CN110289339A - 一种太阳能电池及其制备方法 - Google Patents
一种太阳能电池及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110289339A CN110289339A CN201910650552.XA CN201910650552A CN110289339A CN 110289339 A CN110289339 A CN 110289339A CN 201910650552 A CN201910650552 A CN 201910650552A CN 110289339 A CN110289339 A CN 110289339A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ceramic slurry
- printed
- solar battery
- preparation
- printing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 86
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims abstract description 72
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 15
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims abstract description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 12
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 6
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 claims abstract description 6
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 20
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 15
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 15
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 6
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N Methylacrylonitrile Chemical compound CC(=C)C#N GYCMBHHDWRMZGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 claims description 2
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 claims 1
- 230000001680 brushing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 13
- 101001073212 Arabidopsis thaliana Peroxidase 33 Proteins 0.000 abstract description 8
- 101001123325 Homo sapiens Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Proteins 0.000 abstract description 8
- 102100028961 Peroxisome proliferator-activated receptor gamma coactivator 1-beta Human genes 0.000 abstract description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003854 Surface Print Methods 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
- H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1868—Passivation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域，该太阳能电池制备方法包括以下步骤：进行双面制绒；在绒面上进行管式磷扩散；刻蚀；在硅片正表面镀膜；硅片背表面进行Al2O3钝化；钝化结束后，采用银浆印刷背电极及烘干；采用陶瓷浆料对背电场进行印刷及烘干，并预留铝浆印刷的位置；在预留位置处对背电场进行铝浆印刷及烘干；对正电极进行银浆印刷及烘干；将电池片送入烧结炉烧结。本方法相对于PERC电池片制造工艺省略了背面氮化硅镀膜以及激光开槽的工序，可以大大缩减设备改造和投资成本。本发明还提供了一种太阳能电池，含有陶瓷浆料，提高了电池平均转化率的稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。
背景技术
目前传统的电池片效率已经不能满足市场需求，大厂几乎都要切换为PERC电池技术，但是PERC电池技术的升级需要新增氧化铝钝化设备，背面氮化硅镀膜设备，激光开槽设备等，使得PERC电池技术升级的投资大，对现有产品线改动巨大。且现有的PERC电池的平均转化率稳定性不高。
发明内容
