料层140a(图12)上。接下来，可以将模制辅助材料170(图14)定位成与形成在各个发光二极管层120上的各个凸块161、162接触。接下来，可以通过形成为穿透模制辅助材料170(图14)的开口174(图14)在各个发光二极管层120之间填充模制材料来形成护套层150。接下来，可以去除模制辅助材料170。
参见图19，可以去除衬底100。
接下来，可以通过执行图16和图17中描述的处理来制造发光二极管装置。
具体地，图19中示出的没有衬底100的结构可以接合至波长转换层110。接下来，可以通过切割护套层150和波长转换层110来制造发光二极管装置。
以上参照附图解释了示例性实施例，但是应当理解，本公开不限于前述示例性实施例，而是可以以各种不同的形式制造，并且可以由本领域技术人员在不改变本公开的技术构思或本质特征的情况下以其他特定形式实现。因此，应该理解，上述示例性实施例仅是说明性的，不应解释为限制所附权利要求。
Claims (20)
1.一种发光二极管装置，包括：
波长转换层，其具有第一折射率；
发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；
光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及
护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率。
2.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一折射率大于所述第二折射率。
3.根据权利要求2所述的发光二极管装置，其中，所述基层具有第四折射率，所述第四折射率大于所述第一折射率。
4.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁的至少一部分与所述护套层接触。
5.根据权利要求1所述的发光二极管装置，还包括：
第一凸块和第二凸块，所述第一凸块和所述第二凸块设置在所述发光结构的第一表面上并与所述发光结构电连接；
N电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并与所述第一凸块电连接；以及
P电极，其设置在所述发光结构的所述第一表面上并与所述第二凸块电连接。
6.根据权利要求5所述的发光二极管装置，其中，所述护套层围绕所述第一凸块的侧壁的至少一部分和所述第二凸块的侧壁的至少一部分。
7.根据权利要求6所述的发光二极管装置，其中，所述护套层完全围绕所述第一凸块的侧壁和所述第二凸块的侧壁。
8.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述第一折射率与所述第二折射率相同。
9.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁完全被所述光透射层围绕。
10.根据权利要求1所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的第一上表面和所述护套层的第二上表面彼此共面。
11.一种发光二极管装置，包括：
波长转换层，其具有第一折射率；
发光二极管层，其设置在所述波长转换层上；
光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁，并且具有小于所述第一折射率的第二折射率；
护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率；以及
凸块，其设置在所述发光二极管层上并与所述发光二极管层电连接。
12.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述光透射层与所述发光二极管层的侧壁接触。
13.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述护套层不与所述凸块接触。
14.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述护套层的至少一部分设置在所述凸块和所述光透射层之间。
15.根据权利要求11所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁完全被所述光透射层围绕。
16.一种发光二极管装置，包括：
波长转换层，其具有第一折射率；
发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；
光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有小于所述第一折射率的第二折射率；以及
护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并具有小于所述第一折射率的第三折射率。
17.根据权利要求16所述的发光二极管装置，其中，所述第二折射率大于所述第三折射率。
18.根据权利要求16所述的发光二极管装置，其中，所述基层具有第四折射率，所述第四折射率大于所述第一折射率。
19.根据权利要求16所述的发光二极管装置，还包括凸块，所述凸块设置在所述发光结构上并与所述发光结构电连接，
其中，所述护套层围绕所述凸块的侧壁的至少一部分。
20.根据权利要求16所述的发光二极管装置，其中，所述发光二极管层的侧壁的至少一部分与所述护套层接触。
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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