CN110312966B - 与散射测量术测量中的光栅非对称相关的不精确性的减轻 - Google Patents

与散射测量术测量中的光栅非对称相关的不精确性的减轻 Download PDF

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Abstract

本发明提供散射测量术叠加目标以及目标设计及测量方法，其减轻基于衍射的叠加测量中的光栅非对称的效应。目标包括具有取代解析粗节距光栅的亚解析结构的额外单元，且/或包括具有粗节距周期性的交替亚解析结构，以隔离并移除由于光栅非对称所导致的不精确性。测量方法利用正交偏光照明，以相对于设计的目标结构，隔离不同测量方向上的所述光栅非对称效应。

Description

与散射测量术测量中的光栅非对称相关的不精确性的减轻
相关申请案的交叉参考
本申请案要求2017年2月10日申请的第62/457,787号美国临时专利申请案的权益，所述案以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
本发明涉及计量领域，且更具体来说，本发明涉及散射测量术叠加目标及其测量方法。
背景技术
当前基于衍射的叠加(DBO)标记或目标由具有两个光栅的单元构成，每一层中具有一个光栅，所述光栅应对准。来自这些单元的衍射信号用于计算两个层之间的位移(叠加)。使用前述单元中的测量非对称来估计一个光栅相对于另一光栅的位移。
发明内容
以下内容是提供对本发明的初始理解的简化概要。概要不一定识别要素或限制本发明的范围，而仅充当对以下描述的介绍。
本发明的一个方面提供散射测量术叠加(SCOL)目标，其沿着至少一个测量方向包括：两个单元，其具有至少在两个晶片层处的具指定粗节距的周期性结构，其中所述两个单元在相应层中具有顶部周期性结构相对于底部周期性结构的相反偏移；及两个单元，其各自具有在两个层的不同者处的具指定粗节距的周期性结构及在两个层的另一者处的亚解析周期性结构。
在以下详细描述中陈述本发明的这些、额外及/或其它方面及/或优势；可能可从详细描述推论；及/或可通过实践本发明而获悉。
附图说明
为了更好地理解本发明的实施例且展示可如何实行本发明的实施例，现将仅通过实例参考随附图式，其中相似符号贯穿本文指定对应元件或区段。
在随附图式中：
图1是根据本发明的一些实施例的具有光栅非对称的散射测量术目标的高级示意性说明，其呈现目标的两个单元的区段。
图2A是根据本发明的一些实施例的计量目标、其从现有技术目标的衍生及测量配置的高级示意性说明。
图2B是根据本发明的一些实施例的计量目标中的额外的一对单元的高级示意性说明。
图3是根据本发明的一些实施例的计量目标的高级示意性说明。
图4是根据本发明的一些实施例的计量测量设置的高级示意性说明。
图5是说明根据本发明的一些实施例的方法的高级流程图。
具体实施方式
在以下描述中，描述本发明的各个方面。出于解释的目的，陈述特定配置及细节以便提供对本发明的透彻理解。然而，所属领域的技术人员还将明白，可在本文中未呈现的特定细节的情况下实践本发明。此外，可能已省略或简化众所周知特征以免混淆本发明。特定参考图式，应强调，展示的细节是通过实例且仅出于本发明的说明性论述的目的，且为了提供认为是本发明的原理及概念方面的最有用及容易理解描述的内容而呈现。在此点上，未尝试比对于本发明的基本理解所必需更详细地展示本发明的结构细节，结合图式获取的描述使所属领域的技术人员明白实践上可如何体现本发明的若干形式。
在详细解释本发明的至少一个实施例之前，应理解，本发明在其应用中不限于以下描述中陈述或图式中说明的组件的构造及布置的细节。本发明适用于可以各种方式实践或实行的其它实施例以及所揭示实施例的组合。而且，应理解，本文中采用的措辞及术语用于描述的目的且不应视为限制性的。