本发明提供了一种太阳能电池，包括Si基体，正面镀膜层和正电极，所述正面镀膜层位于Si基体正表面，正面镀膜层上设置有正电极；Si基体背表面设置有 Al2O3 钝化膜，Al2O3 钝化膜上印刷有陶瓷浆料和铝浆。本发明提供的太阳能电池的有益效果在于：在保证与现有同类太阳能电池的平均转化率相同的前提下，增加了陶瓷浆料，严格限制了铝料与Al2O3钝化膜的接触面积，避免了铝料过多腐蚀Al2O3钝化膜，因而提高了电池平均转化率的稳定性。
本发明还提供了一种太阳能电池及其制备方法，相比常规的PERC电池，省略了背面氮化硅镀膜以及激光开槽的工序，可以大大缩减设备改造和投资成本，并且生产出的太阳能电池的平均转化率稳定性高。
为达到上述目的，本发明所采用的技术方案是：一种太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：在硅片的正表面和背表面进行制绒；在绒面上进行管式磷扩散；使用化学溶液进行刻蚀；在硅片正表面镀膜；硅片背表面进行Al2O3钝化；钝化结束后，采用银浆印刷背电极及烘干；采用陶瓷浆料对背电场进行印刷及烘干，并预留铝浆印刷的位置；在预留位置内对背电场进行铝浆印刷及烘干；对正电极进行银浆印刷及烘干；将电池片送入烧结炉烧结。
进一步地，采用陶瓷浆料对背电场进行印刷及烘干包括以下步骤：制备陶瓷浆料；将制备好的陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜的表面；采用恒温烘箱，对刷好的陶瓷浆料进行烘干。
进一步地，所述陶瓷浆料包括陶瓷粉体，分散剂，粘合剂以及溶剂；所述陶瓷粉体为70~100重量份，分散剂为0.5~3重量份，粘结剂为2~20重量份，溶剂为30~45重量份。
进一步地，所述陶瓷粉体为Al2O3或Si3N4；所述分散剂为磺酸基的双键烯烃类单体与丙烯酸单体的共聚物；所述粘合剂为聚丙烯酸酯类粘结剂，由甲基丙烯腈单体、甲基丙烯酸酯单体和苯乙烯单体共聚形成，溶剂为甲苯和乙醇的混合溶液。
进一步地，陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜表面时，除预留的多个用于印刷铝浆的方形或圆形间隔，整个电池背电场的其余部分均印刷陶瓷浆料。
进一步地，陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜表面时，陶瓷浆料沿副栅线的设置方向印刷，印刷呈直线状；印刷好的陶瓷浆料线与副栅线平行，副栅线两侧各印刷1根陶瓷浆料线，同一副栅线两侧的陶瓷浆料线的预留间距为副栅线的宽度。
进一步地，陶瓷浆料的印刷高度为1 um ~20um。
进一步地，对背电场进行铝浆印刷时，铝浆完全填充预留位置或呈直线状印刷。
本发明提供的太阳能电池的制备方法在印刷工艺中增加背电场陶瓷浆料的印刷，可以起到隔绝铝浆腐蚀Al2O3钝化膜的作用，严格控制铝浆与Al2O3钝化膜的接触，以保证Al2O3的钝化效果。由于陶瓷浆料具有良好的耐磨性和抗氧化性，使得电池片背表面的结构更稳定，从而保证电池转化率的稳定。本发明相比现有的PERC电池制备方法，省略了背面氮化硅镀膜以及激光开槽的工序，但是生产出的太阳能电池的平均转化效率与现有同类太阳能电池相同。本发明提供的太阳能电池的制备方法大大缩减了设备的改造和投资成本，工艺更简单方便，制作成本更低。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种太阳能电池结构示意图；
图2显示了本发明实施例中陶瓷浆料的SEM扫描图；
图3显示了本发明实施例一中陶瓷浆料和铝浆的印刷位置局部示意图。
图4显示了本发明实施例二中陶瓷浆料和铝浆的印刷位置局部示意图。
其中：1-正电极，2-正面镀膜层，3-Al2O3钝化膜，4-陶瓷浆料，5-铝浆，6-陶瓷浆料线，7-主栅线，8-副栅线，9-Si基体。
具体实施方式
为了更好的理解本发明的实质，下面结合具体实施例和附图对本发明作进一步的阐述。
本发明提供的一种太阳能电池结构如图1所示，包括Si基体9，Si基体9正表面镀有正面镀膜层2，正面镀膜层2上设置有正电极1。Si背表面设置有 Al2O3 钝化膜3， Al2O3 钝化膜3上印刷有陶瓷浆料线6和铝浆5。其平均转化效率测试为21.16%，使用现有PERC工艺制作的太阳能电池的平均转化效率为21.15%。本发明提供的太阳能电池因含有陶瓷浆料4，从而避免了铝料过快腐蚀Al2O3钝化膜，使得其平均转化率的稳定性更高。
本发明还通过以下实施例提供了一种太阳能电池的制备方法：
实施例一、一种太阳能电池的制备方法，具体包括如下步骤：
1.在硅片的正表面和背表面进行制绒。
2.采用三氯氧磷液态源在绒面上进行管式磷扩散。
3.使用HF、HNO3等化学溶液对硅片周边及背面PN结进行刻蚀。
4.在硅片正表面进行氮化硅镀膜。
5.硅体背表面进行Al2O3钝化，Al2O3钝化膜厚度为10nm。
6.钝化结束后，采用银浆印刷背电极及烘干。
7. 制备陶瓷浆料：陶瓷浆料包括陶瓷粉体、分散剂，粘合剂以及溶剂。陶瓷粉体为90重量份，分散剂为2重量份，粘结剂为8重量份，溶剂为40重量份。陶瓷粉体为Al2O3或Si3N4；分散剂包括磺酸基的双键烯烃类单体与丙烯酸单体的共聚物；粘合剂为聚丙烯酸酯类粘结剂，由甲基丙烯腈单体、甲基丙烯酸酯单体和苯乙烯单体共聚形成；溶剂为甲苯和乙醇的混合溶液，所述甲苯与所述乙醇的质量比为1.5:1。陶瓷浆料的SEM扫描图如图2所示。
8. 将制备好的陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜的表面。如图3所示在Al2O3钝化膜的表面印刷陶瓷浆料4时，除预留的多个用于印刷铝浆5的方形间隔，整个电池背面的其余部分均印刷陶瓷浆料4。方形长宽为1cm×0.8cm，相邻方形之间间距0.5cm，陶瓷浆料4高度为1um。
9.采用恒温烘箱，对印刷好的陶瓷浆料进行烘干。
10.除背面主栅线和边缘，在电池片背面的方形间隔中印刷铝浆，使其完全填充方形间隔并进行烘干。陶瓷浆料可以阻隔铝浆直接腐蚀Al2O3钝化膜，从而严格控制铝浆与Al2O3钝化膜的接触面积，防止Al2O3钝化膜被铝浆过多腐蚀，保证电池转化率的稳定性。
11．对正电极进行银浆印刷及烘干。
12. 将硅体送入烧结炉烧结。
实施例一中制得的太阳能电池的平均转化效率测试为21.20%。
实施例二、一种太阳能电池的制备方法，具体包括如下步骤：
1.在硅片的正表面和背表面进行制绒。
2.采用三氯氧磷液态源在绒面上进行管式磷扩散。
3.使用HF、HNO3等化学溶液对硅片周边及背面PN结进行刻蚀。
4.在硅片正表面进行氮化硅镀膜。
5.硅体背表面进行Al2O3钝化，Al2O3钝化膜厚度为10nm。
6.钝化结束后，采用银浆印刷背电极及烘干。
7. 制备陶瓷浆料：陶瓷浆料包括陶瓷粉体、分散剂，粘合剂以及溶剂。陶瓷粉体为100重量份，分散剂为3重量份，粘结剂为20重量份，溶剂为45重量份。陶瓷粉体为Al2O3或Si3N4；分散剂包括磺酸基的双键烯烃类单体与丙烯酸单体的共聚物；粘合剂为聚丙烯酸酯类粘结剂，由甲基丙烯腈单体、甲基丙烯酸酯单体和苯乙烯单体共聚形成；溶剂为甲苯和乙醇的混合溶液，所述甲苯与所述乙醇的质量比为1.5:1。
8. 将制备好的陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜的表面：整个背电场图形为栅线式，设置有50根横向副栅线8，每根副栅线8宽度为50um。陶瓷浆料沿副栅线8的设置方向印刷，印刷直线呈线状。印刷好的陶瓷浆料线6与副栅线8平行，副栅线8两侧各印刷1根陶瓷浆料线6，每根陶瓷浆料线6的宽度为25um，高度为20um，同一副栅线8两侧的陶瓷浆料线6的预留间距为50um，如图4所示。陶瓷浆料线6总共设置100根。陶瓷浆料印刷在每根副栅线的两侧，以保证印刷铝浆时可控制铝浆与Al2O3钝化膜的接触面积，防止Al2O3钝化膜被铝浆过多腐蚀，保证电池转化率的稳定性。
9.采用恒温烘箱，对印刷好的陶瓷浆料进行烘干。
10.在预定间距为50um的2根陶瓷浆料线6中间，紧靠2根陶瓷浆料线6各印刷一条直线状铝浆5并进行烘干，最终形成图1所示的铝浆5。
11．对正电极进行银浆印刷及烘干。
12. 将硅体送入烧结炉烧结。
实施例二中制得的太阳能电池的平均转化效率测试为21.16%。
实施例三、一种太阳能电池的制备方法，具体包括如下步骤：
1. 在硅片的正表面和背表面进行制绒。
2.采用三氯氧磷液态源在绒面上进行管式磷扩散。
3.使用HF、HNO3等化学溶液对硅片周边及背面PN结进行刻蚀。
4.在硅片正表面进行氮化硅镀膜。
5.硅体背表面进行Al2O3钝化，Al2O3钝化膜厚度为10nm。
6.钝化结束后，采用银浆印刷背电极及烘干。
7. 制备陶瓷浆料：陶瓷浆料包括陶瓷粉体、分散剂，粘合剂以及溶剂。陶瓷粉体为70重量份，分散剂为0.5重量份，粘结剂为2重量份，溶剂为30重量份。陶瓷粉体为Al2O3或Si3N4；分散剂包括磺酸基的双键烯烃类单体与丙烯酸单体的共聚物；粘合剂为聚丙烯酸酯类粘结剂，由甲基丙烯腈单体、甲基丙烯酸酯单体和苯乙烯单体共聚形成；溶剂为甲苯和乙醇的混合溶液，所述甲苯与所述乙醇的质量比为1.5:1。
8. 将制备好的陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜的表面。在Al2O3钝化膜的表面印刷陶瓷浆料4时，除预留的多个方形间隔，整个电池背面的其余部分均印刷陶瓷浆料4。方形长宽为1cm×0.8cm，相邻方形之间间距0.5cm，陶瓷浆料4高度为8um。
9.采用恒温烘箱，对印刷好的陶瓷浆料4进行烘干。
10.除背面主栅线和边缘，在电池片背面的方形间隔中印刷铝浆5并进行烘干。
11．对正电极进行银浆印刷及烘干。
12. 将硅体送入烧结炉烧结。
实施例三中制得的太阳能电池的平均转化效率测试为21.13%。
本发明相比现有的太阳能电池制备方法，省略了背面氮化硅镀膜以及激光开槽的工序，工艺更简单方便，成本更低。本发明同时还加入采用陶瓷浆料印刷背电场的步骤，使得电池的转化率更加稳定。
应当指出，虽然通过上述实施方式对本发明进行了描述，然而本发明还可有其它多种实施方式。在不脱离本发明精神和范围的前提下，熟悉本领域的技术人员显然可以对本发明做出各种相应的改变和变形，但这些改变和变形都应当属于本发明所附权利要求及其等效物所保护的范围内。
Claims (9)
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
在硅片的正表面和背表面进行制绒；在绒面上进行管式磷扩散；使用化学溶液进行刻蚀；在硅片正表面镀膜；硅片背表面进行Al2O3钝化；钝化结束后，采用银浆印刷背电极及烘干；采用陶瓷浆料对背电场进行印刷及烘干，并预留铝浆印刷的位置；在预留位置内对背电场进行铝浆印刷及烘干；对正电极进行银浆印刷及烘干；将电池片送入烧结炉烧结。
2.根据权利要求1所述太阳能电池的制备方法，其特征在于：采用陶瓷浆料对背电场进行印刷及烘干包括以下步骤：
制备陶瓷浆料；将制备好的陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜的表面；采用恒温烘箱，对刷好的陶瓷浆料进行烘干。
3.根据权利要求2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述陶瓷浆料包括陶瓷粉体，分散剂，粘合剂以及溶剂；所述陶瓷粉体为70~100重量份，分散剂为0.5~3重量份，粘结剂为2~20重量份，溶剂为30~45重量份。
4.根据权利要求3所述太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述陶瓷粉体为Al2O3或Si3N4；所述分散剂为磺酸基的双键烯烃类单体与丙烯酸单体的共聚物；所述粘合剂为聚丙烯酸酯类粘结剂，由甲基丙烯腈单体、甲基丙烯酸酯单体和苯乙烯单体共聚形成，溶剂为甲苯和乙醇的混合溶液。