除非另外明确规定，否则如从以下论述明白，应了解，贯穿说明书，利用例如“处理”、“运算”、“计算”、“确定”、“增强”、“导出”或类似物的术语的论述是指计算机或运算系统或类似电子运算装置的动作及/或过程，其将表示为运算系统的寄存器及/或存储器内的例如电子量的物理量的数据操纵及/或变换成类似地表示为运算系统的存储器、寄存器或其它此类信息存储装置、传输或显示器装置内的物理量的其它数据。
本发明的实施例提供用于减轻基于衍射的叠加(DBO)测量中的光栅非对称的效应的有效且经济的方法及机制，且借此提供对叠加散射测量术计量的技术领域的改进。提供经改进叠加目标设计及测量技术，用以减轻目标光栅非对称的效应。光栅非对称归因于制造过程的性质而出现，且当前方法未予解决，当前方法假设非对称确实源于层之间的位移(叠加加上预期偏移)，且因此，光栅中的任何额外非对称在现有技术中被错误地解释为额外位移，从而导致叠加的不精确测量。本发明者已发现用以特性化且防止归因于光栅非对称的叠加估计不精确性的方式。
提供散射测量术叠加目标以及目标设计及测量方法，其减轻基于衍射的叠加测量中的光栅非对称的效应。目标包括具有取代解析粗节距光栅的亚解析结构的额外单元，且/或包括具有粗节距周期性的交替亚解析结构，以隔离并移除由于光栅非对称所导致的不精确性。测量方法利用正交偏光照明，以相对于设计的目标结构来隔离不同测量方向上的光栅非对称效应。
图1是根据本发明的一些实施例的具有光栅非对称的散射测量术目标80的高级示意性说明，其呈现目标80的两个单元80A、80B的区段。
说明的光栅上覆光栅系统80包括对应目标单元80A、80B的至少两个层81、82中的周期性结构86A、87A、86B、87B。每一单元中的周期性结构相对于彼此移位达Δ＝偏移+叠加，位移包括在单元80A、80B之间相反的预期偏移(在图1中指示为±f0)，及待通过计量测量来测量的叠加(图1中未明确展示)。层81及82中的光栅86A、86B及87A、87B分别分开达指示为h的高度。在顶部及/或底部光栅中存在光栅非对称的情况下，所测量的计量信号的+1及-1阶的衍射系数不相等。将顶部光栅的+1及-1阶的衍射系数分别表示为r+及r－，且将底部光栅的+1及-1阶的衍射系数分别表示为r'+及r'－。由于光栅非对称，因此衍射系数可能在振幅及相位两者上都不同，且因此以顶部光栅的r±1＝(ρ±δρ)ei(ψ±δψ)及底部光栅的r′±1＝(ρ′±δρ′)ei(ψ′±δψ′)形式表示。方程式1呈现在存在光栅非对称的情况下+1及-1衍射级信号的强度，其中忽略了多重散射效应。表达式φm(x，y)提供归因于两个光栅之间的光路差而由第m阶累积的相位的主导阶。
Figure GDA0002161493690000041
Figure GDA0002161493690000042
Figure GDA0002161493690000043
方程式2表示差分信号D(x，y)＝I+1(x，y)-I-1(-x，-y)，其中相位定义为Φ(x，y)＝ψ-ψ′-φ0(x，y)-φ+1(x，y)。
Figure GDA0002161493690000044
方程式3依据以下假设提供方程式2的差分信号的近似：(i)相位扰动δψ-δψ′对于叠加精确性预算的贡献是可忽略的，这是因为相位扰动比由δρ及δρ'描述的振幅扰动的贡献小得多，因为相位扰动在对应于些微非对称目标的对称中心的界定的不确定性的几何模糊范围内；(ii)测量条件(作为实例，波长、偏光)可经选取以使相位Φ(x，y)接近π/2±πn，其中n是整数，以最小化项
Figure GDA0002161493690000045
取决于cosΦ(x，y)，接近可忽略大小且使sinΦ(x，y)近似为1；及(ⅲ)使差分信号近似于主导阶(忽略Θ(δρδρ′)的量值级的项)。
Figure GDA0002161493690000046
方程式3证明差分信号偏离由现有技术叠加测量算法假设的理想信号，且将额外不精确性引入到叠加估计中。本发明者指出在方程式3中，项
Figure GDA0002161493690000047
通过Δ的估计提供叠加测量的基础，而项ρδρ+ρ′δρ′提供例如归因于光栅非对称的叠加测量不精确性的估计。在下文中，本发明者呈现用以考虑在现有技术中保持未予解释的光栅非对称的方式。
图2A是根据本发明的一些实施例的计量目标100、其从现有技术目标90的衍生及测量配置的高级示意性说明。以下解决方案处置例如通过在上文中导出且在方程式3中呈现的光栅非对称引入的不精确性。现有技术目标90示意性地表示为具有每一测量方向上的两个单元，测量方向X上的单元91及测量方向Y上的单元92，其中根据图1中针对具有具每一单元中的层之间的相反设计偏移的周期性结构的单元80A、80B描述的原理来设计每一对单元。
在某些实施例中，揭示的目标100包括如现有技术目标90中设计的相应X及Y测量方向上的单元对101、102及具有分别在每一测量方向X及Y上的单元111A、111B及112A、112B的额外两个对111及112(由箭头210指示新增，参见下文中的图5)。
图2B是根据本发明的一些实施例的计量目标100中的额外单元对111的高级示意性说明。在每一单元对111中，于一个单元(例如，X方向上的111A)中，顶部光栅被适当设计的亚解析光栅116A取代；且在另一单元(例如，X方向上的111B)中，底部结构被不同适当设计的亚解析结构117B取代。这两个单元的测量允许以以下方式校正归因于光栅中的非对称的不精确性。对于主导阶，通过单个散射模型，即，通过从顶部光栅衍射的光与从底部光栅衍射的光的干涉，给出从光栅上覆光栅返回的信号。可展示仅具有底部光栅117A的单元111A的差分信号是D(x，y)＝4|E0|2ρ′δρ′，且仅具有顶部光栅116B的单元111B的差分信号是D(x，y)＝4|E0|2ρδρ。因此，额外单元与目标100的单元101的测量独立地提供由于光栅非对称所导致的不精确性的估计。因此，从自单元101导出的非理想差分信号减去来自单元111的不精确性估计移除了方程式3的第一项及第二项ρδρ+ρ′δρ′，其偏离不存在非对称时的信号。接着，可通过挑选远离谐振的波长、留下接近通过算法假设的理想信号的信号来最小化第三项
Figure GDA0002161493690000051
类似单元112(Y测量方向上的对应于111A、111B的112A、112B)及测量也可相对于单元102的测量被应用于Y测量方向。
如图2B中示意性地说明，单元111A、111B中的亚解析光栅116A、117B分别包括具有例如低于300nm、200nm或低于100nm的节距(作为典型装置节距的非限制实例)等亚解析节距的周期性结构。亚解析光栅116A、117B可经配置以维持单元111及112中的堆叠的光学性质，而相对于具两个层81、82之间的粗解析节距(例如，超出500nm)的周期性结构的单元101、102，有着相同、类似或具有受控差异。亚解析结构116A、117B可经配置以相对于堆叠的光学性质，取代光栅86A、87B(参见图1)。举例来说，使用平行于目标线(周期性结构117A、116B的元件)偏光的照明辐射，亚解析周期性结构116A、117B可经配置以具有与原始目标周期性元件86A、87B相同的填充因子，以为单元111、112提供与单元101、102相同的有效介电常数，即εeff＝ε1·η+ε2·(1-η)，其中ε1表示光栅材料介电常数，ε2表示周围材料介电常数，且η表示填充因子。在垂直于光栅线定向的电场的情况中，有效介质近似是
Figure GDA0002161493690000061