5.根据权利要求2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于：陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜表面时，除预留的多个用于印刷铝浆的方形或圆形间隔，整个电池背电场的其余部分均印刷陶瓷浆料。
6.根据权利要求2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于：陶瓷浆料印刷在Al2O3钝化膜表面时，陶瓷浆料沿副栅线的设置方向印刷，印刷呈直线状；印刷好的陶瓷浆料线与副栅线平行，副栅线两侧各印刷1根陶瓷浆料线，同一副栅线两侧的陶瓷浆料线的预留间距为副栅线的宽度。
7.根据权利要求2所述太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述陶瓷浆料的印刷高度为1 um ~20um。
8.根据权利要求1所述太阳能电池的制备方法，其特征在于：对背电场进行铝浆印刷时，铝浆完全填充预留位置或呈直线状印刷。
9.一种太阳能电池，其特征在于：包括Si基体，正面镀膜层和正电极，所述正面镀膜层位于Si基体正表面，正面镀膜层上设置有正电极；Si基体背表面设置有 Al2O3 钝化膜，Al2O3 钝化膜上印刷有陶瓷浆料和铝浆。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910650552.XA CN110289339B (zh) | 2019-07-18 | 2019-07-18 | 一种太阳能电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910650552.XA CN110289339B (zh) | 2019-07-18 | 2019-07-18 | 一种太阳能电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110289339A true CN110289339A (zh) | 2019-09-27 |
| CN110289339B CN110289339B (zh) | 2021-05-18 |
Family
ID=68023292
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910650552.XA Active CN110289339B (zh) | 2019-07-18 | 2019-07-18 | 一种太阳能电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110289339B (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112133789A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-12-25 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种双面perc太阳能电池及制备方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1441504A (zh) * | 2003-04-03 | 2003-09-10 | 上海交通大学 | 高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺 |
| CN103985779A (zh) * | 2013-02-08 | 2014-08-13 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池的制作方法及太阳能电池 |
| CN104201252A (zh) * | 2014-09-22 | 2014-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种perc太阳能电池的制备方法 |
| CN105190905A (zh) * | 2013-05-08 | 2015-12-23 | 西玛耐诺技术以色列有限公司 | 制造具有背面钝化层的光伏电池的方法 |
| CN105745767A (zh) * | 2013-11-20 | 2016-07-06 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于制造交指型背接触太阳能电池的方法 |
| CN107046068A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-08-15 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 |
| CN109103294A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 镇江大全太阳能有限公司 | 烧穿型局部接触背钝化太阳能电池的制作方法 |
| CN109427929A (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-05 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种perc微小图形印刷单晶太阳能电池片的制备方法 |
| CN109473504A (zh) * | 2017-09-06 | 2019-03-15 | 镇江大全太阳能有限公司 | 一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法 |
-
2019
- 2019-07-18 CN CN201910650552.XA patent/CN110289339B/zh active Active