使得分别取代原始目标光栅86A、87B的光栅116A、117B的对应填充因子(η1)应满足以下条件：
Figure GDA0002161493690000062
然而，对于任何波长都不能满足。
因此，可运用照明辐射120的正交偏光121、122分别测量在X及Y方向上分别具有周期性结构的目标111、112，如图2A中示意性地指示。可使用对应于正交偏光的两个独立通道来实行测量(由圆圈121、122示意性地展示对应照明光点)。
在某些实施例中，目标100可例如相对于单元101、102、111、112的空间布置经配置以具有例如由90A、110A、110B表示的单元群组，其对应于现有技术目标90中的单元91、92的空间布置。在此类配置中，群组(目标部分)90A可在其空间组织中对应于现有技术目标90，群组(目标部分)110A、110B可同样如此。此外，在某些实施例中，此类目标配置可经配置以允许且利用使用具有对应偏光的两个照明光点120的两个单元的同时测量进行测量，例如，测量具有Y偏光的额外单个光栅X单元(例如，具有照明光点122的单元111A)及具有X偏光的光栅Y单元上的光栅(例如，具有照明光点121的单元102)。在某些实施例中，目标100可经配置以具有分别具单元111、102及101、112的类似空间布置的循环群组(目标部分)110A、110B，使得可通过将照明场从一个照明场位移到另一照明场(由表示照明位移123的箭头示意性地说明)而循序测量类似目标部分110A、110B，使得可在与使用一个测量光点测量现有技术目标90相同的时间期间测量(使用两个照明光点121、122)所得8单元目标100(包含额外单元111、112)，相对于测量现有技术目标90简化测量程序且最小化操作变化。
总而言之，在某些实施例中，SCOL目标100可沿着至少一个测量方向包括分别具有至少在两个晶片层81、82处的具指定粗节距的周期性结构86A、86B及87A、87B的两个单元101(及/或102)。单元101(及/或102)可具有相应层中的顶部周期性结构86A、86B相对于底部周期性结构87A、87B的相反偏移±f0(如例如图1中示意性地说明)，且两个单元111(及/或112)各自分别具有两个层81、82的不同者处的具指定粗节距的周期性结构116B、117A及两个层82、81的另一者处的亚解析周期性结构116A、117B(如例如图2B中示意性地说明)。可沿着两个(X及Y)测量方向中的每一者设计四个单元101、111(及/或102、112)，将上文中描述的方案复制到两个方向X(具有四个单元101、111)及Y(具有四个单元102、112)，如例如图2A中示意性地说明。在某些实施例中，八个单元(单元101、102、111、112中的每一者有两个单元)可经布置成各自四个单元的两个群组110A、110B，所述四个单元为两个X方向单元及两个Y方向单元(例如，分别地111、102成一个群组，101、112成另一群组，参见图2A)，所述群组相对于测量方向具有相同空间布置。所揭示的目标100的任一者的目标设计文件99同样是本发明的部分。
有利地，具有亚解析周期性结构的单元111、112的新增允许补偿归因于光栅非对称的不精确性且相对于标准DBO技术改进精确性。在两个额外单元中使用亚解析结构116A、117B(而非光栅86A、87B)确保膜堆叠性质未经修改，从而导致较好地消除偏离理想信号的项且因此导致较好叠加精确性。
图3是根据本发明的一些实施例的计量目标100的高级示意性说明。目标100包括至少两个层81、82，其各自具有沿着交替测量方向X、Y的周期性结构，层81中的分别沿着测量方向X、Y的周期性结构131A、132A及层82中的分别沿着测量方向X、Y的周期性结构131B、132B，其中每一周期性结构按未解析节距(例如，低于300nm、200nm或低于100nm的节距，作为典型装置节距的非限制实例)分段且其中周期性结构按粗节距(例如，介于600nm与1000nm之间)交替。粗节距经配置以通过计量工具很好地解析，而亚解析分段节距通过目标100(在两个方向X及Y上)均匀且低于计量工具的分辨率阈值。
目标100可经设计以提供第一衍射级的相同振幅，同时在两个正交偏光方向121、122的照明辐射之间按π的一半节距位移124提供第一衍射级的相位(达节距/2的位移124等效于π的相移)。因此，偏光的变化改变针对差分信号D(x,y)的方程式3(为了方便起见在下文中复制)中的项
Figure GDA0002161493690000071
的正负号(相对于方程式3的第一项及第二项ρδρ+ρ′δρ′)，而目标非对称上的散射仅稍微取决于偏光的变化(由于大多数非对称并非形成在目标100的分段部分内，这是因为可用最小设计规则节距设计亚解析分段，且非对称扰动是由大的粗节距特性化的不紧实对象)。
Figure GDA0002161493690000081
因此，根据图3中说明的原理设计(在两个层81、82中)且因此测量以产生针对两个正交偏光计算的叠加值的总和的一半的目标100无目标非对称效应。
总而言之，在某些实施例中，SCOL目标100可至少在两个晶片层81、82处包括具有亚解析节距的周期性结构131A、131B、132A、132B，其在对应测量方向上交替以产生粗节距，如图3中示意性地说明。揭示的目标100的任一者的目标设计文件99同样是本发明的部分。
有利地，目标100可经配置且测量以消除目标非对称效应，且根据图3中说明的原理设计的目标100的实施例要求比根据图2A中说明的原理设计的目标100更小的目标区域。
图4是根据本发明的一些实施例的计量测量设置的高级示意性说明。计量工具70通常具有将照明辐射120递送到计量目标100(其使用目标设计文件99而产生)上的照明臂120A及测量所得信号的测量臂125，在SCOL目标100的情况中，所得信号为散射离开目标100的辐射的衍射级(通常级0、-1及+1，在光瞳平面中)。计量模块140接收所测量的信号且处理所述信号以导出计量度量，例如目标层81、82之间的叠加，如本文中揭示。
图5是说明根据本发明的一些实施例的方法200的高级流程图。可关于上文中描述的目标100实行方法阶段，其可任选地经配置以允许实施方法200。方法200可在其设计及/或测量方面中至少部分由例如计量模块140中的至少一个计算机处理器予以实施。某些实施例包括具有计算机可读存储媒体的计算机程序产品，所述计算机可读存储媒体具有用其体现且经配置以实行方法200的相关阶段的计算机可读程序。某些实施例包括通过方法200的实施例及/或方法200的测量结果设计的相应目标的目标设计文件。方法200可包括以下阶段，而不考虑其顺序。
方法200可包括通过目标设计及测量配置消除光栅非对称效应(阶段205)，如本文中揭示。
在某些实施例中，方法200可包括将具有一个层处的周期性结构及另一(些)层处的亚解析特征的单元新增到SCOL目标设计(阶段210)，如图2A中示意性地说明。在某些实施例中，方法200可包括新增到SCOL目标，其沿着至少一个测量方向包括：两个单元，其具有至少在两个晶片层处的具指定粗节距的周期性结构，其中所述两个单元具有相应层中的顶部周期性结构相对于底部周期性结构的相反偏移；两个单元，其各自具有两个层的不同者处的具指定粗节距的周期性结构及两个层的另一者处的亚解析周期性结构。SCOL目标可具有沿着两个X及Y测量方向中的每一者的两个单元，且可针对测量方向中的每一者的单元相应地实行新增210。
在某些实施例中，方法200可包括将目标单元分组以具有类似空间关系及通过使照明光点位移而测量群组(阶段220)，如图2A中示意性地说明。在某些实施例中，方法200可包括将八个单元布置成各自四个单元的两个群组，所述四个单元为两个X方向单元及两个Y方向单元，所述群组相对于测量方向具有相同空间布置。
方法200可进一步包括用正交照明偏光测量不同方向上的增强的SCOL目标(例如，具有如上文中揭示的新增单元的SCOL目标)及/或其单元(阶段250)，例如，用正交偏光照明辐射120沿着两个(X及Y)测量方向测量单元。可针对具有正交偏光照明光点对的周期性结构对同时实行测量。
粗节距可为至少500nm或600nm且亚解析周期性结构可具有小于300nm、200nm或小于100nm的亚解析节距。
在某些实施例中，方法200可包括配置目标以具有按一半的粗节距交替的测量方向上的周期性结构(阶段240)及用正交照明偏光测量不同方向上的增强目标(阶段250)。举例来说，方法200可包括沿着两个测量方向用正交偏光照明辐射测量至少在两个晶片层处包括在对应测量方向上交替以产生粗节距的具有亚解析节距的周期性结构的目标。可针对具有正交偏光照明光点对的周期性结构对同时实行测量。
上文中参考根据本发明的实施例的方法、设备(系统)及计算机程序产品的流程图说明及/或部分图式描述本发明的方面。将理解，可通过计算机程序指令实施流程图说明及/或部分图式中的每一部分，及流程图说明及/或部分图式中的部分的组合。这些计算机程序指令可提供到通用计算机、专用计算机或其它可编程数据处理设备的处理器以产生机器，使得经由计算机或其它可编程数据处理设备的处理器执行的指令建立用于实施流程图及/或部分图式或其部分中所指定的功能/动作的手段。
这些计算机程序指令也可存储在计算机可读媒体中，其可引导计算机、其它可编程数据处理设备或其它装置以特定方式作用，使得存储于计算机可读媒体中的指令产生包含实施流程图及/或部分图式或其部分中所指定的功能/动作的指令的制品。
计算机程序指令也可加载到计算机、其它可编程数据处理设备或其它装置上以引起对计算机、其它可编程设备或其它装置执行一系列操作步骤以产生计算机实施过程，使得在计算机或其它可编程设备上执行的指令提供用于实施流程图及/或部分图式或其部分中所指定的功能/动作的过程。
上述流程图及图式说明根据本发明的各个实施例的系统、方法及计算机程序产品的可行实施方案的架构、功能性及操作。在此点上，流程图或部分图式中的每一部分可表示代码的模块、片段或部分，其包括用于实施指定逻辑函数的一或多个可执行指令。还应注意，在一些替代实施方案中，部分中所述的功能可能不以图中所述的顺序发生。举例来说，事实上可能基本上同时执行连续展示的两个部分，或可能有时以逆序执行部分，此取决于涉及的功能性。还将注意，可由执行指定功能或动作的基于专用硬件的系统或专用硬件及计算机指令的组合实施部分图式及/或流程图说明的每一部分，及部分图式及/或流程图说明中的部分的组合。
在上述描述中，实施例是本发明的实例或实施方案。“一个实施例”、“实施例”、“某些实施例”或“一些实施例”的各种出现不一定全部是指相同实施例。尽管可在单个实施例的上下文中描述本发明的各个特征，但还可单独或以任何适合组合提供所述特征。相反地，尽管为了清楚起见本文中可在不同实施例的上下文中描述本发明，但还可在单个实施例中实施本发明。本发明的某些实施例可包含来自上文中揭示的不同实施例的特征，且某些实施例可并入来自上文中揭示的其它实施例的元件。本发明在特定实施例的上下文中的元件的揭示内容不应被视为限制其单独用于特定实施例中。此外，应理解，可以各种方式实行或实践本发明且可在除上述描述中概述的实施例以外的某些实施例中实施本发明。
本发明不限于那些图式或对应描述。举例来说，流程无需通过每一说明的框或状态，或以与说明及描述完全相同的顺序移动。通常应如通过本发明所属于的领域的一般技术人员理解本文中使用的技术及科学术语的意义，除非另外定义。虽然已关于有限数目个实施例描述本发明，但这些不应解释为对本发明的范围的限制，而是解释为一些优选实施例的例示。其它可能变化、修改及应用也在本发明的范围内。因此，本发明的范围不应由迄今为止已描述的内容限制，而应由所附权利要求书及其合法等效物限制。

Claims (7)

1.一种散射测量术叠加SCOL目标，其沿着至少一个测量方向包括：
两个单元，其具有至少在第一晶片层和第二晶片层处的具有指定粗节距的周期性结构，其中所述第一晶片层设置在所述第二晶片层上方，其中所述两个单元具有相应层中的顶部周期性结构相对于底部周期性结构的相反偏移，
其中所述两个单元中的第一者具有在所述第一晶片层处的具有所述指定粗节距的周期性结构，及在所述第二晶片层处的亚解析周期性结构，及
其中所述两个单元中的第二者具有在所述第二晶片层处的具有所述指定粗节距的周期性结构，及在所述第一晶片层处的亚解析周期性结构，
其中所述指定粗节距是至少500nm，且所述亚解析周期性结构具有小于300nm的亚解析节距，其中所述两个单元中的所述第一者中的所述亚解析周期性结构经配置以与所述两个单元中的所述第一者中的具有所述指定粗节距的所述周期性结构具有相同的填充因子，且其中所述两个单元中的所述第二者中的所述亚解析周期性结构经配置以与所述两个单元中的所述第二者中的具有所述指定粗节距的所述周期性结构具有相同的填充因子，
其中所述周期性结构具有沿着两个X测量方向及Y测量方向中的每一者的单元，其中所述单元中的八个单元经布置成两行，每一行具有相对于所述测量方向具有相同空间布置的所述单元中的四个单元，其中所述行中的每一者包括沿着所述行单独交替的两个X方向单元和两个Y方向单元，使得所述行中的所述X方向单元中的一者邻近于所述行中的Y方向单元中的两者，且使得所述行中的所述Y方向单元中的一者邻近于所述行中的所述X方向单元中的两者。
2.根据权利要求1所述的SCOL目标，其中所述亚解析节距小于100nm。
3.一种根据权利要求1设计的目标的目标设计文件。
4.一种用于将单元新增到散射测量术叠加SCOL目标的方法，所述方法包括沿着至少一个测量方向将具有至少在第一晶片层和第二晶片层处的具有指定粗节距的周期性结构的两个单元新增到所述SCOL目标，其中所述第一晶片层设置在所述第二晶片层上方，其中所述两个单元具有在所述第一晶片层和所述第二晶片层中的顶部周期性结构相对于底部周期性结构的相反偏移，其中所述两个单元中的一者具有在所述第一晶片层处的具有所述指定粗节距的周期性结构，及在所述第二晶片层处的亚解析周期性结构，且所述两个单元中的另一者具有在所述第二晶片层处的具有所述指定粗节距的周期性结构，及在所述第一晶片层处的所述亚解析周期性结构，其中所述指定粗节距是至少500nm，且所述亚解析周期性结构具有小于300nm的亚解析节距，其中所述两个单元中的所述亚解析周期性结构经配置以与所述两个单元中的具有所述指定粗节距的所述周期性结构具有相同的填充因子，其中所述周期性结构具有沿着两个X测量方向及Y测量方向中的每一者的单元，其中所述单元中的八个单元经布置成两行，每一行具有相对于所述测量方向具有相同空间布置的所述单元中的四个单元，其中所述行中的每一者包括沿着所述行单独交替的两个X方向单元和两个Y方向单元，使得所述行中的所述X方向单元中的一者邻近于所述行中的Y方向单元中的两者，且使得所述行中的所述Y方向单元中的一者邻近于所述行中的所述X方向单元中的两者。
5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包括用正交偏光照明辐射，沿着所述两个测量方向来测量所述单元。
6.根据权利要求5所述的方法，其中针对具有正交偏光照明光点对的单元对，同时实行所述测量。
7.根据权利要求4所述的方法，其中所述亚解析节距小于100nm。
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