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1441504A (zh) * | 2003-04-03 | 2003-09-10 | 上海交通大学 | 高效低成本大面积晶体硅太阳电池工艺 |
| CN103985779A (zh) * | 2013-02-08 | 2014-08-13 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能电池的制作方法及太阳能电池 |
| CN105190905A (zh) * | 2013-05-08 | 2015-12-23 | 西玛耐诺技术以色列有限公司 | 制造具有背面钝化层的光伏电池的方法 |
| CN105745767A (zh) * | 2013-11-20 | 2016-07-06 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 用于制造交指型背接触太阳能电池的方法 |
| CN104201252A (zh) * | 2014-09-22 | 2014-12-10 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种perc太阳能电池的制备方法 |
| CN107046068A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-08-15 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | P型perc双面太阳能电池及其制备方法、组件和系统 |
| CN109103294A (zh) * | 2017-06-20 | 2018-12-28 | 镇江大全太阳能有限公司 | 烧穿型局部接触背钝化太阳能电池的制作方法 |
| CN109427929A (zh) * | 2017-09-04 | 2019-03-05 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种perc微小图形印刷单晶太阳能电池片的制备方法 |
| CN109473504A (zh) * | 2017-09-06 | 2019-03-15 | 镇江大全太阳能有限公司 | 一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112133789A (zh) * | 2020-09-22 | 2020-12-25 | 常州时创能源股份有限公司 | 一种双面perc太阳能电池及制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110289339B (zh) | 2021-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5379767B2 (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法 | |
| CN201699033U (zh) | 双面受光型晶体硅太阳能电池 | |
| JP5152407B2 (ja) | 太陽電池セルおよびその製造方法 | |
| KR20100069950A (ko) | 태양전지용 전극, 그 제조방법 및 태양전지 | |
| CN102487091B (zh) | 一种新型背接触太阳能电池及其制造方法 | |
| CN107863420A (zh) | 无刻蚀处理的太阳能电池的制备工艺 | |
| CN107799616B (zh) | 一种叉指背接触太阳能电池片及其制作方法 | |
| CN104009118B (zh) | 一种高效n型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法 | |
| CN105355693A (zh) | 一种可提高光电转换效率的perc太阳能光伏电池 | |
| CN208352305U (zh) | 一种p型背接触太阳电池 | |
| CN108198903A (zh) | 一种背面镀膜处理的mwt太阳能电池的制备方法 | |
| CN108666386A (zh) | 一种p型背接触太阳电池及其制备方法 | |
| CN109473504A (zh) | 一种双面氧化铝钝化背面局部接触高效率晶体硅太阳能电池的制作方法 | |
| CN107706246A (zh) | 一种背面浆料直接烧穿的背钝化太阳能电池及其制造方法 | |
| CN110289339A (zh) | 一种太阳能电池及其制备方法 | |
| CN102231393A (zh) | 一种硅太阳能电池背场电极结构及其制备方法 | |
| JP2009164509A (ja) | 太陽電池素子及びその製造方法 | |
| CN212848424U (zh) | 太阳能电池 | |
| CN104009120B (zh) | N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法 | |
| CN104009119A (zh) | 一种p型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法 | |
| CN103009789B (zh) | 一种太阳能电池片及其印刷丝网 | |
| WO2018218474A1 (zh) | 一种提高电池板电极拉力的二次印刷工艺方法及网版 | |
| CN106887478A (zh) | P型perc双面太阳能电池、组件和系统 | |
| CN104009121B (zh) | P型晶体硅双面刻槽埋栅电池制备方法 | |
| CN103346172A (zh) | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |